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安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.FSNC23T24V2BSOT-23ESD 静电保护二极管▉Features特点Two Bidirectional Lines 两个双向ESD Protection 静电保护▉Applications应用Portable electronics 便携式电子产品Control &monitoring systems 控制与监视系统Cellular handsets and accessories 蜂窝手机及附件Servers,notebooks,and desktop PCs bus protection服务器、笔记本及台式机总线保护▉Internal Schematic Diagram 内部结构▉DeviceMarking 产品打标▉AbsoluteMaximum Ratings 最大额定值Characteristic 特性参数Symbol 符号Rat 额定值Unit 单位ESD (IEC61000-4-2contact discharge)@25℃接触放电V ESD +30KV ESD (IEC61000-4-2air discharge)@25℃空气放电V ESD +30KV Peak Pulse Power @25℃峰值脉冲功率P PK 450W Peak Pulse Current @25℃峰值脉冲电流I PP 8A Lead Temperature 管脚温度T L 260℃Lead Solder Time 管脚焊接时间T L 10S Operating Temperature 工作温度T op -40~125℃Junction Temperature 结温T J -55~150℃Storage Temperature 储存温度T stg-55~150℃CB2312ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.FSNC23T24V2B ▉Electrical Characteristics电特性(T A=25℃unless otherwise noted如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic Parameters 特性参数Symbol符号Min最小值Typ典型值Max最大值Unit单位Condition条件Reverse Stand-off Voltage反向工作电压V RWM24VReverse Breakdown Voltage反向击穿电压V BR26.528V I T=1mA Reverse Leakage Current反向漏电流I R1µA V RWM=24V Clamping Voltage钳位电压V C36V I PP=1A,tp=8/20µs Clamping Voltage钳位电压V C48V I PP=8A,tp=8/20µs Diode Capacitance二极管电容C D30pF V R=0V,f=1MHzV RWM Reverse Working Voltage 反向工作电压V R(BR)Reverse Breakdown Voltage反向击穿电压@I T=1mAI T Test Current测试电流I R Reverse Leakage Current反向漏电流@V RWMV C Clamping Voltage钳位电压I PP Reverse Peak Pulse Current浪涌电流C D Diode Capacitance二极管电容V IO=0V,V P-P=30mV,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.FSNC23T24V2B ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线■Typical Application典型应用ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.FSNC23T24V2B▉Dimension外形封裝尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
ESD静电保护芯片二极管详细介绍Electrostatic Discharge Protection Devices，简称ESD，中文名：静电保护元器件，也叫瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）、ESD静电二极管、ESD静电保护器件、ESD保护芯片，是一种高效型的静电保护器件。
在各类通信端口、接口中，经常需要用到ESD静电保护器件为其保驾护航，以品牌厂家东沃电子ESD静电保护器件为例，比如RS-485通讯接口选用SM712、USB2.0接口选用DW05DRF-B-AT-E和DW05-4R-AT-S、USB3.0接口选用DW05-4R2P-AT-S和DW3.3-4R2P-S、HDMI2.0接口选用DW05-4R2P-AT-S和DW05-4R2PZ-S、CAN BUS总线接口选用PESD1CAN等等。
ESD特性ESD是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路静电保护器件。
ESD工作电压比较低，一般是根据IC的工作电压设计的，比如2.8V、3.3V、5V、12V、15V、18V、24V、36V等等。
小体积，能够节约PCB空间。
低结电容，最低可达到零点几皮法，非常适合高频信号传输的通信端口中。
封装形式多样（SOD-323、SOD-523、SOT-23、SOT-553、SOT-563、SO-8、DFN1006-2L、DFN0603-2L、DFN0603-D等等），能够满足不同应用需求。
ESD厂家不可否认，目前市面上ESD厂家/供应商星罗棋布，琳琅满目，对于采购商而言，更多选择的背后却是更多的迷茫、不知所措。
找一家专业、可靠、稳定的ESD厂家/供应商是每个采购商最期盼的。
ESD选型、采购、询价、样品、方案设计等，东沃电子（DOWOSEMI），国内专业的ESD生产厂家，能够一站式满足客户不同的需求。
近段时间发现，很多客户因为“ESD国际品牌替代料号”找到了东沃电子，并给客户推荐了对应的料号，完美替代，不仅给客户解决了燃眉之急问题，而且还给客户节省了成本、缩短了供货周期、提供了更深层次服务（静电方案设计、EMC测试等。
esd二极管符号
摘要：
1.ESD 二极管的定义与作用
2.ESD 二极管的符号表示
3.ESD 二极管的种类与选型
4.ESD 二极管的应用场景
正文：
【1.ESD 二极管的定义与作用】
ESD（Electrostatic Discharge）二极管，即静电放电二极管，是一种用于保护电子设备免受静电放电损害的元器件。
静电放电二极管能够在很短的时间内承受高电压，并将电压分散到地面，从而避免设备因静电放电产生的高电压而损坏。
【2.ESD 二极管的符号表示】
ESD 二极管的符号表示通常是一个带有斜线的圆圈，圆圈中间有一个字母“D”，表示二极管。
斜线代表二极管的引脚，用于连接电路。
有时，符号中的字母“D”会被省略，仅使用斜线表示。
【3.ESD 二极管的种类与选型】
根据不同的工作电压、静电放电能力等参数，ESD 二极管有多种类型。
在选型时，需要根据设备的工作电压、静电放电要求等参数进行选择。
常见的ESD 二极管型号有：TVS（Transient Voltage Suppressor）瞬态电压抑制器、SPD（Surge Protective Device）浪涌保护装置等。
【4.ESD 二极管的应用场景】
ESD 二极管广泛应用于各种电子设备中，如：电源供应器、通讯设备、计算机及周边设备、家电产品等。
Part Number (Reference) ESD3.3V52D-A ESD05V52D-A ESD08V52D-A ESD12V52D-A ESD15V52D-A ESD24V52D-A ESD05V52D-C ESD12V52D-CInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5 8 12 15 24 5 9Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 110 70 60 50 25 10 5 450 200 30 100 75 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 120 120 120 120 120 120 100 100 320 320 100 320 320 320 200 5 5 5 5 5 1 1 40 10 1 1 1 1SOD-5234 6 8.5 13.3 16.6 26.7 6 10.2 4 6 6 13.3 16.7 26.7SOD-523 ESD03V32D-C ESD05V32D-C ESD0501V32D-C ESD12V32D-C ESD15V32D-C ESD24V32D-C 3 5 5 12 15 24SOD-323ESD3.3V32D-LA ESD05V32D-LA SOD-323 ESD03V32D-LC ESD05V32D-LC ESD08V32D-LC ESD12V32D-LC ESD15V32D-LC ESD24V32D-LC3.3 5.04 60.4 0.4350 35020 5SOD-3233.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.04.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.71.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2350 350 350 350 350 35020 5 2 1 1 1ESD05V14TLC SOT-1435.06.01.23005Part Number (Reference) ESD03V23T-2A ESD05V23T-2A ESD05V23T-2AL ESD08V23T-2A ESD12V23T-2A ESD15V23T-2A ESD24V23T-2A ESD36V23T-2AInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.0Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 400 300 30 250 150 100 88 60Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 300 300 100 300 300 300 300 300 100 10 0.1 1 1 1 1 1SOT-234.0 6.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.7 40.0ESD05V23T-2L SOT-23 Pin 3 to Pin1/Pin2 SM712 Pin 3 to Pin1/Pin2 ESD3.3V23T-1A ESD05V23T-1A ESD08V23T-1A ESD12V23T-1A ESD15V23T-1A ESD24V23T-1A ESD36V23T-1A SOT-235.06.01350177.555400107 3.3 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.013.3 4.0 6.0 8.5 13.3 16.7 24.0 40.055 5 5 5 5 5 5 5400 500 500 500 500 500 500 5001 40 5 5 1 1 1 1SOT-23SLVU2.8 SOT-232.83.034001ESD05V26T-4 SOT-265.06.01.23501Part Number (Reference) ESD05V26T-4L ESD12V26T-4L ESD15V26T-4L ESD24V26T-4LInternal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 90 70 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 350 350 350 350 5 1 1 15.0 12.0 15.0 24.0 SOT-266.0 13.3 16.7 26.7ESD05V26T-5L ESD12V26T-5L ESD15V26T-5L ESD24V26T-5L SOT-265.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.7200 90 70 50350 350 350 3505 1 1 1ESD05V36T-4L SOT-3635.06.021501ESD05V36T-5L SOT-3635.06.0501001ESD05V56T-2L SOT-5635.06.00.9501ESD05V56T-4L SOT-5635.06.0301001ESD05V56T-5L SOT-5635.06.0301001Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD12V56T-2C SOT-5639.010.031001SLVU2.8-4 SO-082.83.024005SLVU2.8-8 SO-08 ESD06V08S-4L SO-082.83.0560056.06.825200020ESD05V08S-4L SO-08 LCDA05C-4 LCDA12C-4 LCDA15C-4 LCDA24C-45.06.0550010SO-085.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1LCDA05C-8 LCDA12C-8 LCDA15C-8 LCDA24C-8 SO-165.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD05VDFN-C DFN10065.06.0101001ULC0524P DSON-105.06.00.81501ULC0528P5.06.50.52000.5MSOP-08ESD05V10S-4L MSOP-105.06.00.51251Cell Phone CCD Camera LinesEE0504K LWSON-085.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5Cell Phone CCD Camera LinesESD0506K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-12Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)Cell Phone CCD Camera LinesEE0508K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-16EE0508DFN5.06.0171DFN3014Differential Mode vs. Common Mode4345256162 of 211232011/3/31Curves of CharacterizationBAV99 vs TVS ARRAYS直接將突波導入到 Vcc -- 這種方式非 非 常不安全, 易導致 Vcc損害.直接將突波導入到 GND -- 這種方式非 非 常安全. 因為接地 區域有較大阻抗可 以分散突波.4 of 212011/3/31Parasitic InductanceESD ProtectorESD Protector不妥當的方式 : 無法將保護元件直接貼 在信號線上. 會產生寄 生電感. 造成保護能力 被寄生的電感減弱.安全的方式 : 將保護元件直接貼在信 號線上. 讓保護能力全 力發揮.Fine Layout vs Parasitic InductanceFine Layout -- Without Parasitic InductanceNOT recommation -- Parasitic Inductance7 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance直接將保護ESD保護能力元件貼在信號線上--不會產生寄生電感問題.可以完全發揮8 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance3-PIN產品的應用9 of 212011/3/31USB 3.0 Interface ProtectionMSOP-0810 of 212011/3/31HDMI Interface ProtectionSLP2510P8(2.5x1.0x0.5mm)11 of 212011/3/31USB 3.0 Interface Protection12 of 212011/3/31GR-1089 Lighting Protection for T-Carrier Interface13 of 212011/3/3110/1000 Gigabit Ethernet Protection14 of 212011/3/31。
esd静电二极管符号【实用版】目录1.ESD 静电二极管的概念与作用2.ESD 静电二极管的符号表示3.ESD 静电二极管的应用领域4.ESD 静电二极管的发展前景正文一、ESD 静电二极管的概念与作用ESD（Electrostatic Discharge）静电二极管，又称为静电放电二极管，是一种半导体器件，用于保护电子设备免受静电放电（ESD）的影响。
静电放电是指在接触、摩擦、分离等过程中，由于电荷的转移而产生的瞬间电压。
当电子设备暴露在静电放电环境中时，可能会受到损害，导致设备性能下降或失效。
因此，ESD 静电二极管在微电子和半导体制造行业中具有重要作用。
二、ESD 静电二极管的符号表示ESD 静电二极管的符号表示为一个带有箭头的圆形，箭头表示正极，圆形代表负极。
在电路图中，ESD 静电二极管通常用这个符号来表示。
当需要表示多个 ESD 静电二极管时，可以在圆形符号上添加数字，表示不同的二极管。
三、ESD 静电二极管的应用领域ESD 静电二极管广泛应用于以下领域：1.微电子和半导体制造行业：在半导体器件制造过程中，需要对设备进行静电防护，以确保生产出的半导体器件性能稳定。
2.通讯设备：如 RS-485 接口等，需要使用 ESD 静电二极管进行静电防护。
3.消费电子产品：如手机、电视、电脑等，都需要进行静电防护，以提高产品稳定性和可靠性。
4.医疗设备：在医疗设备中，ESD 静电二极管可以防止静电放电对设备造成损害，保证设备的正常运行。
四、ESD 静电二极管的发展前景随着科技的发展，微电子和半导体制造行业对静电防护的要求越来越高。
因此，ESD 静电二极管在技术上将不断改进，以适应行业的发展需求。
esd静电二极管符号
摘要：
1.什么是ESD静电二极管
2.ESD静电二极管的作用
3.ESD静电二极管的符号表示
4.ESD静电二极管与其他类型二极管的比较
5.ESD静电二极管的应用领域
正文：
ESD静电二极管是一种用于保护电子设备免受静电放电（ESD）损害的元件。
它可以在短时间内承受极高的电压脉冲，并将其引导到地面，从而保护其他电路元件不受损害。
ESD静电二极管的主要作用是在设备遭受静电放电时，快速地将放电电流引导至地面，以避免损害设备中的其他敏感电路元件。
这种二极管通常具有较低的正向电压降和较高的反向击穿电压，使其能够在需要时快速导通并承受大量电流。
在电路图中，ESD静电二极管的符号通常为一个带有箭头的直线，箭头表示二极管的方向。
在二极管符号的旁边，可能会标注其额定电压和容差等参数。
与其他类型的二极管相比，ESD静电二极管具有更快的响应速度和更高的击穿电压。
这使得它们能够更好地保护电路免受ESD事件的损害。
另外，ESD 静电二极管的漏电流通常较小，因此它们对于低电流应用也是理想的选择。
ESD静电二极管广泛应用于各种电子设备中，特别是在便携式设备、计算机、通信设备和消费电子产品中。
它们的主要应用场景包括：数据线保护、USB端口保护、LCD显示器保护、触摸屏保护等。
esd二极管选型及应用ESD二极管选型及应用ESD二极管是一种专门用于防静电电路的二极管，它主要用于防止静电对电子设备的损害。
随着电子设备的普及，静电的危害也越来越受到重视，因此ESD二极管也越来越重要。
本文将介绍ESD二极管的选型和应用。
一、ESD二极管的选型ESD二极管的选型需要考虑以下几个方面：1. 额定电压ESD二极管的额定电压是指其可承受的最大电压。
选型时应根据实际应用中的最大电压来选择合适的ESD二极管。
如果所选的ESD 二极管的额定电压过低，将无法承受实际应用中的电压，导致损坏。
2. 静电放电等级静电放电等级是指ESD二极管能够承受的静电放电电压。
选型时应根据实际应用中的静电放电等级来选择合适的ESD二极管。
如果所选的ESD二极管的静电放电等级过低，将无法承受实际应用中的静电放电，导致损坏。
3. 封装形式ESD二极管的封装形式有多种，如SOT、SOD等。
选型时应根据实际应用中的封装形式来选择合适的ESD二极管。
如果所选的ESD 二极管的封装形式不符合实际应用的要求，将无法安装到电路板上，导致无法使用。
二、ESD二极管的应用ESD二极管主要应用于以下几个方面：1. 静电防护ESD二极管可以用于防止静电对电子设备的损害。
当电子设备受到静电冲击时，ESD二极管可以将静电放电到地面上，从而避免静电对电子设备的损害。
2. 保护输入输出端口ESD二极管可以用于保护输入输出端口。
当输入输出端口受到静电冲击时，ESD二极管可以将静电放电到地面上，从而避免静电对输入输出端口的损害。
3. 保护通信接口ESD二极管可以用于保护通信接口。
当通信接口受到静电冲击时，ESD二极管可以将静电放电到地面上，从而避免静电对通信接口的损坏。
三、ESD二极管的注意事项在使用ESD二极管时，需要注意以下几个事项：1. 安装正确ESD二极管的极性需要正确安装，否则将无法正常工作。
应根据ESD二极管的数据手册来正确安装。
2. 防止过压ESD二极管的额定电压是指其可承受的最大电压，应该注意防止过压，否则将导致ESD二极管损坏。
静电保护二极管符号（最新版）目录1.静电保护二极管的概念2.静电保护二极管的符号3.静电保护二极管的作用4.静电保护二极管的应用场景5.静电保护二极管的选型要点正文静电保护二极管是一种用于保护电子设备免受静电放电损害的半导体元件。
当设备遭受静电放电时，静电保护二极管能够将大部分的静电电荷导入地线，从而保护设备免受损害。
下面我们将详细介绍静电保护二极管的符号、作用、应用场景以及选型要点。
一、静电保护二极管的概念静电保护二极管，又称 ESD 保护二极管，是一种特殊的二极管，用于防止静电放电对电子设备造成损害。
二、静电保护二极管的符号静电保护二极管的符号通常用英文字母“ESD”表示，其中的“E”代表 Electrostatic（静电），“S”代表 Static（静止），“D”代表 Diode （二极管）。
三、静电保护二极管的作用静电保护二极管主要有以下作用：1.将静电放电导入地线，保护设备免受损害。
2.限制放电电流，避免设备受到过大的电流冲击。
3.提高设备的抗干扰能力，保证设备正常工作。
四、静电保护二极管的应用场景静电保护二极管广泛应用于以下场景：1.电子产品制造生产线，如手机、电脑等设备。
2.电子设备维修、检测和调试。
3.实验室、研究所等研发场所。
4.电子元器件仓库、物流运输等环节。
五、静电保护二极管的选型要点在选择静电保护二极管时，需要考虑以下要点：1.静电保护能力：根据设备的静电敏感程度选择合适的静电保护二极管。
2.耐压值：选择耐压值略高于设备最大工作电压的静电保护二极管。
3.响应速度：选择响应速度快的静电保护二极管，以确保在静电放电发生时能够快速导入地线。
4.封装形式：根据设备的安装空间和外观要求选择合适的封装形式。
总之，静电保护二极管是保护电子设备免受静电放电损害的重要元件。
二极管esd保护原理与电路结构
二极管ESD保护原理是利用二极管在正向偏置下具有较低的
电阻，在逆向偏置下具有较高的电阻的特性。
当出现静电放电（ESD）时，二极管会迅速转变为逆向偏置状态，从而将静电放电的能量引导到地或其他低阻抗路径上，从而保护被保护电路免受静电放电的损害。
二极管ESD保护电路通常采用反向并联二极管的结构，常见
结构有：
1. 反向并联二极管电路：将两个二极管反向并联，一个二极管的正向偏置电压为正向击穿电压，另一个二极管的正向偏置电压稍高。
这样可以使其中一个二极管在较低电压下工作，吸收ESD的能量；另一个二极管在较高电压下工作，提供更高的
击穿电压。
2. 差分双向二极管电路：通过并联两个反向并联二极管电路，其中一个二极管用于正向保护，另一个二极管用于负向保护，以实现对于正负方向ESD的保护。
3. 基极结保护结构：在晶体管的B-E端并联一个二极管，以
实现对于晶体管的ESD保护。
当ESD事件发生时，二极管将
导向晶体管的基极，使其处于截至状态，保护晶体管不受损害。
这些二极管ESD保护电路结构可以根据不同的应用需求进行
选择和设计，并常常与其他ESD保护元器件（如电阻、电容、放电管等）一起使用，以增强保护效果。
