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材料科学基础选择题及考试答案.docx

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选择题

注：所有题目均为单项选择题，红色字母代表的选项为正确答案。

各章题目数:

Chi Ch2 Ch3 Ch4 Ch5 Ch6 Ch7 Ch8 Ch9

38 44 30 29 22 22 21 206

第一章晶体结构

1、 晶体中由结点构成的空间总体称为空间点阵，空间点阵的特点是：（ ）o

A:阵点周围环境都相同，在空间的位置一定

B:阵点周围环境不同，在空间的位置一定

C:阵点周围环境都相同，在空间的位置无序

D:阵点周围环境不同，在空间的位置无序

2、 依据晶格特征参数之间关系的不同及空间阵点在空间排列方式不同，结晶学

中的晶族、晶系和布拉菲（Bravais）点阵的数目分别为：

A: 7、3 和 14 B: 3、7 和 14

C: 7、14 和 3 D: 14、7 和 3

3、 极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（）过渡，最终使晶体结构 类型发生变化。

A:共价键向离子键 B:离子键向共价键

C:金属键向共价键 D:键金属向离子键

4、 离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（ ），离子

配位数（ ）o

A:增大，降低 B:减小，降低

C:减小，增大 D:增大，增大

5、 等大球体紧密堆积时，形成了八面体和四面体两种空隙，它们分别由（ ）

个等大球体堆积构成。

A: 8 和 4 B: 4 和 8

C: 4 和 6 D: 6 和 4

6、 如果等大球体在空间的堆积按照（）的层序堆积，则这样的堆积构成六方 最紧密堆积。

A: ABAB ....... B: ABCABC ........

C: ABBABB ....... D: AABAAB .......

7、 如果等大球体在空间的堆积按照（）的层序堆积，则这样的堆积构成面心 立方结构。

A: ABAB ....... B: ABCABC ........

C: ABBABB ....... D: AABAAB .......

8、 当N个等大的球体作面心立方堆积时，形成的四面体空隙个数为（ ）□

A: N B: 2N

C: 3N D: 4N 9、 当N个等大的球体作面心立方堆积时，形成的八面体空隙个数为（ ）□ A: N B: 2N

C: 3N D: 4N

10、 某一晶面在a、b、c三个结晶轴上的截距分别为3a、3b、2c,该晶面的晶面 指数为（ ）o

A: （332） B: （223）

C: [332] D: [223]

11、 某一晶面在三a、b、c个结晶轴上的截距分别为3a、2b、c,该晶面的晶面 指数为（ ）o

A: （236） B: （321）

C: [236] D: [321]

12、 某一晶面在a、b、c三个结晶轴上的截距分别为a、2b、2c,该晶面的晶面 指数为（ ）o

A: （122） B: （211）

C: [122] D: [211]

13、 有三种化合物AX、BX、CY,离子半径分别为Rx=0.181nm, RY=0.130nm,

RA=0.095nm, Rb=0.169nm, Rc=0.034nmo这三种化合物的配位数大小顺序是

（ ）

A: AX>BX>CY B: BX>AX>CY

C: AX>CY>BX D: CY>BX>AX

14、 现有三种离子化合物MiX、M2X和M3Y, MI、M2和M3分别代表三种不同 的阳离子，其半径分别为0.95A、1.69A和0.34A, X及Y为阴离子，半径分别 为1.81 A和1.30 A,根据鲍林规则可判断出这三种化合物的配位数大小有（ ） 关系。

A： M1X>M2X >M3Y B： M1X

C： M1X>M3Y>M2X D： M2X> M1X>M3Y

15、 Ag+半径为0.115nm, CT半径为0.181nm,则AgCl晶体中离子的理论配位数

为（ ）。

A: 3 B:4

C: 6 D: 8

16、 NaCl单位晶胞中的“分子数”为4, Na+填充在CT所构成的（ ）空隙中。

A:全部四面体 B:全部八面体

C: 1/2四面体 D: 1/2八面体

17、 在某MX离子晶体中，若其中的阴离子易被极化，则：（ ）。

A:阴阳离子间距增大、配位数增加。

B:阴阳离子间距增大、配位数降低。

C:阴阳离子间距降低、配位数降低。

D:阴阳离子间距降低、配位数增加。

18、 在一般情况下，离子晶体的结构决定主要取决于正、负离子半径比。若某离 子晶）。 体中的正、负离子的半径比为0.564,其正离子的配位数应为（

A: 3 B: 6 C:4 D: 8

19、 离子晶体的配位数决定主要取决于正、负离子半径比，下列叙述正确的是

（）o

A:配位多面体是八面体时，正负离子半径比应处于0.414-0.732范围

B:配位多面体是四面体时，正负离子半径比应处于0.155-0.225范围

C:配位多面体是八面体时，正负离子半径比应处于0.155-0.225范围

D:配位数为4时，正负离子半径比应处于0.732-1.0范围

20、 CsCl单位晶胞中的“分子数”为1, Cs+填充在CT所构成的（）空隙中。

A:全部四面体 B:全部八面体

C:全部立方体 D: 1/2八面体

21、 在硅酸盐晶体结构中，当硅氧四面体呈单链相连时，该晶体的O/Si为（ ）。

A: 11/4

C: 10/4 D: 7/2

22、 在四方晶系中，晶面（110）与晶棱［110］相互（ ）。

A:正交 B:平行

C:斜交 D:A或B

23、 MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方

格子组成，其一个单位晶胞中有（ ）个MgO分子。

A: 2 B: 4

C: 6

24、Mg2SiO4的结构形式为：。2-近似六方紧密堆积，Mg2+和Si4+分别填充在不同 的空隙中，被填充的八面体空隙和四面体空隙各占同类空隙数的（ ）。

C:-和上 D:-和』 2 4 2 8

25、 萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F填充了（ ）。

A:八面体空隙的半数 B:四面体空隙的半数

C:全部八面体空隙 D:全部四面体空隙

26、 萤石晶体中Ca2+的配位数为8, F配位数为（ ）。

A: 2

C: 6 D: 8

27、 CsCl晶体中Cs+的配位数为4, CT的配位数为（ ）。

A: 2 B: 4

C: 6 D: 8

28、 某离子晶体AB中，阴离子的配位数为8,若不发生离子极化，则r+/r一值的

大小应在（ ）范围内。

C: 0.414〜0.732 D: 0.732-1

29、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被AP+取代，这种现象称为（ ）。 B: 3/1

D: 8

B: 4

A: 0.115 〜0.225 B: 0.225〜0.414 A:同质多晶 B:有序一无序转变 C:同晶置换 D:马氏体转变

30、叶蜡石 Al2［Si4Oio］（OH）2和滑石 Mg3［Si4Oio］（OH）2 同属于 2:1 型（三层型）

层状结构，

A:

B:

C:透辉石CaMg［Si2O6］结构中，［SiO4］4-共用顶点的个数为（

A: 1 B: 2

C: 3 D:4

34、层状硅酸盐结构的O/Si比值为（ ）。

A: 2 B: 2.5

C: 3 D: 3.5

35、 对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序

为（ ）。

A:沸石〉萤石〉MgO B:沸石〉MgO＞萤石

C:萤石〉沸石〉MgO D:萤石〉MgO＞沸石

36、 石英晶体存在多晶转变现象，各个变体都有自己稳定存在的热力学范围，a- 石英和P一石英在573°C的晶型转变属于（）。

A:位移性转变 B:结构性转变

C:重建性转变 D: A+B

37、 根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价

阴离子的配位数为（ ）。

A:2 B:4

D: 8

38、构成硅酸盐晶体的基本结构单元［SiCU］四面体，两个相邻的［SiCU］四面体之

间只能（）连接。

A:共顶 B:共面

C:共棱 D: A+B+C

Chi参考答案

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

A B B B D A B B A B A B B D C B C B A C

21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38

B A B D D B B D C A C A B B A A B A 它们的区别在于（ ）o

结构中的八面体空隙被不同阳离子所占据

结构中的四面体空隙被不同阳离子所占据

两者属同质多晶

31、

32. D:前三种情况都不是

透辉石CaMg［Si2O6］是（

A:岛状结构

C:链状结构

镁橄榄石Mg2SiO4］是（

A:岛状结构

C:链状结构 )o

)o B:层状结构

D:架状结构

B:层状结构

D:架状结构

33、 )o

C: 6 第二章晶体结构缺陷

点缺陷中属于本征缺陷的是（

A：弗仑克尔缺陷

C：杂质缺陷 2、热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度（）o

A：增加

C：不变 D： A或B

3、MgO晶体中弗林克尔缺陷的生成能为2.8ev,在1600°C时，热缺陷浓度为（

波尔兹曼常数 k=1.38xl023, lev=1.602xl019J）o

A： 8x10-9 B： 1x10-9

4、 柏格斯矢量（Burgers Vector）与位错线垂直的位错称为（ ）,其符号表示

为（ ）。

A：刃位错；± B：刃位错；Vx

C：螺位错；© D：刃位错；©

5、 柏格斯矢量（Burgers Vector）与位错线平行的位错是（ ）,其符号表示为

（ ）。

A:螺位错；（b B:螺位错；T

C:刃位错；1 D:刃位错；&

6、 非化学计量氧化物中的缺陷浓度可受 的影响。

A:温度 B:压力

C:气氛 D:A+B+C

7、 MgO晶体中肖特基缺陷的生成能为6ev,在25°C时，热缺陷浓度为（ ）

（波尔兹曼常数 k=1.38xl023, lev=1.602xl019J）o

A： 5x10-2。 B： 8x10-9

C： 1.92X10'51 D： 2x10-4。

8、 CaF2弗伦克尔缺陷的生成能为2.8ev,在1600°C时，热缺陷浓度为（ ）。

（波尔兹曼常数 k=1.38x IO%； lev=1.602xl019J）

A: 1.8x10-6 B: 1.7X10'4

C: 2.0X10 2 D: 1.5xl（y8

9、TiO2是还原气氛下烧结时形成常见的（ ）的半导体材料，其烧结体色泽 1、点缺陷与材料的电学性质、 光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下

B：肖特基缺陷

D： A+B

B：降低

C： 5x10-2° D： 2x10-3

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2012四川大学研究生入学考试材料科学基础真题与答案

2012四川大学研究生入学考试材料科学基础真题与答案

1 ｛110｝《110》

2.螺型位错 垂直 单位位错

3 伪共晶 不平衡共晶体 离异共晶

4 脱溶分解 调幅分解

5 直线 重心

6 纯剪切断裂 微孔聚集型断裂 解理断裂

7 二次再结晶是在结晶完成后，晶粒的长大只是少数晶粒突发性地、迅速地粗化，使晶粒之间的尺寸差别越来越大这种不正常的晶粒长大

9γ

二简答题

1、简述间隙固溶体、间隙相、间隙化合物的异同点

相同点：小原子溶入。

不同点：间隙固溶体保持溶剂（大原子）点阵；

间隙相、间隙化合物改变了大原子点阵，形成新点阵。间隙相结构简单；间隙化合物结构复杂。

2、为什么晶粒细化既能提高材料的强度，也能改善塑性和韧性

晶粒细化减小晶粒尺寸,增加界面面积,而晶界阻碍位错运动,提高强度； 晶粒数量增加,塑性变形分布更为均匀,塑性提高；晶界多阻碍裂纹扩展,改善韧性。

3、成分过冷是指合金凝固时由于液固界面前沿溶质浓度分布不均匀，使其实际温度低于其理论熔点而造成的一种特殊过冷现象。

在正的温度梯度下，若无成分过冷，晶体以平面方式生长，界面呈平直界面。成分过冷区较小时，晶体以胞状方式生长，呈现凸凹不平的胞状界面，称为胞状组织或胞状结构。成分过冷区大时，晶体可以树枝状方式生长，形成树枝晶。在两种组织形态之间还会存在过渡形态：平面胞状晶和胞状树枝晶。当成分过冷度大于形成新晶核所需要的过冷度时，就会在固液界面前沿的液相中产生大量的新晶核，从而获得等轴晶粒。

4.简述不同温度下金属的回复机制

答：(1)低温回复：主要涉及点缺陷的运动，空位或间隙原子移动到晶界或为错处消失。空位与间隙原子的相遇复合，空位集结形成空位对或空位片，使点缺陷密度大大下降。 (2)中温回复：随温度升高，原子活动能力增强，位错可以在滑移面上滑移或交滑移，使异号位错相遇相消，位错密度下降，位错缠结内部重新排列组合，使亚晶规整化。

(3)高温回复：原子活动能力进一步增强，位错除滑移外，还可攀移，主要机制是多变化。

大学计算机基础考试 单项选择题(含答案)

大学计算机基础考试 单项选择题(含答案)

1

选择题

1在下列字符中，其ASCII码值最大的一个是____。

A、9

B、Z

C、a

D、X

答案：C

2十进制数73转换成二进制数是____。

A、1001001

B、1010011

C、0110101

D、1101011

答案：A

3键盘在计算机中是属于____。

A、输出设备

B、存储设备

C、输入设备

D、控制设备

答案：C

4下列叙述中，正确的一条是____。

A、用高级程序语言编写的程序称为源程序

B、计算机能直接识别并执行用汇编语言编写的程序

C、机器语言编写的程序执行效率最低

D、不同型号的计算机具有相同的机器语言

答案：A

5下列叙述中，错误的一条是____。

A、内存储器一般由ROM和RAM组成

B、RAM中存储的数据一旦断电就全部丢失

C、软盘的存取速度比硬盘的存取速度快

D、存储在ROM中的数据可以永久保存，断电后也不会丢失

答案：C

6根据域名代码规定，域名中的____表示主要网络支持中心网站。

A、.net

B、.com

C、.gov

D、.org

答案：A

7计算机主要技术指标通常是指____。

A、所配备的系统软件的优劣

B、CPU的主频和运算速度、字长、存储容量

C、显示器的分辨率、打印机的配置

D、硬盘容量的大小

答案：B

8按操作系统的分类，Unix属于____操作系统。

A、批处理

B、实时

C、分时

D、多道批处理

答案：C

9下列叙述中，正确的一条是____。

A、计算机能直接识别并执行用高级程序语言编写的程序 B、用机器语言编写的程序可读性最差

C、机器语言就是汇编语言

D、高级语言的编译程序属于应用软件

答案：B

10计算机感染病毒的可能途径之一是_____。

A、从键盘上输入数据

B、通过电源线

C、所使用的软盘表面不清洁

D、随意打开不明来历的电子邮件

答案：D

11调制解调器（Modem）的作用是____。

A、将计算机的数字信号转换成模拟信号

材料科学基础期末考试卷及答案(10级)

材料科学基础期末考试卷及答案(10级)

材料科学基础

一. 填空题（22分）

1. 对于小角度晶界结构而言，对称侧晶界由__一列平行的刃形位错__构成，非对称侧晶界由_两组柏氏矢量相互垂直的刃形位错_构成，扭转晶界由_螺型位错_构成。

2. 按原子排列情况和吻合程度分类，界面可分为_共个界面_、_非共格界面_、_半共格界面_和复杂半共格界面。

3. 界面迁移与原子运动方向_相反_（相同/相反），速度方向_相同_（相同/相反）。

4. 晶界能的来源有_弹性能_、_核心能_、_化学键能_。

5. 热力学稳定的液—固界面微观结构主要有_粗糙界面_和_光滑界面_。

6. 纯金属及金属凝固后得到的典型铸锭组织由_表面细晶区_、_柱晶取_、__中心等轴晶区__三个区域构成。

7. 晶体材料中质点扩散的微观机制主要有__空位机制__、_间隙机制__及其他（亚间隙机制、环易位机制等），扩散系数D阿累尼乌斯公式可写成__D=𝐷0*e-Q/RT_，对于空位扩散机制，扩散活化能有_空位形成能__、_空位迁移能__对于间隙扩散机制，扩散活化能只包括_间隙原子的迁移能__。

8. 从热力学角度看，烧结的基本驱动力是___系统表面能、界面能的减少____，动力学上的表现为___各种复杂的船只过程___，烧结后宏观上的表现为__坯体收缩、致密化与强度增大___，微观上的表现为__发生晶粒尺寸与形状、气孔的尺寸形状变化__。

9. 固态相变的驱动力___新相与母相的自由焓之差__，阻力__界面能__和__应变能___。

10. 金属固态相变的三种基本变化__结构____、__成分___、___有序程度变化__。

11. 奥氏体是碳在__a-固溶体__中的间隙固溶体。

12. 奥氏体形成的热力学条件是奥氏体自由能__小于__（大于/小于）珠光体自由能。

13. 贝氏体转变时，温度较高存在__碳__的扩散。

14. 球化处理由片状向粒状转变可降低__表面能__，为自发过程。

材料科学基础试卷(带答案)

材料科学基础试卷(带答案)

材料科学基础试卷(一)

一、概念辨析题（说明下列各组概念的异同。任选六题，每小题3分，共18分）

1 晶体结构与空间点阵

2 热加工与冷加工

3 上坡扩散与下坡扩散

4 间隙固溶体与间隙化合物

5 相与组织

6 交滑移与多滑移

7 金属键与共价键

8 全位错与不全位错

9 共晶转变与共析转变

二、画图题（任选两题。每题6分，共12分）

1 在一个简单立方晶胞内画出［010］、［120］、［210］晶向和（110）、（112）晶面。

2 画出成分过冷形成原理示意图（至少画出三个图）。

3 综合画出冷变形金属在加热时的组织变化示意图和晶粒大小、内应力、强度和塑性变化趋势图。

4 以“固溶体中溶质原子的作用”为主线，用框图法建立与其相关的各章内容之间的联系。

三、简答题（任选6题，回答要点。每题5分，共 30 分）

1 在点阵中选取晶胞的原则有哪些？

2 简述柏氏矢量的物理意义与应用。

3 二元相图中有哪些几何规律？

4 如何根据三元相图中的垂直截面图和液相单变量线判断四相反应类型？

5 材料结晶的必要条件有哪些？

6 细化材料铸态晶粒的措施有哪些？

7 简述共晶系合金的不平衡冷却组织及其形成条件。

8 晶体中的滑移系与其塑性有何关系？

9 马氏体高强度高硬度的主要原因是什么？

10 哪一种晶体缺陷是热力学平衡的缺陷，为什么？

四、分析题（任选1题。10分）

1 计算含碳量w=0.04的铁碳合金按亚稳态冷却到室温后，组织中的珠光体、二次渗碳体和莱氏体的相对含量。

2 由扩散第二定律推导出第一定律，并说明它们各自的适用条件。

3 试分析液固转变、固态相变、扩散、回复、再结晶、晶粒长大的驱动力及可能对应的工艺条件。

五、某面心立方晶体的可动滑移系为(111) [110].（15分）

(1) 指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量.

(2) 如果滑移由纯刃型位错引起,试指出位错线的方向.