氧化锆,(<2000C)
– 钟罩窑、梭式窑 室温就高吸收:CaCO3、Fe2O3、Cr2O3、SiC等
以高压气体作为压力介质作用于陶瓷材料(包封的粉体和素坯,或烧结体),使其在高温环境下受到等静压而达到高致密化 氧化锆,(<2000C)
• 连续式: 氮化硅无熔点、高温分解(1900C)
硅钼棒,MoSi2(<1700C)
• 整体均匀加热 低温吸收小,高于某温度急剧增加:Al2O3、MgO、ZrO2、Si3N4等
利用微波与材料的相互作用,其介电损耗导致陶瓷坯体自身发热而烧结
• 无热惯性,烧成周期短 埋粉(Si3N4:BN:MgO=5:4:1)抑制氮化硅分解
管式气氛炉:电热丝、硅碳、硅钼 为了抑制氮化物分解,在N2气压力1-10MPa高压下烧成。
Al2O3-SiO2)
• 采用α氮化硅为原料,1420C相变为β相,有利烧结, 且该β相为柱状晶,力学性能好。
• 埋粉(Si3N4:BN:MgO=5:4:1)抑制氮化硅分解
氮化硅的气压烧结 (Gas Pressure Sintering GPS)
• 为了抑制氮化物分解,在N2气压力110MPa高压下烧成。
• 对于氮化硅常压烧成温度要低于1800C, 而气压烧结温度可提高到2100-2390C。
热压烧结(Hot Pressing, HP)
• 加热的同时施加机械压力 ,增加烧结驱动力,促进 烧结
– 粘性流动 – 塑性变形 – 晶界滑移 – 颗粒重排
• 一般采用石墨模具,表面 涂覆氮化硼,防止反应
热等静压 (Hot Isostatic Pressing, HIP)
陶瓷烧结过程
烧结的驱动力
• 粉体表面能与界面能的差 • 传质过程