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电力电子技术 期末考试复习要点

电力电子技术 期末考试复习要点
电力电子技术 期末考试复习要点

课程学习的基本要求及重点难点内容分析

第一章电力电子器件的原理与特性

1、本章学习要求

1.1 电力电子器件概述,要求达到“熟悉”层次。

1)电力电子器件的发展概况及其发展趋势。

2)电力电子器件的分类及其各自的特点。

1.2 功率二极管,要求达到“熟悉”层次。

1)功率二极管的工作原理、基本特性、主要参数和主要类型。

2)功率二极管额定电流的定义。

1.3 晶闸管,要求达到“掌握”层次。

1)晶闸管的结构、工作原理及伏安特性。

2)晶闸管主要参数的定义及其含义。

3)电流波形系数k f的定义及计算方法。

4)晶闸管导通和关断条件

5)能够根据要求选用晶闸管。

1.4 门极可关断晶闸管(GTO),要求达到“熟悉”层次。

1)GTO的工作原理、特点及主要参数。

1.5 功率场效应管,要求达到“熟悉”层次。

1)功率场效应管的特点,基本特性及安全工作区。

1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),要求达到“熟悉”层次。

1)IGBT的工作原理、特点、擎住效应及安全工作区。

1.7 新型电力电子器件简介,要求达到“熟悉”层次。

2、本章重点难点分析

有关晶闸管电流计算的问题:

晶闸管是整流电路中用得比较多的一种电力电子器件,在进行有关晶闸管的电流计算时,针对实际流过晶闸管的不同电流波形,应根据电流有效值相等的原则选择计算公式,即允许流过晶闸管的实际电流有效值应等于额定电流I T对应的电流有效值。

利用公式I = k f×I d = 1.57I T进行晶闸管电流计算时,一般可解决两个方面的问题:一是已知晶闸管的实际工作条件(包括流过的电流波形、幅值等),确定所要选用的晶闸管额定

电流值;二是已知晶闸管的额定电流,根据实际工作情况,计算晶闸管的通流能力。前者属于选用晶闸管的问题,后者属于校核晶闸管的问题。

1)计算与选择晶闸管的额定电流

解决这类问题的方法是:首先从题目的已知条件中,找出实际通过晶闸管的电流波形或有关参数(如电流幅值、触发角等),据此算出通过晶闸管的实际电流有效值I,考虑(1.5~2)倍的安全裕量,算得额定电流为I T = (1.5~2) I /1.57,再根据I T值选择相近电流系列的晶闸管。

2)校核或确定晶闸管的通流能力

解决这类问题的方法是:由已知晶闸管的额定电流,计算出该管子允许通过的电流有效值。根据实际电流波形求出电流波形系数,算得晶闸管允许的实际电流平均值为I d = 1.57I T / k f(未考虑安全裕量时)。

3、本章典型例题分析

例1.1 晶闸管导通和关断的条件是什么?

解:晶闸管导通条件是:1)晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压;2)晶闸管门极和阴极之间必须加上适当的正向脉冲电压和电流。

在晶闸管导通后,门极就失去控制作用,欲使其关断,只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下,可采用阳极加反向电压、减小阳极电压或增大回路阻抗等方式。

例1.2 单相正弦交流电源,其电压有效值为220V,晶闸管和电阻串联相接,试计算晶闸管实际承受的正、反向电压最大值是多少?考虑2倍安全裕量,晶闸管的额定电压如何选取?

解:晶闸管所承受的正、反向电压最大值为输入正弦交流电源电压的峰值:2202= 311V;考虑2倍安全裕量,则晶闸管额定电压不低于2×311=622V,可取为700V。

4、本章作业

1.1.有些晶闸管触发导通后,触发脉冲结束时它又关断是什么原因?

答:晶闸管导通情况下,随着主回路电源电压的降低,主回路电流降低到某一数值以下时晶闸管就关断了。

1.2.晶闸管导通后,流过晶闸管的电流大小取决于什么?晶闸管关断后,其承受的电压大小取决于什么?

答:晶闸管导通后,流过晶闸管的电流完全由主电路的电源电压和回路电阻所决定。晶闸管关断后,其承受的电压大小取决于电源电压。

1.3.什么信号可用做晶闸管的门极触发信号?

答:处于晶闸管可靠触发区内的触发电压和电流可可用做晶闸管的门极触发信号。

1.4.教材P43:1.3,1.4,1.5,1.6

1.3答:晶闸管导通条件是:1)晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压;2)晶闸管门极

和阴极之间必须加上适当的正向脉冲电压和电流。

1.4答:晶闸管导通情况下,只要仍有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管仍

保持导通。在晶闸管导通后,门极就失去控制作用,欲使其关断,只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下,可采用阳极加反向电压、减小阳极电压或增大回路阻抗等方式。

1.5 答:m m d I t td I I 27.0)(sin 214

1?==

π

π

ωωπ

m m

I t d t I

I 48.0)()sin (214

2

1==

πωωπ

m m m d I t td I t td I I 38.0))(cos )(sin (214

24

52??=+

=

π

ππ

π

ωωωωπ

m m

m I t d t I

t d t I I 61.0))()cos ()()sin ((214

24

52

2

2=+

=

??π

ππ

πωωωωπ

m m d I t d I I 25.0)(212

3?

==

π

ωπ

m I t d I I m

5.0)(212

2

3==

?

π

ωπ

1.6 答:78.127.048.01

==

m

m f I I k

61.138.061.02

==

m

m f I I k

225.05.03

==

m

m f I I k

100A 的晶闸管能输出的平均电流

A I d 2.8878.110057.11=?= A I d 5.9761

.110057.12=?=

A I d 5.782

100

57.13=?=

A I m 7.32627

.02.881==

A I m 6.25638

.05.972==

A I m 31425

.05.781==

第二章 相控整流电路

1、本章学习要求

2.1 整流电路的概念,要求达到“熟悉”层次。 2.1.1

整流电路的概念、电路组成、分类等知识。

2.2 单相可控整流电路,要求达到“掌握”层次。 2.2.1

单相半波可控整流电路,要求达到“掌握”层次。

1)单相半波可控整流电路的组成及工作原理。

2)计算带电阻性负载的单相半波可控整流电路的相关参数。

2.2.2 单相桥式全控整流电路,要求达到“熟练掌握”层次。

1)单相桥式全控整流电路的组成及工作原理。

2)带电感性负载时的工作波形。

3)带反电动势负载时的工作波形。

4)带反电动势负载时串接平波电抗器的作用。

5)计算带不同性质负载时,单相桥式全控整流电路的相关参数。

6)带大电感负载时电路的输出电压、输出电流和晶闸管的电压、电流波形。

7)带不同性质负载时,控制角α的移相范围。

8)该电路中,晶闸管可能承受的最大正、反向电压值。

9)该电路中相应晶闸管的选取。

2.2.3 单相桥式半控整流电路,要求达到“掌握”层次。

1)单相桥式半控整流电路的组成及工作原理。

2)单相桥式半控整流电路产生失控现象的原因及防止失控的措施。

3)电路中,晶闸管可能承受的最大正、反向电压值。

2.2.4 单相全波可控整流电路,要求达到“熟悉”层次。

1)单相全波可控整流电路的组成及工作原理。

2.3 三相可控整流电路,要求达到“掌握”层次。

2.3.1 三相半波可控整流电路,要求达到“熟练掌握”层次。

1)三相半波可控整流电路的组成及工作原理。

2)三相半波可控整流电路的自然换相点,掌握移相控制角α的计算方法。

3)带大电感负载时的工作波形。

4)带大电感负载时电路相关参数的计算。

5)该电路中,晶闸管可能承受的最大正、反向电压值。

6)该电路中相应晶闸管的选取。

7)带不同性质负载时,控制角α的移相范围。

2.3.2 三相桥式全控整流电路,要求达到“熟练掌握”层次。

1)三相桥式全控整流电路的组成及工作原理。

2)当负载电流连续时,各晶闸管的换流顺序、相互间隔角度及每只管子的导电角。3)带大电感负载时电路的输出电压、输出电流和晶闸管的电压、电流波形。

4)带大电感负载时,控制角α的移相范围。

5)带大电感负载时电路相关参数的计算。

2.3.3 三相桥式半控整流电路,要求达到“熟悉”层次。

1)三相桥式半控整流电路的组成及工作原理。

2)三相桥式半控整流电路的失控现象。

3)电路中,晶闸管组和二极管组的自然换相点以及各自的换相规律。

2.4 整流变压器漏抗对整流电路的影响,要求达到“掌握”层次。

1)在考虑变压器漏抗时,整流电路在换相过程中输出电压值的特点。

2)在考虑变压器漏抗时,晶闸管换相的物理过程和换相重叠角γ的概念。

3)由于变压器漏抗的影响,将产生换相压降、造成整流输出电压波形畸变以及平均值的变化。

4)换相压降与哪些因素有关。

2.5 整流电路的有源逆变工作状态,要求达到“掌握”层次。

2.5.1 逆变的概念,要求达到“熟悉”层次。

1)逆变的概念。

2)整流和逆变的关系。

3)电源间能量的流转关系。

2.5.2 有源逆变产生的条件,要求达到“掌握”层次。

1)产生有源逆变的两个条件及其含义。

2)有源逆变时能量的流转方向。

2.5.3 三相有源逆变电路,要求达到“掌握”层次。

1)三相半波有源逆变电路的组成及工作原理。

2)三相半波有源逆变电路中相关电量的计算。

3)三相桥式有源逆变电路的组成及工作原理。

4)三相桥式有源逆变电路中相关电量的计算。

2.5.4 逆变失败的原因及最小逆变角的限制,要求达到“掌握”层次。

1)逆变角β的定义。

2)逆变失败的概念。

3)逆变失败的原因及防止措施。

4)确定最小逆变角的三个因素及其含义。

2.5.5 有源逆变的应用,要求达到“熟悉”层次。

1)直流可逆电力拖动系统中,反并联变流电路控制直流电机的四象限工作运行状态和运行条件。

2)高压直流输电系统的结构。

3)高压直流输电系统中,能够根据功率的流向,判断中间直流环节两侧变流器的工作状态。

2.6 整流电路的谐波和功率因数,要求达到“熟悉”层次。

1)整流电路中,功率因数λ的定义。

2.7 晶闸管直流电动机系统,要求达到“熟悉”层次。

1)整流状态下,电流连续和电流断续时电动机的机械特性。

2)逆变状态下,电流连续和电流断续时电动机的机械特性。

2.8 电力公害及改善措施,要求达到“熟悉”层次。

2、本章重点难点分析

本章的重点是:波形分析法和单相桥式可控整流电路;有源逆变产生的条件;难点是:带不同性质负载时整流电路的工作情况;变压器漏抗对整流电路的影响。

波形分析法:

整流电路的分析,通常采用波形分析法。所谓波形分析法,是指根据电源电压和控制角以及负载性质,作出负载电压、负载电流、整流元件的电压和电流等波形图,再由波形图推导出该电路基本电量的计算公式和数量关系。具体来说,分析方法和步骤如下:1)绘出主电路原理图,包括标明交流电压、各整流元件序号和负载性质。

2)画出各相电压或线电压波形图,并确定整流元件的自然换相点。

3)根据控制角在相应位置上绘出触发脉冲,并标明相应序号。

4)根据可控整流电路的工作原理,绘出负载电压、负载电流、晶闸管电流以及晶闸管两端电压的波形,

5)根据波形图推导出基本电量的计算公式。

变压器漏抗对整流电路的影响:

通常整流电路输入端都接有整流变压器,由于整流变压器存在漏抗,在换相时,对整流电压波形将产生影响,不仅产生换相压降,而且使相电压和线电压波形出现缺口,造成电网电压发生畸变。

3、本章典型例题分析

例2.1 接有续流二极管的单相半波可控整流电路,带大电感负载,R=5Ω,变压器二次侧电压U2=220V。试计算当触发角α分别为30°和60°时,流过晶闸管和续流二极管中电

流的平均值和有效值;问在什么情况下,流过续流二极管的电流平均值大于流过晶闸管的电流平均值?

解:1)当α= 30°时, V

U U d 4.922

30cos 122045.02

cos 145.01=?

+?

?=+=α

A

R

U

I d

d 5.185

4.92==

=

流过晶闸管的电流平均值为 A

I I d dT 7.75.183********=??

?-?=

-=

π

α

π

流过晶闸管的电流有效值为 A

I I d T 9.165.183********=??

?-?=

-=

π

α

π

流过续流二极管的电流平均值为 A

I I d dD 8.105.183********=??

?+?=

+=

π

α

π

流过续流二极管的电流有效值为 A

I I d D 1.145.183********=??

?

+?=

+=π

α

π

2)当α= 60°时, V

U U d 3.742

60cos 122045.02

cos 145.01=?

+?

?=+=α

A R

U

I d

d 9.145

3.74==

=

流过晶闸管的电流平均值为 A

I I d dT 59.14360601802=??

?

-?=

-=

π

α

π

流过晶闸管的电流有效值为 A I I d T 6.89.14360601802=??

?

-?=

-=

π

α

π

流过续流二极管的电流平均值为 A

I I d dD 9.99.14360601802=??

?

+?=

+=

π

α

π

流过续流二极管的电流有效值为 A

I I d D 2.129.14360601802=??

?

+?=

+=π

α

π

3)要使I dD >I dT ,由公式知,只需满足π

α

π2+>

π

α

π2-,即α>0°

例2.2 在单相桥式全控整流电路中,如果有一只晶闸管因为过流而烧成断路,该电路的

工作情况将如何?如果这只晶闸管被烧成短路,该电路的工作情况又会如何?

答:如果有一只晶闸管因为过流而烧成断路,则该单相桥式全控整流电路将作为单相半

波可控整流电路工作;如果这只晶闸管被烧成短路,则会引起其他晶闸管因对电源短路而烧毁,严重情况下甚至可能使整流变压器因过流而损坏。因此,在设计电路时,在变压器二次侧与晶闸管之间应串联快速熔断丝,起到过流保护的作用。

例2.3 单相桥式半控整流电路中续流二极管的作用是什么?在何种情况下,流过续流二

极管的电流平均值大于流过晶闸管的电流平均值?

答:单相桥式半控整流电路中续流二极管的作用是:为感性负载中电感储存的能量提供

一条专门的释放回路,以避免发生一只晶闸管持续导通而两只二极管轮流导通的“失控现象”。由公式知,流过续流二极管的电流平均值d

dD I I π

α=

流过晶闸管的电流平均值d

dT I I π

α

π2-=

要使I dD >I dT ,则只需满足

π

α>

π

α

π2-,即α>3

π

例2.4 单相全控桥式整流电路,带阻感负载,R = 1Ω,L 值很大,即满足ωL>>R ,U 2

= 100V ,当α= 600

时,求:

1)作出输出电压u d 、输出电流i d 、变压器二次侧电流i 2的波形; 2)求整流输出平均电压U d 、电流I d 和二次侧电流有效值I 2; 3)考虑两倍的安全裕量,选择晶闸管的额定电压和额定电流值。

解:1)波形略

2)U d = 0.9U 2Cos α= 0.9×100×Cos60°= 45V I d = U d / R = 45 / 1 = 45A

I 2 = I d = 45A

3)晶闸管可能承受的最大电压为U TM =22U =141V ,考虑2倍安全裕量,其值为 282V ,选额定电压为300V 的晶闸管

流过晶闸管的电流有效值为I T =

2

1I d = 31.82A

考虑2倍安全裕量时晶闸管的平均电流为I TA V = 2I T / 1.57 = 40.54A ,选额定电流为50A 的晶闸管

4、本章作业

2.1.单相桥式全控整流电路,带大电感负载,U 2=220V ,R=2Ω,求晶闸管的额定电流和额定电压。

解:晶闸管可能承受的最大电压为U TM =

2

2U

=311V ,选额定电压为350V 的晶闸管。

U d = 0.9U 2 = 0.9×220= 198V

I d = U d / R = 198 / 2 =99A

流过晶闸管的电流有效值为I T =

2

1I d = 70.01A

晶闸管的平均电流为I TAV = I T / 1.57 = 44.6A ,选额定电流为50A 的晶闸管。

2.2.单相半波可控整流电路中,如晶闸管:1)不加触发脉冲;2)内部短路;3)内部断路,试分析晶闸管两端与负载电压波形。

解:1)3)同为关断状态,2)为导通状态,见课本P50。

2.3.某单相可控整流电路,分别给阻性负载和蓄电池反电动势负载供电,在流过负载电流平均值相同的条件下,哪一种负载下晶闸管的额定电流应选大一些?为什么?

解:反电动势负载时晶闸管额定电流应选大一些。因为反电动势负载时,晶闸管的导通角θ比电阻性负载时小。反电动势负载的电流波形系数K f 比电阻负载时大。

2.4.某单相桥式全控整流电路,带大电感负载,变压器二次侧电压U 2=220V ,R=2Ω,触发角α= 30°时,求:1)画出输出电压u d 、输出电流i d 和变压器二次侧电流i 2波形;2)计算整流电路输出平均电压U d 、平均电流I d 及变压器二次电流有效值I 2;3)考虑2倍安全裕量,选择晶闸管的额定电压、额定电流值。

解:1)波形略,见课本P57

2)U d = 0.9U 2Cos α= 0.9×220×Cos30°= 171.5V I d = U d / R = 171.5 / 2 = 85.75A

I 2 = I d = 85.75A

3)晶闸管可能承受的最大电压为U TM =22U =311V ,考虑2倍安全裕量,其值为 622V ,选额定电压为650V 的晶闸管。

流过晶闸管的电流有效值为I T =

2

1I d = 60.6A

考虑2倍安全裕量时晶闸管的平均电流为I TAV = 2I T / 1.57 = 77.2A ,选额定电流为80A 的晶闸管。

2.5.教材P121~123的习题。

2.1解:1)3)同为关断状态,2)为导通状态,见课本P50。 2.2 P51 第一段

2.3 解:反电动势负载时晶闸管额定电流应选大一些。因为反电动势负载时,晶闸管的导

通角θ比电阻性负载时小。反电动势负载的电流波形系数K f 比电阻负载时大。

2.4 见课本P48例2.1 方法相同,代入相应的数据即可。

2.5 同上

2.6 见课本P52,代入公式即可。 2.7 解:1)波形略,见课本P57

2)U d = 0.9U 2Cos α= 0.9×220×Cos30°= 171.5V I d = U d / R = 171.5 / 2 = 85.75A

I 2 = I d = 85.75A

3)晶闸管可能承受的最大电压为U TM =22U =311V ,考虑2倍安全裕量,其值为 622V ,选额定电压为650V 的晶闸管。

流过晶闸管的电流有效值为I T =

2

1I d = 60.6A

考虑2倍安全裕量时晶闸管的平均电流为I TAV = 2I T / 1.57 = 77.2A ,选额定电流为80A 的晶闸管。

2.8 见课本P54,代入公式即可。 2.9 见课本P68。

2.10 见课本P70,代入公式即可。 2.11 ~2.23都可参照课本例题或公式解答。

第三章 直流斩波器

1、本章学习要求

3.1 直流斩波器的工作原理及控制方式,要求达到“掌握”层次。 3.2 直流斩波器基本电路,要求达到“掌握”层次。 3.2.1

降压斩波器,要求达到“掌握”层次。

1)降压斩波器的电路组成及其工作原理。 2)降压斩波器输出电压平均值的表达式。 3.2.2

升压斩波器,要求达到“熟悉”层次。

1)升压斩波器的电路组成及其工作原理。 2)升压斩波器输出电压平均值的表达式。

第四章 交流调压电路和相控交-交变频电路

1、本章学习要求

4.1 单相交流调压电路,要求达到“熟悉”层次。

1)交流调压电路的概念。

2)单相交流调压电路的电路结构及工作原理。

3)单相交流调压电路带阻感负载时的相关电量的计算。

第五章无源逆变电路

1、本章学习要求

5.1 无源逆变电路的原理,要求达到“熟悉”层次。

1)逆变的概念。

2)有源逆变和无源逆变的区别。

3)逆变电路的分类及其各自的特点。

5.2 单相电压型逆变电路,要求达到“掌握”层次。

1)单相半桥逆变电路的电路组成及工作原理。

2)单相桥式逆变电路的电路组成及工作原理。

3)与开关管反并联的续流二极管的作用。

5.3 脉冲宽度调制(PWM),要求达到“熟悉”层次。

1)正弦脉宽调制(SPWM)的基本原理。

2)PWM的单极性调制和双极性调制方式。

3)载波信号、调制信号、载波比和调制比的概念及含义。

2、本章作业

5.1.无源逆变与有源逆变有什么不同?

答:交流侧接电网,为有源逆变;交流侧接负载,为无源逆变。随负载要求的不同,无源逆变电路输出的频率与电压既可以是恒定的,也可以是可变的。

5.2.什么是电压型逆变电路?什么是电流型逆变电路?从电路组成和工作波形上看,这二者各有什么特点?

答:电压型逆变电路因其直流侧电源为电压源,所以,直流电压无脉动,直流回路呈低阻抗。由于直流电压源的钳位作用,交流侧输出电压波形为矩形波,并且与负载阻抗角无关。交流侧输出电流波形则取决于负载的性质。为给感性(滞后)的负载电流提供流通路径,逆变桥的各桥臂必须并联无功反馈二极管。

电流型逆变电路因其直流侧电源为电流源,所以,直流电流无脉动,直流回路呈高阻抗。交流侧输出电压波形为矩形波,并且与负载阻抗角无关。交流侧输出电压波形则取决于负载的

性质。由于电流源电流的单向性,逆变桥的各桥臂不必并联无功反馈二极管。

5.3.电压型逆变电路中,与开关管反并联的二极管的作用是什么?

答:为给感性(滞后)的负载电流提供流通路径,逆变桥的各桥臂必须并联无功反馈二极管。第六章电力电子器件的门(栅)极控制电路

1、本章学习要求

6.1 晶闸管门极触发电路,要求达到“熟悉”层次。

1)晶闸管对触发电路的基本要求。

6.2 GTR的基极驱动电路,要求达到“熟悉”层次。

1)GTR对驱动电路的基本要求。

2、本章作业

6.1.晶闸管主电路对触发电路的要求是什么?P227~228

答:1)触发脉冲的参数应符合要求。触发脉冲的主要参数有脉冲幅值、宽度和前沿陡度。

2)触发脉冲与主电路电源电压必须同步

3)触发脉冲的移相范围应满足变流装置的要求

4)触发脉冲的频率有可调性

5)防止干扰与误触发

第七章相控整流主电路参数的计算和设计

1、本章学习要求

7.1 整流变压器参数的计算,要求达到“熟悉”层次。

1)选择整流变压器二次侧相电压的原则。

7.2 整流元件的选择,要求达到“掌握”层次。

1)整流元件额定电压、额定电流的选择。

7.3 晶闸管的串联与并联,要求达到“熟悉”层次。

1)晶闸管在进行串、并联使用时应注意的相关问题。

7.4 电抗器参数的计算,要求达到“熟悉”层次。

1)晶闸管装置直流侧串入的平波电抗器的作用。

2、本章作业

7.1.整流电路供电的整流变压器二次侧相电压的选择是由哪些因素决定的?若二次侧相电压选得过高或过低,将出现什么问题?

答: 整流电路供电的整流变压器二次侧相电压的选择,应考虑以下几个因素:①主电路的型式;②最小控制角min α;③电网电压波动;④晶闸管或整流管及线路压降T nU ;⑤整流变压器引起的换相压降损失。二次侧相电压选得过高,则晶闸管运行时控制角α过大,造成功率因数变坏、无功功率增大,并在电源回路的电感上产生较大的电压降;选得过低,则有可能在最不利的情况下,既电源电压偏低、负载最大时,即使晶闸管的控制角退到最小,仍然不能达到负载要求的额定电压。

7.2.晶闸管串联或并联使用时,应采取什么样的均压或均流措施?

答:晶闸管串联使用时,为了使每个晶闸管承受的电压均衡,除了选用特性尽可能一致的元件,还应对每个晶闸管并联均压电阻,还要在晶闸管上并联电容。此外,晶闸管串接后,要求各元件的开通时间差要尽量小,因此对门极触发脉冲的要求比较高,即触发脉冲前沿要陡,触发脉冲电流要大,使晶闸管的开通时间尽量小并一致。

晶闸管并联使用时,为了使每个晶闸管承受的电流均衡,除了选用特性尽可能一致的元件,还应采取电阻均流和电抗均流。此外,晶闸管并接后,同样要求各元件的开通时间差要尽量小,因此触发脉冲前沿要陡,触发脉冲电流要大,使各元件的开通时间尽可能一致,同时,适当增大电感,可以降低dt di /,从而在开通时间差异一定的条件下,可以减小各并联元件的动态电流差别。此外,在安装时,要注意各支路的导线电阻与分布电感相近。

注意:对于专升本(业余)学生,本课程着重要求大家掌握第一、二、六、七章的内容,其余各章的内容只要求了解基本概念和基本原理即可。

第三部分 综合练习题

一、填空题(本大题共14小空,每小空2分,共28分)

1.晶闸管是四层三端器件,三个引出电极分别为:阳极、阴极和 极。 2.一只额定电流为100A 的普通晶闸管,其允许通过的电流有效值为 A 。 3.具有自关断能力的电力电子器件称为 器件。

4.三相全控桥式整流电路中,采用共阴极组接法的三只晶闸管,要求其触发脉冲以1200

为间隔,依次在电源电压的 半周触发各晶闸管。

5.在考虑变压器漏抗影响时,整流电路输出电压的平均值将 。 6.三相全控桥式整流电路输出的电压波形在一个周期内脉动 次。

7.采用时间比控制方式改变斩波器负载两端的平均电压,对斩波器触发脉冲的调制方法有

三种,分别是;;。

8.降压斩波器中,电源电压U d=50V,导通比为0.8,则负载电压平均值U LD为。9.电流型逆变电路直流侧为,输出电流波形为。

10.根据调制脉冲的极性,PWM也有两种调制方式,分别是和调制。

二、简答题(本大题共6小题,每小题6分,共36分)

1.试说明晶闸管的开通和关断的条件。

2.试说明晶闸管整流装置实现有源逆变的条件。

3.试说明整流电路中整流变压器二次侧相电压U2φ选得过高或过低,将出现什么问题?4.单相半控桥整流电路带感性负载时,若该电路不接续流二极管,请对其可能发生的“失控”现象进行分析。

5.三相桥式全控整流电路带大电感负载时,以连接于A相的共阴极组晶闸管T1为例说明,在一个周期内,其承受电压的情况。

6.某单相可控整流电路,分别给阻性负载和蓄电池反电动势负载供电,在流过负载电流平均值相同的条件下,哪一种负载下晶闸管的额定电流应选大一些?为什么?

三、计算题(,本大题共3小题,每小题12分,共36分)

1.单相桥式可控整流电路,带一大电感对蓄电池充电,R = 3Ω,电感L足够大,U2 = 220V,反电动势E = 60V。

1)要保持充电电流为10A,估算此时的控制角α;

2)该电路中晶闸管承受的最大电压是多少?

2.单相全控桥式整流电路,带阻感负载,R = 5Ω,L值很大,即满足ωL>>R,U2 = 100V,当α= 600时,求:

1)作出输出电压u d、输出电流i d、变压器二次侧电流i2的波形;

2)求整流输出平均电压U d、电流I d和二次侧电流有效值I2;

3)考虑两倍的安全裕量,选择晶闸管的额定电压和额定电流值。

3.单相全控桥式有源逆变电路,回路电阻R = 1Ω,平波电抗器L d足够大,变压器二次电压有效值U2 = 220V,负载电动势E d=-200V,当β= 300时,求:

1)画出输出电压u d、流过晶闸管电流i T1的波形;

2)计算变流电路输出平均电压U d、负载平均电流I d。

参考答案:

一、填空题(本大题共14小空,每小空2分,共28分)

1.门2.157 3.全控型

4.正5.减小6.6

7.脉冲宽度调制;脉冲频率调制;调频调宽混合控制

8.40V 9.电流源;矩形波10.单极性;双极性

二、简答题(本大题共6小题,每小题6分,共36分)

1.晶闸管导通条件是:1)晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压;2)晶闸管门极和阴极之间必须加上适当的正向脉冲电压和电流。

在晶闸管导通后,门极就失去控制作用,欲使其关断,只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下,可采用阳极加反向电压、减小阳极电压或增大回路阻抗等方式。

2.1)变流电路直流侧应具有能提供逆变能量的直流电源电动势E d,其极性应与晶闸管的导电电流方向一致;2)变流电路输出的平均电压U d的极性必须为负,以保证与直流电源电动势E d构成同极性相连,即控制角α>90°,且满足∣U d∣>∣E d∣。

3.整流电路中整流变压器二次侧相电压U2φ选得过高,则晶闸管运行时控制角过大,造成功率因数变坏,无功功率增大;选择过低,则有可能在最不利的运行情况下,即使晶闸管的控制角退到最小时,仍然不能达到负载要求的额定电压。

4.单相半控桥整流电路带感性负载时,不接续流二极管,将可能发生失控现象。以晶闸管T1导通的情况为例,当交流电源电压在负半周时,负载电流通过T1和二极管D2续流,输出电压为零;当交流电源电压在正半周时,负载电流通过T1和二极管D4流通,输出电压为电源电压。即在一个周期内,晶闸管T1持续导通,二极管D1、D2轮流导通,输出电压波形为正弦半波。

5.T1导通期间,承受正向管压降(≈0)为120°;T1关断期间,分别承受线电压u ab、u ac各120°。

6.反电动势负载时晶闸管额定电流应选大一些。因为反电动势负载时,晶闸管的导通角θ比电阻性负载时小。反电动势负载的电流波形系数K f比电阻负载时大。

三、计算题(,本大题共3小题,每小题12分,共36分)

1.解:1)U d = 0.9U2Cosα

I d = ( U d-E ) / R = ( 0.9U2Cosα-E ) / R

Cosα=( I d R+E ) /(0.9U2 ) = (10×3+60 ) /(0.9×220 ) = 0.445

α= 63°

2)U = 1.414×220 = 311V

2.解: 1)波形略

2)U d = 0.9U 2Cos α= 0.9×100×Cos60°= 45V

I d = U d / R = 45 / 5 = 9A

I 2 = I d = 9A

3)晶闸管可能承受的最大电压为U TM =22U =141V ,考虑2倍安全裕量,其值为

282V ,选额定电压为300V 的晶闸管

流过晶闸管的电流有效值为I T =

2

1I d = 6.363A

考虑2倍安全裕量时晶闸管的平均电流为I TA V = 2I T / 1.57 = 8.1A ,选额定电流为10A 的晶闸管

3.解: 1)波形略 2)U d = -0.9U 2cosβ= -0.9×220×cos30°= -171.5V

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电力电子技术-期末考试复习要点

课程学习的基本要求及重点难点内容分析 第一章电力电子器件的原理与特性 1、本章学习要求 1.1 电力电子器件概述,要求达到“熟悉”层次。 1)电力电子器件的发展概况及其发展趋势。 2)电力电子器件的分类及其各自的特点。 1.2 功率二极管,要求达到“熟悉”层次。 1)功率二极管的工作原理、基本特性、主要参数和主要类型。 2)功率二极管额定电流的定义。 1.3 晶闸管,要求达到“掌握”层次。 1)晶闸管的结构、工作原理及伏安特性。 2)晶闸管主要参数的定义及其含义。 3)电流波形系数k f的定义及计算方法。 4)晶闸管导通和关断条件 5)能够根据要求选用晶闸管。 1.4 门极可关断晶闸管(GTO),要求达到“熟悉”层次。 1)GTO的工作原理、特点及主要参数。 1.5 功率场效应管,要求达到“熟悉”层次。 1)功率场效应管的特点,基本特性及安全工作区。 1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),要求达到“熟悉”层次。 1)IGBT的工作原理、特点、擎住效应及安全工作区。 1.7 新型电力电子器件简介,要求达到“熟悉”层次。 2、本章重点难点分析 有关晶闸管电流计算的问题: 晶闸管是整流电路中用得比较多的一种电力电子器件,在进行有关晶闸管的电流计算时,针对实际流过晶闸管的不同电流波形,应根据电流有效值相等的原则选择计算公式,即允许流过晶闸管的实际电流有效值应等于额定电流I T对应的电流有效值。 利用公式I = k f×I d = 1.57I T进行晶闸管电流计算时,一般可解决两个方面的问题:一是已知晶闸管的实际工作条件(包括流过的电流波形、幅值等),确定所要选用的晶闸管额定

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

电子技术期末考试试卷及答案

2、射极输出器电路中,输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是( )。 (a ) 两者反相,输出电压大于输出电压 (b ) 两者同相,输出电压近似等于输入电压 (c ) 两者相位差90 ,且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号,多级放大器级与级之间必须采 用( )。 (a ) 阻容耦合 (b ) 变压器耦合 (c ) 直接耦合 汁侶吗llTFF (咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅(签字) 试做教师(签字) 系、室土任(签字) )匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填 入括号内(本大题共16小题,总32分) 1、 电 路如图 所 示, 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通,D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止, D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件,则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i

⑻L i、C i组成的电路 (b)L、C组成的电路 (c)L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示,为了获得频率可调的输出电压,则应该调节的电阻是()。 ⑻R i (b)R F(c)R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于()。 ⑻放大状态(b)开关状态(c)击穿状态 7、数字电路中的工作信号为()。 ⑻随时间连续变化的电信号(b)脉冲信号(c)直流信号 8、逻辑电路如图所示,分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时,输出Q是“1”的瞬间为()。 ⑻t i (b) t2 (c) t3

电力电子技术考试复习资料

一、填空 1.1 电力变换可分为以下四类:交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。 1.2电力电子器件一般工作在开关状态。 1.3按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可将电力电子器件分为: 半控型器件, 全 控型器件,不可控器件等三类。—1.4普通晶闸管有三个电极,分别是阳极、阴极和门极 1.5晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时,门极上加上触发电压,晶闸管就导通。 1.6当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性解发电压,管子都将工作在截止状态。 1.7在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要 为开关损耗。 1.8电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、驱动电路和主电路三部分组成 1.9电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。 1.10多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,多个晶闸管相串联时必须考虑均压的问题。 1.11按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为电流驱动和 电压驱动两类。 2.1单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角a的最大移相范围是0~180。 2.1单相桥全控整流电路中,带纯阻负载时,a角的移相范围是0~180,单个晶闸管所所承受的最大反 压为一2上,带阻感负载时,a角的移相范围是0~ 90,单个晶闸管所所承受的最大反压为2u2 2.3三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位相序依次互差空,单个晶闸管所承受的最大 反压为..6U2,当带阻感负载时,a角的移相范围是0~ 2 2.4逆变电路中,当交流侧和电网边结时,这种电路称为,欲现实有源逆变,只能采用全_ 控电路,当控制角0 :::a :::—时,电路工作在整流状态,一:::a :::二时,电路工作在逆变状态。- 2 2 2.5整流电路工作在有源逆变状态的条件是要有直流电动势和要求晶闸管的控制角a匸门2,使U d为负值。 3.1直流斩波电路完成的是直流到直流的变换。 3.2直流斩波电路中最基本的两种电路是升压和降压。 3.3斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制、频率调制和混合型。 4.1改变频率的电路称为变频电路,变频电路有交交变频电路和交直交变频电路两种形式,前者又称为直接变频,后者也称为间接变频。 4.2单相调压电路带电阻负载,其导通控制角a的移相范围为0~ n ,随a的增大,U0减少:功率因数 入降低。 4.3晶闸管投切电容器选择晶闸管投入时刻的原则是该时刻交流电源电压就和电容器预先充电的电压相 4.4把电网频率的交流电直接变换成可调频率电流电路称为交交变频电路。 4.5交流调压的有相位调控和斩控式两种控制方式,交流调功电路的采用是通断控制方式。 5.1把直流变成交流电的电路称为逆变,当交流侧有电源时称有源逆变,当交流侧无电源时称无 源逆变。

模拟电子技术复习提纲资料

;1;β β αβ+=??=??????????= E C B C I I I I 模拟电子技术复习提纲 (各章重点及公式汇编) 第三章 1. 半导体 | 2.PN 结正偏时: 反 偏时 : 削弱内电场 增强内电场 PN 结变窄,导通; PN 结变宽,截止 > 第四章 1、三极管工作在放大区 2、电流分配关系 条件 关系式 NPN 型 PNP 型 ] BE 结正偏 BC 结反偏 Ic=βIb 放大功能 V = (Si) (Ge) ; U >1V V =- (Si) (Ge) U >-1V I= I+I 3、三极管热稳定性差; I ≥ I >>I 半导体 N 型 > P 型 掺杂 5价 施主杂质 3价 受主杂质 多子 电子 ~ 空穴 少子 空穴 电子

中小值 和取不产生饱和失真不产生截止失真om om om CES CEQ om L CQ om U U U U U U R I U -==L C L b BE BQ R R R R V Vcc I //;='????????????-= be L i O V r R Rc V V A -== )//(βbe L i O V r R Rc V V A -== ) //(βR r R V V A L be L i O V 1Re//)1())(Re//1(≈+++== ββ 反向饱和电流I ;穿透电流I = (1+β) I 4、共射放大器 (2)最大不失真V om (振幅)计算 (1)图解方法: U 为饱和压降 : (3)NPN 管共射放大的失真 及消除方法 U (t )截止失真波形 、 U (t )饱和失真波形 (4)直流通路和交流通路要求能熟练掌握 (5)三极管小信号等效电路 — (6)放大电路的计算 共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大 | ¥ 电 路 静态工作点Q 的计算 动

电工电子技术期末考试试题及答案

专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数

B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。 A.频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻( b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 -+∞ + u O u i 9.单稳态触发器的输出状态有( a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2 =6V,R 1 =12Ω,R 2 =6 Ω,R 3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I

电力电子技术复习题答案

电力电子技术复习题答 案 Company number:【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

第二章: 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等, 若du/dt过大,就会使晶闸管出现_ 误导通_,若di/dt过大,会导致晶闸管_损坏__。 2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、 功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。简述晶闸管的正向伏安特性答: 晶闸管的伏安特性 正向特性当IG=0时,如果在器件两端施加正向电压,则晶闸管处于正向阻断状态,只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo,则漏电流急剧增大,器件开通。 随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低,晶闸管本身的压降很小,在1V左右。 如果门极电流为零,并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下,则晶闸管又回到正向阻断状态,IH称为维持电流。 3.使晶闸管导通的条件是什么 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 4.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶 闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于半控型器件的是 SCR 。 5.晶闸管的擎住电流I L 答:晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流。 6.晶闸管通态平均电流I T(AV)

答:晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 7.晶闸管的控制角α(移相角) 答:从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。 8.常用电力电子器件有哪些 答:不可控器件:电力二极管。 半控型器件:晶闸管。 全控型器件:绝缘栅双极晶体管IGBT,电力场效应晶体管(电力MOSFET),门极可关断晶闸管(GTO),电力晶体管。 9.电力电子器件有几种工作状态(电力电子器件有哪四种工作状态) 答:四种,即开通、截止、反向击穿、正向击穿。 10.维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断 答:维持晶闸管导通的条件是晶闸管的电流大于使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 晶闸管由导通变为关断:去掉正向电压,施加反压,使晶闸管的电流低于维持电流。 11.简述晶闸管的正常工作时的特性。 答: 当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。 当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸管都保持导通。 若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶

电子技术基础期末试卷(A卷)

内蒙古应用技术专修学院2014 — 2015 学年第 2 学期 电子技术基础期末考试卷(A卷) 班级姓名学号 一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。每小题只有一个正确答案。) 1、半导体二极管加正向电压时,有() A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于() A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是() A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是() A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC 应当() A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入() A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为() A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为() A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A、大 B、小 C、恒定 D、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为() A、U0=0.45U2 B、U0=1.2U2 C、U0=0.9U2 D、U =1.4U2 二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共计10分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”,叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。)1.P型半导体中,多数载流子是空穴() 2.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降() 3.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 4.稳压二极管工作在反向击穿区域() 5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件() 图2

电力电子技术期末复习考卷综合附答案,题目配知识点

一、填空题: 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和变流技术。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例变频器、调光台灯等。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务,主要为①交流变直流(AC —DC )、②直流变交流(DC —AC )、③直流变直流(DC —DC )、④交流变交流(AC —AC )四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率,电力电子器件一般都工作在开关状态,但是其自身的功率损耗(开通损耗、关断损耗)通常任远大于信息电子器件,在其工作是一般都需要安装散热器。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大,电力电子器件总是工作在开关状态,其损耗包括三个方 面:通态损耗、断态损耗和开关损耗。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较小标值作为该器件的额电电压。选用时,额定电压要留有一定的裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于维持电流时,晶闸管才会由导通转为截止。导通:正向电压、触发电流(移相触发方式) 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路可能会出现失控现象,为了避免单相桥式半控整流电路 的失控,可以在加入续流二极管来防止失控。 9、整流电路中,变压器的漏抗会产生换相重叠角,使整流输出的直流电压平均值降低。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发角。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1。(电源相电压为U1) 三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为2.45U 2。(电源相电压为U 2) 为了保证三相桥式可控整流电路的可靠换相,一般采用双窄脉冲或者宽脉冲触发。 12、四种换流方式分别为器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路,给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路,包括直接直流变流电路电路和间接直流变流电路。(是否有交流环节) 15、直流斩波电路只能实现直流电压大小或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路:电压大小变换:降压斩波电路(buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式U= 1E β=1-ɑ。 降压斩波电路输出电压计算公式:U=ɑE ɑ=占空比,E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、频率调制型、混合型。 16、交流电力控制电路包括交流调压电路,即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,调节输出电压有效值的电路,调功电路即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数和断态周期数的比,调节输出功率平均值的电路,交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。 17、普通晶闸管(用正弦半波电流平均值定义)与双向晶闸管的额定电流定义不一样,双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。(双向晶闸管工作在交流电路中,正反向电流都可以流过) 18、斩控式交流调压电路交流调压电路一般采用全控型器件,使电路的功率因数接近1。

模拟电子技术总结复习资料

半导体二极管及其应用电路 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7.PN结 *PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 *PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

电力电子技术复习总结(王兆安)

电力电子技术复习题1 第1章电力电子器件 J电力电子器件一般工作在开关状态。 乙在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。 3. 电力电子器件组成的系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三 部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型 器件、双极型器件、复合型器件三类。 二电力二极管的工作特性可概括为承受正向电压导通,承受反相电压截止。6.电力二极管的主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。乙肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 匕晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则 截止。 乞对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM大于 _UbQ 11. 逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12GT0的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET勺漏极伏安特性中的三个区域与GTRft发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区一、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。 14. 电力MOSFE的通态电阻具有正温度系数。 15.IGBT的开启电压UGE(th )随温度升高而略有下降,开关速度小于 电力MOSFET 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子 器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负一温度系数,在 1/2或1/3额定电流以上区段具有__正—温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR、门极可关断晶闸管

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

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