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1、设受光表面的光照度为100lx ，能量反射系数0.6，求该表面的光出射度和光亮度（假定该表面为朗伯辐射体）。
（θcos dS dI L vv =）解：设受光表面光谱反射率相同，则每单位表面反射的光通量为601006.0=⨯==入反ρφφLm/m 2这也就是该表面的光出射度M v。
对朗伯辐射体，其光亮度v L 与方向无关，沿任意方向（与法线方向成θ角）的发光强度θI 与法线方向发光强度0I 之间的关系为θθcos 0I I = 每单位面积辐射出的光通量除以π即为其光亮度：1.1914.360cos 1======πφθv S v v v dSdI dS dI L C d /m 2sr 附：朗伯体法向发光强度I 0与光通量v Φ的关系 由定义，发光强度ΩΦ=d d I v，所以在立体角Ωd 内的光通量：ϕθθθd d I Id d v sin cos 0=Ω=Φ在半球面内的光通量 ⎰⎰==Φπππϕθθθ2002/0sin cos I d d Iv2、计算电子占据比F E 高2KT 、10KT 的能级的几率和空穴占据比F E 低2KT 、10KT 能级的几率。
解：能量为E 的能级被电子占据的概率为)exp(11)(kTE E E f Fn -+=E 比E f 高2kT 时，电子占据比：1192.011)2exp(112=+=+=ekTkT f e E 比E f 高10kT 时，电子占据比：5101054.411-⨯=+=e f eE 比E f 低2kT 时，空穴占据比：1192.011)exp(112=+=-+=e kTE E f f pE 比E f 低10kT 时，空穴占据比：5101054.411-⨯=+=e f p3、设N －Si 中310105.1-⨯=cm n i ，掺杂浓度31610-=cm N D ，少子寿命s μτ10=。
如果由于外界作用，少子浓度P ＝0（加大反向偏压时的PN 结附近就是这种情况），问这时电子一空穴的产生率是多少？（复合率τPR ∆=，当复合率为负值时即为产生率）解：在本征硅中，2021025.2⨯==ii in p n ，在N 型硅中，少子浓度：4162021025.21011025.2⨯=⨯⨯==d i N n P产生率为： R `=9641025.210101025.2⨯=⨯⨯=∆-=--τP R每秒钟每立方厘米体积内可产生2.25×109个。
光电技术知识点总结篇一：光电技术第三版复习重点总结试求一束功率为30mw、波长为0.6328激光束的光子流速率?e,?d?因dne,??hv，激光器只辐射特定波长的光，因此该式可变换为：????n??30?10?3?0.6328?10?6??9.55?1016在卫星上测得大气层外太阳光谱的最高峰值在hvh?c6.626?10?34?3?108(1/s)0.465处若把太阳作为黑体计算表面温度以及辐射度若已知光生伏特器件的光电流分别为50ua与300ua暗电流为1ua计算它们的开路电压计算人体正常温度和当发烧到38.5℃时其峰值波长分别是多少某只cdS光敏电阻的最大功耗为30mw,光电导灵敏度S/lx暗电导试求偏置电压为20V时的极限照度设某光敏电阻在100lx的光照下阻值为2KΩ激光单路干涉测位移的装置中（1）反光镜m3移动多少毫米时脉冲个数为100、（2）该测位移装置的灵敏度是多少、最高精度是多少？已知He-ne激光器发出的波长为0.6328μm的激光。
被测位移量有关系n?2L2?106???3.160556?106个脉冲0.6328灵敏度为：，?12??2??0.1582?m或0.3614μm。
最高测量精度不低于?0.16?m。
假设两块光栅的节距为0.2mm两光栅的栅线夹角为1°，求莫尔条纹的间隔，求相互移动的距离条纹间隔的宽度为：m?dd0.2?11.4592(mm)2sin(???当光电器件探测出2180莫尔条纹走过10个，则两光栅相互移动了2mm利用2cU2光电二极管和3dG40三极管构成的探测电路二极管的电流灵敏度S=0.4ua/uw，其暗电流id=0.2ua,三极管放大倍率为50倍最高入射功率400uw，拐点电压1.0V求入射辐射变化50uw时输出电压变化多少3.10已知光电三极管伏安特性曲。
若光敏面上的照度变换e=120+80sinωt(lx)，为使光电三极管输出电压不小于4V的正弦信号，求负载电阻RL、电源电压Ubb及该电路的电流、电压灵敏度，解Φ=120+180=200（lx）Φmin=120-80=40(lx)Uce??4?11.314(V)则Ubb=20(v)或者18v当Φ=40(lx)时，ic=1.1(ma),Φ=200(lx)，ic=5.4(ma)则：Δic=5.4-1.1=3.3(ma)?U?U??ic?RRL??i?11.314?3.428(k)Lc3.3电流灵敏度：iicP?Si??得：S???3.3i??160?0.0206(ma/lx)电压灵敏度：?U?SU???得：S?UU????11.314160?0.0707(V/lx)4.14照灵敏度为光电倍增管内。
1.半导体对光的吸收可分为本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。
2.光与物质作用产生的光电效应分为内光电效应与外光电效应两类。
3. 发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件，他由P型和N型半导体组合而成。
其发光机理可以分为PN结注入发光与异质结注入发光两种类型。
4. 光电信息变换的基本形式信息载荷于光源的方式，信息载荷于透明体的方式，信息载荷于反射光的方式，信息载荷于遮挡光的方式，信息载荷于光学量化器的方式，光通信方式的信息变换。
D电极的基本结构应包括转移电极结构，转移沟道结构，信号输入单元结构和信号检测单元结构。
1. 对于P型半导体来说，以下说法正确的是 （D）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶2. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压 （C）A Si光电二极管B PIN光电二极管C 雪崩光电二极管D 光电三极管3. 对于光敏电阻，下列说法不正确的是： （D）A 弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系B 光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度C 光敏电阻具有前历效应D 光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动4. 在直接探测系统中, (B)A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位B 探测器只响应入射其上的平均光功率C 具有空间滤波能力D 具有光谱滤波能力5. 对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法正确的是（D）A LD只能连续发光B LED的单色性比LD要好C LD内部可没有谐振腔D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽6. 对于N型半导体来说，以下说法正确的是 （A）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶7. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: （D）A 光电二极管B 光电三极管C 光电倍增管D 光电池8. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。
光电技术期末复习总结光电技术期末复习内容第1章光电技术基础1.光的量子性成功的解释了光与物质作用时所引起的光电效应，而光电效应又充分证明了光电量子性。
2.光辐射仅仅是电磁波谱中的一小部分，它包括的波长区域从几纳米到几毫米，即910-m量级。
只有波长为0.38~0.78μm的光才能引起人眼的视感觉，故称为这部分10-~3光为可见光。
3.光辐射的度量（光度参数，辐射度参数）4.热辐射：物体靠加热保持一定温度使内能不变而持续辐射的辐射形式，称为物体热辐射或温度辐射。
凡能发射连续光谱，且辐射是温度的函数体的物体，叫做热辐射体。
（热辐射光谱是连续光谱）5.发光：物体不是靠加热保持温度使辐射维持下去，而是靠外部能量激发的辐射，称为发光。
发光光谱是非连续光谱，且不是温度的函数。
（发光光谱是非连续光谱）6.能够完全吸收从任何角度入射的任意波长的辐射，并且在每一个方向上都能最大限度地发射任意波长辐射能的物体，称为黑体。
7.黑体的吸收系数为1，发射系数也为1。
8.锥状细胞的这种视觉功能称为白昼视觉或明视觉。
9.柱状细胞的这种视觉功能称为夜间视觉或暗视觉。
10.什么是内光电效应和外光电效应?答：被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象，称为内光电效应。
而被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象，称为外光电效应。
11.光电导效应分为哪两类？说明什么是本证光电导效应？答：光电导效应可以分为本证光电导效应和杂质光电导效应两种。
本征半导体或杂质半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带，产生本证吸收，导带中产生光生自由电子，价带中产生光生自由空穴。
光生电子与空穴使半导体的电导率发生变化。
这种在光的作用下由本证吸收引起的半导体电导率发生变化的现象，称为本证光电导效应。
第2章光电导器件1.光敏电阻在被强辐射照射后，其阻值恢复到长期处于黑暗状态的暗电阻R D所需要的时间将是相当长的。
1.半导体对光的吸收可分为本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。
2.光与物质作用产生的光电效应分为内光电效应与外光电效应两类。
3. 发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件，他由P型和N型半导体组合而成。
其发光机理可以分为PN结注入发光与异质结注入发光两种类型。
4. 光电信息变换的基本形式信息载荷于光源的方式，信息载荷于透明体的方式，信息载荷于反射光的方式，信息载荷于遮挡光的方式，信息载荷于光学量化器的方式，光通信方式的信息变换。
D电极的基本结构应包括转移电极结构，转移沟道结构，信号输入单元结构和信号检测单元结构。
1. 对于P型半导体来说，以下说法正确的是（D）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶2. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压（C）A Si光电二极管B PIN光电二极管C 雪崩光电二极管D 光电三极管3. 对于光敏电阻，下列说法不正确的是：（D）A 弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系B 光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度C 光敏电阻具有前历效应D 光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动4. 在直接探测系统中, (B)A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位B 探测器只响应入射其上的平均光功率C 具有空间滤波能力D 具有光谱滤波能力5. 对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法正确的是（D）A LD只能连续发光B LED的单色性比LD要好C LD内部可没有谐振腔D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽6. 对于N型半导体来说，以下说法正确的是（A）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶7. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: （D）A 光电二极管B 光电三极管C 光电倍增管D 光电池8. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。
光电技术总复习(DOC)第一章紫外区 0.01μm~0.38μm可见光区 0.38μm~0.78μm红外区 0.78μm~1000μm光学谱区0.01μm~1000μm光子能量公式 ()eV c h h λλνε24.1=•=•=可见光光子的能量范围为 3.2～1.6eV ；太赫兹波30～3000μm辐射度学是一门研究电磁辐射能测量的科学，辐射度量是用能量单位描述光辐射能的客观物理量。
光度学是一门研究光度测量的科学，光度学量是描述光辐射能为平均人眼接收所引起的视觉刺激大小的强度。
电磁波（Emission ） －－辐射度量， Xe 可见光（Visible light ）－－光度量， Xv1．辐射能Qe 以辐射的形式发射、传播或接受的能量。
单位： J2．辐射通量Φe 单位时间内通过某截面的所有波长的总电磁辐射量，又称辐射功率，是辐射能的时间变化率。
单位：W ［J/s ］ dt dQ ee =Φ3．辐射强度 在给定方向上的立体角元内，辐射源发出的辐射通量与立体角元之比()ΩΦ=d d I eeϕθ, 立体角：一个锥面所围成的空间部分称为“立体角”。
以锥体的顶点为心作球面，锥体在球表面上所截得的表面积和球半径平方之比度量。
2r S =Ω 计算辐射强度时注意三种情况：a.所有方向上辐射强度都相同的点辐射源，有限立体角内发射的辐射通量为：Ω⨯=Φe e Ib.所有方向上辐射强度都相同的点辐射源，在空间所有方向上发射的辐射通量：e e I π4=Φc. 各向异性的辐射源，其辐射强度随方向而变化，即()θϕ,e e I I = ， 点辐射源 在整个空间发射的辐射通量为：()()θθθϕϕθϕππd I d d I ee e sin ,,200⎰⎰⎰=Ω=Φ. 4．辐射出度Me 与辐射亮度Le 5． 辐射出度Me ：单位面发出的辐射通量 6. 辐射亮度Le ：垂直辐射方向上单位面积、单位立体角发出的辐射通量d de e ΦM S=()θθϕθcos d d d cos d d ,e 2e e ⋅⋅===ΩS ΦS I L光谱辐射量是该辐射量在波长λ处的单位波长间隔内的大小，又叫辐射量的光谱密度，是辐射量随波长的变化率。
“光电技术”复习资料一、回答问题：1、何谓光源的色温？辐射源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光的颜色相同，则黑体的这一温度称为该辐射源的色温。
2、费米能级的物理意义是什么？在绝对零度，电子占据费米能级f E 以下的能级，而f E 以上的能级是空的，不被电子占据。
温度高于绝对零度时，费米能级的电子占据率为50%，比费米能级能量高得愈多的能级，电子的占据概率愈小。
3、写出辐射度量学的基本物理量，并说明它们的定义。
辐射能：以辐射的形式发射、传播或接受的能量。
辐射通量：以辐射形式发射、传播或接受的功率。
辐射强度：在给定方向上的单位立体角内，离开点辐射源的辐射通量。
辐射出射度：面辐射源表面单位面积上发射的辐射通量。
辐射照度：接受面上单位面积所照射的辐射通量。
辐射亮度：辐射源表面一点处的面元在给定方向上的辐射强度除以该面元在垂直于该方向的平面上的正投影面积。
光谱辐射量：辐射源发出的光在波长λ处的单位波长间隔内的辐射物理量。
4、写出光度学系统的基本物理量，并说明它们的定义。
光量：以可见光的形式发射、传播或接受的光的多少的量度。
光通量：单位时间内，以可见光的形式发射、传播或接受的光量。
光强度：在给定方向上的单位立体角内，离开点光源的光通量。
光出射度：面光源表面单位面积上发射的光通量。
光照度：接受面上单位面积所照射的光通量。
光亮度：辐射源表面一点处的面元在给定方向上的光强度除以该面元在垂直于该方向的平面上的正投影面积。
5、什么是光谱光视效率（视见函数）？国际照明委员会根据对许多人的大量观察结果，确定了人眼对各种波长光的平均相对灵敏度，称为“标准光度观察者”光谱光视效率或光视见函数。
光谱光视效率分明视觉光谱光视效率（光强度大于3坎德拉）和暗视觉光谱光视效率（光强度小于0.001坎德拉），分别用)(λV 和)(λV '表示。
一般来说，光度学量和对应的辐射度量学量之间有如下关系：λλλχχd V K e m v )()(78.039.0⎰=式中v χ是光度学量，e χ是对应的辐射度量学量。
一、概念题 1、辐射照度：接收面上单位面积所照射的辐射通量。
单位是W/m 2 2、价带：晶体最外层电子占据的能带3、发光强度：频率为540×1210Hz （对应真空波长555nm ）的单色辐射在给定方向上的辐射强度为1/683 W/sr 时，规定该方向上的发光强度为1cd （sr 为球面度）4、导带：电子受到热激发越过禁带，占据的价带上更高的能带5、间接复合：自由电子和自由空穴通过禁带中的复合中心间接进行复合，释放能量6、响应率：探测器的输出信号电压s V 或电流s I 与入射的辐能量e Φ之比，S S v I e e V I S S ΦΦ==或7、噪声：探测器输出的光电信号并不是平坦的，而是在平均值上下随机的起伏，这种随机的、瞬间的幅度不能预先知道的起伏称为噪声8、散粒噪声：犹如射出的散粒无规则地落在靶上所呈现的起伏，每一瞬间到达靶上的值有多有少，这些散粒是完全独立的事件，这种随机起伏所形成的噪声称为散粒噪声9、等效噪声功率：如果入射到探测器上的辐通量按某一频率变化，当探测器输出信号电流s I (或电压s V )等于噪声的均方根电流时，所对应的入射辐通量e Φ称为等效噪声功率NEP 10、二次电子发射：当具有足够动能的电子轰击某些材料时，材料表面会发射新的电子，轰击材料的入射电子称为一次电子，从材料发射出的电子称为二次电子，发射二次电子的过程就是二次电子发射11、光电导效应：当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起的载流子的浓度的增大，因而导致材料电导率增大，这种现象就是光电导效应12、光生伏效应：当入射光照射PN 结表面时，光生载流子在内建电场的作用下被扫向PN 结的两边，若无外环路，形成垫垒，产生一个光生电动势13、雪崩倍增效应：在光电二极管的PN 结上加一相当高的反向偏压，使结区产生一个很强的电场，当光激发的载流子或热激发的载流子进入结区后，在强电场的加速下获得很大的能量，与晶格原子碰撞而使晶格原子发生电离，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在向电极运动过程中又获得足够能量，再次与晶格原子碰撞，又产生新的电子-空穴对，这一过程不断重复，使PN 结内电流急剧倍增，这种现象称为雪崩倍增效应14、表面势：以体内的i E 为零势点，表面上is E 相对于体内的i E 的势称为表面势()s is i V E E q =-15、平带电压：界面处有固定的正电荷，在氧化物中有可移动的电荷，能带稍有弯曲，要使能带变平所需的电压16、辐射通量：是以辐射的形式发射、传播或接收的功率，也是辐射能随时间的变化率e e dQ dt Φ=单位为瓦We e d E dA ϕ=二、基础知识1、I 、P 、N 三种半导体能带结构2、n 型半导体费米能级公式d d fn fi i i i N N E E kT ln E kT ln n n =+≈+P 型半导体费米能级公式a fp i i N E E kT ln n =-3、PN 结形成过程PN 结就是在一块单晶中存在紧密相邻的P 区和N 区结构。
通常是在一种导电类型半导体上用合金、扩散、外延生长等方法得到另一种导电类型的薄层，在这两种半导体材料的交界处就形成了PN 结。
n 型材料中，电子浓度大则空穴浓度小。
P 型材料中，空穴浓度大而电子浓度小。
在结区刚开始存在着载流子浓度梯度，导致空穴从p 区到n 和电子从n 区到p 区的扩散运动。
在p 区，空穴扩散后，留下不可移动的带负电的受主，在n 区，电子扩散后，留下了不可移动的带正电的电离施主。
这些正负离子在结区附近形成空间电荷区（即耗尽区）。
空间电荷区中形成的电场是由n 指向p 区的，称为内建电场。
在内建电场的作用下，载流子出现漂移运动，方向与扩散运动相反，起着阻止扩散的作用。
随扩散运动的不断进行，空间电荷逐渐增加，阻碍扩散进行的漂移作用也随之增强。
最后与漂移运动形成动态平衡，结区建立了相对稳定的内建电场。
n 型材料中电子浓度较高，费米能级较高，p 型材料中空穴浓度较高，费米能级较低，在平衡时，费米能级应在同一高度上，结区的内建电场使p 区相对于n 具有负电位，使结区造成了能带弯曲，形成P-N结垫垒，垫垒的作用是阴鸷多数载流子运动。
垫垒为0np n kT V ln q n =（）4、三种光电效应光电导效应：当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收使载流子浓度增大，导致材料电导率增大的现象。
有本征型和非本征型两种光生伏效应：当入射光照射PN 结表面时，光生载流子在内建电场的作用下被扫向PN 结的两边，若无外环路，形成垫垒，产生一个光生电动势光电发射效应：当光照射某种物质时，若入微的光子能量hv 足够大，它和物质中的电子相互作用，致使电子溢出表面的现象5、二次电子发射过程○1材料吸收一次电子的能量，激发体内电子到高能态，这些被激电子称为内二次电子 ○2内二次电子中初速指向表面的那一部分向表面运动，在运动过程中因散射而损失能量○3如果到达界面的内二次电子仍有足以克服表面垫垒的能量即逸出表面成为二次电子 6、负电子亲和势选取适当的材料及其表面吸附物质，使表面能带向下发生一定程度的弯曲，得到零甚至负的有效电子亲和势有效亲和势：真空能级和入射体内部导带底能级之差7、光电倍增管结构和原理光电倍增管是一种真空光电器件，它主要由光入射窗口、光电阴极、电子光学系统、倍增极和阳极组成光电倍增管的工作原理：a.光子入射窗口入射在光电阴极K 上b.光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中c.光电子通过电场加速和电子系统聚集入射到第一倍增极D 1上，倍增极将发射出比入射电子数目更多的二次电子，入射电子经N 级倍增极倍增后，光电子就放大N 次d.经过倍增后的二次电子由阳极P 收集起来，形成阳极光电流，在负载R L 上产生信号电压8、微通道管光电倍增管结构与工作原理结构：微通道板是由成千上万根直径15～40m μ、长度为0.6～1.6mm 的微通道组成，每个微通道是一根根很细的玻璃管原理：微通道板光电倍增管的内壁镀有高阻的二次发射材料，在它的两端加电压后内壁出现电位梯度，在真空中的一次电子轰击微通道的一端，发射出的二欠电子因电场而轰击另一处，再发射二次电子，这要通过多次发射二次电子可获得约104的增益9、光敏电阻的工作原理及应用原理：均质的光电导体两端加上电极，电极加压后，入射光照射光电导体表面，产生的光生载流子在电场的作用下分别向两极运动，形成电流，实现光电转换应用：a.照相机电子快门b.路灯自动控制10、光电池的工作原理和用途原理：零偏置或反偏置下p-n 结的光生伏效应。
用途：太阳能光电池和测量光电池11、光电二极管（响应时间的三个因素，载流子如何运动）光电二极管在结构上和工作原理上与光电池相似。
如果应用于光伏工作模式，其机理与光电池基本相同，都是属于PN 结型光生伏效应。
它通常是用在反偏的光电导工作模式，光()()2010221= Ae c c c c A dE E E E E E E E E =-=----电二极管在无光照条件下，若给PN 结加一个适当的反向电压，刚反向电压加强了内建电场，使PN 结空间电荷区拉宽，垫垒增大，流过PN 结的电流很小，它是由少数载流子的漂移运动形成的。
光电二极管被光照时，满足g hv E 时，则在结区产生的光生载流子将被内建电场拉开，光生电子被拉向N 区，光生空穴被拉向P 区，于是在外加电场的作用下形成了以少数载流子漂移运动为主的光电流，显然，光电流比无光照时的反向饱和电流大得多，如果光照越强，表示在同样条件下产生的产生的光生载流子越多，光电流就越大，反之，则光电流越小。
a.光生载流子扩散到结区的时间b.光生载流子在垫垒区中的漂移时间c.垫垒电容引起的介电时间驰豫当二极管工作在反偏模式时，电子从P 区运动到N 区，空穴从N 区运动P 区12、光电三极管工作原理工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即需要保证集电极反偏置，发射极正偏偏置，由于集电极反偏置，在结区内有很强的内建电场，对3DU 型硅光电三极管来说，内建电场的方向是由c 到b ，与硅光电二极管工作原理相同，如果有光照到基极一集电极结上，能量大于禁带宽度的光子在结区内激发出光生载流子-电子空穴对,这些载流子在内建电场的作用下，电子流向集电极，空穴流向基极，相当于外界向基极注入一个控制电流13、PIN 、APD 光电二极管的原理，优点PIN 光电二极管在原理上和普通光电二极管一样，都是基于PN 结的光电效应工作的，所不同的是在结构上，它的结构是在p 型半导体和n 型半导体之间夹着一层较压降的本征半导体。
由于PIN 光电二极管因在较厚的i 层，因此PN 结的内电场就基本上全集中于i 层中，使PN 结的结间距离增大，结电容变小。
由于工作在反偏，随着反偏电压的增大，结电容变得更小，从而提高了PIN 光电二极管的频率响应PIN 优点有响应速度快、灵敏度高、长波响应率大APD 光电二极管原理：泡二极管的PN 结上加一相当高的反向偏压，使结区产生一个很强的电场，当光激发的载流子或热激发的地载流子进入结区后，强电场的加速下获得很大的能量，与晶格原子碰撞而使晶格原子发生电离，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在向电极运动过程中又获得足够能量，再次与晶格原子碰撞，又产生新的电子-空穴对，这一过程不断重复，使PN 结内电流急剧倍增，这种现象称为雪崩倍增。
雪崩二极管就是利用这种效应而具有光电流的放大作用。
APD 光电二极管的优点是有内部增益，电流放大14、象管的结构和工作原理象管的主要结构有光电阴极、电子光学系统、荧光屏工作原理：为了完成辐射图象的光谱变换，象管采用了光电阴极和荧光屏，光电阴极使不可见的亮度很低的辐射象转换成电子图象，通过荧光屏将电子图象转换成可见光学图象，为了实现图象亮度的增强，电子系统对电子施加很强电场，电子获得能量，高速轰击，使荧光屏发射出强得多的沟通。
为了实现成象作用，利用电子透镜能使电子成象的原理将光电阴极发出的电子图像呈现在荧光屏上。
15、MOS 电容存储信号和转移信号的原理外加在栅极上的电压越高，表面势越高势阱越深；若外加电压一定，势阱深度随势阱中电荷量的增加而线性下降，MOS 电容就是利用这个原理存储信号的。
假设有四个彼此紧密排列的MOS 电容，在1t 时刻，已有一些信号电荷存贮在有一高偏压的1号电极下面的势阱里，其它三个电极均加有大于阈值电压，但仍较低的电压，这些电极下面也在势阱，但很浅。
当2t 时刻时，1电极和2电极都加在高电压，并且两电极靠得很近，1电极和2电极下面形成的势阱就连通起来，1电极下的部分信号电荷就流入2电极下的势阱中，当3t 时刻时，1上的电压已由高电压变成了低电压，使1电极下面的势阱由深变浅，势阱内的信号电荷全都移入2电极下的深势阱中。
