光电二极管 (2)

有机光电二极管引言有机光电二极管是一种半导体器件，是光电功能的重要组成部分，用于检测可见光或红外线。

有机光电二极管通过使用多层有机半导体材料设计而成，可以灵活地改变其功能，进而改变其特性。

有机光电二极管具有良好的灵敏性、低偏置电压、低漏电流和宽工作温度范围等优点，这使它成为一种重要的传感器器件。

本文介绍了有机光电二极管的基本结构、电路特性、特殊功能等内容。

一、有机光电二极管的基本结构有机光电二极管是由多层有机半导体材料制成的光电功能器件，其基本结构由正极层、负极层和光极层组成。

正极层和负极层由有机半导体材料组成，其中正极层为接受光信号，而负极层为提供电流。

光极层由吸收可见光或红外线的有机材料组成，其中有较高的能量吸收带宽和高光吸收率。

二、有机光电二极管的电路特性有机光电二极管的电路特性，主要有高灵敏度、低偏置电压、低漏电流和宽工作温度范围等几个方面。

首先，有机光电二极管具有较高的灵敏度，可以有效检测微弱的光信号。

其次，有机光电二极管具有低偏置电压，可以降低电路噪声，提高信号检测的灵敏度。

此外，有机光电二极管具有低漏电流，减少热负载，降低功耗，以及宽工作温度范围，可以在较低温度下工作，确保信号检测的稳定性。

三、有机光电二极管的特殊功能有机光电二极管具有许多特殊功能。

首先，它可以用于光通信和光信号的传输。

其次，它可以用于光电控制，通过可见光或红外线检测，以控制电子设备的开关、调整和控制。

此外，它还可以用于光学传感器，可以检测外界环境的变化，如温度、光照强度等，以便及时作出反应。

结论有机光电二极管是一种半导体器件，具有良好的灵敏性、低偏置电压、低漏电流和宽工作温度范围等优点，可以用于光通信和光信号传输、光电控制和光学传感器等多种应用当中。

它的发展为光电技术及其应用的发展提供了重要的依据，未来将会继续发挥重要作用。

一：填空题（每空1分）1.依据传感器的工作原理，传感器分敏感元件，转换元件，测量电路三个部分组成。

2.半导体应变计应用较普遍的有体型、薄膜型、扩散型、外延型等。

3.光电式传感器是将光信号转换为电信号的光敏元件，根据光电效应可以分为外光电效应，内光电效应，热释电效应三种。

4.光电流与暗电流之差称为光电流。

5.光电管的工作点应选在光电流与阳极电压无关的饱和区域内。

6.金属丝应变传感器设计过程中为了减少横向效应，可采用直线栅式应变计和箔式应变计结构。

7.反射式光纤位移传感器在位移-输出曲线的前坡区呈线性关系，在后坡区与距离的平方成反比关系。

8.根据热敏电阻的三种类型，其中临界温度系数型最适合开关型温度传感器。

9.灵敏度是描述传感器的输出量对输入量敏感程度的特性参数。

其定义为：传感器输出量的变化值与相应的被测量的变化值之比，用公式表示 k（x）=Δy/Δx 。

10.线性度是指传感器的输出量与输入量之间是否保持理想线性特性的一种度量。

按照所依据的基准之线的不同，线性度分为理论线性度、端基线性度、独立线性度、最小二乘法线性度等。

最常用的是最小二乘法线性度。

11.根据敏感元件材料的不同，将应变计分为金属式和半导体式两大类。

12.利用热效应的光电传感器包含光---热、热---电两个阶段的信息变换过程。

13.应变传感器设计过程中，通常需要考虑温度补偿，温度补偿的方法电桥补偿法、计算机补偿法、应变计补偿法、热敏电阻补偿法。

14.应变式传感器一般是由电阻应变片和测量电路两部分组成。

15.传感器的静态特性有灵敏度、线性度、灵敏度界限、迟滞差和稳定性。

16.在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，入射光强改变物质导电率的物理现象称为内光电效应。

17.光电管是一个装有光电阴极和阳极的真空玻璃管。

18.光电管的频率响应是指一定频率的调制光照射时光电输出的电流随频率变化的关系，与其物理结构、工作状态、负载以及入射光波长等因素有关。

pin光电二极管的主要应用(二)PIN光电二极管的主要应用1. 通信领域•光纤通信PIN光电二极管在光纤通信中扮演着关键角色。

它被用于接收来自光纤的光信号，并将其转换为电信号，以便进一步处理和传输。

其高速响应和低噪声特性使得PIN光电二极管在高速光通信领域得到广泛应用。

•光电收发器PIN光电二极管被用于制造光电收发器，用于接收和发送光信号。

光电收发器通常被应用于光纤通信、光纤传感和激光雷达等领域，其高灵敏度和低功耗特性使其成为高速、高效的光通信解决方案。

2. 光测量与检测•光谱仪PIN光电二极管广泛应用于光谱仪中，用于光信号的测量与分析。

由于其快速响应和低暗电流特性，它可以高精度地测量光信号的强度和频率。

•粒子检测PIN光电二极管也用于粒子检测领域。

它可用于探测粒子束在空间中的位置和运动速度。

其高速响应和高灵敏度特性使得它成为粒子加速器、质谱仪和核磁共振成像等仪器中不可或缺的部分。

3. 红外感应•红外传感器PIN光电二极管可以用作红外传感器，用于检测红外辐射信号。

它被广泛应用于红外遥控器、安防监控和人体检测等领域。

其高敏感度和快速响应特性使得它能够准确地检测和测量红外辐射信号。

•红外通信PIN光电二极管也可用于红外通信系统中。

它可以接收和解码红外信号，用于无线通信和远程控制等应用。

其高速响应和低功耗特性使得它成为红外通信领域的重要组成部分。

未尽事项: - 医疗诊断和治疗 - 光明机器视觉 - 军事和航空航天技术等以上仅是PIN光电二极管应用的一些例子，随着技术的不断发展，它在更多领域中的应用前景将会不断扩大。

Mg2Si/Si雪崩光电二极管的设计与模拟*王傲霜 肖清泉† 陈豪 何安娜 秦铭哲 谢泉(贵州大学大数据与信息工程学院, 新型光电子材料与技术研究所, 贵阳　550025)(2020 年11 月16日收到; 2020 年12 月17日收到修改稿)Mg2Si作为一种天然丰富的环保材料, 在近红外波段吸收系数高, 应用于光电二极管中对替代市面上普遍使用的含有毒元素的红外探测器具有重要意义. 采用Silvaco软件中Atlas模块构建出以Mg2Si为吸收层的吸收层、电荷层和倍增层分离结构Mg2Si/Si雪崩光电二极管, 研究了电荷层和倍增层的厚度以及掺杂浓度对雪崩光电二极管的内部电场分布、穿通电压、击穿电压、C-V特性和瞬态响应的影响, 分析了偏置电压对I-V特性和光谱响应的影响, 得到了雪崩光电二极管初步优化后的穿通电压、击穿电压、暗电流密度、增益系数(M n)和雪崩效应后对器件电流的放大倍数(M). 当入射光波长为1.31 µm, 光功率为0.01 W/cm2时, 光电二极管的穿通电压为17.5 V, 击穿电压为50 V, 在外加偏压为47.5 V (0.95倍击穿电压)下, 器件的光谱响应在波长为1.1 µm处取得峰值25 A/W, 暗电流密度约为3.6 × 10–5 A/cm2, M n为19.6, 且M n在器件击穿时有最大值为102, M为75.4. 根据模拟计算结果, 优化了器件结构参数, 为高性能的器件结构设计和实验制备提供理论指导.关键词：SACM-APD, Mg2Si/Si异质结, 光谱响应, 增益系数PACS：85.30.–z, 73.40.Lq, 85.60.Gz, 42.60.Lh　DOI: 10.7498/aps.70.202019231 引　言市面上的红外光电探测器普遍使用了铟镓砷(InGaAs)[1]、碲镉汞(HgCdTe)[2,3]材料, 这些原材料具有吸收系数高、带隙可调、增益系数高和电子迁移率高等优点[3,4], 但其含量在地壳中不多, 并且均含有重金属元素, 将其大量应用于红外光电探测器将会出现原材料匮乏, 且对环境造成的污染也不容忽视[5,6], 因此寻找其他合适的材料制备红外器件已成为解决上述问题的关键[7].Mg2Si是红外光电探测器最理想的原材料之一, 具有天然丰富、环境友好、载流子迁移率高、在近红外波段光吸收系数高[8,9]、与Si的晶格失配小(< 5%)[10,11]、与成熟的Si工艺兼容[12]、与n型Si有良好的欧姆接触[13]、高纯的单晶Mg2Si是n 型半导体[10]而掺杂银或铜后能成为p型半导体[14]等优点. 但目前对Mg2Si用于光电子器件的文献报导不多, 大多数研究组都是对其基本性质进行研究. Udono等[15]和El-Amir等[16]先后通过热扩散制作了Mg2Si光电二极管, 表明其具有良好的整流特性, 在波长为0.95—1.8 µm范围内有良好的光谱响应, 在零偏压下, 波长为1.4 µm处光谱响应达到峰值为0.014 A/W, 展示了其作为红外光电探测器的应用前景, 对替代市面上含有毒元素的红外光电探测器具有重要研究意义.为了开发基于Mg2Si薄膜的红外探测器, 此前我们研究组已经围绕Mg2Si/Si异质结光电二极管设计了pn型和pin型的器件模型[17], 所模拟的pin型器件要优于pn型器件, 光谱响应峰值为* 贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(批准号: [2018]09)、贵州省高层次创新型人才培养项目(批准号: [2015]4015)和贵州省研究生科研基金(批准号: [2020]035)资助的课题.† 通信作者. E-mail: qqxiao@© 2021 中国物理学会 Chinese Physical Society 0.742 A/W, 但暗电流密度略大, 约为1×10–6 A/cm2.而研究发现雪崩光电二极管(APD)具有高增益、宽带宽、响应快等[18,19]诸多优点, Nishida等[20]将吸收层和倍增层分离而提出的吸收层、电荷层和倍增层分离(SACM)结构成为当前APD普遍所采用的结构. 因此本文考虑到Mg2Si/Si异质生长的晶格失配度, 在保证Mg2Si/Si异质结能良好生长的前提下, 采用Silvaco软件中Atlas模块构建出以Mg2Si为吸收层的Mg2Si/Si SACM-APD, 为高性能的器件制备提供指导, 降低器件研制经费, 提高器件性能, 使高性能Mg2Si红外探测器件的制备成为可能, 从而解决红外探测器原材料匮乏及不环保的问题.2 SACM-APD的结构设计理论模型采用Silvaco中的Atlas模块对Mg2Si/Si异质结SACM-APD的结构进行设计. Nishida等[20]将吸收层和倍增层分离而提出的SACM型结构成为当前APD普遍所采用的结构,此结构可以通过调节电荷层的结构参数来调节器件内部场强. 本文设计的SACM-APD如图1所示, 器件衬底采用重掺杂n型Si, 衬底上生长一层n型Si作为缓冲层, 接着是弱p型掺杂的Si作为倍增层, 较高掺杂的p型Si电荷层位于倍增层与Mg2Si吸收层之间, 以调节器件内部电场分布, 最后采用较薄且掺杂浓度高的p型Mg2Si薄膜作为接触层. 为形成欧姆接触, n型Si衬底通常需要高的掺杂浓度[12].图 1 SACM-APD结构示意图Fig. 1. Schematic diagram of SACM-APD.图2为Mg2Si/Si SACM-APD的能带结构示意图, 图中建立一维的坐标系, p-Mg2Si接触层顶位置设为坐标原点, W p, W a, W c, W m, W b与W s分别为器件接触层、吸收层、电荷层、倍增层、缓冲层和衬底的厚度, 参数见表1.Energy/eVThickness/m m图 2 APD的能带结构图Fig. 2. Energy band structure diagram of the APD.表 1 APD的结构参数Table 1. Structural parameters of the APD.层名符号厚度/µm符号浓度掺杂/× 1016 cm–3金属电极层—0.1—0Mg2Si接触层W p0.15N p500Mg2Si吸收层W a0.6—4N a0.1Si电荷层W c0.1—0.3N c6—14Si倍增层W m1N m0.01—1Si缓冲层W b0.5N b100Si衬底W s 3.5N s1000物理模型中的材料参数均来自最近的文献[9, 15, 21, 22]与本研究组的测试结果, 表2为Mg2Si 与c-Si的一些基础的材料参数.表 2 模拟计算中采用的各层基本参数Table 2. The parameters of different layers in the simu-lation.参数Mg2Si c-Si[21]相对介电常数20[21]11.9电子迁移率/(cm2·V–1·S–1)550[21]1350空穴迁移率/(cm2·V–1·S–1)70[15]500材料带隙/eV0.77[9,21] 1.12导带有效态密度/cm–37.8 × 1018 2.8 × 1019价带有效态密度/cm–3 2.06 × 1019 1.04 × 1019电子亲和力/eV 4.37[21,22] 4.05对于光电器件的模拟, 为了使仿真结果更接近实际, 材料表面折射率情况被考虑到, 吸收系数是光电器件模拟中重要的参数, 对光生载流子的产生率以及光生电流起着主导的作用, 文中Mg 2Si [9]与c-Si [23]中的吸收系数与折射率均来自于近期文献中实验测量到的, 如图3所示.1010101010106543210A b s o r p t i o n c o e f f i c i e n t /c m -1Photon energy/eVR e f r a c t i v e i n d e xWavelength/m m图 3 Mg 2Si 与c-Si 的光学特性　(a) Mg 2Si 与c-Si 的吸收系数(cm –1)与入射能量的关系; (b) Mg 2Si 与c-Si 的折射率与波长的关系Fig. 3. Optical properties of Mg 2Si and c-Si: (a) Absorption coefficient(cm –1) of the poly-Mg 2Si and c-Si; (b) refractiveIndex of the poly-Mg 2Si and c-Si.3 Mg 2Si/Si SACM-APD 的性能仿真与分析3.1 内部电场与载流子分布图4(a)给出了Mg 2Si/Si SACM-APD 在电荷层厚度为0.1 µm 时随外加电压升高的内部电场分布图. 由图4(a)可知, 当电荷层太薄时, 对器件的倍增层与吸收层的场强分布调控能力不足, 倍增层电场将会延伸至吸收层中, 即无法使倍增层与吸收层完全分离开来, 会使雪崩倍增效应在吸收层中加剧, 器件的隧穿电流增大, 影响器件性能. 如图4(b)所示, 当电荷层厚度增加为0.2 µm 时, 吸收层与倍增层分离开来, 使雪崩效应主要在倍增层中产生, 光生载流子的产生则几乎在吸收层中, 这种情况下将能显著地降低器件的暗电流, 因此电荷层厚度设置不应太薄.图5揭示了不同外加偏压下的器件内部的载流子生成率, 由图5可知, 在偏压小于20 V 时, 器件内部载流子生成率几乎只发生在倍增层中, 对应的此时暗电流增加较为平稳. 但当偏压为40 V 时,倍增层中的载流子生成率上升了两个数量级, 部分耗尽区中也存在载流子生成, 此时器件处于穿通状态. 当偏压增大至60 V 时, 倍增层中载流子生成率达到1026 cm 3·s 数量级, 电流快速增加, 器件已处于雪崩击穿状态.0123451234E l e c t r i c f i e l d /(105 V S c m -1)Thickness/m m0 V 20 V 40 V 60 V(a)01234501234E l e c t r i c f i e l d /(105 V S c m -1)Thickness/m m0 V 20 V 40 V 60 V(b)图 4 (a) 电荷层厚度为0.1 µm 时器件的电场分布; (b) 电荷层厚度为0.2 µm 时器件的电场分布Fig. 4. (a) Electric field distribution of the device with charge layer thickness of 0.1 µm; (b) electric field distribu-tion of the device with charge layer thickness of 0.2 µm.012345Thickness/m m0 V 20 V 40 V 60 VI m p a c t g e n r a t e /(c m 3S s )10241016108100图 5 Mg 2Si/Si SACM-APD 器件在不同偏压下内部的载流子生成率Fig. 5. The influence of the different Bias voltage on the carrier generation rate.图6为在外加偏压为40 V 时, 倍增层不同掺杂浓度下倍增层的电场分布关系, 在掺杂浓度为1 × 1014 cm –3, 其内部电场分布均匀, 当掺杂浓度继续增加至1 × 1015 cm –3时, 整体的电场强度增加有限, 其分布呈现出较小程度的倾斜, 继续增高掺杂浓度, 倍增层整体电场强度上升很快, 且不均匀程度加剧, 此时会导致器件产生较大的暗电流,降低器件的增益系数. 所以在器件制备中, 为保证倍增区的电场相对稳定, 倍增层的掺杂浓度一般不宜超过1 × 1015 cm –3. 另一方面接触层采用重掺杂方式, 可提高内部整体电场, 使得吸收层电场起伏变小.3.23.64.0E l e c t r i c f i e l d /(105 V S c m -1)Thickness/m m0.20.40.61T 1014 cm -34T 1014 cm -31T 1015 cm -35T 1015 cm -31T 1016 cm -3图 6 倍增层不同掺杂浓度时倍增层的电场分布Fig. 6. Electric field distribution of the multiplier layer un-der different doping concentrations.3.2 穿通电压与击穿电压穿通电压[20]和击穿电压均会受到APD 结构参数的影响, 如各层掺杂浓度、厚度等. 在模拟中,设置这些参数为变量以获得穿通电压和击穿电压的变化趋势, 对后续工艺设计具有至关重要的作用.∆(V b −V p )如图7所示, 图中上半部分呈下降趋势的四条曲线V b 为不同电荷层厚度的击穿电压, 下半部分呈上升趋势的四条曲线V p 为不同电荷层厚度下的穿通电压. 若电荷层厚度一定时, 当其掺杂浓度升高, 穿通电压呈线性上升趋势, 而击穿电压呈线性下降趋势, 且下降趋势较为明显. 当电荷层厚度为0.1 µm 时, 穿通电压随掺杂浓度的变化趋势为1.2 V/2 × 1016 cm –3, 击穿电压随掺杂浓度的变化趋势4 V/2 × 1016 cm –3, 击穿电压和穿通电压之差 随掺杂浓度升高而降低, 在掺杂浓度为6 × 1016 cm –3时, 有最大值64 V. 当厚度增加至0.25 µm 时, 穿通电压随掺杂浓度的变化趋势∆(V b −V p )∆(V b −V p )为2 V/2 × 1016 cm –3, 击穿电压随掺杂浓度的变化趋势15 V/2 × 1016 cm –3, 在掺杂浓度为6 ×1016 cm –3时, 有最大值37 V. 在设计雪崩光电二极管的结构参数时, 如果电荷层厚度设计的较薄且掺杂浓度较低, 在小偏压情况下, 器件中的吸收层会产生耗尽, 器件提前处于穿通状态. 同时电荷层对器件中倍增层的电场调控作用力度较弱, 需要外加极大的偏压才能使倍增层中形成足够大的电场产生雪崩倍增效应, 这都极大地影响器件的性能. 若选用较厚且高掺杂的电荷层时, 此时电荷层对器件倍增层与吸收层电场调控作用较强, 会使倍增层中的电场加强, 吸收层中的电场削弱, 此时需要较大的外加电压才能使器件处于穿通状态,但需要不大的外加电压就会使器件处于击穿状态.例如当电荷层厚度为0.25 µm 、掺杂浓度为1 ×1017 cm –3, 仅为3 V, 若再增加电荷层厚度与掺杂浓度时, 会导致器件中耗尽区尚未完全耗尽时就已处于击穿状态, 在器件制备过程中应极力避免此情况, 电荷层的设计要结合实际进行综合考虑.w m w m w m 当电荷层掺杂浓度为8 × 1016 cm –3、厚度为0.2 µm 时, 图8揭示了倍增层厚度 的增加对APD 穿通电压与击穿电压的影响. 如图8所示, 击穿电压随 的增大出现先减小后增大的现象, 从0.2到0.6 µm 时总体呈下降趋势, 在0.6到1.2 µm 时呈上升趋势, 在0.6 µm 时V b 取得最小值53 V,且总体呈现非线性变化规律, 而穿通电压呈线性增加, 上述变化趋势可由APD 的增益系数公式[24]来V o l t a g e /VDoping concentration/(1016 cm -3)图 7 电荷层厚度、掺杂浓度与击穿电压和穿通电压之间的关系Fig. 7. The relation between the thickness and doping con-centration of charge layer and the breakdown voltage, the punch-through voltage.解释. 若倍增区厚度太薄, 会产生较大的击穿电压与很小的穿通电压. 因此在实际制作中可适当提高倍增层厚度, 提升载流子在倍增层中碰撞电离的几率, 提高器件的增益系数.图9揭示了雪崩光电二极管中的倍增层不同掺杂浓度对器件的击穿电压与穿通电压的影响. 当倍增层掺杂浓度升高, 击穿电压逐渐下降, 且下降趋势微弱, 掺杂浓度从1 × 1014 cm –3上升至1 ×1015 cm –3时, 击穿电压仅从56 V 下降至53 V, 穿通电压则几乎没变.Doping concentration/cm -3b /Vp /V图 9 倍增层不同掺杂浓度与穿通电压和击穿电压关系Fig. 9. Breakdown voltage and penetration voltage at differ-ent doping concentration of the multiplier layer.3.3 I -V特性与光谱响应APD 的内部增益机制一般为雪崩倍増, 本工作中的电子在高电场作用下的倍增层碰撞电离的几率是随机的, 因此倍增后生成的电流分布不均匀, 雪崩光电二极管产生一个附加噪音机制, 称为倍增噪音, 是雪崩光电二极管主要的噪音来源.Si 中电子的碰撞电离系数比空穴高, 因此采用电子作为雪崩光电二极管的倍增机制. 一般由电子倍增产生的噪音F n 为[25]k 其中代表倍増区域内有效空穴与电子的离化系数的比值; M n 为增益系数, 是APD 中最基本的参数之一. 增益系数一般定义为光照下产生的电流I P 减去黑暗下的暗电流I D 之差与有效光电流I A 之比. 在计算过程中一般如下公式:如图10所示, 黑色曲线与红色曲线分别代表雪崩光电二极管在黑暗与光照下(l = 1.31 µm,光功率 = 0.01 W/cm 2)下的I-V 曲线. APD 在偏压为12 V 左右耗尽区开始逐渐向Mg 2Si 吸收层扩散, 提升了入射光被Mg 2Si 薄膜层吸收形成光生载流子的几率, 耗尽区的场强分布提高, 自由载流子越过吸收层与电荷层到达倍增层的概率升高, 暗电流会有较大幅度的提升. 当偏压为18 V 左右时吸收层被完全耗尽, 器件处于穿通状态. 随着偏压的继续增大, 此时耗尽区会向p 区与n 区延伸, 倍增层雪崩效应开始显现, 此时器件的电流增加较为平缓. 在50 V 左右时, 器件倍增层中的电子在高电场情况下雪崩碰撞离化明显, 暗电流与光电流几乎呈指数增长, 发生击穿. 当器件工作处于线性模式下(V p < V < V b ), M n 从0.75增加至最大值102,电压为0.95V b 时的M n 为19.6, 与传统的Si 基雪崩光电二极管接近. 此时器件的暗电流密度为3.6 × 10–5 A/cm 2, 该Mg 2Si/Si SACM-APD 与pn 型和pin 型Mg 2Si/Si 光电二极管相比, 具有略大的暗电流密度[17], 与目前国际上商用的红外探测器性能对比见表3, 在器件制备时, 要注意严格控制各层的参数从而控制暗电流密度.Thickness/m mb /Vp /V图 8 不同倍增层厚度时的击穿电压与穿通电压Fig. 8. Breakdown voltage and penetration voltage at differ-ent thicknesses of the multiplier layer.C u r r e n t /AVoltage/VG a i n c o e f f i c i e n t10101010101010101010图 10 APD 的I-V 特性与增益系数Fig. 10. I-V characteristics and gain coefficient of APD.表 3 模拟结果与目前国际水平对比Table 3. Comparison of simulation results with current international level.材料暗电流密度/(A·cm –2)光谱响应/(A·W –1)InGaAs 5 × 10–4[26] 1.2[26]InGaAs/InP 7 × 10–10[26]—HgCdTe/CdTe/Si 0.007[26]—HgCdTe/CdZnTe2.7 × 10–5[27] 1.45[27]Mg 2Si 0.04[14,16]0.014[14,16]Mg 2Si/Si-pn 6 × 10–7[17]0.32[17]Mg 2Si/Si-pin 1 × 10–6[17]0.742[17]Mg 2Si/Si-SACM3.6 × 10–525图11为外加偏置电压对APD 光谱响应的影响, 由图可知器件的光谱响应波长能扩展至1.6 µm,因此选用Mg 2Si 作为吸收层能有效地扩展Si 基APD 的光谱响应波段. 在47.5 V(0.95V b )偏压下,波长为1.1 µm 时光谱响应达到峰值, 为25 A/W,在1.31 µm 处也有较高的响应度, 所以此APD 可适用于光通信等光电设备领域中. 总体而言, 随着偏置电压的增大, APD 的光谱响应不断增强, 但其随波长的变化趋势保持了较好的一致性. 越接近击穿电压, 增强的幅度越大. 当在偏压为17.5 V 时, APD 的吸收层被完全耗尽, 器件被穿通, 此时倍增效应还未产生, 因此选取17.5 V 为器件的穿通电压.I MP 与I MD I P 与I D 若设 分别是雪崩倍增效应后的光电流与暗电流, 是未发生雪崩倍增效应的光电流与暗电流, 仿真计算时取器件穿通前光电流与暗电流之差的平均值代表倍增效应前的电流, 两者之比M 如下式所示:I MP 与I MD 上式中M 可表示雪崩效应后对电流的放大倍数. 通过先前的工作确定17.5 V 为器件的穿通电压, 取17.5 V 以前光电流与暗电流之差的平均电流为倍增前的电流, 17.5 V 以后为倍增后的电流.如图10所示, M 在偏压大于46 V 时迅速增加, 在50.8 V 时有最大值1660. 若取 之差的平均电流为倍增后的电流, 经计算此时M 为75.4, 证明该结构对电流的增益效果较好.3.4 器件的C-V 特性与开关特性C j C j C τC d C j 图12为APD 在频率为1 MHz 下的C-V 仿真曲线随倍增层厚度的变化. 当外加偏压一定时,随着倍增层厚度的增加, 器件电容减小. 当厚度一定时, 随着外加偏压的减小, 器件电容增大. 从理论上分析时, APD 中由于电极与衬底介电性产生的电容和管壳电容是由器件工艺来决定的, 在这里不做讨论, 只考虑结电容 , 可等效为pn 结处理,如果外部交流小信号频率很高时, 电容 以耗尽电容 为主, 可忽略 [28], 当外加交流偏置电压V 时得到 关系式为[28,29]由(4)式可推知, 当倍增层厚度和偏置电压变大时, 耗尽层宽度会相应展宽, 器件电容减小, 与Wavelength/m mR e s p o n s i v i t y /(A S W -1)图 11 不同的偏置电压对APD 光谱响应的影响Fig. 11. Effect of different bias voltages on the spectral re-sponse of APD.-4-2024681.21.11.0Voltage/V0.3 m m 0.6 m m 1.0 m mC a p a c i t a n c e d e n s i t y /(10-15 F S m m -1)图 12 倍增层厚度对器件电容的影响Fig. 12. The influence of the thickness of multiplication lay-er on the capacitance of the device.模拟变化结果相一致. 探测器带宽与RC 关系是呈负相关[25]:根据(5)式可知合理降低器件电容是有必要的. 当倍增区厚度为1 µm 时, 在5 V 偏置电压下,器件电容密度约为1 × 10–15 F/µm.图13为不同倍增层厚度时器件的瞬态响应曲线, 增加倍增层厚度, 对器件的响应时间影响微弱,但器件的稳态光电流却是先减小后增大, 可能是因为倍增层厚度的增加会调控器件内部场强分布, 使击穿电压出现先降低后升高的趋势. 本例中得到的瞬态响应曲线的偏压均为37 V, 因此倍增层厚度的不同导致了不同的稳态光电流.0.3 m m 0.6 m m 1.0 m m101550654321C a t h o d e c u r r e n t /(10-6 A )Transient time/(10-9 s)图 13 不同倍增层厚度时器件的瞬态响应Fig. 13. Transient response of the device for different thick-ness of the multiplication layer.4 结　论考虑到Mg 2Si/Si 异质生长的晶格失配度, 建立了Mg 2Si/Si SACM-APD 模型, 研究了电荷层和倍增层的厚度以及掺杂浓度对雪崩光电二极管的内部电场分布、穿通电压(V p )、击穿电压(V b )、C-V 特性和瞬态响应的影响, 分析了偏置电压对I-V 特性和光谱响应的影响, 得到了Mg 2Si/Si SACM-APD 初步优化后的V p , V b 、暗电流密度、增益系数(M n )和雪崩效应后对器件电流的放大倍数(M ), 为高性能的器件制备奠定了良好的基础.根据模拟结果可知: 器件的光谱响应波长能扩展至1.6 µm, 选用Mg 2Si 作为吸收层的APD 能有效地扩展Si 基APD 的光谱响应波段. 随着电荷层厚度与掺杂浓度的升高, 器件的V p 呈线性上升趋势,而V b 呈线性下降趋势, 且下降趋势较为明显, 因此电荷层能较好地调节器件内部电场分布. 当倍增层掺杂浓度大于1 × 1015 cm –3后, 倍增层电场分布出现较大程度的不均衡, 会产生较大的暗电流,因此为保证倍增区的电场相对稳定, 倍增层的掺杂浓度不宜超过1 × 1015 cm –3. 在器件结构参数优化后, SACM-APD 的V p 为17.5 V, V b 为50 V; 当偏压为47.5 V (0.95V b )时, 器件的光谱响应在波长为1.1 µm 时达到峰值25 A/W, 与先前的研究中pin 型Mg 2Si/Si 光电二极管的光谱响应峰值0.742 A/W 相比, 光谱响应得到了很大程度的提高; 暗电流密度约为3.6 × 10–5 A/cm 2, 该Mg 2Si/Si SACM-APD 与pn 型和pin 型Mg 2Si/Si 光电二极管暗电流密度1 × 10–6 A/cm 2相比, 暗电流密度略大; M n 为19.6, 且M n 在器件击穿时取得最大值为102, M 为75.4, 器件具有较好的增益效果. 在器件制备过程中, 考虑到Mg 2Si/Si 异质生长的晶格失配度, 界面态密度应控制在1 × 1011 cm –2以内, 并且可以通过在器件表面加设保护环[30]来提高器件的反向耐压性能.参考文献M o Q Y, Zhao Y L 2011 Acta Phys. Sin. 60 072902 (inChinese) [莫秋燕, 赵彦立 2011 物理学报 60 072902][1]P ark S M, Grein C H 2019 J. Electron. Mater. 48 8163[2]R ogalski A 2005 Rep. Prog. Phys. 68 2267[3]X u S J, Chua S J, Mei T, Wang X C, Zhang X H, KarunasiriG, Fan W J, Wang C H, Jiang J, Wang S, Xie X G 1998Appl. Phys. Lett. 73 3153[4]R ogalski A 2002 Infrared. Phys. Technol. 43 187[5]R ogalski A 2011 Infrared. Phys. Technol. 54 136[6]H u W D, Li Q, Chen X S, Lu W 2019 Acta Phys. Sin. 68120701 (in Chinese) [胡伟达, 李庆, 陈效双, 陆卫 2019 物理学报 68 120701][7]L aBotz R 1963 J. Electrochem. Soc. 110 127[8]K ato T, Sago Y, Fujiwara H 2011 J. Appl. Phys. 110 063723[9]B orisenko V E 2000 Semiconducting Silicides (New York:Springer) pp137−179[10]A u-Yang M Y, Cohen M L 1969 Phys. Rev. 178 1358[11]L iao Y F, Fan M H, Xie Q, Xiao Q Q, Xie J, Yu H, Wang SL, Ma X Y 2018 Appl. Surf. Sci. 403 302[12]J anega P L, McCaffrey J, Landheer D, Buchanan M, DenhoffM, Mitchel D 1988 Appl. Phys. Lett. 53 2056[13]U dono H, Tajima H, Uchikoshi M, Itakura M 2015 Jpn. J.Appl. Phys. 54 07JB06[14]U dono H, Yamanaka Y, Uchikoshi M, Isshiki M 2013 J. Phys.Chem. Solids. 74 311[15]E l-Amir A A M, Ohsawa T, Nabatame T, Ohia A, Wadaa Y,Nakamuraa M, Fua K, Shimamuraa K, Ohashia N 2019Mater. Sci. Semicond. Process. 91 222[16]C hen H, Xiao Q Q, Xie Q, Wang K, Shi J N, 2019 Mater.Rep. 33 3358 (in Chinese) [陈豪, 肖清泉, 谢泉, 王坤, 史娇娜2019 材料导报 33 3358][17]F orrest S R, Kim O K, Smith RG 1982 Appl. Phys. Lett. 4195[18]Z hang H Y, Wang L L, Wu C Y, Wang Y R, Yang L, PangH F, Liu Q L, Guo X, Tang K, Zhang Z P, Wu G 2020 Acta Phys. Sin. 69 074204 (in Chinese) [张海燕, 汪琳莉, 吴琛怡, 王煜蓉, 杨雷, 潘海峰, 刘巧莉, 郭霞, 汤凯, 张忠萍, 吴光 2020 物理学报 69 074204][19]N ishida K, Taguchi K, Matsumoto Y 1979 Appl. Phys. Lett.35 251[20]D eng Q, Wang Z, Wang S, Shao G D 2017 Sol. Energy 158654[21]S ekino K, Midonoya M, Udono H, Yamada Y Udono H 2011Phys. Procedia 11 171[22]M artin A G 2008 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 92 1305[23]P ark C Y, Hyun K, Kang S G, Kim H M 1995 Appl. Phys.Lett. 67 3789[24]S metona S, Matukas J, Palenskis V, Olechnovicius M, A.Kaminskas K, Mallard R 2004 Proceedings of SPIE-Photonics North 2004: Optical Components and Devices Ottawa,[25]Canada, September 26–29, 2004 p834X ie T, Ye X H, Xia H, Li J Z, Zhang S J, Jiang X Y, Deng W J, Wang W J, Li Y Y, Liu W W, Li X, Li T X 2020 J.Infrared Millim. W. 39 0583 (in Chinese) [谢天, 叶新辉, 夏辉,李菊柱, 张帅君, 姜新洋, 邓伟杰, 王文静, 李玉莹, 刘伟伟, 李翔, 李天信 2020 红外与毫米波学报 39 0583][26]Y uan H, Zhang J, Kim J, Meyer C, Laquindanum J, Kimchi J, Lei J 2018 Proceedings of SPIE -Infrared Sensors, Devices,and Applications VIII San Diego, United States, August 22–23, 2018 p107660 J-1[27]W ang Y D, Chen J, Xu J D, Li X Y 2018 Infrared Phys.Technol. 89 41[28]S ze S M, K. Ng K (translated by Geng L, Wu G J) 2008Physics of Semiconductor Devices (3rd Ed.) (Xi’an: Xi’an Jiaotong University Press) pp514−523 (in Chinese) [施敏, 伍国珏 著 (耿莉, 张瑞智 译) 2008 半导体器件物理 (第3版) (西安: 西安交通大学出版社) 第514−523页][29]L ee M J, Rucker H, Choi W Y 2012 IEEE Electron Device Lett. 33 80[30]Design and simulation of Mg2Si/Si avalanche photodiode*Wang Ao -Shuang Xiao Qing -Quan † Chen Hao He An -NaQin Ming -Zhe Xie Quan(Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data andInformation Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China)( Received 16 November 2020; revised manuscript received 17 December 2020 )AbstractInGaAs and HgCdTe materials are widely used in short wave infrared photodetectors, which contain heavy metal elements. The massive use of the heavy metal elements naturally results in their scarcity, and the nonnegligible environmental pollution. Searching for other suitable materials for infrared devices becomes a key to solving the above problems. As a kind of abundant and eco-friendly material, Mg2Si has a high absorption coefficient in the near-infrared band. Its application in infrared detector makes it possible to replace the infrared devices containing toxic elements on the market in the future. The Mg2Si/Si avalanche photodiode(APD) with separation structure of absorption layer, charge layer and multiplication layer, with Mg2Si serving as the absorption layer, is constructed by using the Atlas module in Silvaco software. The effects of the thickness and doping concentration of the charge layer and multiplier layer on the distribution of internal electric field, punch-through voltage, breakdown voltage (V b), C-V characteristics, and transient response of Mg2Si/Si SACM-APD are simulated. The effects of bias voltage on the I-V characteristics and spectral response are analyzed. The punch-through voltage, breakdown voltage, dark current density, gain coefficient (M n) and the current amplification factor (M) after avalanche effect of APD are obtained after the structure optimization. According to the simulation results, the spectral response wavelength of the device is extended to 1.6 µm, so the selection of Mg2Si as the absorption layer effectively extends the spectral response band of Si based APD. When the wavelength of incident light is 1.31 µm and the optical power is 10 mW/cm2, the obtained punch-through voltage is 17.5 V, and the breakdown voltage is 50 V. When the bias voltage is 47.5 V (0.95V b), the peak value of spectral response is 25 A/W at a wavelength of 1.1 µm, a density of dark current is about 3.6 × 10–5 A/cm2, a multiplication factor M n is 19.6, and M n achieves a maximum value of 102 when the device is broken down. Meanwhile, the current amplification factor M after avalanche effect is 75.4, and the current gain effect of the SACM structure is obvious. The peak value of spectral response for the pin-type photodiode in the previous study is only 0.742 A/W. Comparing with the pin-type photodiode, the spectral response of Mg2Si/Si SACM-APD is greatly improved. In this work, the structure parameters of the device are optimized, which lays a nice foundation for fabricating the high-performance devices.Keywords: SACM-APD, Mg2Si/Si heterojunction, spectral response, gain coefficientPACS: 85.30.–z, 73.40.Lq, 85.60.Gz, 42.60.Lh DOI: 10.7498/aps.70.20201923* Project supported by the Foundation for Sci-tech Activities for the Overseas Chinese Returnees in Guizhou Province, China (Grant No. [2018]09), the High-level Creative Talent Training Program in Guizhou Province of China (Grant No.[2015]4015), and the Graduate Research Fund in Guizhou Province of China (Grant No. [2020]035).† Corresponding author. E-mail: qqxiao@。

二极管知识大全二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。

在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。

一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。

在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。

当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。

它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

第1章半导体存器件1.1 学习要求（1）了解半导体的特性和导电方式，理解PN结的单向导电特性。

（2）了解半导体二极管、三极管的结构。

（3）理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。

（4）理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。

（5）了解MOS场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能比较。

1.2 学习指导本章重点：（1）PN结的工作原理。

（2）二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。

（3）双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。

本章难点：（1）半导体二极管的限幅、钳位等作用。

（2）双极型三极管的电流分配与电流放大作用。

本章考点：（1）本征半导体、杂质半导体的相关概念。

（2）PN结的单向导电特性。

（3）半导体二极管、稳压管的限幅、钳位等电路分析。

（4）双极型三极管的管脚、工作状态及放大条件的判别。

1.2.1 PN结1．半导体的导电特征半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

纯净的半导体称为本征半导体，其导电能力在不同的条件下有着显著的差异。

本征半导体在温度升高或受光照射时产生激发，形成自由电子和空穴，使载流子数目增多，导电能力增强。

电子技术学习指导与习题解答2杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素形成的，有N型半导体和P型半导体两种类型。

N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素形成的，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素形成的，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。

杂质半导体的导电能力比本征半导体强得多。

2．PN结及其单向导电性在同一硅片两边分别形成N型半导体和P型半导体，交界面处就形成了PN结。

PN的形成是多数载流子扩散和少数载流子漂移的结果。

PN结具有单向导电性：PN 结加正向电压（P区接电源正极，N区接电源负极）时，正向电阻很小，PN结导通，可以形成较大的正向电流。

PN结加反向电压（P区接电源负极，N区接电源正极）时，反向电阻很大，PN结截止，反向电流基本为零。

《光纤通信》的复习要点《光纤通信》课程复习要点和重点浙江传媒学院陈柏年（2014年6⽉）第⼀章概述1、光纤通信：以光波作为信号载体，以光纤作为传输媒介的通信⽅式。

2、光纤通信发展历程：（1）光纤模式：从多模发展到单模；（2）⼯作波长：从短波长到长波长；（3）传输速率：从低速到⾼速；（4）光纤价格：不断下降；（5）应⽤范围：不断扩⼤。

3、光纤通信系统基本组成：（1）光纤，（2）光发送器，（3）光接收器，（4）光中继器，（5）适当的接⼝设备。

第⼆章光纤光缆⼀、光纤（Fibel）1、光纤三层结构：（1）纤芯（core），（2）包层（coating），（3）涂覆层（jacket）。

2、各类光纤的缩写和概念：SIF（突变型折射率光纤），GIF（渐变折射率光纤）；DFF（⾊散平坦光纤）、DSF（⾊散移位光纤）；MMF（多模光纤），SMF（单模光纤）；松套光纤，紧套光纤。

⼆、光的两种传输理论（⼀）光的射线传输理论1、光纤的⼏何导光原理：光纤是利⽤光的全反射特性导光；纤芯折射率必须⼤于包层折射率，但相差不⼤。

2、突变型折射率多模光纤主要参数：★（1）光纤的临界⾓θc：只有在半锥⾓为θ≤θc的圆锥内的光束才能在光纤中传播。

★（2）数值孔径NA：⼊射媒质折射率与最⼤⼊射⾓（临界⾓）的正弦值之积。

与纤芯与包层直径⽆关，只与两者的相对折射率差有关。

它表⽰光纤接收和传输光的能⼒。

（3）光纤的时延差Δτ：时延差⼤，则造成脉冲展宽和信号畸变，影响光纤的容量，模间⾊散增⼤。

3、渐变型折射率多模光纤主要参数：（1）⾃聚焦效应：如果折射率分布恰当，有可能使不同⾓度⼊射的全部光线以同样的轴向速度在光纤中传输，同时达到光纤轴上的某点，即所有光线都有相同的空间周期。

（2）光纤的时延差Δτ：⽐突变型光纤要⼩，减⼩脉冲展宽，增加传输带宽。

（⼆）光纤波动传输理论★1、光纤模式：⼀个满⾜电磁场⽅程和边界条件的电磁场结构。

表⽰光纤中电磁场（传导模）沿光纤横截⾯的场形分布和沿光纤纵向的传播速度。

发光二极管主要参数与特性LED 是利用化合物材料制成pn 结的光电器件。

它具备pn 结结型器 件的电学特性：I-V 特性、C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发 光光强指向特性、时间特性以及热学特性。

1、LED电学特性而形成势垒电场，此时R 很大；开启电压对于不同LED 其值不同， GaAs 为 1V ，红色 GaAsP 为 1.2V , GaP 为 1.8V , GaN 为 2.5V 。

(2) 正向工作区：电流I F 与外加电压呈指数关系I F = I S (e qv F/KT -) ------------------------------ 1 s 为反向饱和电流 。

V >0时，V > V F 的正向工作区I F 随V F 指数上升 I F = I s e qVF/KT (3) 反向死区：V v 0时pn 结加反偏压V= - V R 时，反向漏电流 |R (V 二-5V )时，GaP 为 0V , GaN 为 10uA 。

(4) 反向击穿区 V v - V R , V R 称为反向击穿电压；V R 电压对应I R 为反向漏电流。

当反向偏压一直增加使 V V - V R 时，贝y 出现I R 突 然增加而出现击穿现象。

由于所用化合物材料种类不同，各种LED 的反向击穿电压V R 也不同。

1.2 C-V 特性鉴于 LED 的芯片有 9 X 9mil (250 X 250um) , 10X 10mil , 11 X 11mil (280 X 280um) , 12 X 12mil1.1 I-V 特性 表征LED 芯片pn 结制备性能主要参数。

LED 的I-V 特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触 电阻，反之为高接触电阻。

如左图：⑴正向死区：(图oa 或oa'段) a 点对于V o 为开启电 压，当V v Va ,外加电 场尚克服 不少因载 流子扩散V R击 反向死区 穿_---------- 区工作区VFVI-V 特性曲线C0 -C 0(300 X 300um)，故 pn 结面积大 小不一，使其结电容(零偏压) c ~n+pf 左右。