【CN109817811A】免退火、免反溶剂的钙钛矿光伏器件及其制备方法【专利】

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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910110219.X
(22)申请日 2019.02.11
(71)申请人 西南大学
地址 400715 重庆市北碚区天生路2号
(72)发明人 宋群梁 王刚 
(74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通
合伙) 31219
代理人 周建军
(51)Int.Cl.
H01L 51/42(2006.01)
H01L 51/48(2006.01)
(54)发明名称
免退火、免反溶剂的钙钛矿光伏器件及其制
备方法
(57)摘要
本发明提供一种免退火、免反溶剂的钙钛矿
光伏器件及其制备方法,包括采用2-甲氧基乙醇
作为溶剂,配置钙钛矿前驱体溶液,制备钙钛矿
吸光层,制成的器件结构为p -i -n型或n -i -p型。

本发明通过简单的一次直接成膜工艺,就可以获
得具有钙钛矿结构的吸光层,不需要进行任何的
二次处理。

该方法成功简化了钙钛矿太阳能电池
等光伏器件的制备工艺,减少了制备钙钛矿薄膜
层时热退火和反溶剂两个工艺程序,大大降低的
制备成本和缩短制备时间,对钙钛矿的商业化生
产具有重大意义。

权利要求书2页 说明书4页 附图4页CN 109817811 A 2019.05.28
C N 109817811
A
权 利 要 求 书1/2页CN 109817811 A
1.一种免退火、免反溶剂的钙钛矿光伏器件制备方法,其特征在于:包括采用2-甲氧基乙醇作为溶剂,配置钙钛矿前驱体溶液,制备钙钛矿吸光层,制成的器件结构为p-i-n型或n-i-p型。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿光伏器件制备方法,其特征在于:所述p-i-n型器件包括透明电极(1),所述透明电极(1)上依次设有空穴传输层(2)、钙钛矿吸光层(3)、电子传输层(4)、界面修饰层(5)、导电电极(6),所述n-i-p型器件包括透明电极(1),所述透明电极(1)上依次设有电子传输层(4)、钙钛矿吸光层(3)、空穴传输层(2)、导电电极(6)。

3.根据权利要求2所述的钙钛矿光伏器件制备方法,其特征在于:所述透明电极(1)选自导电玻璃FTO、ITO、AZO、柔性PET、导电聚合物中的至少一种;
和/或,所述空穴传输层(2)选自P型半导体材料,优选地,所述空穴传输层(2)选自PEDOT:PSS、PTAA、NiO x、CuI、Spiro-OMeTAD中的至少一种;
和/或,所述钙钛矿吸光层(3)的钙钛矿材料选自CH3NH3PbI3;
和/或,所述电子传输层(4)选自N型半导体材料,优选地,所述电子传输层(4)选自PC61BM、C60、ZnO、TiO2、SnO2中的至少一种;
和/或,所述界面修饰层(5)选自具有界面修饰效果的材料,优选地,所述界面修饰层(5)选自BCP、LiF、Cs2CO3、TPBI中的至少一种;
和/或,所述界面修饰层(5)的厚度为30~120nm;
和/或,所述导电电极(6)选自金属导电材料,优选地,所述导电电极(6)选自金、银、铝、铜中的至少一种;
和/或,所述导电电极(6)的厚度为80~120nm。

4.根据权利要求2所述的钙钛矿光伏器件制备方法,其特征在于:所述空穴传输层(2)、钙钛矿吸光层(3)、电子传输层(4)、界面修饰层(5)的制备方法选自旋涂、喷涂、打印、印刷、刮涂中的至少一种;
和/或,所述导电电极(6)的制备方法选自热蒸发、磁控溅射、印刷中的至少一种;
和/或,所述空穴传输层(2)的旋涂条件为转速4000~8000rpm,时间40s;
和/或,所述空穴传输层(2)旋涂结束后,100-150℃烘烤30min。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿光伏器件制备方法,其特征在于:所述钙钛矿前驱体溶液的原料包括PbI2、PbCl2、CH3NH3I。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿光伏器件制备方法,其特征在于:按摩尔计,PbI2:PbCl2:CH3NH3=(1.4-X):X:1.4,X取值为0-0.5。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿光伏器件制备方法,其特征在于:所述钙钛矿前驱体溶液的浓度为0.5-1mol/L。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿光伏器件制备方法,其特征在于:所述钙钛矿前驱体的旋涂条件为转速6000~8000rpm,时间30s。

9.根据权利要求2所述的钙钛矿光伏器件制备方法,其特征在于:所述电子传输层(4)的原料选自PC61BM,优选地,所述电子传输层(4)的原料PC61BM溶解在溶剂中,浓度为15~20mg/ml,旋涂在所述钙钛矿吸光层上,更优选地,所述溶剂选自氯苯;
和/或,所述界面修饰层(5)的材料选自BCP,优选地,制备所述界面修饰层(5)时,采用的溶剂为无水乙醇,优选地,所述界面修饰层(5)的材料溶解在溶剂中,形成的溶液浓度为
2。