电子教案-《模拟电子技术》(王连英)电子教案、习题解答-第3章 电子课件
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第1章 半导体二极管及其应用试确定图(a )、(b )所示电路中二极管D 是处于正偏还是反偏状态,并计算A 、B 、C 、D 各点的电位。
设二极管的正向导通压降V D(on) =。
解:如图E1.1所示,断开二极管,利用电位计算的方法,计算二极管开始工作前的外加电压,将电路中的二极管用恒压降模型等效,有(a )V D1'=(12-0)V =12V >0.7V ,D 1正偏导通,)7.02.22.28.17.012(A +⨯+-=VV B =V A -V D(on))V =6. 215V(b )V D2'=(0-12)V =-12V <0.7V ,D 2反偏截止,有V C =12V ,V D =0V二极管电路如图所示,设二极管的正向导通压降V D(on) =,试确定各电路中二极管D 的工作状态,并计算电路的输出电压V O 。
解:如图E1.2所示,将电路中连接的二极管开路,计算二极管的端电压,有 (a )V D1'=[-9-(-12)]V =3V >0.7V ,D 1正偏导通V O1(b )V D2'=[-3-(-29)]V =1.5V >0.7V ,D 2正偏导通V O2图E1.2(c)V D3'=9V>0.7V,V D4'=[9-(-6)]V=15V>0.7V,V D4'>V D3',D4首先导通。
D4导通后,V D3''=(0.7-6)V=-5.3V<,D3反偏截止,V O3。
二极管电路如图所示,设二极管是理想的,输入信号v i=10sinωt V,试画出输出信号v O的波形。
图E1.3解:如图E1.3所示电路,二极管的工作状态取决于电路中的输入信号v i的变化。
(a)当v i<0时,D1反偏截止,v O1=0;当v i>0时,D1正偏导通,v O1=v i。
(b)当v i<0时,D2反偏截止,v O2=v i;当v i>0时,D2正偏导通,v O2=0。
(c)当v i<0时,D3正偏导通,v O3=v i;当v i>0时,D3反偏截止,v O3=0。
电子教案-《模拟电子技术》(王连英)电子教案、习题解答-参考文献电子课件参考文献1王连英.模拟电子技术.北京:高等教育出版社,2008.12华成英. 模拟电子技术基础,(第四版).北京:高等教育出版社,2006.53华成英. 模拟电子技术基础,(第四版),习题解答.北京:高等教育出版社,2006.54谢嘉奎.电子线路,线性部分,(第四版).北京:高等教育出版社,1999.65汪胜宁.电子线路,(第四版),教学指导书.北京:高等教育出版社,2003.56杨素行.模拟电子技术基础简明教程,(第三版).北京:高等教育出版社,2006.57杨素行.模拟电子技术基础简明教程,(第三版),教学指导书.北京:高等教育出版社,2006.78周淑阁.模拟电子技术基础,学习指南与习题详解.北京:高等教育出版社,2006.19陈大钦.模拟电子技术基础.北京:机械工业出版社,2006.110陈大钦.电子技术基础,模拟部分,(第五版),习题全解.北京:高等教育出版社,2006.4 11胡宴如.模拟电子技术,(第二版).北京:高等教育出版社,2004.212耿苏燕.模拟电子技术基础,学习指导.北京:高等教育出版社,2006.713汪学典.模拟电子技术基础题解.武汉:华中科技大学出版社,2006.214李雄杰.模拟电子技术教程.北京:电子工业出版社,2004.9 15周良权.模拟电子技术基础,(第三版).北京:高等教育出版社,2005.616廖先芸.电子技术实践与训练,(第二版).北京:高等教育出版社,2005.617吴立新.实用电子技术手册.北京:机械工业出版社,2002.8 18黄智伟.全国大学生电子设计竞赛训练教程.北京:电子工业出版社,2005.119谢自美.电子线路设计·实验·测试,(第二版).武汉:华中科技大学出版社,2000.7 20高吉祥.电子技术基础实验与课程设计,(第二版).北京:电子工业出版社,2005.2 21王冠华等编著. Multisim8电路设计及应用. 北京:国防工业出版社,2006 22路而红.虚拟电子实验室,Multisim 7&Ultiboard 7.bj 北京:人民邮电出版社,2005.5 23王连英.Multisim 7 仿真设计.南昌:江西高校出版社,2007.8225。
模拟电子技术教案教学目标教材分析授课类型教学方法课时安排组织教学教学过程1.1 半导体的基础知识1、了解本征半导体和杂质半导体的基本概念与其形成。
2、了解PN结的形成3、掌握PN结的两个特性。
重点:PN结的两个特性——单向导电性和击穿特性新授课讲授法2课时应到人,实到人导入:什么是导体?什么是绝缘体?则介入这两者之间的是什么呢?这就是我们这章要学习的内容,半导体二极管与其基本应用,我们首先来学习一下半导体的基础知识。
自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体和绝缘体。
半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
半导体材料如:硅Si 锗Ge 和砷化镓GaAs,其中硅应用得最广泛。
半导体的特点:①热敏性②光敏性③掺杂性本征半导体1、概念:纯净的单晶半导体称为本征半导体。
其中应于制造半导体器件的纯硅和锗都是晶体,它们同属于四价元素。
共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成,称为束缚电子。
图1.1所示为硅和锗的原子结构和共价键结构。
2、本征激发和两种载流子——自由电子和空穴温度越高,半导体材料中产生的自由电子便越多。
束缚电子脱离共价键成为自由电子后,在原来的位置留有一个空位,称此空位为空穴。
本征半导体中,自由电子和空穴成对出现,数目相同。
图1.2所示为本征激发所产生的电子空穴对。
图1.2 本征激发所产生的空穴和自由电子如图1.3所示,空穴〔如图中位置1〕出现以后,邻近的束缚电子〔如图中位置2〕可能获取足够的能量来填补这个空穴,而在这个束缚电子的位置又出现一个新的空位,另一个束缚电子〔如图中位置3〕又会填补这个新的空位,这样就形成束缚电子填补空穴的运动。
为了区别自由电子的运动,称此束缚电子填补空穴的运动为空穴运动。
图1.3 束缚电子填补空穴的运动3、结论空穴,它们都可以运载电荷形成电流。
〔2〕本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。
〔3〕一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。
第9章9.7 可调式三端集成直流稳压电源Multisim 仿真设计1、设计要求设计一个三端集成直流稳压电源,要求:V O =(+3~+9)V ,I Omax =800mA ,△V OPP ≤5mV ,S r ≤5×10-3。
2、选定三端集成稳压器和电路形式选定可调式三端集成稳压器CW117,其特性参数:V O =(1.2~37)V ,I Omax =1.5A ,最小输入、输出压差(V I -V O )min =3V ,最大输入、输出压差(V I -V O )max =40V ,基准电压V REF =1.25V ,基准电流I ADJ =50μA ,最小负载电流I Omin =3.5mA 。
选定电路形式如图9.7.1所示。
3、电路参数设计 (1)电源变压器稳压电源的输入电压V I 可由下式估算:V Omax +(V I -V O )min ≤V I ≤V Omin +(V I -V O )max(9.7.1)由此,有(9V +3V )≤V I ≤(3V +40V ) 12V ≤V I ≤43V工程上一般取变压器副边电压V 2≥V imin /1.1,由此,有V 2≥1.1V12=10.91V ,取V 2=12V , 变压器副边电流 I 2>I Omax =0.8A ,取I 2=1A ,则 电源变压器副边输出功率P 2≥I 2V 2=12W由于副边功率为10~30V A 的小型变压器的效率η≈0.7,则变压器原边的输入功率P 1≥7.0122=ηP ≈17.1W ,取变压器T r 为20W ,如图9.7.1中所示。
图9.7.1 可调式三端集成直流稳压电源(2)整流二极管及滤波电容由图9.7.1所示电路中要求二极管D ,V RM >2V 2≈17V 、I F =I Omax =0.8A ,选定整流二极管D 1~4为1N4001,如图9.7.1中所示,其极限参数:V RM ≥50V ,I F =1A 。