1 《模拟电子技术基础》习题集
一．选择题
1．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是4V，引线2是3.3V，引线3是8V。
该管是
（1）是PNP型锗管 （2）NPN型硅管
（3）PNP型硅管 （4）NPN型锗管
2．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入
(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；
(3)电压串连负反馈；（4）电流并联负反馈；
3 有两个稳压二极管，一个稳压值是8伏，另一是7.5伏，若把两管的正极并接，再将负
极并接，组合成一个稳压管接入电路，则这时组合管的稳压值是
（1）8伏 （2）7.5伏
（3）15.5伏 （4）0.5伏
4、一个电压串联负反馈放大器的闭环增益AVf=100,要求开环增益AV变化10%时闭环增益变
化0.5%,则开环增益是
（1）10 （2）2000
（3）5000 （4）1000
5、乙类推挽功放的理想效率为
（1）40％ （2）50％
（3）78％ （4）35％
6、为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般采用下列电路：
（1）共射放大电路 （2）共射共基电路
（3）差动放大电路 （4）射极输出器
7．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是-4V，引线2是-3.3V，引线3是-8V。
该管是
试卷二 系别 学号 姓名 成绩 考试课程 模拟电子技术基础 考试日期 2002 年 １２ 月１２日
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总分
分数
得分 核分人
阅卷人
1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分)
(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。
A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷
(2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。
A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态
(3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示，
A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管
(4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A．β和ICBO增大，UBE下降 B．β和UBE增大，ICBO减小
C．β减小，ICBO和UBE增大 D．β、ICBO和UBE均增大
(图1)
(5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕｏ与ｕｉ相位相反、
︱AU︱>1的只可能是( )。 A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路
C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路
(6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( )。
A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈
C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。
填空题
1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。
3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有
具有单向导电 特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散
运动形成。
9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P） 半导体和
电子（N） 半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。
15、N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为
1 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）
一.选择题
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二 B.三 C.四 D.五
2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于
3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变
B.空穴数增多，自由电子数基本不变
C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
D.自由电子数和空穴数都不变
4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子
5、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定
6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
D. 前者反偏、后者正偏
8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能
9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 10
10、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流
11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间]
