晶振主要参数

晶振的尝试报告之阳早格格创做晶振的等效电器模型C0，是指以火晶为介量，由二个电极产死的电容.也称为石英谐振器的并联电容，它相称于以石英片为介量、以二电极为极板的仄板电容器的电容量战收架电容、引线电容的总战.几~几十pF.R1等效石英片爆收板滞形变时资料的能耗；几百欧C1反映其资料的刚刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pFL1大概反映石英片的品量.mH~H晶振百般参数晶振的一些参数本去没有是牢固的大部分是会随温度、频次、背载电容、激励功率变更的RR 谐振电阻越小越佳效率：过大制成没有简单起振、电路没有宁静阻抗RR 越小越简单起振，反之若ESR 值較下則較没有简单起振.所以佳的Crystal 設計應正在ESR 與Co 值間博得仄稳.C1动向电容L1动向电感C0静电容效率：没有克没有及太下，可則易爆收较大的副波，效率频次宁静性LRC效率：LRC电路的Q值等于(L/C)^0.5 /R 果为而L较大，C与R很小，石英晶振的Q值可达几万到几百万.Q值越大位于晶振的感性区间，电抗直线陡峭，稳频本能极佳.FL特定背载电容以及激励功率下频偏偏越小越佳DLD2分歧启动功率下：阻抗最大-阻抗最小越小越佳效率：引导时振时没有振，制成睡眠晶机制制传染没有良DLD2（Drive Level Dependency 2）：正在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大阻抗與最小阻抗之好.DLD2越小越佳，當Crystal 製程受传染時，則DLD2值會偏偏下，導致時振與時没有振現象，即（”Crystal Sleeping”）.佳的Crystal 没有果驅動功率變化，而產死較下的阻抗好異，制废品質異常.暂时，許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安，並没有主動提供此要害指標參數給客戶.备注：测出去很佳没有代表此参数很佳，果为是与面法尝试的.RLD2分歧启动功率下：阻抗最大与DLD闭系稀切正在指定的变更功率范畴内所量测到的最大阻抗Drive Level Dependency (maximum resistance – RR).FDLD2分歧启动功率下：F最大-F最小越小越佳制制传染没有良效率：引导时振时没有振，制成睡眠晶体正在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大頻率與最小頻率之好，稱為FLD2.FLD2 越小越佳.當Crystal 製程受传染，則FLD2 值會偏偏下，導致時振與時没有振現像，即「Crystal Sleeping」.佳的Crystal 没有果驅動功率變化，而產死較下的頻率好異，制废品質異常.暂时，許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安，並没有主動提供此要害指標參數給客戶.SPDB寄死旗号强度与主旗号强度比值效率：如果太大了便有大概制成直交开机频偏偏，而且建改背载电容没有克没有及革新.大概者烤机之后温度变更之后频偏偏，热却大概者沉开又仄常了. 千万于值越大越佳制制传染没有良那个参数名字不妨明白为SP DB 其简直含意如下听尔细细讲去SPDB（Difference in dB between Amplitude of FR and Highest Spur）：Spurious 以dB 為單位時，SPDB 的絕對值越大越佳.-3dB 為最矮的央供，以预防振盪出没有念要的副波（Spur）頻率，制成系統頻率没有正確.“下图隐现了石英谐振器的模态谱，包罗基模，三阶泛音，5 阶泛音战一些治真旗号赞同，即寄死模.正在振荡器应用上，振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.偶尔间，当温度爆收改变，正在一定温度下，寄死模的频次与振荡频次普遍，那引导了“活动性下落”.正在活动性下落时，寄死模的激励引起谐振器的特殊能量的消耗，引导Q 值的减小，等效串联电阻删大及振荡器频次的改变.当阻抗减少到相称大的时间，振荡器便会停止，即振荡器做废.当温度改变近离活动性下落的温度时，振荡器又会沉新处事.寄死模能有适合的安排战启拆要领统制.没有竭建正电极与晶片的尺寸闭系（即应用能陷准则），并脆持晶片主仄里仄止，那样便能把寄死模最小化”上头那段话瞅了是没有是有面晕，道真话尔也有面晕.然而是从上头咱们不妨归纳出如下几个论断：1.泛音晶振石英谐振器的模态谱，包罗基模，三阶泛音，5 阶泛音战一些治真旗号赞同，即寄死模. 寄死模的存留.2.正在振荡器应用上，振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.寄死模会随温度频次变更，而且效率振荡.3.寄死模的缺陷是由于晶振的制制工艺制成.下去便很精确了，SPDB是一个衡量主频强度与寄死模强度好值的量（主频幅度/寄死频次与对于数吧）.那个值越小越佳，代表寄死模越小.TS背载电容变更对于频次的效率率效率频偏偏对于背载电容变更敏感制成电路没有宁静越小越佳TS（Trim Sensitivity of Load Measurement）：負載電容變化時，對晶體頻率變化量的影響，單位為ppm / pF. 效率：此值過大時，很简单正在分歧的負載電容效率下，產死極大的頻率飄移.温度频好制制工艺分歧格会使直线宽沉偏偏离超出图二阳影部分效率：频次随温度变更分歧切割角度对于直线的效率石英晶体结构真例问题：加进纯量大概者有银屑、镀银偏偏了、镀银里里裂痕微调银镀偏偏灰尘、银屑、晶片缺角。

晶振与晶体的参数详解来源：互联网作者：21ic关键字：晶振MEMS半导体1. 晶振与晶体的区别1) 晶振是有源晶振的简称，又叫振荡器。

英文名称是oscillator。

晶体则是无源晶振的简称，也叫谐振器。

英文名称是crystal.2) 无源晶振(晶体)一般是直插两个脚的无极性元件，需要借助时钟电路才能产生振荡信号。

常见的有49U、49S封装。

3) 有源晶振(晶振)一般是表贴四个脚的封装，内部有时钟电路，只需供电便可产生振荡信号。

一般分7050、5032、3225、2520几种封装形式。

2. MEMS硅晶振与石英晶振区别MEMS硅晶振采用硅为原材料，采用先进的半导体工艺制造而成。

因此在高性能与低成本方面，有明显于石英的优势，具体表现在以下方面：1) 全自动化半导体工艺(芯片级)，无气密性问题，永不停振。

2) 内部包含温补电路，无温漂，-40—85℃全温保证。

3) 平均无故障工作时间5亿小时。

4) 抗震性能25倍于石英振荡器。

5) 支持1-800MHZ任一频点，精确致小数点后5位输出。

6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多种工作电压匹配。

7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各种精度匹配。

8) 支持7050、5032、3225、2520所有标准尺寸封装。

9) 标准四脚、六脚封装，无需任何设计改动，直接替代石英振荡器。

10) 支持差分输出、单端输出、压控(VCXO)、温补(TCXO)等产品种类。

11) 300%的市场增长率，三年内有望替代80%以上的石英振荡器市场。

3. 晶体谐振器的等效电路上图是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。

其中：C1为动态电容也称等效串联电容;L1为动态电感也称等效串联电感;R1为动态电阻也称等效串联电阻;C0为静态电容也称等效并联电容。

这个等效电路中有两个最有用的零相位频率，其中一个是谐振频率(Fr)，另一个是反谐振频率(Fa)。

晶振基础知识介绍晶振：即所谓石英晶体谐振器(无源)和石英晶体振荡器（有源）的统称。

无源和有源的区别：无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。

无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。

石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。

石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC共同作用来工作的。

振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供3.3V电压来维持工作。

振荡器比谐振器多了一个重要技术参数：谐振电阻（RR），谐振器没有电阻要求。

RR的大小直接影响电路的性能，因此这是各商家竞争的一个重要参数。

晶振的原理：压电效应(物理特性)：在水晶片上施以机械应力时,，会产生电荷的偏移，即为压电效应。

逆压电效应：相对在水晶片上印加电场会造成水晶片的变形即产生逆压电效应，利用这种特性产生机械振荡，变换成电气信号。

晶振的作用：一、为频率合成电路提供基准时钟，产生原始的时钟频率。

二、为电路产生震荡电流,发出时钟信号晶振的分类：一、按材质封装(1).金属封装-SEAMTYPE (2).陶瓷封装-GLASSTYPE二、贴装方式(1).直插封装-DIP (2).贴片封装-SMD三、按产品类型(1).crystal resonator—晶体谐振器（无源晶体）(2).crystal oscillator—晶体振荡器（有源晶振）---SPXO 普通有源晶体振荡器---VCXO电压控制晶体振荡器---TCXO 温度补偿晶体振荡器---VC-TCXO压控温补晶体振荡器(3).crystal filter—晶体滤波器(4).tuning fork x’tal (khz)-水晶振动子部分 KDS晶振图例：DT-14/DT-26/DT-38 DMX-26S DSX220G DSO321SR/221SR HC-49S/AT-49DSX321G/221 G SM-14J DSV531SV DSX530G/840GDSA/B321SDA晶振的名词术语：SMT ：Surface Mount Technology 表面贴装技术SMD ：Surface Mount Device 表面贴装元件OSC ：Oscillator Crystal 晶体振荡器TCXO ：Temperature Compensate X‘tal Oscillator 温度补偿晶体振荡器VC-TCXO ：Voltage Controlled, Temperature Compensated Crystal Oscillator 压控温度补偿晶体振动器 VCXO ：Voltage Control Oscillator 压控晶体振动器 DST410S/310S/210A DSX320G DSA/B321SCL HC-49SMD/SMD-49晶振的重要参数：1、标称频率F：晶体元件规范（或合同）指定的频率。

8m无源晶振的晶振电路一、无源晶振的基本概念无源晶振，又称无源谐振器，是一种利用石英晶体材料的压电效应来实现频率振荡的电子元件。

它广泛应用于各种电子设备中，如计时、通信、控制等领域。

无源晶振因其体积小、精度高、稳定性好等特点，成为现代电子技术中不可或缺的组成部分。

二、8m无源晶振的参数解析8m无源晶振，指的是频率为8MHz（即8百万分之一秒）的无源晶振。

在选择和使用8m无源晶振时，需要了解以下几个关键参数：1.频率：8MHz2.负载电容：CL（典型值约为15pF）3.工作电压：VCC（一般为3.3V或5V）4.温度范围：T（一般为0℃~70℃）5.封装形式：如DIP、SMD等三、晶振电路的组成及工作原理晶振电路是由石英晶体、电容、电阻等元件组成的振荡电路。

其工作原理如下：1.石英晶体在电场作用下产生压电效应，将电能转化为机械能；2.机械能振动传递到晶振电路的负载电容上，形成电信号；3.电信号经过放大、滤波等处理，输出稳定的振荡信号。

四、晶振电路的性能优化与应用为了提高晶振电路的性能，可以采取以下措施：1.选用高品质的无源晶振，确保频率稳定性和精度；2.合理设计负载电容和电阻，以提高电路的稳定性；3.采用屏蔽和滤波技术，降低外部干扰对电路的影响；4.优化电路布局，减小信号传输过程中的损耗。

晶振电路的应用领域十分广泛，如：1.计时：用于电子钟、计时器等设备；2.通信：用于调制和解调信号，实现数据传输；3.控制：用于嵌入式系统、智能家居等领域的控制器；4.测量：用于频率计、示波器等测试仪器。

五、总结与展望本文从无源晶振的基本概念出发，详细介绍了8m无源晶振的参数及其应用，并对晶振电路的组成和工作原理进行了阐述。

随着现代电子技术的不断发展，对晶振电路的需求和要求也越来越高。

晶振的精度参数详解以晶振的精度参数详解为题，首先需要了解什么是晶振。

晶振是一种电子元器件，主要用于产生稳定的时钟信号，常见于各种电子设备中。

而晶振的精度参数则是衡量晶振稳定性和精确性的重要指标。

晶振的精度参数通常有三个主要指标：频率精度、温度稳定性和负载能力。

首先是频率精度，它指的是晶振输出的时钟信号频率与其额定频率之间的偏差。

频率精度通常用ppm（百万分之一）来表示，如10ppm。

这意味着晶振的输出频率与其额定频率之间的差异为每百万分之十。

频率精度越高，晶振的输出频率越稳定，能够更准确地提供时钟信号。

其次是温度稳定性，它是指晶振在不同温度下输出频率的变化程度。

温度稳定性通常用ppm/℃来表示，如±10ppm/℃。

这意味着当温度变化每摄氏度时，晶振的输出频率会相应变化每百万分之十。

温度稳定性越高，晶振的输出频率在温度变化下的波动越小，能够更好地适应不同温度环境下的工作。

最后是负载能力，它是指晶振在输出时钟信号时所能承受的负载容量。

负载能力通常以pF（皮法）为单位表示，如10pF。

这意味着晶振的输出时钟信号能够驱动的最大负载容量为10皮法。

负载能力越高，晶振能够驱动的负载容量越大，能够适应更复杂的电路连接。

除了以上三个主要指标，还有一些次要指标也需要考虑，如起振时间、功耗、尺寸等。

起振时间是指晶振从通电到能够输出稳定时钟信号所需的时间，一般来说，起振时间越短越好。

功耗是指晶振在工作过程中所消耗的电能，一般来说，功耗越低越好。

尺寸是指晶振的外形尺寸，一般来说，尺寸越小越好，能够更方便地嵌入到各种电子设备中。

了解了晶振的精度参数后，我们可以根据实际需求选择合适的晶振。

如果需要高精度的时钟信号，可以选择频率精度较高、温度稳定性较好的晶振；如果工作环境温度变化较大，可以选择温度稳定性较好的晶振；如果需要驱动复杂的电路连接，可以选择负载能力较高的晶振。

总结一下，晶振的精度参数是衡量晶振稳定性和精确性的重要指标，包括频率精度、温度稳定性和负载能力等。

目前来说说晶振的标称频率在1 ~ 200 MHz之间，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，这些都是晶振的参数。

对于更高的输出频率，通常使用PLL将低频倍频至1GHz以上，这些都是常见的晶振参数的，当然对于详细的参数，建议大家可以直接询问我们客服，我们可以根据用户的需求进行推荐或定制适合您的参数，因为现在晶振的参数有很多种哦。

参数一：精度要求SMD 晶振的最高精度通常是10PPM，这是相当常见的。

特殊精度要求需要订单。

其次依次分布15ppm、20ppm、25ppm、30ppm、50ppm 的等级。

插件晶振以气缸晶振为例。

5ppm是钢瓶晶振的最高精度，其次是10ppm、20ppm和30ppm。

参数二：负载电容负载电容有时候是一个很重要的参数。

如果晶振的负载电容与晶振外接两端连接的电容参数匹配不正确，容易造成频率偏移、精度误差等。

这将导致产品无法满足最终精度要求。

当然也有厂家对负载电容的参数要求不是特别严格。

那么我们来说一个音叉晶体。

常见的负载电容有6PF、7PF、9PF、12.5PF；20PF和12PF是MHZ 晶振中最常见的负载电容，其次是8PF、9PF、15PF和18PF。

负载电容CL是电路中晶体两端的总有效电容，不是晶振外部匹配电容，主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，并与晶体一起决定振荡器电路的工作频率。

通过调整负载电容，振荡器的工作频率可以微调到标称值。

参数三：频率单位通常分为KHZ和MHZ。

对于有源晶振和无源晶振，32.768既有KHZ 单位，也有MHZ单位，所以频率单位必须标准明确。

标称频率(正常频率)标准频率，如8MHz、26MHz、32.768KHz等。

参数四：温度频率差表示特定温度范围内工作频率与参考温度的允许偏差，单位为ppm。

值越小，精确度越高。

1MHz是晶振，1 PPM是1Hz的偏差。

负载电容CL负载电容是指晶振正常振荡所需的电容。

为了使晶体正常工作，需要在晶体两端连接外部电容，以匹配晶体的负载电容。

晶振电路周期性输出信号的标称频率（Normal Frequency），就是晶体元件规格书中所指定的频率，也是工程师在电路设计和元件选购时首要关注的参数。

晶振常用标称频率在1～200MHz之间，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的输出频率也常用PLL（锁相环）将低频进行倍频至1GHz以上。

输出信号的频率不可避免会有一定的偏差，我们用频率误差（Frequency Tolerance）或频率稳定度（Frequency Stability）来表示，单位是ppm，即百万分之一（parts per million）（1/106），是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高。

比如，12MHz晶振偏差为±20ppm，表示它的频率偏差为12×±20Hz=±240Hz，即频率范围是（11999760～12000240Hz）。

另外，还有一个温度频差（Frequency Stability vs Temp），表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离，它的单位也是ppm。

我们经常还看到其它的一些参数，比如负载电容、谐振电阻、静电容等参数，这些与晶体的物理特性有关。

石英晶体有一种特性，如果在晶片某轴向上施加压力时，相应施力的方向会产生一定的电位。

相反的，在晶体的某轴向施加电场时，会使晶体产生机械变形；如果在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，机械形变振动又会产生交变电场，尽管这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。

当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（与切割后的晶片尺寸有关，晶体愈薄，切割难度越大，谐振频率越高）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。

将石英晶片按一定的形状进行切割后，再用两个电极板夹住就形成了无源晶振，其符号图如下所示：下图是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。

51单片机的晶振参数范围1.引言1.1 概述在51单片机的设计和应用中，晶振是一个关键的组件。

晶振作为时钟源，为单片机提供了基准时钟信号，确保了单片机系统的稳定运行。

晶振参数的选择和配置对于单片机的性能和应用场景起着至关重要的作用。

本文将重点讨论51单片机的晶振参数范围。

通过详细介绍晶振的作用和选择，以及晶振参数范围的重要性，旨在帮助读者更好地理解晶振的应用，正确选择适合的晶振参数范围来满足具体的应用需求。

首先，我们将介绍单片机晶振的作用。

晶振作为单片机的时钟源，为单片机提供了全局的基准时钟信号。

单片机通过晶振来同步各个模块的数据传输和处理过程，确保整个系统的精确性和稳定性。

晶振的频率决定了单片机的运行速度，不同的应用场景需要不同频率的晶振来满足处理需求。

接下来，我们将探讨单片机晶振的选择。

根据不同的应用需求，选择适合的晶振参数是至关重要的。

晶振的参数包括频率、精度、稳定性等。

频率是指晶体震荡器振荡的周期数，在一定范围内可调节。

精度和稳定性决定了晶振的输出信号的准确性和稳定性。

通过合理的晶振参数选择，可以确保单片机系统的稳定运行和准确数据处理。

最后，我们将强调晶振参数范围的重要性。

不同的单片机型号和应用场景，对晶振的参数范围有着不同的要求。

选择适合的晶振参数范围可以提高系统的性能和稳定性，避免不必要的错误和故障。

因此，了解适合51单片机的晶振参数范围，对于设计和应用的成功至关重要。

综上所述，本文将详细讨论51单片机晶振参数范围的选择和应用。

通过深入理解晶振的作用和选择原则，以及晶振参数范围的重要性，读者将能够更好地应用晶振并选择适合的参数范围来满足具体的设计需求。

1.2文章结构文章结构部分应该包括对整篇文章的组织和内容进行简要的介绍。

在52单片机的晶振参数范围这篇文章中，文章结构部分可以写成如下内容：1.2 文章结构本文主要围绕51单片机的晶振参数范围展开讨论，分为引言、正文和结论三个部分。

在引言部分中，首先对整个文章进行概述，简要介绍51单片机的晶振参数范围的重要性，并明确文章的目的。

晶振主要参数频率准确度在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度(252℃)以及其他条件保持不变，技术'＞晶体振荡器的频率相对与其规定标称值的最大允许偏差，即(f⅛aχ-fπιin)∕fθ;温度稳定度其他条件保持不变，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的最大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即(fmaχ-fmin)/(fmax+fmin)；频率调节范围通过调节晶振的某可变元件改变输出频率的范围。

调频(压控)特性包括调频频偏、调频灵敏度、调频线性度。

①调频频偏：压控晶体振荡器控制电压由标称的最大值变化到最小值时输出频率差。

②调频灵敏度：压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的输出频率的变化量。

③调频线性度：是一种与理想直线(最小二乘法)相比较的调制系统传输特性的量度。

负载特性其他条件保持不变，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的最大允许频偏。

电压特性其他条件保持不变，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的最大允许频偏。

杂波输出信号中与主频无谐波(副谐波除外)关系的离散频谱分量与主频的功率比，用dBc表示。

谐波谐波分量功率Pi与载波功率PO之比，用dBc表示。

频率老化在规定的环境条件下，由于元件(主要是石英谐振器)老化而引起的输出频率随时间的系统漂移过程。

通常用某一时间间隔内的频差来量度。

对于高稳定晶振，由于输出频率在较长的工作时间内呈近似线性的单方向漂移，往往用老化率(单位时间内的相对频率变化)来量度。

日波动指振荡器经过规定的预热时间后，每隔一小时测量一次,连续测量24小时,将测试数据按S=(fmaχ-fmin)∕fθ式计算，得到日波动。

开机特性在规定的预热时间内，振荡器频率值的最大变化，用V=(fmaχ-fmin)∕fθ表示。

相位噪声短期稳定度的频域量度。

用单边带噪声与载波噪声之比？(f)表示，？(f)与噪声起伏的频谱密度S6(f)和频率起伏的频谱密度Sy(f)直接相关，由下式表示：f2S(f)=fO2Sy(f)=2f2?(f)f—傅立叶频率或偏离载波频率；f0一载波频率。

晶振主要参数晶振是一种电子元件，可以将电信号转换成机械振动信号，广泛应用于电子产品中。

晶振的主要参数包括频率、精度、稳定性、温度系数、负载能力等。

1. 频率：晶振的频率是指其振荡的频率，通常用赫兹（Hz）表示。

不同的应用需要不同的频率，常见的频率有4MHz、8MHz、16MHz等。

频率越高，晶振的精度和稳定性就越高，但成本也越高。

2. 精度：晶振的精度是指其输出频率与标称频率之间的偏差，通常用ppm（百万分之几）表示。

例如，一个10MHz的晶振，如果其精度为±50ppm，那么其实际输出频率可能在10MHz的基础上偏差不超过500Hz。

精度越高，晶振的稳定性就越好，但成本也越高。

3. 稳定性：晶振的稳定性是指其输出频率在长时间使用中的变化程度，通常用ppm/年表示。

例如，一个10MHz的晶振，如果其稳定性为±10ppm/年，那么在一年的时间内，其输出频率可能会发生不超过100Hz的变化。

稳定性越高，晶振的可靠性就越好，但成本也越高。

4. 温度系数：晶振的温度系数是指其输出频率随温度变化的程度，通常用ppm/℃表示。

例如，一个10MHz的晶振，如果其温度系数为±10ppm/℃，那么在温度变化1℃的情况下，其输出频率可能会发生不超过100Hz的变化。

温度系数越小，晶振的稳定性就越好，但成本也越高。

5. 负载能力：晶振的负载能力是指其能够驱动的负载电容的大小，通常用pF表示。

例如，一个10MHz的晶振，如果其负载能力为20pF，那么其输出频率可能会因为负载电容的变化而发生不超过100Hz的变化。

负载能力越大，晶振的适用范围就越广，但成本也越高。

总之，晶振的主要参数包括频率、精度、稳定性、温度系数、负载能力等，不同的应用需要不同的参数。

在选择晶振时，需要根据具体的应用需求来选择合适的晶振，以保证系统的稳定性和可靠性。

晶振的测试陈述之杨若古兰创作晶振的等效电器模型C0，是指以水晶为介质，由两个电极构成的电容.也称为石英谐振器的并联电容，它相当于以石英片为介质、以两电极为极板的平板电容器的电容量和支架电容、引线电容的总和.几~几十pF.R1等效石英片发生机械形变时材料的能耗；几百欧C1反映其材料的刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pFL1大体反映石英片的质量.mH~H晶振各种参数晶振的一些参数其实不是固定的大部分是会随温度、频率、负载电容、激励功率变更的RR 谐振电阻越小越好影响：过大形成不容易起振、电路不波动阻抗RR 越小越容易起振，反之若ESR 值較高則較不容易起振.所以好的Crystal 設計應在ESR 與Co 值間取得平衡.C1动态电容L1动态电感C0静电容影响：不克不及太高，否則易发生较大的副波，影响频率波动性LRC影响：LRC电路的Q值等于(L/C)^0.5 /R 因为而L较大，C与R很小，石英晶振的Q值可达几万到几百万.Q值越大位于晶振的感性区间，电抗曲线陡峭，稳频功能极好.FL特定负载电容和激励功率下频偏越小越好DLD2分歧驱动功率下：阻抗最大-阻抗最小越小越好影响：导致时振时不振，形成睡眠晶体制作净化不良DLD2（Drive Level Dependency 2）：在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大阻抗與最小阻抗之差.DLD2越小越好，當Crystal 製程受净化時，則DLD2值會偏高，導致時振與時不振現象，即（”Crystal Sleeping”）.好的Crystal 不因驅動功率變化，而產生較高的阻抗差異，形成品質異常.目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率欠安，並不主動提供此主要指標參數給客戶.备注：测出来很好不代表此参数很好，因为是取点法测试的.RLD2分歧驱动功率下：阻抗最大与DLD关系紧密在指定的变更功率范围内所量测到的最大阻抗Drive Level Dependency (maximum resistance – RR). FDLD2分歧驱动功率下：F最大-F最小越小越好制作净化不良影响：导致时振时不振，形成睡眠晶体在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大頻率與最小頻率之差，稱為FLD2.FLD2 越小越好.當Crystal 製程受净化，則FLD2 值會偏高，導致時振與時不振現像，即「Crystal Sleeping」.好的Crystal 不因驅動功率變化，而產生較高的頻率差異，形成品質異常.目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率欠安，並不主動提供此主要指標參數給客戶.SPDB寄生旌旗灯号强度与主旌旗灯号强度比值影响：如果太大了就有可能形成直接启机频偏，而且点窜负载电容不克不及改善.或者烤机以后温度变更以后频偏，冷却或者重启又正常了. 绝对值越大越好制作净化不良这个参数名字可以理解为SP DB 其具体含义如下听我细细道来SPDB（Difference in dB between Amplitude of FR and Highest Spur）：Spurious 以dB 為單位時，SPDB 的絕對值越大越好.-3dB 為最低的请求，以防止振盪出不想要的副波（Spur）頻率，形成系統頻率不正確.“下图显示了石英谐振器的模态谱，包含基模，三阶泛音，5 阶泛音和一些乱真旌旗灯号呼应，即寄生模.在振荡器利用上，振荡器老是选择最强的模式工作.一些干扰模式有急剧升降的频率—温度特性.有时候，当温度发生改变，在必定温度下，寄生模的频率与振荡频率分歧，这导致了“活动性降低”.在活动性降低时，寄生模的激励惹起谐振器的额外能量的耗费，导致Q 值的减小，等效串联电阻增大及振荡器频率的改变.当阻抗添加到相当大的时候，振荡器就会停止，即振荡器失效.当温度改变阔别活动性降低的温度时，振荡器又会从头工作.寄生模能有适当的设计和封装方法控制.不竭批改电极与晶片的尺寸关系（即利用能陷准绳），并坚持晶片主平面平行，如许就能把寄生模最小化”上面这段话看了是不是有点晕，说实话我也有点晕.但是从上面我们可以总结出如下几个结论：1.泛音晶振石英谐振器的模态谱，包含基模，三阶泛音，5 阶泛音和一些乱真旌旗灯号呼应，即寄生模. 寄生模的存在.2.在振荡器利用上，振荡器老是选择最强的模式工作.一些干扰模式有急剧升降的频率—温度特性.寄生模会随温度频率变更，而且影响振荡.3.寄生模的缺陷是因为晶振的制作工艺形成.上去就很明确了，SPDB是一个衡量主频强度与寄生模强度差值的量（主频幅度/寄生频率取对数吧）.这个值越小越好，代表寄生模越小.TS负载电容变更对频率的影响率影响频偏对负载电容变更敏感形成电路不波动越小越好TS（Trim Sensitivity of Load Measurement）：負載電容變化時，對晶體頻率變化量的影響，單位為ppm / pF. 影响：此值過大時，很容易在分歧的負載電容感化下，產生極大的頻率飄移.温度频差制作工艺分歧格会使曲线严重偏离超出图二暗影部分影响：频率随温度变更分歧切割角度对曲线的影响石英晶体结构实例成绩：进入杂质或者有银屑、镀银偏了、镀银内部裂痕微调银镀偏灰尘、银屑、晶片缺角。

晶振的一些主要电气参数晶振是电子设备中常见的元器件之一，它在电路中起着提供稳定时钟信号的重要作用。

本文将介绍晶振的一些主要电气参数，包括频率稳定度、频率偏差、温度特性和负载能力等。

1. 频率稳定度：频率稳定度是指晶振输出信号的频率变化范围。

一般来说，频率稳定度越高，晶振输出的时钟信号越稳定。

频率稳定度通常用ppm（百万分之一）来表示，例如，一个频率稳定度为±10ppm的晶振，其输出频率在标称频率上下浮动不超过10ppm。

2. 频率偏差：频率偏差是指晶振输出频率与标称频率之间的差异。

频率偏差可以由多种因素引起，如温度变化、供电电压波动等。

对于某些应用来说，频率偏差的控制非常重要，因为它会影响到整个系统的时序精度。

3. 温度特性：晶振的频率会随着温度的变化而发生变化，这就是温度特性。

温度特性通常用ppm/℃来表示，表示晶振频率每升高1摄氏度，频率变化的百万分之一。

温度特性是晶振在不同温度下工作时频率稳定度的重要指标。

4. 负载能力：晶振的负载能力是指晶振输出信号能够驱动的负载电容大小。

负载能力越大，晶振输出信号的波形失真越小，频率稳定度越高。

负载能力一般用pF（皮法拉）来表示，例如，一个负载能力为10pF的晶振，可以驱动不超过10pF的负载电容。

除了以上几个主要电气参数外，晶振还有一些其他参数，如启动时间、功耗、工作电压范围等。

启动时间是指晶振从断电到输出稳定的时间，对于某些实时性要求较高的应用来说，启动时间的快慢非常重要。

功耗是指晶振在工作过程中消耗的电功率，功耗越低，对于一些功耗敏感的应用来说，晶振的选择就越合适。

工作电压范围是指晶振能够正常工作的电压范围，超出该范围晶振可能无法正常工作。

晶振的主要电气参数包括频率稳定度、频率偏差、温度特性和负载能力等。

了解这些参数对于正确选择和使用晶振非常重要，可以确保系统的时序精度和稳定性。

在实际应用中，根据具体需求选择合适的晶振，并合理设计电路，可以提高系统的性能和可靠性。

晶振的温度系数晶振是一种电子元件，广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、电视等。

它的作用是产生稳定的时钟信号，使设备能够准确地进行计时和同步操作。

然而，晶振的性能会受到温度的影响，其中一个重要的参数就是温度系数。

温度系数是指晶振频率随温度变化的程度。

晶振的频率与其内部的晶体谐振频率密切相关，而晶体的谐振频率又受到温度的影响。

一般来说，晶振的温度系数是指在温度变化一度时，晶振频率变化的百分比。

晶振的温度系数可以分为正温度系数和负温度系数两种情况。

正温度系数表示晶振频率随温度升高而增加，而负温度系数则表示晶振频率随温度升高而减小。

不同类型的晶振有不同的温度系数，常见的有正温度系数的TCXO（温补晶振）和负温度系数的OCXO（温控晶振）。

正温度系数的晶振在高温环境下频率会增加，这是因为晶体在高温下原子振动增强，晶体晶格变得更松散，导致晶体谐振频率增加。

而负温度系数的晶振在高温环境下频率会减小，这是因为晶体在高温下原子振动减弱，晶体晶格变得更紧密，导致晶体谐振频率减小。

晶振的温度系数对于设备的性能和稳定性有重要影响。

在一些对时钟精度要求较高的设备中，如通信设备、导航设备等，需要使用温补晶振，以保证在不同的温度环境下能够提供稳定的时钟信号。

而在一些对时钟精度要求不那么高的设备中，如智能家居设备、电子玩具等，可以使用温控晶振，以降低成本和复杂度。

在实际应用中，为了提高晶振的性能，可以采取一些措施来降低温度系数的影响。

一种方法是使用温补电路，通过引入温度传感器和控制电路，实时监测晶振的温度变化，并通过调整电路参数来补偿温度系数的影响。

另一种方法是选择温度系数较小的晶振，如OCXO，虽然成本较高，但可以提供更好的性能。

总的来说，晶振的温度系数是影响晶振性能和稳定性的重要参数。

正确选择和使用晶振，合理补偿温度系数的影响，可以提高设备的性能和可靠性。

同时，对于晶振制造商和设备制造商来说，研究和改进晶振的温度系数是提高产品竞争力的重要方向之一。

无论什么型号的晶振都会有他相对于的参数规格,然而这些参数代表什么样的意义呢?关于这个问题,我想很多从事晶振行业多年的人都有很多回答不上来,下面我将相关参数的解释简单例举出来和大家分享.1、工作温度范围技术条件中规定的一种环境温度范围，在该温度范围内晶体振荡器性能应满足技术要求。

2、基准温度测量晶体振荡器电参数所指定的环境温度，通常规定为+25℃±2℃。

3、标称频率技术条件所指定的频率，通常也就是晶体振荡器铭牌上标志的频率。

系指晶体振荡器输出频率的名义值。

4、频率允许偏差4.1 频率准确度（初始频率-温度精度）在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度以及其他条件下晶体振荡器稳定输出频率相对于标称频率的最大频偏。

对于非频率可调（制造厂校准）振荡器，初始频率-温度精度在制造时和发货后的规定时间内适用。

对于频率可调（制造厂和用户校准）振荡器，初始频率-温度精度经制造厂和用户校准后就适用。

4.2 频率温度稳定度在标称电源和标称负载及其他条件不变的情况下，工作在规定温度范围内的频率最大允许频偏。

通常有三种定义：不带隐含基准温度的频率稳定度fT；带隐含基准温度的频率稳定度fTref；初始频率温度精度的频率稳定度fT0。

采用fTref指标的晶体振荡器性能优于采用fT指标的晶体振荡器。

4.3 电压频差在其他条件均保持不变的情况下，由于电源电压在规定范围内（±5%）变化，振荡器与规定标称电源电压下的频率的最大允许频偏。

4.4 负载频差在其他条件均保持不变的情况下，由于负载阻抗在规定范围内（±5%）变化，振荡器与规定标称负载阻抗下的频率的最大允许频偏。

4.5 老化频差在其他条件均保持不变的情况下，石英晶体振荡器经规定稳定时间后，在规定时间范围内输出频率相对于初始频率的允许频偏。

4.6 环境频差任一和全部规定标准环境影响引起的振荡器频率对初始基准频率的最大允许频差。

如冲击后要求的频率变化值。

晶振的主要参数及其对电路的影响晶振的测试报告Crystal First Failure FL RR DLD2 RLD2 SPDB C0 C0/C1 C1 L ppm Ohms Ohms Ohms dB pF fF mHHigh Limit 20.0 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0Low Limit -20.0 1.01 PASS 3.45 50.57 2.24 54.39 -4.66 3.83 3,744.84 1.02 10.752 PASS -5.84 32.05 4.18 36.30 -6.96 3.86 4,113.29 0.94 11.703 Fail DLD2High0.44 73.86 27.81 108.17 -3.59 3.74 3,613.27 1.03 10.634 Fail SPDBHigh-8.97 33.67 2.06 37.55 -0.44 3.92 5,538.01 0.71 15.545 PASS -1.27 40.11 1.65 42.75 -7.86 3.89 3,955.09 0.98 11.176 PASS -6.74 30.12 4.38 34.23 -9.58 3.81 3,608.85 1.06 10.427 PASS -3.52 41.97 1.52 42.86 -6.95 3.85 4,670.19 0.82 13.358 PASS 1.13 38.34 2.07 40.46 -4.15 3.88 5,017.95 0.77 14.239 PASS -7.01 21.31 0.73 21.80 -9.89 3.83 3,018.17 1.27 8.6710 Fail DLD2High-3.62 24.75 52.36 78.55 -10.30 3.86 2,943.39 1.31 8.37晶振的等效电器模型C0 ，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。