第二单元 单元测试题
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第二单元 单元测试题一 ·填空题。
1.硅材料分为 单 晶硅、多晶硅和非晶硅，单晶硅又分为 直拉 单晶硅和区熔单晶硅。
2.圆硅片边缘有定位边，定位边可用于表示硅片的晶体结构、 晶向 和 导电 类型等。
3.对硅片进行选择性的化学/电化学腐蚀 ，再利用光学显微镜 观察其表面微结构和缺陷，可以作出缺陷性质判定和计算评估，这是检测硅片缺陷的直观、简单的方法。
4.硅单晶片的导电类型分为P 型和N 型两大类。
5.双极性器件用经过外延 工艺的<111>晶向硅片，MOS 器件用< 100 >晶向的原始抛光硅片作为器件衬底。
6.PN 结正向偏置时，其P 区接电源 正 极，N 区接电源 负 极，其PN 结的电源随外加电压增大而呈 指数 规律快速增大。
7.耗尽层具有结电容（又称为 势垒 电容）效应。
耗尽层正向偏置电压时，耗尽层变 薄 ，相当于结电容“放电”；PN 结两端加反向偏置电压时，耗尽层变 厚 ，相当于结电容“ 充 电”。
8.双极性器件有电子和 空穴 两种载流子参与导电，它是一种电 流 控制器件。
9.双极性三极管通常有 饱和 、 放大 和截止三种状态， PNP 管是NPN 管的互补器件。
10.双极性晶体管的常见特性曲线有 输入 特性曲线()B BE CE I f V V =和转移特性曲线I C =f （ V CE ）| I B11.场效应晶体管是一种 电压 控制的单级四端（漏 D 、栅 G 、源 S 和衬底B ）。
12.MOSFET 的常见特性曲线有漏极特性曲线 I D =f ( V DS ) | V GS 和转移特性曲线 I D =f ( V GS ) | V DS 。
13.CMOS 器件中，互补的NMOS 作为驱动管、PMOS 作为 负载 管。
NOMS 管做在衬底上，则PMOS 必须做在比衬底浓度 高 的“ N 阱”中。
14.TTL 集成电路的民品系列的前缀是“74”，军品系列的前缀是“ 54 ”。
TTL 集成电路的标准工作电压是 5 V 。
15. CMOS 反相器是由NOMS 管和PMOS 管互补 串 联构成，CMOS 传输门是由NOMS 管和PMOS 管互补 并 联构成。
其他各种基本CMOS 逻辑单元电路可以由NOMS 管和PMOS 管的 串并 联构成。
16.D/A 转换器的输入是 数字 量，输出是 模拟 量。
17.双极性集成电路芯片版图中的 P +隔离槽区接 最低 电位，单独放电阻群的隔离岛内的 N -外延层通过N +区接 最高 电位。
18. MOS 型集成电路中常采用 多晶硅 薄膜电阻和MOS 管构成的 有源 电阻。
19.集成电路中紧邻两点或多点之间的电气连通，称为连接，它具有 接触 的特征。
集成电路中任意两个分立连接接点之间的电气连通，称为 互连 ，它具有距离和带/线通道的特征。
20.自动探针测试台的X-Y 二维步进传动机构分为 丝杠-导轨 型和 平面电机 型两大类。
二·判断题。
1.超高纯度的半导体级本征多晶硅是99.9999999%，简称“九个9”。
（√）2.圆硅片边缘有定位变，短的次定位边为各种定位基准用，还可表明其单晶结构和晶向，长的主定边可以示意硅片的晶向和导电类型。
（×）3.在大于200⎰Ñ mm 的硅片上，可用定位小孔槽和硅片背面激光刻印信息标志的方法，取代硅片定位边。
（√）4.在原硅片上已形成了芯片（晶片）阵列的硅片，被称为“晶圆”。
（√）5.半导体IC 、晶体管、晶闸管、二极管的最基本构成要素是PN 结。
（√）6.PN 结具有重要的双向导电特性。
（×）7.MOSFET 的导电沟道为电子的，称为P 沟MOS 器件；导电沟道为空穴的，称为N 沟MOS 器件。
（×）8.LSI 都用耗尽层型MOS 管好构成，CMOS 由NMOS 和PMOS 构成。
（×）9.BiCMOS 集成电路是在同一硅衬底上同时制作CMOS 器件和双极性型器件而构成的。
它适用于制作同时要求高集成度、高速和高性能的单片集成电路。
（√）10.A/D 转换器的二进制位数n 增加，即分辨率提高，其取整量化的误差会减小，最大量化误差为1/2n ，即一个量化单位为1 LSB 。
（√）11.位权电阻网络和模拟电子开关是D/A 转换器的核心电路模块。
（√）12.采样保持电路和量化编码电路时A/D 转换器的核心功能模块。
（√）13.设计时使每个焊盘（PAD)都需要单独配有独立的隔离岛，是为了避免焊盘之间的短路。
（√）14.双击型集成电路中的横向PNP 管常用于大电流的情况。
（√）15.MOS 型集成电路芯片的二维表面由有效或有源区（MOS 管区）和场氧区（厚氧区）构成。
（√）16.微电子测试结构广泛用于芯片制造工艺结束后的晶圆片测试中。
（√） 三·单项选择题。
1.位错缺陷在<100>硅单晶片上呈现 （ B ） 的蚀坑。
A.三角形B.四边形C.菱形D.半月形2.P 型和N 型交界面附近形成的空间电荷区是两边正负离子数 （ C ） ，并缺少载流子的耗尽区。
A.为正离子大于负离子B.不相等C.相等D.为负离子大于正离子3.PN 结反相偏置时，最低电流几乎为零，随外加反向电压增大，达到某一个临界电压时，电流才迅速增加，该临界电压称为 （ C ） 电压。
A.正向B.反向C.击穿D.恒定4.双极性晶体管的发射区E 、基区B 和集电区C 的掺杂浓度之间的关系为 （ C ） 。
A.E<B<CB.E<C<BC.E>B>CD.B>E>C5.当双极性三极管的 （ B ） 时，晶体管处于放大状态。
A.发射极正偏，集电极正偏B.发射极正偏，集电极反偏C.发射极反偏，集电极反偏D.发射极反偏，集电极正偏6.MOS 晶体管阈值电压 （ C ） 是增强型的MOS 管。
A.T V ≤ 0B.0T V ≤C.0T V >D.0T V =7.三输入与非门的逻辑输出Z= （ D ） 。
A.+A B C +B.A+B+CC.ABCD.ABC8.双极性集成电路中MOS 电容的上电极通常为 （ B ） 。
A.N + 发射区扩散层B.金属铝膜C.P 基区扩散层D.N -外延层 9.对于MOS 型集成电路中的双层多晶硅MOS 电容器结构，只要控制 （ B ） 和质量，就可以制备高精度的MOS 电容。
A.上下层多晶硅的厚度B.氧化层的厚度C.上层多晶硅的掺杂浓度D.下层多晶硅的掺杂浓度10.集成电路中紧邻两点或多点之间的电气连通，称为连接，它具有 （ C ） 的特征。
A.键合B.延伸C.接触D.铆接四·多项选择。
（至少有两个正确答案）1.由于硅片 （ ABCE ） ，所以硅片必须倒角。
A.很硬脆B.边缘易破裂C.边缘会造成应力集中D.很平整E.边缘易产生碎屑F.很单薄 2.硅片的主要检测项目有 （ ABCDEF ） 等。
A.平整度B.电阻率C.氧含量D.晶格缺陷E.物理尺寸F.表面微粗糙度3.硅单晶片的导电类型可以利用 （ ACDE ） 等物理效应进行检测。
A.热电B.原电池C.整流D.霍尔E.光电F.光衍射 4.测量硅单晶片电阻率的方法有 （ ABCDE ） 等。
A.两探针法B.四探针法C.C-V 法D.涡电流法E.扩展电阻探针法F.六探针法 5.芯片的外围四周许多焊盘是 （ ACEF ） 。
A.金属铝B.金属钨C.探针测试接触点D.多晶硅E.键合引线压焊点F.各自独立的隔离区6.利用微电子测试结构可以提取集成电路制造的 （ ACEF ） 参数。
A.工艺监控B.功能C.过程质量控制D.频谱E.电路设计模式F.可靠性模式 7.微电子测试结构通常镶嵌在 （ BCEF ） 。
A.芯片中心B.划片间隔内C.同一芯片上空隙位置D.芯片功能区E.晶圆片中心F.晶圆的4个象限8.二极管的性能参数有 （ ABCDEF ） 等。
A.正向电压F VB.反向电流R IC.反向击穿电压BVD.整流效率E RE.电容量 O CF.反向恢复时间9.二极管通常用于 （ ACEF ） 等应用中。
A.整流B.放大C.检波D.变换E.限幅F.钳位10.集成电路中常用于的二极管有 （ ABCF ） 二极管。
A.齐纳B.肖特基C.一般PN 结D.光电E.变容F.三极管接成的二极管 11.双极性晶体管的主要电参数有 （ ABCDE ） 等。
A.反向击穿电压B.极间反向电流C.各种电流放大系数D.开馆时间参数E.频率参数F.材料参数 12.CMOS 器件的优点有 （ ABEF ） 。
A.功率极低B.集成度高C.电流驱动能力强D.适用射频E.工艺简单F.能按比例缩小13.双击型集成电路中除了大量NPN 晶体管外，常见 （ BCD ） 结构的PNP 管。
A.纵向B.横向C.复合D.衬底E.肖特基F.射频14.TTL 集成电路的民品系列有 （ ABE ） 等几种。
A.74LS B.74AS C.4000BD.54ALSE.74ALSF.74HC 15.74HC 系列（HCMOS ）具有 （ BCDEF ） 特点。
A.电流驱动能力强B.低功耗C.高速型D.集成度高E.不易阻塞F.引脚与TTL 兼容 16.CMOS 反相器的主要性能参数有 （ ABCDEF ） 。
A.静态电流B.输入电平/电流C.传输延迟时间D.转换时间E.输出电平/电流F.输入电容17.CMOS 传输门的主要性能参数有 （ ABCDEF ） 。
A.静态电流B.泄漏电流C.平均传输延迟时间D.输入电容E.导通电阻F.控制端输入电平/电流18.运算放大器的重要性能参数大多由输入级决定，如 （ ABCDE ） 等。
A.输入失调电压B.输入失调电流C.共模抑制比D.输入阻抗E.输入电压范围F.总电压增益19.理想情况集成电路运算放大器的（ABE ）。
A.CMRR→∞B.输入阻抗为无穷大C.输入阻抗为零D.CMRR→∞E.输出阻抗O Z为零F.输出阻抗O Z为无穷大20.模拟集成电路中应用极广泛的几个最基本有源单元有（ABCDEF ）等。
A.单管放大器B.复合双管放大器C.恒流源电路D.差分和推挽放大器E.偏置电压源电路F.有源负载21.A/D变换过程可以认为是（ABDE ）的过程。
A.采样B.量化C.离散信号到连续信号D.保持E.编码F.数字信号到模拟信号22.D/A变换过程可以看作是（ABDF ）的过程。
A.量化B.锁存C.连续到离散的D.编码E.模拟信号到数字信号F.保持23.DAC的主要性能参数是（ABEF ）等。
A.变换精度B.分辨率C.采样值D.保持量E.变换速度F.线型误差24.ADC的性能参数指标有（ABCDEF ）等。
