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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
镜像电流源的特点和优缺点 电路特点： 1）T 1与T 2特性相同；
U BE1= U BE2= U BE β1=β2=β I c1= I c2 I B1= I B2= I B
2）R 和T 1共同构成T 2的偏置电路；
3）T 1管的c-b 相连，使U cb1=0，这是一个临界饱和状态，I c =βI β的关系仍然存。
电路分析：
]21[]21[22111ββ+=+=+=-=C C B c BE cc R I I I I R U V I R R C I I I =+=∴2
2ββ
（即二者之间如同“镜像”般的关系） 这样，2C I 的大小即可由R U V I I BE cc
R C -== 2来决定。
这个电路有一个基准电流R I ，由电路参数和管参数很容易确定，当找出2C I 与基准电流R I 的“镜像”关系后，很容易知道该电路提供出的偏流大小。
优缺点分析：
优点：结构简单，可以提供毫安级电流。
缺点：BE U 是温度的函数，所以2C I 不“恒流”；β值不大时，12=+ββ
易造成较在的误差。
镜像电流源比例因子 eetop镜像电流源是一种常见的电路组件，常用于电子工程和电路设计中。
它可以产生输出电流，其大小与输入电压成正比。
而比例因子是指输入电压与输出电流之间的关系。
本文将详细介绍镜像电流源和比例因子的原理、应用和设计要点。
首先，让我们来了解一下镜像电流源的原理。
镜像电流源是通过改变电流源的电阻值、布置方式或者添加特定电路来实现的。
使用镜像电流源可以方便地将电流传递到其他电路中，并且保持输入和输出之间的电流比例。
通常，镜像电流源会通过放大器电路来实现，其中放大器的增益决定了电流输入和输出之间的比例关系。
接下来，我们来讨论镜像电流源比例因子的概念和计算方法。
比例因子是指输入电压与输出电流之间的关系，通常用一个比例系数来表示。
比例系数可以根据电路设计过程中所使用的放大器类型和参数来计算得出。
比例因子的具体计算公式如下所示：比例因子 = 输出电流 / 输入电压在实际应用中，比例因子的值通常是一个固定的常数。
这是由于镜像电流源的目的就是将输入电压转化为固定比例的输出电流。
因此，在设计镜像电流源时，需要选择适当的电路结构和参数，以确保所获得的比例因子满足设计要求和性能指标。
在实际的电子工程中，镜像电流源有着广泛的应用。
它可以用于电流模式数字至模拟转换器（current-mode digital-to-analog converter，CMDAC）中，将数字信号转化为相应的电流输出。
此外，镜像电流源还可以用于模拟电路中的恒流源、电流比较器等电路中。
它们可以帮助实现高精度的电流控制和传递，提高电路的性能和稳定性。
在设计和使用镜像电流源时，有几个关键的要点需要注意。
首先，需要选择合适的放大器类型和参数，以确保所得到的比例因子满足设计要求。
其次，要注意电阻、电容和电感等被镜像电流源连接的元件的影响。
这些元件的存在会对比例因子产生一定的误差，并可能带来不稳定性。
因此，在实际设计中，需要对这些因素进行准确的建模和分析。
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
基本镜像电流源电路电流源是电子电路中常见的一种电源，它可以提供一个恒定的电流输出。
电流源电路的设计和实现对于各种电子系统的性能和稳定性都有很大的影响。
本文将介绍基本镜像电流源电路的原理、特点和应用。
一、基本镜像电流源电路的原理基本镜像电流源电路是一种基于晶体管的电流源电路。
它由两个晶体管组成，其中一个是PNP型，另一个是NPN型。
这两个晶体管的基极相连，而它们的发射极和集电极则分别连接到电路的输出和电源。
如图1所示。
图1 基本镜像电流源电路当电路中的输入电压变化时，PNP晶体管的电流也会随之变化。
这个变化会引起NPN晶体管的电流相应地变化，从而保持输出电流的恒定。
这种电路的原理可以用下面的公式来表示：Iout = (Vbe1 - Vbe2) / R其中，Iout是输出电流，Vbe1和Vbe2分别是PNP晶体管和NPN 晶体管的基极-发射极电压，R是电路中的电阻。
二、基本镜像电流源电路的特点1. 稳定性高由于基本镜像电流源电路的电流输出是由两个晶体管共同控制的，因此它的稳定性比较高。
在电路中，PNP晶体管和NPN晶体管的温度和电压变化对电路的影响相互抵消，从而保持输出电流的恒定。
2. 电路结构简单基本镜像电流源电路的结构相对简单，只需要两个晶体管和一个电阻就可以实现。
这种电路的设计和制造成本也比较低，因此在各种电子系统中得到了广泛的应用。
3. 输出电流可调通过改变电路中的电阻值，可以调节基本镜像电流源电路的输出电流。
这种特性使得它在各种电子系统中的应用更加灵活。
三、基本镜像电流源电路的应用1. 电路测试基本镜像电流源电路常用于各种电路测试中，例如测试放大器的增益和频率响应等。
在测试中，它可以提供一个稳定的电流源，从而保证测试结果的准确性和可靠性。
2. 模拟电路基本镜像电流源电路在模拟电路中也得到了广泛的应用。
例如，在模拟电路中，它可以作为一个恒定电流源，用于控制放大器、滤波器和振荡器等电路的工作状态。
模电基础知识总结导言模拟电子技术（Analog Electronics）是电子学的一个重要分支，包括分析和设计各种电子电路，以便于对在电子系统中表现为连续值的信号进行处理。
模拟电子技术是电子技术的核心内容之一，广泛应用于各种电子系统中。
本文将对模拟电子技术的基础知识进行总结。
电路基础电压、电流与电阻•电压：电荷的偏移量，单位为伏特（V）。
•电流：电荷单位时间通过导体的速度，单位为安培（A）。
•电阻：导体抵抗电流的能力，单位为欧姆（Ω）。
电路定律•欧姆定律: $ V = IR $•基尔霍夫定律:–基尔霍夫电压定律：节点电压之和为零。
–基尔霍夫电流定律：分支电流之和为零。
放大器放大器概述放大器是一种电子电路，用于增加信号的幅度。
放大器可以分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等类型。
放大器特性•增益（Gain）：输出信号幅度与输入信号幅度的比值。
•带宽（Bandwidth）：放大器能够放大信号的频率范围。
•输入/输出阻抗：放大器的输入和输出接口的阻抗匹配对信号传输至关重要。
滤波器滤波器概述滤波器是一种能够选择特定频率信号的电路。
常见的滤波器类型包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
滤波器设计•利用电容和电感可以设计无源RC和RL滤波器。
•主动滤波器使用放大器来增强滤波效果。
•数字滤波器基于离散时间信号进行设计。
零件及器件二极管与晶体管•二极管：具有单向导电特性，用于整流和电压调节。
•晶体管：根据不同类型（NPN/PNP），可作为放大器、开关或振荡器使用。
集成电路•集成电路（IC）：将多个电子元器件集合在一起形成的整体，方便应用到复杂的电路中。
结论本文对模拟电子技术领域的基础知识进行了总结，涵盖了电路基础、放大器、滤波器和常见零部件等内容。
这些基础知识是深入理解模拟电子技术的关键，也是进行电路设计和分析的基石。
希望读者通过本文的学习，能够对模拟电子技术有更深入的了解。
以上是本文对模拟电子基础知识的总结，希望对您有所帮助。
当前位置：首页〉基础内容学习〉双极型集成电路〉常用的电流源电路1．基本镜像电流源 2.比例电流源 3.微电流源(Widlar电流源)4. 威尔逊电流源5.多路恒流源电路常用的电流源电路电流源电路是模拟集成电路中应用十分广泛的单元电路。
对电流源的主要要求是：（1）能输出符合要求的直流电流；（2）输出电阻尽可能大；（3）温度稳定性好；（4）受电源电压等因素的影响小。
1．基本镜像电流源基本镜像电流源电路如图3—35（a）所示。
它由两个完全对称的NPN管(或PNP管)组成。
图中，称为基准电流，若管子特性一致，即流过R上的电流IR则由图3—35(a)可知若 ，则 ，IO 犹如是IR的镜像，所以此电路称为镜像电流源或电流镜。
图3—35（a）所示电流源的伏安特性如图3—35（b）所示。
为了保证电流源具有恒流特性，T2管必须工作在放大区，即UCE2>U BE2≈0.7V(在图中A、B两点之间)。
设T2工作在q点,电流源输出端对地之间的直流等效电阻RDC=U CE2/I C2,其值很小，而动态电阻Ro的值则很大。
可见，直流电阻小、动态电阻大是电流源的突出特点。
正是这一特点，使电流源得到广泛的应用。
返回页首2.比例电流源若在基本镜像电流源的T1、T2接入发射极电阻R1和R2，如图3—36（a）所示，就构成了比例电流源。
由图3—36(a)可见（3—92）又因为（3—93）所以式(3—92)可写成（3—94）在IC1=(5~10)I C2范围内,一般满足所以式(3—94)可近似为(3—95)显见，改变R1与R2的比值，就可改变I与IR的比值，故这种电路称为比例电流源。
在集成电路中，实现比例电流源的方法可通过改 T1、、T2管的发射区面积比来实现，而无需另外制作电阻R1和R2，如图3—36（b）所示。
因为晶体管发射极电流与发射区面积成正比，即晶体管发射极电流可表示为式中，W是基区宽度；N是基区杂质浓度；SE 是发射区面积。
《模拟电子技术基础》试题（A 卷）学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
（10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。
（ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
（ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。
（ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。
（ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
（ ） 二、选择填空 （10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。
（A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A ）β （B ）β2（C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。
（A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。
（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模电基础知识目录一、模电概述 (2)二、模电基础知识 (2)1. 电路基本理论 (4)1.1 电路的基本概念 (5)1.2 欧姆定律与功率公式 (6)1.3 直流电路与交流电路 (7)2. 电子元器件 (8)2.1 电阻、电容、电感等被动元件 (9)2.2 二极管、晶体管等主动元件 (10)2.3 集成芯片与模块 (12)3. 信号与系统 (13)3.1 信号的概念及分类 (14)3.2 系统的基本概念 (16)3.3 信号传输与处理 (17)三、模电技术及应用领域 (19)1. 模电技术基础 (20)1.1 模数转换与数模转换 (21)1.2 放大、滤波、振荡等基础技术 (23)1.3 电路设计与调试 (24)2. 模电应用领域 (26)2.1 通信领域应用 (27)2.2 音频/视频领域应用 (28)2.3 自动化控制领域应用 (29)四、模电实验与项目实践 (31)1. 模电实验基础 (32)1.1 实验仪器介绍及使用方法 (33)1.2 实验设计与操作步骤 (34)1.3 实验数据分析与总结 (35)2. 模电项目实践 (36)2.1 项目选题及需求分析 (37)2.2 项目方案设计与实践过程介绍 (39)2.3 项目成果展示与评估 (39)五、模电技术发展趋势与挑战 (40)一、模电概述模拟电子技术（Analog Electronics）是电子工程领域的一个重要分支，主要研究模拟信号的生成、处理、传输和测量。
与数字电子技术相比，模拟电子技术主要处理连续变化的信号，如电压、电流等，而不是离散的数字信号。
在模拟电子技术中，基本的元件包括电阻、电容、电感、二极管和晶体管等。
这些元件通过电路设计组合在一起，形成各种复杂的模拟电路。
模拟电路可以对输入信号进行放大、滤波、调制、解调等多种操作，从而实现信号的处理、变换和传输等功能。
模拟电子技术在许多领域都有广泛的应用，如通信、音频处理、图像处理、自动控制等。
