[整理]1硅片检验规程

附件：硅片分类检测设备验收报告（一）整体检查项目检验方法合格标准合格不合格不确定备注主体颜色目视比对RAL9016漆面目视检查漆面颜色均匀，无气泡、脱落等缺陷设备主体表面目视检查无划伤、裂纹、变形等可见缺陷零部件检查材料和零部件均为全新的、合格的产品，且规格、数量、品牌、产地与设备清单相符。

备品备件检查数量、规格、图纸符合技术协议要求培训检查内容、时间和培训效果符合技术协议要求（二）设备主要结构项目检验方法合格标准合格不合格不确定备注操作方向目视检查“左进右出”主要零部件核实与技术协议及卖方提供的BOM list相符主要尺寸确认技术协议、卖方提供的CAD图及相关技术文件主体部分目测核实1个上料机构，1个光学检测模块，1个厚度和电阻率检测模块，1个少子寿命检测模块，1个下料机构（包括分档堆叠和直接插入花篮）传输系统目测核实机械手2套，皮带传送系统控制系统目测核实人机控制台3个（三）软件项目检验方法合格标准合格不合格不确定备注软件功能检查能实现数据的存储和导出、分级权限、关键参数修改、提示报警信息、显示设备各模块运行状况等功能。

存储功能核实能实现对不良片进行自动图片保存功能。

设备参数设置检查功能软件参数可以更改设置。

工艺方案设置更换电池片规格生产线可适用于不同规格电池片（四）主要性能指标项目检验方法合格标准合格不合格不确定备注生产能力核实大于2800 pcs/hr (L156×W156)系统稳定性核实设备调试完成后连续无故障运行24小时。

碎片率核实设备在完成调试完成后稳定运行产出5000片，碎片率≤0.2%可靠性核实设备完成调试后稳定运行15日，开机率不低于97%【开机率%=（待机时间+正常生产时间）/（待机时间+正常生产时间+故障时间+停机维护时间）×100%】厚度和TTV测试核实分别对五片硅片同一位置测试20次，最大点和最小点间的区别须在+/-1µm 之内。

电阻率核实分别对五片硅片进行测量，每片硅片检测20 次，各检测结果须满足技术协议中各项指标要求。

光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号：LW-BZ-009-A1版本：A/1版受控状态：编制部门：技术中心发放编号：编制：日期:审核：日期：批准：日期:实施日期:发布日期:文件更改申请单硅片检验标准1目的规范多晶硅片检测标准。

2适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。

3定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS20血阻率测试、少子寿命测试 WT-200Q3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUXCF,距离眼睛40cm,成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。

翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即 a值）。

弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即 z值）硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。

崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度0 0.5mm长度0 1.5mmt不能崩透的缺损属于崩边c 缺口：光强430-650LUX,目光与硅片成30-45 ° ,距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口, 看不到的不属于缺口。

水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。

表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。

游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘 5mrmA内的黑色区域。

微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞ 10个。

4 职责权限4.1技术部负责制定硅片检验标准；4.2质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。

5正文5.1表面质量表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。

对整包硅片重点查看B4 （崩边），B7 （线痕）、B8 （厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的 B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。

5.2外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。

版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。

J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。

3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。

3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。

4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。

检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。

4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。

塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。

4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。

4.2.3 检验时戴PVC手套。

从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。

4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。

将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。

将线痕、TTV超标片区别放置。

再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。

并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。

4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。

如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。

4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。

（盖章）文件分发明细受文部门份数受文部门份数受文部门份数受文部门份数文件制修订记录修订日期文件版本修订摘要拟定审批（盖章）1.0目的:规范硅片的来料检验过程,使采购的硅片质量符合公司规定要求和标准。

2.0范围：适用于公司所有的晶体硅片来料检验。

3.0内容：5.1 IQC收到仓库提供的“入库单”后，按照入库单上的来料信息进行抽样检查。

5.2抽样方案：抽样量按照国标GB/T2828.1-2012标准，正常检验一次抽样方案，一般检验水平Ⅱ。

5.3抽样接收标准及检验程序：5.3.1抽样接受标准为AQL=1.0,若不良品（机碎除外）超标则按不合格处理（《不合格品控制程序》），不再进行重复抽检。

5.3.2抽取样品及与硅片接触的任何操作过程中，均需要戴上乳胶防护手套。

5.4 检验项目及检验标准序号检验项目/检验步骤抽样方案检验工具检验方法及判定标准注意事项图标1 检验外箱包装外观质量全数检查(Ac=00，Re=1)目视要求堆放整齐，外包装箱及托盘无损坏、变形、脏污等不良现象。

发现异常时，应拍照取证，并立即报告，以便及时通知供应商2 核对到货单信息与外箱标识信息的一致性全数检查(Ac=00，Re=1)目视要求到货单上显示的硅片型号、规格，数量与外箱标识一致发现异常时，应拍照取证，并立即报告，以便及时通知供应商3 抽取样品GB/T2828.1正常检验一次性抽样方案，一般检验水平Ⅱ目视(1)记录所抽样盒子上显示的晶体编号,将晶体编号写在《硅片检验记录表》(2)在抽样的盒子中抽取检测样片到指定泡沫盒中.(3)抽取的样品放置在规定的泡沫盒中，注：抽取样品时，要检验该盒硅片边缘部分是否有缺觉、硅晶脱落及开箱碎片等明显的不良(4)抽取样品后，在对应硅片的外箱标签处写上该抽样数量，以便核对硅片数量(1)刀片使用过程中注意事项，防止划伤(2)刀片伸出长度小于1cm，放置划破内包装，损伤硅片(3)取完硅片后，盖上盒盖，注意盒盖内没有异物及盒内硅片的整齐度，避免硅片破裂（盖章）4 硅片外观检查你GB/T2828.1正常检验一次性抽样方案，一般检验水平Ⅱ目视检查硅片表面切割纹路，判定切割类型：单向/双向(1)检验条件切割类型：距离眼部约5cm，700LX光照下，每包头、中，尾各随机抽一片检测其他：距离眼部约30-50cm，700LX光照下，目视垂直于硅片(2)注意两手捏硅片的力度(3)硅片正反两面都需要检查(4)每次检验不得超过100片目视表面清洁度，表面光滑干净，无油污，斑点，手指印或化学残留物目视硅片边缘横截面，必须光亮无毛糙（切片前的硅锭要经化学腐蚀去除损伤层目视阴阳片不允许目视微晶＜10个晶粒/平方厘米目视晶界走向与硅片表面垂直，无异常晶粒ATM检测仪不允许有裂纹，孔洞，隐裂ATM检测仪边缘缺陷：≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不超过2个ATM检测仪硅落A级品：长度≤0.2mm，深度≤0.3mm，个数≤2个B级品：长度≤0.3mm，深度≤0.8mm，个数≤2个ATM检测仪线痕粗糙度A级品：≤15umA级品：≤40um5 检查硅片外观目视检查硅片形状，将部分硅片转向180度，检查外形，要求为正方形(1)检验条件：30-50cm，700LX光照下，垂直于硅片目视(2)注意两手握硅片的力度(3)硅片正反两面需要检查(4)每次检验不得超过100片目视多晶硅片晶粒分布：无雪花晶，分布晶，微晶，孪晶。

1618845313一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。

该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。

该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。

其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。

在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。

硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。

二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。

由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。

硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。

大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。

为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。

制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。

经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。

三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。

管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。

扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。

把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。

C1A硅片检测工序操作流程1主题内容本文规定了C1A硅片检测工序的基本操作流程。

2适用范围本规定适用于C1A硅片检测工序。

3内容3.1 生产准备3.1.1工作时必须按要求穿洁净工作衣、鞋，佩戴手套、工作帽。

3.1.2做好工艺卫生，要求每天接班后要用酒精和无尘布擦拭机器传送带，使检测机保持清洁，并及时清理碎片。

3.2生产操作流程3.2.1拆包装将硅片包装打开，目测整盒硅片数量是否准确，是否有线痕、油污等缺陷，将有缺陷的硅片挑选出来退库处理。

3.2.2装片将目测合格的硅片承载盒中，拉出机器上料台，将装满硅片的承载盒放在上面，然后将上料台复位，按绿色START按钮启动机器进行检测。

3.2.3 设备检片Fortix检测机将检测的合格硅片直接插入花篮；其他片盒均为不良片盒。

3.2.4卸片将装满硅片的花篮装上压条；不良硅片装满报警后，取出不良片单独放置。

3.2.5填写流程单按照品质保证中心委托检验单数据填写厚度、边长、电阻率、少子寿命、TTV等参数；流程单“其他”项中填写来料晶体编号。

3.2.5准备投入将装置好压条的花篮按批次放入PVC小车中，并放入流程单，按5S标示将小车放在指定位置等待下一工序取用。

3.3 仪器/工具/材料仪器：Fortix检测机。

工具：硅片承载盒，刀片，小花篮，硅片盒。

材料：硅片。

3.4注意事项3.4.1员工手工检片时，每检出一批更换一次手套。

3.4.2手工检片时，要检验脏污、线痕、厚度偏差、穿孔等不良。

3.4.3进行手工插片时，必须垫上泡沫垫。

3.4.4填写日报表，包括纸质报表和电子档统计报表。

3.4.5拆硅片盒时，注意刀片伸入不超过0.5cm，防止划伤硅片侧面。