这是8055模型数据：******************PNPEpitaixialSiliconTransistor****************** *************Product:SS8550BBU/SS8550BTA/SS8550CBU/SS8550CTA/SS8550DBU/SS8550 DTA**Package:TO-92**Terminals:Emitter(1)Base(2)Collector(3)**--------------------------------------------------------------------------------*BeginSpec*JV:Ic/Ib=10*OA:Vce=-1*FB:Vce=-1*VV:Ic/Ib=10*CB:*EB:*ST:Ic/Ib=10*GB:Vce=-10*EndSpec*BeginTrace*JV:0,1,100.00E-6,.1,1,3,0,0,-1(27)*OA:1,1,100.00E-6,.1,1,3,0,0,-1(27)*FB:0,1,100.00E-6,.1,1,3,0,0,-1(27)*VV:0,1,100.00E-6,.1,1,3,0,0,-1(27)*CB:0,1,.1,50,1,3,0,0,-1(27)*EB:0,1,.1,10,1,3,0,0,-1(27)*ST:0,1,100.00E-6,.1,1,3,0,0,-1(27)*GB:0,1,100.00E-6,.1,1,3,0,0,-1(27)*EndTrace*BeginParam*IS=117.63E-15(10.000E-21,1.0000E-6,0) *BF=178.21(1,1.5000E3,0)*NF=1(.8,1.2000,0)*VAF=51.250(0,1.0000E3,0)*IKF=3.3034(10.000E-3,20,0)*ISE=18.820E-15(0,1,0)*NE=1.5000(1,2,0)*BR=5(.1,500,0)*NR=1(.1,5,0)*VAR=36.681(0,1.0000E3,0)*IKR=10.000E-3(10.000E-3,20,0)*ISC=200.00E-18(0,1,0)*NC=1.5000(1,3,0)*NK=.5(.1,5,0)*RE=0(0,100.00E3,0)*RB=122(0,100,0)*RC=1(0,100.00E3,0)*CJE=99.513E-12(0,1,0)*VJE=.77795(.35,1.5000,0) *MJE=.38009(.1,1,0)*CJC=33.278E-12(0,1,0)*VJC=.65102(.35,1.5000,0) *MJC=.38907(.1,1,0)*FC=.49925(.1,1.5000,0) *TF=796.00E-12(0,1,0)*XTF=10(0,100.00E3,0)*VTF=10(0,100.00E3,0)*ITF=1(0,100.00E3,0)*PTF=0(0,360,0)*TR=10.000E-9(0,1,0)*EG=1.1695(.69,5,0)*XTB=1.6730(0,100.00E3,0) *XTI=3(.1,100.00E3,0)*EndParam*DEVICE=SS8550,PNP*SS8550PNPmodel*createdusingModelEditorrelease10.5.0on11/27/08at09:04 *TheModelEditorisaPSpiceproduct..MODELSS8550PNP+IS=117.63E-15BF=178.208NF=1+BF=178.21NF=1+VAF=51.250VAR=36.6808IKF=3.3034+IKF=3.3034+ISE=18.820E-15+BR=5NR=1ISE=1.882E-14+VAR=36.681IKF=3.3034+IKR=10.000E-3RB=122RBM=27.073+ISC=200.00E-18NC=1.5+NC=1.5000+RB=122RBM=27.073+RC=1+CJE=99.513E-12VJE=0.777949+VJE=.77795+MJE=.38009FC=0.499252CJC=3.32783E-11+CJC=33.278E-12+VJC=.65102MJC=0.389073TF=7.96E-10+MJC=.38907TF=7.96E-10+FC=.49925CJC=3.32783E-11+TF=796.00E-12+XTF=10+VTF=10+ITF=1+TR=10.000E-9+EG=1.1695XTB=1.6730XTI=3+XTB=1.6730XTI=3新建一文档文件，黏贴复制上面的数据，另存为ss8550.cir，生成cir文件元件制作方法：以Multisim为例：打开“工具”中的“元件向导”在元件名中键入ss8550，点下一步后，点选择封装因为8550是三极管，所以选择TO-90封装，再点选择选择引脚数为3，懂的，再点下一步。
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S9014 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN General Purpose通用▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO50V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO45V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C100mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)200mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA625℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标S9014=J6ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S9014■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage 集电极基极击穿电压(I C =100uA ，I E =0)BV CBO50——VCollector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 45——VEmitter-Base Breakdown V oltage 发射极基极击穿电压(I E =100uA ，I C =0)BV EBO 5——VCollector-Base Leakage Current 集电极基极漏电流(V CB =50V ，I E =0)I CBO ——100nAEmitter-Base Leakage Current 发射极基极漏电流(V EB =5V ，I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain 直流电流增益(V CE =5V ，I C =1mA)H FE 200—1000Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =100mA ，I B =5mA)V CE(sat)——0.3VBase-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =100mA ，I B =5mA)V BE(sat)——1V Transition Frequency 特征频率(V CE =5V ，I C =10mA)f T150——MH ZOutput Capacitance 输出电容(V CB =6V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—3—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S9014■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S9014■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
9013三极管目录9014、9013、8050对比s9013的引脚图参数编辑本段9014、9013、8050对比s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示三极管引脚图 e b c9013三极管[1]当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
