电工电子技术 第5章习题 半导体器件

1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。

A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。

A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。

A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。

A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。

第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。

这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。

这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。

2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。

三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。

3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。

扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。

空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。

7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。

三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。

A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。

3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。

A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。

5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。

A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。

A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

电工电子技术徐淑华答案电工电子技术徐淑华答案【篇一：电工电子习题与答案】题、答案习题思考题1．什么是二极管的单向导电性？2．理想二极管指的是什么？3．什么是二极管的反向恢复时间？4．稳压二极管电路中的限流电阻有何作用？5．共发射极三极管电路的放大作用是如何实现的？6．如何判断三极管工作状态：截止区？放大区？还是饱和区？7．三极管的开启时间和关闭时间指的是什么？8．mos场效应管的开启电压是什么？9．如何判断nmos场效应管的工作状态：截止区？恒流区？还是可变电阻区？10．mos场效应管的跨导gm是如何定义的？11．mos场效应管的导通电阻rds是如何定义的？在可变电阻区和恒流区rds值是否相同？填空题l，n型半导体中的多数载流子是＿＿＿＿＿。

2．pn结具有＿＿＿导电性。

3．半导体二极管、三极管有硅管和＿＿＿管。

4．硅管二极管的导通电压uon约为＿＿＿，导通后其管压降约为＿＿＿；锗管的uon约为＿＿＿，导通后其管压降约为＿＿＿。

5．理想二极管导通时，其管压降ud=＿＿＿、其等效电阻rd=＿＿＿。

6．三极管是一种电＿＿控制器件。

8．场效应管是一种电＿＿控制器件。

11．场效应管的开关速度主要受管子的＿＿电容影响，其数值通常在皮法拉级。

练习题1．1．*(2-1)在下图p1.1（a）、(b)、（c）电路中,设二极管为理想二极管,输入电压图p1.12．2．*(2-2)一个npn型硅三极管电路如图p1.2（a）所示，其输出特性曲线如图p1.2（b）所示。

试在（b）图上标出截止区、饱和区及放大区。

图p1.24．*(2-4)若已知一个三极管的集电极最大允许功耗650mw，问：（l）当uce=15v时，其最大允许集电极电流ic=？（2）当uce=0.3v时，其最大允许集电极电流ic=？5．*(2-5)在习题2中，若已知管子的导通电压uon=0.6v，管子导通后ube=0.7v，uces=0.3v,（l）电路在ui=uil=ov和ui=uih=5v时的工作状态（截止，饱和，放大？）（2）若固定rb值不变，求电路工作在临界饱和区时rc最小值。

第1章 直流电路一、 填空题：1. 任何一个完整的电路都必须有、和3个基本部分组成。

电路的作用是对电能进行、和；对电信号进行、和。

2. 电路有、和三种工作状态。

当电路中电流0R U I S、端电压U ＝0时，此种状态称作，这种情况下电源产生的功率全部消耗在_____上。

3.从耗能的观点来讲，电阻元件为元件；电感和电容元件为元件。

4. 电路图上标示的电流、电压方向称为，假定某元件是负载时，该元件两端的电压和通过元件的电流方向应为方向。

二、选择题：1. 当元件两端电压与通过元件的电流取关联参考方向时，即为假设该元件（）功率；当元件两端电压与通过电流取非关联参考方向时，即为假设该元件（）功率。

A 、吸收；B 、发出。

2. 当电流源开路时，该电流源内部（）A 、有电流，有功率损耗；B 、无电流，无功率损耗；C 、有电流，无功率损耗。

3. 某电阻元件的额定数据为“1K Ω、2.5W ”，正常使用时允许流过的最大电流为（）A 、50mA ；B 、2.5mA ；C 、250mA 。

三、简答题1. 什么是电流参考方向？什么是关联参考方向？2.为什么不能使实际电压源短路？ 四、计算题1. 已知电路如图1.4所示，其中E 1=15V ，E 2=65V ，R 1=5Ω，R 2=R 3=10Ω。

试求R 1、R 2和R 3三个电阻上的电压。

2.试用支路电流法，求图1.6电路中的电流I3。

3.已知电路如图1.10所示。

试应用叠加原理计算支路电流I和电流源的电压U。

教材P25页24、25、28第2章正弦交流电路一、填空题：1. 表征正弦交流电振荡幅度的量是它的；表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的。

三者称为正弦量的。

2. 在RLC串联电路中，已知电流为5A，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，那么电路的阻抗为，该电路为性电路。

电路中吸收的有功功率为，吸收的无功功率为。

3. 对称三相负载作Y接，接在380V的三相四线制电源上。

半导体器件习题及答案(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--1第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。

（ ）2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。

（ ）3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。

（ ）4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ ）5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。

（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。

（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。

（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。

（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。

（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（ ）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。

（ ）13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。

（ ）15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。

（ ）16、有人测得某晶体管的U BE =，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =20μA=35kΩ。

（ ）17、有人测得晶体管在U BE =，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =Ω。

（ ）18、有人测得当U BE =，I B =10μA 。

考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆-（ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。

第1章 直流电路一、 填空题：1. 任何一个完整的电路都必须有 、 和 3个基本部分组成。

电路的作用是对电能进行 、 和 ；对电信号进行 、和 。

2. 电路有 、 和 三种工作状态。

当电路中电流0R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 _____上。

3.从耗能的观点来讲，电阻元件为 元件；电感和电容元件为 元件。

4. 电路图上标示的电流、电压方向称为 ，假定某元件是负载时，该元件两端的电压和通过元件的电流方向应为 方向。

二、选择题：1. 当元件两端电压与通过元件的电流取关联参考方向时，即为假设该元件（ ）功率；当元件两端电压与通过电流取非关联参考方向时，即为假设该元件（ ）功率。

A 、吸收；B 、发出。

2. 当电流源开路时，该电流源内部（ ）A 、有电流，有功率损耗；B 、无电流，无功率损耗；C 、有电流，无功率损耗。

3. 某电阻元件的额定数据为“1K Ω、2.5W ”，正常使用时允许流过的最大电流为（ ）A 、50mA ；B 、2.5mA ；C 、250mA 。

三、简答题1. 什么是电流参考方向？什么是关联参考方向？2.为什么不能使实际电压源短路？四、计算题1. 已知电路如图1.4所示，其中E 1=15V ，E 2=65V ，R 1=5Ω，R 2=R 3=10Ω。

试求R 1、R 2和R 3三个电阻上的电压。

2. 试用支路电流法，求图1.6电路中的电流I3。

3. 已知电路如图1.10所示。

试应用叠加原理计算支路电流I和电流源的电压U。

教材P25页24、25、28第2章正弦交流电路一、填空题：1. 表征正弦交流电振荡幅度的量是它的；表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的。

三者称为正弦量的。

2. 在RLC串联电路中，已知电流为5A，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，那么电路的阻抗为，该电路为性电路。

电路中吸收的有功功率为，吸收的无功功率为。

第二章1一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。

解：)0(,22xx qaxdxdp S )(,22n SDx xqN dxd),(2)(22x x x xqa dx d x ppSnn SDx xx xqN dxd x 0),()(x ＝0处E 连续得x n ＝1.07μm x 总=x n +x p =1.87μm n px x biVdx x E dxx E V 00516.0)()(m V x qa E pS/1082.4)(252max,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。

2一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。

解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L ppp 3103，cmD L nnn 31045.2np n pn p SL n qD L p qD J 0I S =A*J S =1.0*10-16A 。

＋0.7V 时，I ＝49.3μA ，－0.7V 时，I ＝1.0*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区存贮的少数载流子总量。

设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。

解：P ＋>>n ，正向注入：0)(2202pn nn nLp p dxp p d ，得：)sinh()sinh()1(/00pnnpnkTqV n n nL x W L x W ep p p n nW x n n Adxp p qAQ20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm ，计算此时击穿电压。

第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________ A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。

若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。

第五章半导体铸件一、填空I、半导体是指物质。

2、半导体具有、、的特性，最重要的是特性。

3、纯净硅或者楮原子最外层均有四个电子，常因热运动或光照等原因挣脱原子核的束缚成为.在原来的位置上留下一个空位，称为°4、自由电子带电,空穴带电。

5、半导体导电的一个她本特性是指，在外电场的作用下，自由电子和空穴均可定向移动形成.6、在单晶硅（或者错〉中掺入微限的五价元素,如磷，形成掺杂半导体,大大提高f导电能力，这种半导体中数远大于一数，所以兼导电。

将这种半导体称为或半导体。

7、在单晶硅（或者楮）中掺入微量的三价元素,如硼，形成掺杂半导体，这种半导体中数远大于数，所以兼导电.将这种半导体称为或半导体.8、PN结具有导电性，即加电压时PN结导通.加电压时PN结截止。

9、PN结加正向电压是指在P区接电源极，N区接电源极，此时电流能通过PN结，称PN结处于状态。

相反，PN结加反向电压是指在P区接电源极，N区接电源极,此时电流不能通过PN结，称PN结处下状态.10、一.极管的正极又称为极，由PN结的—区引出，负极又称为极，由PN结的_____ 区引出。

I1.按照芯片材料不同，二极管可分为和两种。

12、按照用途不同，二极管可分为、、、、13、二极管的伏安特性曲线是指二极管的关系曲线。

该曲线由和两部分组成。

14、二极管的正向压降是指，也称为。

15、从二极管的伏安特性曲线分析，二极管加电压时二极管导通，导通时，硅+5V OV +4.7V -IOV14,场效应晶体管的导电沟通是指什么？绝缘栅型场效应晶体管的类型及符号是什么？15、简述晶闸管的导通条件，已导通的晶闸管如何关断？五、知识集接与拓展I、用万用表如何测量二极管和-：极管的各个管脚，如何鉴定质量好坏？2、如何识别电容元件及电感元件？第五章半导体器件一、填空］、半导体是指常温卜.导电性能介于导体与绝缘体之间的材料物质.2、半导体具有热敏性、光敏性、掺杂性的特性,最全要的是一热敏性特性。

第五章 半导体器件一、含有二极管电路的计算1、习题 5.2.1如题5.2.1图所示电路中，试求下列几种情况下输出端Y 的电位V Y 及各元件中通过的电流：（2）V A =+3V ，V B =0V ；二极管的正向压降可忽略不计。

解：（2）当V A =3V ,V B =0时，因二极管D B 正向偏置，而使其处于导通状态，即D B 导通，同时使D A 反向偏置，而使D A 截止，则流过D A 的电流为0；流过D B 和电阻R 上的电流相等，即：mA I I DB R 07.39.312===，输出端V Y =0V 。

2、习题5.2.2 题5.2.3图所示，E=5V ，,sin 10tV u i ω= 二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压0u 的波形。

题5.2.1图题5.2.3图解：利用二极管的单向导电性，分析各个电路，所以它们的输出电压波形分别为：(a)、(b)对应的波形为如下图（a）。

二、含有稳压管的电路的计算1、习题 5.3.1现有两个稳压管D Z1、D Z2，稳定电压分别为4.5V和9.5V，正向电压均为0.5V，试求如题5.3.1图所示各电路中的输出电压U0。

（a）（b）（c）（d）（e）（f）题5.3.1图解：（a ）图：V U U U Z Z 145.95.4210=+=+=（b ）图：V U 00= ，因为外加电压小于两个稳压管的稳压值。

（c ）图：V U 15.05.00=+=， 两个稳压管的均正向导通。

（d ）图：V U 00= ，因为外加电压使稳压管 D Z2反向但不击穿而截止。

（e ）图：V U 55.05.40=+= ，因为外加电压使稳压管 D Z1反向击穿且稳压，D Z2正向。

（f ）图：V U U U Z Z 55.45.9120=-=-= ，外加电压使稳压管 D Z1、D Z2反向稳压。

2、习题 5.3.2 已知稳压管的稳压值U Z ＝10V ，稳定电流的最大值I Zmax ＝23mA 。

电工与电子技术-半导体器件电子教案第一章：半导体基础知识1.1 半导体的概念与分类1.2 半导体的物理性质1.3 半导体材料的制备与掺杂1.4 半导体器件的优点与局限性第二章：二极管2.1 二极管的结构与工作原理2.2 二极管的伏安特性2.3 二极管的分类与参数2.4 二极管的应用举例第三章：晶体管3.1 晶体管的结构与工作原理3.2 晶体管的分类与参数3.3 晶体管的放大作用3.4 晶体管的应用举例第四章：场效应晶体管4.1 场效应晶体管的结构与工作原理4.2 场效应晶体管的分类与参数4.3 场效应晶体管与晶体管的比较4.4 场效应晶体管的应用举例第五章：集成电路5.2 集成电路的分类与特点5.3 集成电路的封装与测试5.4 集成电路的应用举例第六章：晶闸管6.1 晶闸管的结构与工作原理6.2 晶闸管的伏安特性6.3 晶闸管的触发与维持6.4 晶闸管的应用举例第七章：可控硅7.1 可控硅的结构与工作原理7.2 可控硅的触发与控制7.3 可控硅的应用领域7.4 可控硅与其他器件的比较第八章：集成电路设计基础8.1 集成电路设计的基本流程8.2 数字集成电路设计8.3 模拟集成电路设计8.4 集成电路设计软件与工具第九章：集成电路制造技术9.1 集成电路的制造流程9.2 晶圆制造技术9.4 集成电路制造的发展趋势第十章：半导体器件的检测与维护10.1 半导体器件的检测方法10.2 半导体器件的测试仪器与设备10.3 半导体器件的维护与保养10.4 半导体器件的故障分析与处理第十一章：功率半导体器件11.1 功率二极管和快恢复二极管11.2 晶闸管模块和GTO11.3 IGBT和MOSFET11.4 功率集成电路和模块第十二章：传感器与半导体器件12.1 温度传感器12.2 压力传感器12.3 光敏传感器和光电子器件12.4 超声波传感器和其他传感器第十三章：半导体器件在通信技术中的应用13.1 晶体管在放大器和振荡器中的应用13.2 集成电路在数字通信中的应用13.3 光电器件在光纤通信中的应用13.4 射频识别技术(RFID)和半导体器件第十四章：半导体器件在计算机技术中的应用14.1 微处理器和逻辑集成电路14.2 存储器原理和存储器芯片14.3 显卡和显示技术中的半导体器件14.4 固态硬盘和闪存技术第十五章：半导体器件的安全、环保与可靠性15.1 半导体器件的安全性15.2 环保型半导体器件的设计与制造15.3 半导体器件的可靠性原理15.4 故障诊断和寿命预测技术重点和难点解析本文主要介绍了电工与电子技术中的半导体器件相关知识，包括半导体基础知识、二极管、晶体管、场效应晶体管、集成电路、晶闸管、可控硅、集成电路设计基础、集成电路制造技术、半导体器件的检测与维护、功率半导体器件、传感器与半导体器件、半导体器件在通信技术中的应用、半导体器件在计算机技术中的应用以及半导体器件的安全、环保与可靠性等内容。