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1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。
2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。
三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。
3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。
扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。
空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。
三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。
A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。
3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。
A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。
5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。
A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。
A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
电工电子技术徐淑华答案电工电子技术徐淑华答案【篇一：电工电子习题与答案】题、答案习题思考题1．什么是二极管的单向导电性？2．理想二极管指的是什么？3．什么是二极管的反向恢复时间？4．稳压二极管电路中的限流电阻有何作用？5．共发射极三极管电路的放大作用是如何实现的？6．如何判断三极管工作状态：截止区？放大区？还是饱和区？7．三极管的开启时间和关闭时间指的是什么？8．mos场效应管的开启电压是什么？9．如何判断nmos场效应管的工作状态：截止区？恒流区？还是可变电阻区？10．mos场效应管的跨导gm是如何定义的？11．mos场效应管的导通电阻rds是如何定义的？在可变电阻区和恒流区rds值是否相同？填空题l，n型半导体中的多数载流子是＿＿＿＿＿。
2．pn结具有＿＿＿导电性。
3．半导体二极管、三极管有硅管和＿＿＿管。
4．硅管二极管的导通电压uon约为＿＿＿，导通后其管压降约为＿＿＿；锗管的uon约为＿＿＿，导通后其管压降约为＿＿＿。
5．理想二极管导通时，其管压降ud=＿＿＿、其等效电阻rd=＿＿＿。
6．三极管是一种电＿＿控制器件。
8．场效应管是一种电＿＿控制器件。
11．场效应管的开关速度主要受管子的＿＿电容影响，其数值通常在皮法拉级。
练习题1．1．*(2-1)在下图p1.1（a）、(b)、（c）电路中,设二极管为理想二极管,输入电压图p1.12．2．*(2-2)一个npn型硅三极管电路如图p1.2（a）所示，其输出特性曲线如图p1.2（b）所示。
试在（b）图上标出截止区、饱和区及放大区。
图p1.24．*(2-4)若已知一个三极管的集电极最大允许功耗650mw，问：（l）当uce=15v时，其最大允许集电极电流ic=？（2）当uce=0.3v时，其最大允许集电极电流ic=？5．*(2-5)在习题2中，若已知管子的导通电压uon=0.6v，管子导通后ube=0.7v，uces=0.3v,（l）电路在ui=uil=ov和ui=uih=5v时的工作状态（截止，饱和，放大？）（2）若固定rb值不变，求电路工作在临界饱和区时rc最小值。
第1章 直流电路一、 填空题：1. 任何一个完整的电路都必须有、和3个基本部分组成。
电路的作用是对电能进行、和；对电信号进行、和。
2. 电路有、和三种工作状态。
当电路中电流0R U I S、端电压U ＝0时，此种状态称作，这种情况下电源产生的功率全部消耗在_____上。
3.从耗能的观点来讲，电阻元件为元件；电感和电容元件为元件。
4. 电路图上标示的电流、电压方向称为，假定某元件是负载时，该元件两端的电压和通过元件的电流方向应为方向。
二、选择题：1. 当元件两端电压与通过元件的电流取关联参考方向时，即为假设该元件（）功率；当元件两端电压与通过电流取非关联参考方向时，即为假设该元件（）功率。
A 、吸收；B 、发出。
2. 当电流源开路时，该电流源内部（）A 、有电流，有功率损耗；B 、无电流，无功率损耗；C 、有电流，无功率损耗。
3. 某电阻元件的额定数据为“1K Ω、2.5W ”，正常使用时允许流过的最大电流为（）A 、50mA ；B 、2.5mA ；C 、250mA 。
三、简答题1. 什么是电流参考方向？什么是关联参考方向？2.为什么不能使实际电压源短路？ 四、计算题1. 已知电路如图1.4所示，其中E 1=15V ，E 2=65V ，R 1=5Ω，R 2=R 3=10Ω。
试求R 1、R 2和R 3三个电阻上的电压。
2.试用支路电流法，求图1.6电路中的电流I3。
3.已知电路如图1.10所示。
试应用叠加原理计算支路电流I和电流源的电压U。
教材P25页24、25、28第2章正弦交流电路一、填空题：1. 表征正弦交流电振荡幅度的量是它的；表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的。
三者称为正弦量的。
2. 在RLC串联电路中，已知电流为5A，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，那么电路的阻抗为，该电路为性电路。
电路中吸收的有功功率为，吸收的无功功率为。
3. 对称三相负载作Y接，接在380V的三相四线制电源上。
半导体器件习题及答案(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--1第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ）2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ）3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ）4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ）13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ）15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ）16、有人测得某晶体管的U BE =，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =20μA=35kΩ。
（ ）17、有人测得晶体管在U BE =，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =Ω。
（ ）18、有人测得当U BE =，I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆-（ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
第1章 直流电路一、 填空题：1. 任何一个完整的电路都必须有 、 和 3个基本部分组成。
电路的作用是对电能进行 、 和 ；对电信号进行 、和 。
2. 电路有 、 和 三种工作状态。
当电路中电流0R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 _____上。
3.从耗能的观点来讲，电阻元件为 元件；电感和电容元件为 元件。
4. 电路图上标示的电流、电压方向称为 ，假定某元件是负载时，该元件两端的电压和通过元件的电流方向应为 方向。
二、选择题：1. 当元件两端电压与通过元件的电流取关联参考方向时，即为假设该元件（ ）功率；当元件两端电压与通过电流取非关联参考方向时，即为假设该元件（ ）功率。
A 、吸收；B 、发出。
2. 当电流源开路时，该电流源内部（ ）A 、有电流，有功率损耗；B 、无电流，无功率损耗；C 、有电流，无功率损耗。
3. 某电阻元件的额定数据为“1K Ω、2.5W ”，正常使用时允许流过的最大电流为（ ）A 、50mA ；B 、2.5mA ；C 、250mA 。
三、简答题1. 什么是电流参考方向？什么是关联参考方向？2.为什么不能使实际电压源短路？四、计算题1. 已知电路如图1.4所示，其中E 1=15V ，E 2=65V ，R 1=5Ω，R 2=R 3=10Ω。
试求R 1、R 2和R 3三个电阻上的电压。
2. 试用支路电流法，求图1.6电路中的电流I3。
3. 已知电路如图1.10所示。
试应用叠加原理计算支路电流I和电流源的电压U。
教材P25页24、25、28第2章正弦交流电路一、填空题：1. 表征正弦交流电振荡幅度的量是它的；表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的。
三者称为正弦量的。
2. 在RLC串联电路中，已知电流为5A，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，那么电路的阻抗为，该电路为性电路。
电路中吸收的有功功率为，吸收的无功功率为。
第二章1一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。
解：)0(,22xx qaxdxdp S )(,22n SDx xqN dxd),(2)(22x x x xqa dx d x ppSnn SDx xx xqN dxd x 0),()(x ＝0处E 连续得x n ＝1.07μm x 总=x n +x p =1.87μm n px x biVdx x E dxx E V 00516.0)()(m V x qa E pS/1082.4)(252max,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L ppp 3103，cmD L nnn 31045.2np n pn p SL n qD L p qD J 0I S =A*J S =1.0*10-16A 。
＋0.7V 时，I ＝49.3μA ，－0.7V 时，I ＝1.0*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
解：P ＋>>n ，正向注入：0)(2202pn nn nLp p dxp p d ，得：)sinh()sinh()1(/00pnnpnkTqV n n nL x W L x W ep p p n nW x n n Adxp p qAQ20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm ，计算此时击穿电压。
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________ A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
