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5000种场效应管参数场效应管是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电路。
与双极性晶体管相比，场效应管具有较高的输入阻抗和较低的功耗。
根据不同的应用需求，场效应管有很多不同的参数。
以下是5000种场效应管的一些常见参数：1.管子类型：场效应管分为N型和P型两种类型。
N型场效应管是以负电压作用于栅极时导通，而P型场效应管是以正电压作用于栅极时导通。
2.最大漏极电流：场效应管可以通过的最大漏极电流。
不同型号的场效应管具有不同的最大漏极电流。
3.开启电压：场效应管进入导通状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的开启电压。
4.截止电压：场效应管进入截止状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的截止电压。
5.静态漏极电阻：当场效应管工作在饱和状态时，漏极电压变化与漏极电流之间的比值。
6.转导电导：场效应管的输出电流和输入电压之间的比例关系。
7.最大功耗：场效应管能够承受的最大功率。
8.响应时间：场效应管从关态到开态或开态到关态的响应时间。
9.管脚电容：场效应管各管脚之间的电容。
10.峰值电压：场效应管可以承受的最大电压。
此外，还有许多其他参数，如漏极反向电流、漏极与源极之间的电阻、起始电流、迁移率、温度系数等，这些参数也是来描述场效应管性能的重要指标。
需要注意的是，由于场效应管有很多不同型号，每种型号的参数都有所不同。
因此，在实际应用中，需要根据具体的需求选择合适的场效应管型号。
以上仅列举了一小部分场效应管的参数，实际上还有许多其他参数。
场效应管参数对照表场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种常用的半导体器件，其工作原理基于场效应。
场效应管分为两种基本类型：N-沟道型场效应管（N-channel FET）和P-沟道型场效应管（P-channel FET）。
场效应管有着很多特性参数，下面是场效应管常见参数的对照表。
1. 驱动电压（Vds）：场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差，也成为漏极与源极之间的电压。
该驱动电压决定了场效应管的导通与截止，一般用正参考电压。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的初始电压，也就是漏极电流开始出现的电压。
阈值电压决定了FET是否在导通状态，一般用负参考电压。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指通过场效应管漏极的电流，当驱动电压大于阈值电压时，场效应管导通，漏极电流会随之增加。
4. 器件尺寸（Size）：场效应管的尺寸通常由器件的长度（L）和宽度（W）决定。
尺寸越大，场效应管的漏极电流也越大。
5. 开关速度（Switching Speed）：场效应管的开关速度指的是从导通到截止或者从截止到导通的反应时间。
开关速度快的场效应管适用于高频应用。
6. 衰减（Attenuation）：场效应管的衰减是指信号经过场效应管后的信号衰减量。
7. 耐压（Vdss）：耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大电压。
一般情况下，Vdss会比驱动电压Vds的值要大。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端的容量。
输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。
9. 输出电阻（Rds）：输出电阻是指场效应管导通状态下，漏极与源极之间的等效电阻。
输出电阻越小，对负载输出能力越强。
10. 控制源电压（Vgs）：控制源电压是指场效应管的栅极电压，通过改变栅极电压，可以控制场效应管的导通与截止。
以上是几个常见的场效应管参数对照表。
不同应用场景的场效应管参数有所不同，使用时需根据具体需求来选择合适的场效应管。
常用场效应管的种类与识别一、什么是场效应管场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管。
这种晶体管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体元件。
具有输入阻抗高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极（闸极）与其他电极完全绝缘而得名。
按沟道半导体材料的不同，场效应管又分为N沟道和P沟道两种。
P沟道场效应管的工作原理与N沟道场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已，这如同三极管有NPN型和PNP型一样。
同普通三极管一样，场效应管也有三个引脚，分别是门极（又称栅极）、源极、漏极3个端子。
场效应管可看做一只普通三极管，栅极（闸极）G对应基极B，漏极D对应集电极C，源极S对应发射极E（N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP晶体管）。
二、常用场效应管的种类与识别目前应用最为广泛的是绝缘栅型场效应管，简称MOS管或简称MOSFET（Met al Oxide Semiconductor FET，即金属-氧化物-半导体场效应管），这里就侧重介绍绝缘栅型场效应管的相关知识与测量方法。
1、常用场效应管的种类（1）小功率场效应管常用的小功率场效应管主要有TO-92封装和SOT-23、SOT-223等封装形式。
采用TO-92封装的场效应管型号常用的有2N7002、BSP254、BS170、1N60等。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
TO-92封装场效应管的实物如图1所示。
图1 TO-92封装场效应管采用SOT-23封装的有代码为K1N、K72、K7A、K7B的2N7002（N沟道）、代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等型号。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类：场效应管K1113 管脚排列图：MOS场效应管的检测方法:（1）．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。
最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。
若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。
交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。
日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。
双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。
为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
MOS场效应晶体管使用注意事项：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。
MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS 器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。
常用全系列场效应管M OS管型号参数封装资料场效应管分类型号简介封装DIS CRETEMOSFET 2N7000 60V,0.115A TO-92DIS CRETEMOSFET 2N7002 60V,0.2A SOT-23DI SCRET EMOS FETI RF510A 100V,5.6A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A 100V,14A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF540A 100V,28A T O-220DIS CRETEMOSFET IR F610A200V,3.3A TO-220DI SCRET EMOS FETI RF620A 200V,5A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF630A 200V,9A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF634A 250V,8.1A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF640A 200V,18A T O-220DIS CRETEMOSFET IR F644A250V,14A TO-220DI SCRET EMOS FETI RF650A 200V,28A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A 400V,3.3A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF730A 400V,5.5A T O-220 DIS CRETEMOSFET IR F740A400V,10A TO-220 DI SCRET EMOS FETI RF750A 400V,15A TO-220 D ISCRE TEMO S FETIRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCR ETEM OS FE T IRF830A 500V,4.5A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF840A 500V,8AT O-220 DIS CRETEMOSFET IR F9520TO-220DI SCRET EMOS FETI RF9540 TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF9610 TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9620 TO-220DISC RETEMOS F ET IRF P150A 100V,43A T O-3PDISC RETEMOS F ET IRF P250A 200V,32A T O-3PDISC RETEMOS F ET IRF P450A 500V,14A T O-3PDISC RETEMOS F ET IRF R024A 60V,15AD-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R120A 100V,8.4A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R214A 250V,2.2A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R220A 200V,4.6A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R224A 250V,3.8A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R310A 400V,1.7A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R9020TF D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF S540A 100V,17A T O-220F DI SCRET EMOS FETI RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCR ETEM OS FE T IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DIS CRETEMOSFET IR FS640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FETIRFS644A 250V,7.9A TO-220FDISC RETEMOS F ET IRF S730A 400V,3.9A T O-220F DI SCRET EMOS FETI RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCR ETEM OS FE T IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DIS CRETEMOSFET IR FS840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FETIRFS9Z34 -60V,12A TO-220FDISC RETEMOS F ET IRF SZ24A 60V,14AT O-220FDI SCRET EMOS FETI RFSZ34A 60V,20A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRFU110A 100V,4.7A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU120A 100V,8.4A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU220A 200V,4.6A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU410A 500V I-PAKDISC RETEMOS F ET IRF U420A 500V,2.3A I-PAKDIS CRETEMOSFET IR FZ20A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRFZ24A 60V,17A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF Z30 TO-220DI SCRET EMOS FETI RFZ34A 60V,30A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRFZ40 T O-220DIS CRETEMOSFET IR FZ44A60V,50A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRLS530A 100V,10.7A,Log ic T O-220F DI SCRET EMOS FETI RLSZ14A 60V,8A,Log ic TO-220F D ISCRE TEMO S FETIRLZ24A 60V,17A,L ogic TO-220 D ISCRE TEMO S FETIRLZ44A 60V,50A,L ogic TO-220 D ISCRE TEMO S FETSFP36N03 30V,36A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP65N06 60V,65A TO-220DISC RETEMOS F ET SFP9540 -100V,17A T O-220DIS CRETEMOSFET SF P9634-250V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETS FP9644 -250V,8.6A TO-220D ISCRE TEMO S FETSFP9Z34 -60V,18A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFR9214 -250V,1.53A D-PAKDISC RETEMOS F ET SFR9224 -250V,2.5A D-PAKDIS CRETEMOSFET SF R9310 -400V,1.5A D-PA KDI SCRET EMOS FETS FS9630 -200V,4.4A TO-220FDISC RETEMOS F ET SFS9634 -250V,3.4A TO-220FD ISCRE TEMO S FETSFU9220 -200V,3.1A I-PAKDISCR ETEM OS FE T SSD2002 25V N/P Du al 8SOPDISC RETEMOS F ET SSD2019 20VP-chDual 8SOP DIS CRETEMOSFET SS D2101 30V N-ch Sing le 8SOP DISCR ETEM OS FE T SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH60N10 TO-3PDISCR ETEM OS FE T SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSP10N60A 600V,9A TO-220DISC RETEMOS F ET SSP1N60A 600V,1AT O-220 DIS CRETEMOSFET SS P2N90A 900V,2A TO-220 DI SCRET EMOS FETS SP35N03 30V,35A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCR ETEM OS FE T SSP4N60A 600V,4A TO-220DISC RETEMOS F ET SSP4N60A S 600V,4AT O-220 DIS CRETEMOSFET SS P4N90AS 900V,4.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSP5N90A 900V,5A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP6N60A 600V,6A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP70N10A 100V,55A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP7N80A 800V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP80N06A 60V,80A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSR1N60A 600V,0.9A D-P AK D ISCRE TEMO S FETSSR2N60A 600V,1.8A D-P AK D ISCRE TEMO S FETSSR3055A 60V,8A D-P AKD ISCRE TEMO S FETSSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISC RETEMOS F ET SSS2N60A 600V,1.3A T O-220F DI SCRET EMOS FETS SS3N80A 800V,2A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS3N90A 900V,2A TO-220FDISC RETEMOS F ET SSS4N60A 600V,3.5A T O-220(F/P) DIS CRETEMOSFET SS S4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DI SCRET EMOS FETS SS4N60AS 600V,2.3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220FDIS CRETEMOSFET SS S5N80A 800V,3A TO-220FD ISCRE TEMO S FETSSS6N60A 600V, TO-220(F/P)常用贴片三极管查询贴片三极管型号查询直插封装的型号贴片的型号9011 1T9012 2T9013 J39014J69015 M69016 Y69018 J8S8050 J3YS8550 2T Y8050 Y18550Y22S A1015 BA2SC1815 HF2SC945 CRMMBT3904 1AMMM BT3906 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场效应管的作用、规格及分类1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。
然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。
图1（a）表示n沟道JFET的特性例。
以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。
在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。
VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。
此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。
与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。
将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。
关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的I，用以门D"。
常用场效应管与三极管参数一、场效应管（MOSFET）场效应管是一种基于场效应原理工作的半导体器件。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗和良好的高频响应。
场效应管有N沟道和P沟道两种类型。
常用的N沟道场效应管为N-沟道金属氧化物半导体场效应管（NMOS），而常用的P沟道场效应管为P-沟道金属氧化物半导体场效应管（PMOS）。
1. 阈值电压（Vth）- 阈值电压是场效应管的一个重要参数。
它指的是在场效应管的控制电压达到一定程度时，导电性开始有效的电压。
对于NMOS，控制电压高于阈值电压时，NMOS将开启，并使电流通过。
而对于PMOS，控制电压低于阈值电压时，PMOS将开启，并使电流通过。
2. 饱和电流（IDsat）- 饱和电流是场效应管导通时的最大电流。
当场效应管被完全点通时，达到饱和电流的最大值。
它决定了场效应管的能力和性能。
3. 导通电阻（Ron）- 导通电阻指的是场效应管在线性区域时的等效电阻。
导通电阻越小，线性区域的电流控制能力越强。
4. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）- 最大漏极-源极电压是场效应管可以承受的最大电压。
超过这个电压，场效应管可能损坏。
5. 输出电容（Coss）- 输出电容是场效应管的一种内部电容。
它与频率响应和开关速度有关。
较大的输出电容可能导致电压上升和下降的延迟。
6. 开关时间（ton、toff）- 开关时间指场效应管从关闭到打开的时间和从打开到关闭的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
7.漏极电流-漏极电压特性（Id-Vd）-这个特性曲线描述了场效应管的非线性特性。
在不同的漏极电压下，漏极电流的变化将给出场效应管的工作区域。
二、三极管（BJT）三极管是一种基于电流控制原理工作的半导体器件。
它由基极（B）、发射极（E）和集电极（C）三个区域组成。
常见的三极管有NPN和PNP两种类型。
1.饱和电流增益（β）-饱和电流增益是指集电极电流与基极电流之间的比率。
它决定了三极管的放大能力。
