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电子科技大学2014年《820计算机专业基础》考研专业课真题试卷电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：820计算机专业基础注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
《计算机操作系统》一、填空题（10分，每空2分）1.现有3个同时到达的作业J1、J2和J3，它们的执行时间分别为T1、T2和T3，且T1<t3<t2。
< bdsfid="72" p=""></t3<t2。
<> 若这三个作业在同一台处理器上以单道方式运行，则平均周转时间最小的执行顺序是____。
2.若一个信号量的初值是5，经过多次P、V操作以后，其值变为-3，则此时等待进入临界区的进程数目是____。
3.某基本分页存储管理系统具有快表，内存访问时间为2sμ，检索快表的时间为0.5sμ。
若快表的命中率为80%，且忽略快表更新时间，则有效访问时间是____sμ。
4.在段页式存储管理系统中，若不考虑快表，为获得一条指令或数据，至少需要访问_____次内存。
5.某虚拟存储器中的用户空间共有32个页面，每页1KB，主存16KB。
假设某时刻系统为用户的第0、1、2、3页分别分配的物理块为5、10、4、7，则虚拟地址0A6F对应的物理地址是_______（请使用十六进制表示）。
二、选择题（14分，每题2分）1.现代操作系统中最基本的两个特征是（）。
A. 共享和不确定B. 并发和虚拟C. 并发和共享D. 虚拟和不确定2.引入多道程序技术的前提条件之一是系统具有（）。
A. 分时功能B. 中断功能C. 多CPU技术D. SPOOLing技术3.操作系统是根据（）来对并发执行的进程进行控制和管理的。
A. 进程的基本状态B. 进程调度算法C. 进程的优先级D. 进程控制块4.在段页式存储管理系统中，地址映射表是（）A. 每个进程一张段表，一张页表。
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。
（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
