电工与电子技术第三章 集成运算放大器及其应用

电子技术试题及答案-(《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。

一、填空题：第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。

Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。

○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。

Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。

○5、PN结具有单向导电特性。

○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。

Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。

★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。

○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。

Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。

★12、发光二极管将电信号转换为光信号。

★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。

第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。

○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。

Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。

★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。

Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。

《电子技术基础》第三章集成运算放大器及其应用试卷一、单项选择题1.集成运算反相器应是( )。

(2 分)A.A uf=lB.A uf=∞C.A uf=-1D.A uf=02.差动放大器是利用( )抑制零漂的。

(2 分)A.电路的对称性B.共模负反馈C.电路的对称性和共模负反馈D.差模负反馈3.输入失调电压是( )。

(2 分)A.两个输入端电压之差B.输入端都为零时的输出电压C.输出端为零时输入端的等效补偿电压。

4.同相比例运算电路在分析时不用( )概念。

(2 分)A.虚短B.虚断C.虚地5.集成运算放大器若输入电压过高,会对输入级( )。

(2 分)A.造成损坏B.造成输入管的不平稳,使运放的各项性能变差C.影响很小6.集成反相器的条件是( )(2 分)A.A uf=-1B.A uf=1C.R f=0D.R f=∞E.R f=R7.抑制零点漂移最有效的方法是( )。

(2 分)A.采用差动放大器B.采用温度补偿电路C.尽量减小电源电压波动8.所谓差模输入信号是指两输入信号为( )。

(2 分)A.大小和相位都相同B.相位相反C.大小相同,相位相反9.电压比较器中,集成运放工作在( )状态。

(2 分)A.非线性B.开环放大C.闭环放大10.克服零点漂移最有效且最常用的是( )(2 分)A.放大电路B.振荡电路C.差动放大电路D.滤波电路二、判断题11.( )开环差模电压增益越高,构成的电路运算精度越高,工作也越稳定。

(2 分)12.( )直接耦合放大电路能够放大缓慢变化的信号和直流信号,但不能放大漂移信号。

(2 分)13.( )变压器耦合能使零点漂移信号传递到后级。

(2 分)14.( )差动放大电路的共模放大倍数实际上为零。

(2 分)15.( )集成运放工作在线性状态下,要实现信号运算时,两个输入端对地的直流电阻必须相等,才能防止偏置电流带来的运算误差。

(2 分)16.( )为防止自激,集成运放的补偿电容若制作在内部,无需外部补偿。

集成运放及其应用摘要:集成运算放大器已成为现代电子电路中的核心器件,它与不同的外接电路连接,可以工作在不同的区域,实现多种电路功能,广泛应用于信号运算、信号处理、信号变换及信号发生器等电子领域的各个方面。

关键词:集成运放特点应用集成运算放大器是一种将管和路紧密结合的电子器件,它以半导体单晶硅为芯片,采用专门的制造工艺,把晶体管、场效应管、二极管、电阻、电容等元件制作在一起,使之具有特定的功能。

目前集成运算放大器已成为现代电子电路中的核心器件,广泛应用于信号运算、信号处理、信号变换及信号发生器等电子领域的各个方面。

1 集成运算放大器的特点集成运算放大器与不同的外接电路连接,可以工作在不同的区域:线性区和非线性区。

运放工作在不同的区域时,有不同的特点。

1.1 集成运放工作在线性区的特点(1)u+≈u-,即两输入端电位近似相等。

由于两输入端电位相等,但又不是短路,故称为“虚短”。

(2)i+≈i-≈0,即两个输入端的电流近似为零。

由于两输入端并非开路而电流为零,故称为“虚断”。

[1]1.2 集成运放工作在非线性区的特点(1)当u+＞u-时,输出高电平+UOH;当u+＜u-时,输出低电平-UOL。

(2)流入输入端的电流近似等于零,即ii≈0,称为“虚断”。

这些重要结论是分析和应用集成运放的基础。

2 集成运算放大器的应用2.1 集成运放的线性应用将集成运放的输出信号通过电器元件反送到反相输入端,即接入深度负反馈,便可使集成运放工作在线性区,从而实现同相比例、反相比例、加法、减法、微分、积分等多种运算功能。

以加法运算为例,如图1。

对电路的反相输入端,根据“虚短”和“虚断”的特点可得出输出电压和输入电压的关系:可见,电路输出电压uo为输入电压ui1和ui2相加所得结果,即电路可以实现求和运算。

此外,集成运放在线性区工作时除了能够实现多种运算功能外,还可以实现波形变换、波形发生、整流、滤波、实现电压和电流的相互变换等多种功能。

电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。

导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。

单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。

0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。

最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。

导体，绝缘体，半导体7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。

单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。

（）N２、二极管是线性元件。

（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。

（）N４、二极管具有单向导电性。

（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。

（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。

（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。

集成运算放⼤器及其应⽤第5章集成运算放⼤器及其应⽤在半导体制造⼯艺的基础上，把整个电路中的元器件制作在⼀块硅基⽚上，构成具有特定功能的电⼦电路，称为集成电路。

集成电路具有体积⼩，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性⾼，性能好等优点，同时成本低，便于⼤规模⽣产，因此其发展速度极为惊⼈。

⽬前集成电路的应⽤⼏乎遍及所有产业的各种产品中。

在军事设备、⼯业设备、通信设备、计算机和家⽤电器等中都采⽤了集成电路。

集成电路按其功能来分，有数字集成电路和模拟集成电路。

模拟集成电路种类繁多，有运算放⼤器、宽频带放⼤器、功率放⼤器、模拟乘法器、模拟锁相环、模/数和数/模转换器、稳压电源和⾳像设备中常⽤的其他模拟集成电路等。

在模拟集成电路中，集成运算放⼤器（简称集成运放）是应⽤极为⼴泛的⼀种，也是其他各类模拟集成电路应⽤的基础，因此这⾥⾸先给予介绍。

5.1 集成电路与运算放⼤器简介5.1.1 集成运算放⼤器概述集成运放是模拟集成电路中应⽤最为⼴泛的⼀种，它实际上是⼀种⾼增益、⾼输⼊电阻和低输出电阻的多级直接耦合放⼤器。

之所以被称为运算放⼤器，是因为该器件最初主要⽤于模拟计算机中实现数值运算的缘故。

实际上，⽬前集成运放的应⽤早已远远超出了模拟运算的范围，但仍沿⽤了运算放⼤器（简称运放）的名称。

集成运放的发展⼗分迅速。

通⽤型产品经历了四代更替，各项技术指标不断改进。

同时，发展了适应特殊需要的各种专⽤型集成运放。

第⼀代集成运放以µA709（我国的FC3）为代表，特点是采⽤了微电流的恒流源、共模负反馈等电路，它的性能指标⽐⼀般的分⽴元件要提⾼。

主要缺点是内部缺乏过电流保护，输出短路容易损坏。

第⼆代集成运放以⼆⼗世纪六⼗年代的µA741型⾼增益运放为代表，它的特点是普遍采⽤了有源负载，因⽽在不增加放⼤级的情况下可获得很⾼的开环增益。

电路中还有过流保护措施。

但是输⼊失调参数和共模抑制⽐指标不理想。

第三代集成运放代以⼆⼗世纪七⼗年代的AD508为代表，其特点使输⼊级采⽤了“超β管”，且⼯作电流很低。