protel元器件封装大全
- 格式:doc
- 大小:1.25 MB
- 文档页数:27
protel99se常用封装库元件&分立元件库(三份资料汇总)资料一:1.电阻固定电阻:RES 半导体电阻:RESSEMT 电位计:POT 变电阻:RVAR 可调电阻:res12.电容定值无极性电容;CAP 定值有极性电容;CAP 半导体电容:CAPSEMI 可调电容:CAPVAR3.电感:INDUCTOR4.二极管:DIODE.LIB 发光二极管:LED5.三极管:NPN16.结型场效应管:JFET.lib7.MOS场效应管8.MES场效应管9.继电器:RELAY. LIB10.灯泡:LAMP11.运放:OPAMP12.数码管:DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB)13.开关;sw_pb原理图常用库文件:Miscellaneous Devices.ddb Dallas Microprocessor.ddb Intel Databooks.ddb Protel DOS Schematic Libraries.ddbPCB元件常用库:Advpcb.ddb General IC.ddb Miscellaneous.ddb资料二:_________________________________________________________________________Q:在protel99se中调出power objects的时候,调出的竟然是上下滚动条——不能用power objectsA:VIEW(视图)----TOOLBARS(工具条)----Customize(定制)----右键单击POWER OBJECTS(电源工具栏)----Edit...(编辑)----找到Position栏----将其换成Fixed TOP!OK!!!!!!!!!!Q: 第一次使用,在Documents建立了一个新的sheet后总是出现一个Lock对话框,里面是Lock Properties,然后有一把钥匙的形状,旁边写着Available Access Code,再旁边是三个选项分别是Add,Remove 和Edit。
protel99常用元件的封装1.电阻原理图中常用的名称为RES1-RES4;引脚封装形式:AXIAL系列从AXIAL-0.3到AXIAL-1.0,后缀数字代表两焊盘的间距,单位为Kmil.2.电容原理图中常用的名称为CAP(无极性电容)、ELECTRO(有极性电容)引脚封装形式:无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4,有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.03.电位器原理图中常用的名称为POT1和POT2;引脚封装形式:VR-1到VR-54.二极管原理图中常用的名称为DIODE(普通二极管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二极管)DUIDE TUNNEL(隧道二极管)DIODE VARCTOR(变容二极管)ZENER1~3(稳压二极管),引脚封装形式:DIODE0.4和DIODE 0.7;5.三极管原理图中常用的名称为NPN,NPN1和PNP,PNP1;引脚封装形式TO18、TO92A(普通三极管)TO220H(大功率三极管)TO3(大功率达林顿管)7.场效应管原理图中常用的名称为JFET N(N沟道结型场效应管),JFET P(P沟道结型场效应管)MOSFET N(N沟道增强型管)MOSFET P(P沟道增强型管)引脚封装形式与三极管同。
8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2,引脚封装形式为D系列,如D-44,D-37,D-46等。
9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列,从CON1到CON60,引脚封装形式为SIP系列,从SIP-2到SIP-20。
10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同,引脚封装形式DIP系列11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列,引脚封装形式为DB和MD电阻 AXIAL无极性电容 RAD电解电容 RB-电位器 VR二极管 DIODE三极管 TO V;w电源稳压块78和79系列 TO-126H和TO-126V场效应管和三极管一样整流桥 D-44 D-37 D-46单排多针插座 CON SIP双列直插元件 DIP晶振 XTAL1电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46)电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。
protel常用元件库及电器符号和封装形式1. 标准电阻:RES1、RES2;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0POT-LIN(滑动变阻器),两端口可变电阻:RES3、RES4;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0三端口可变电阻:RESISTOR TAPPED,POT1,POT2;封装:VR1-VR52.电容:CAP(无极性电容)、ELECTRO1或ELECTRO2(极性电容)、可变电容CAPV AR封装:无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4,有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.3.二极管:DIODE(普通二极管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二极管)、DUIDE TUNNEL(隧道二极管)DIODE V ARCTOR(变容二极管)ZENER1~3(稳压二极管)封装:DIODE0.4和DIODE 0.7;(上面已经说了,注意做PCB 时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K)4.三极管:NPN,NPN1和PNP,PNP1;引脚封装:TO18、TO92A(普通三极管)TO220H(大功率三极管)TO3(大功率达林顿管)以上的封装为三角形结构。
T0-226为直线形,我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的,所以一般三极管都采用TO-126啦!5、效应管:JFETN(N沟道结型场效应管),JFETP(P沟道结型场效应管)MOSFETN(N沟道增强型管)MOSFETP(P 沟道增强型管)引脚封装形式与三极管同。
6、电感:INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2(普通电感),INDUCTOR V AR、INDUCTOR3、INDUCTOR4(可变电感)8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2,引脚封装形式为D系列,如D-44,D-37,D-46等。
9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列,从CON1到CON60,引脚封装形式为SIP系列,从SIP-2到SIP-20。
protel元件封装总结零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。
是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。
像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。
电阻AXIAL无极性电容RAD电解电容RB-电位器VR二极管DIODE三极管TO电源稳压块78和79系列TO-126H和TO-126V场效应管和三极管一样整流桥D-44 D-37 D-46单排多针插座CON SIP双列直插元件DIP晶振XTAL1电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46)电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。
其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1电解电容:RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。
一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6二极管:DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4 发光二极管:RB.1/.2集成块:DIP8-DIP40, 其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5关于零件封装我们在前面说过,除了DEVICE。
protel 99 se 常用器件封装元件类别元件库中名称常用封装电阻 RES1 、 RES2 AXIAL0.3 - AXIAL1.0 电阻排 RESPACK3 、 RESPACK4 DIP16滑线变阻器 POT1 、 POT2 VR1 - VR5无极性电容 CAP RAD0.1 - RAD0.4电解电容 ELECTRO1 、 ELECTRO2 RB.2/.4 - RB.5/1.0 (一般 <100uF 用 RB.1/.2 , 100uF-470uF 用 RB.2/.4 , >470uF 用 RB.3/ .6 )电感 INDUCTOR AXIAL0.3二极管 DIODE DIODE0.4 (小功率)、 DIODE0.7 (大功率)发光二极管 LED SIP2 或 DIODE0.4光敏二极管 PHOTO DIODE0.7三极管 NPN 、 NPN1 、 PNP 、 PNP1 TO- 系列大功率三极管 T0-3中功率三极管如果是扁平的用 TO-220 ,如果是金属壳的用 TO-66小功率三极管 TO-5 , TO-46 , TO-92A ,TO-92B 场效应管、 MOS管、JFET 、MOSFET 可以用跟三极管一样的封装光电耦合器 OPTOISO1 DIP4光电耦合器 OPTOISO2 BNC晶闸管 SCR TO-46稳压管 DIODE SCHOTTKY DIODE0.4电源稳压块 78 系列如 7805 , 7812 等 TO-126 、 TO-220 79 系列有 7905 , 7912 , 7920 等晶振 CRYSTAL XTAL1整流桥 BRIDGE1 、 BRIDGE2 FLY474 系列集成块 74* DIP4- - DIP64( 数字为不连续偶数 ) 双列直插元件 DIP4- - DIP64( 数字为不连续偶数 ) 555 定时器 555 DIP8熔断器 FUSE1 、 FUSE2 FUSE 单排多针插座 CON1 — CON50 (不连续) SIP2 — SIP20 (不连续)PIN 连接器(双排) 16PIN — 50PIN (不连续) IDC16 — IDC50 (不连续)4 端单列插头 HEADER4 POWER4双列插头 HEADER8 × 2 IDC16D型连接器 DB9 、 DB15 、 D25 、 D37 DB9 、 DB15 、 D25 、 D37 变压器 TRANS* 封装在 Transformers.lib 库中继电器 RELAY-* DIP* 、 SIP* 等单刀单掷开关 SW-SPST RAD*按钮 SW-PB DIP4电池 BATTERY RAD0.4电铃 BELL RAD0.4扬声器 SPEAKER RAD0.3贴片电阻、贴片电容 0402 、 0603 等封装尺寸与功率有关,通常: 0201 < — >1/20W ; 0402< — > 1/16W ; 0603< — > 1/10W ; 0805 < — >1/8W ; 1206 < — >1/4W1)电阻的封装系列名称为AXIALxxx,xxx表示数字。
1. 标准电阻:RES1、RES2;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0两端口可变电阻:RES3、RES4;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0三端口可变电阻:RESISTOR TAPPED,POT1,POT2;封装:VR1-VR52.电容:CAP(无极性电容)、ELECTRO1或ELECTRO2(极性电容)、可变电容CAPVAR封装:无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4,有极性电容为RB.2/.4到RB.5 /1.0.3.二极管:DIODE(普通二极管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二极管)、DUIDE TUNNEL(隧道二极管)DIODE VARCTOR(变容二极管)ZENER1~3(稳压二极管)封装:DIODE0.4和DIODE 0.7;(上面已经说了,注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K)4.三极管:NPN,NPN1和PNP,PNP1;引脚封装:TO18、TO92A(普通三极管)TO220H(大功率三极管)TO3(大功率达林顿管)以上的封装为三角形结构。
T0-226为直线形,我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的,所以一般三极管都采用TO-126啦!5、效应管:JFETN(N沟道结型场效应管),JFETP(P沟道结型场效应管)MOSFETN(N沟道增强型管)MOSFETP(P沟道增强型管)引脚封装形式与三极管同。
6、电感:INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2(普通电感),INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4(可变电感)8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2,引脚封装形式为D系列,如 D-44,D-37,D-46等。
9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列,从CON1到CON60,引脚封装形式为 SIP系列,从SIP-2到SIP-20。
10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同,引脚封装形式DIP系列,不如40管脚的单片机封装为DIP40。
protel99常用元件的电气图形符号和封装形式:1. 标准电阻:RES1、RES2;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0两端口可变电阻:RES3、RES4;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0三端口可变电阻:RESISTOR TAPPED,POT1,POT2;封装:VR1-VR52.电容:CAP(无极性电容)、ELECTRO1或ELECTRO2(极性电容)、可变电容CAPVAR封装:无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4,有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.3.二极管:DIODE(普通二极管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二极管)、DUIDE TUNNEL(隧道二极管)DIODE VARCTOR(变容二极管)ZENER1~3(稳压二极管)封装:DIODE0.4和DIODE 0.7;(上面已经说了,注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K)4.三极管:NPN,NPN1和PNP,PNP1;引脚封装:TO18、TO92A(普通三极管)TO220H(大功率三极管)TO3(大功率达林顿管)以上的封装为三角形结构。
T0-226为直线形,我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的,所以一般三极管都采用TO-126啦!5、效应管:JFETN(N沟道结型场效应管),JFETP(P沟道结型场效应管)MOSFETN(N沟道增强型管)MOSFETP(P沟道增强型管)引脚封装形式与三极管同。
6、电感:INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2(普通电感),INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4(可变电感)8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2,引脚封装形式为D系列,如D-44,D-37,D-46等。
9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列,从CON1到CON60,引脚封装形式为SIP系列,从SIP-2到SIP-20。
Protel常用元器件封装总结转帖的,只对我这种新手有用,雁过留声,高手路过可以补充,呵呵Protel常用元器件封装总结零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。
是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。
像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。
电阻AXIAL无极性电容RAD电解电容RB-电位器VR二极管DIODE三极管TO电源稳压块78和79系列TO-126H和TO-126V场效应管和三极管一样整流桥D-44 D-37 D-46单排多针插座CON SIP双列直插元件DIP晶振XTAL1电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46)电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。
其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1电解电容:RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。
protel元件封装与名称1.电阻原理图中常用的名称为RES1-RES4;引脚封装形式:AXIAL系列从AXIAL-0.3到AXIAL-1.0,后缀数字代表两焊盘的间距,单位为Kmil.2.电容原理图中常用的名称为CAP(无极性电容)、ELECTRO(有极性电容);引脚封装形式:无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4,有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.3.电位器原理图中常用的名称为POT1和POT2;引脚封装形式:VR-1到VR-5.4.二极管原理图中常用的名称为DIODE(普通二极管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二极管)DIDOE二极管的名称,以及封装名DIDOE0.4或者0.7DUIDE TUNNEL(隧道二极管)DIODE VARCTOR(变容二极管)ZENER1~3(稳压二极管)5.引脚封装形式:DIODE0.4和DIODE 0.7;引脚封装形式:无极性电容6.三极管原理图中常用的名称为NPN,NPN1和PNP,PNP1;引脚封装形式TO18、TO92A(普通三极管)TO220H(大功率三极管)TO3(大功率达林顿管)TO3/TO220H大功率三极管7.场效应管原理图中常用的名称为JFET N(N沟道结型场效应管),JFET P(P 沟道结型场效应管)MOSFET N(N沟道增强型管)MOSFET P(P沟道增强型管)引脚封装形式与三极管同。
8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2,引脚封装形式为D系列,如D-44,D-37,D-46等。
9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列,从CON1到CON60,引脚封装形式为SIP系列,从SIP-2到SIP-20。
10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同,引脚封装形式DIP系列。
双列直插。
DIP11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列,引脚封装形式为DB和MD系列。
电阻 AXIAL无极性电容 RAD电解电容 RB-电位器 VR二极管 DIODE三极管 TO电源稳压块78和79系列 TO-126H和TO-126V场效应管和三极管一样整流桥 D-44 D-37 D-46单排多针插座 CON SIP双列直插元件 DIP晶振 XTAL1电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46)电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。
元器件封装大全A.名称Axial 描述轴状的封装名称AGP(AccelerateGraphicalPort)描述加速图形接口名称AMR(Audio/MODEMRiser)描述声音/调制解调器插卡B.名称BGA(Ball GridArray)描述球形触点阵列,表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按阵列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点阵列载体(PAC)名称BQFP(quad flatpackage withbumper)描述带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
C.陶瓷片式载体封装名称C-(ceramic)描述表示陶瓷封装的记号。
例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。
名称C-BEND LEAD 描述名称CDFP描述名称Cerdip描述用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。
带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。
名称CERAMIC CASE 描述名称CERQUAD(Ceramic QuadFlat Pack)描述表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI电路。
带有窗口的Cerquad用于封装EPROM 电路。
散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许~2W 的功率名称CFP127描述名称CGA(Column Grid Array)描述圆柱栅格阵列,又称柱栅阵列封装名称CCGA(Ceramic Column GridArray)描述陶瓷圆柱栅格阵列名称CNR描述CNR是继AMR之后作为INTEL的标准扩展接口名称CLCC 描述带引脚的陶瓷芯片载体,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。
此封装也称为QFJ、QFJ-G.名称COB(chip on board)描述板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。
名称CPGA(Ceramic PinGrid Array)描述陶瓷针型栅格阵列封装名称CPLD描述复杂可编程逻辑器件的缩写,代表的是一种可编程逻辑器件,它可以在制造完成后由用户根据自己的需要定义其逻辑功能。
CPLD 的特点是有一个规则的构件结构,该结构由宽输入逻辑单元组成,这种逻辑单元也叫宏单元,并且 CPLD 使用的是一个集中式逻辑互连方案。
名称CQFP描述陶瓷四边形扁平封装(Cerquad),由干压方法制造的一个陶瓷封装家族。
两次干压矩形或正方形的陶瓷片(管底和基板)都是用丝绢网印花法印在焊接用的玻璃上再上釉的。
玻璃然后被加热并且引线框被植入已经变软的玻璃底部,形成一个机械的附着装置。
一旦半导体装置安装好并且接好引线,管底就安放到顶部装配,加热到玻璃的熔点并冷却。
D.陶瓷双列封装名称DCA(Direct Chip Attach)描述芯片直接贴装,也称之为板上芯片技术(Chip-on-Board 简称COB),是采用粘接剂或自动带焊、丝焊、倒装焊等方法,将裸露的集成电路芯片直接贴装在电路板上的一项技术。
倒装芯片是COB中的一种(其余二种为引线键合和载带自动键合),它将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈现阵列排列的焊料凸点来实现芯片与衬底的互连。
名称DICP(dual tape carrierpackage)描述双侧引脚带载封装。
TCP(带载封装)之一。
引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。
名称Diodes描述二极管式封装名称DIP(Dual InlinePackage)描述双列直插式封装名称DIP-16 描述名称DIP-4 描述名称DIP-tab描述名称DQFN(Quad Flat-packNo-leads)描述飞利浦的 DQFN封装为目前业界用于标准逻辑闸与八进制集成电路的最小封装方式,相当适合以电池为主要电源的便携式装置以及各种在空间上受到限制的装置。
E.塑料片式载体封装名称EBGA 680L 描述增强球栅阵列封装名称EdgeConnectors描述边接插件式封装名称EISA(ExtendedIndustryStandardArchitecture)描述扩展式工业标准构造F.陶瓷扁平封装F t.单列敷形涂覆封装名称F11 描述名称FC-PGA(Flip ChipPin-GridArray)描述倒装芯片格栅阵列, 也就是我们常说的翻转内核封装形式,平时我们所看到的CPU内核其实是硅芯片的底部,它是翻转后封装在电路基板上的。
名称FC-PGA2描述FC-PGA2封装是在FC-PGA的基础之上加装了一个HIS顶盖(Integrated Heat Spreader ,整合式散热片),这样的好处可以有效保护内核免受散热器挤压损坏和增强散热效果。
名称FBGA(F ine B all G ridA rray)描述一种基于球栅阵列封装技术的集成电路封装技术。
它的引脚位于芯片底部、以球状触点的方式引出。
由于芯片底部的空间较为宽大,理论上说可以在保证引脚间距较大的前提下容纳更多的引脚,可满足更密集的信号I/O需要。
此外,FBGA封装还拥有芯片安装容易、电气性能更好、信号传输延迟低、允许高频运作、散热性卓越等许多优点。
名称FDIP 描述名称FLAT PACK 描述扁平集成电路名称FLP-14 描述G.陶瓷针栅阵列封装G f.双列灌注封装名称GULL WING LEADS 描述H.陶瓷熔封扁平封装名称H-(with heatsink)描述表示带散热器的标记。
例如,HSOP 表示带散热器的SOP。
名称HMFP-20 描述带散热片的小形扁平封装带散热片的单列直插式名称HSIP-17 描述封装。
带散热片的单列直插名称HSIP-7 描述式封装。
名称HSOP-16 描述表示带散热器的SOP。
I.名称ITO-220 描述名称ITO-3P 描述J.陶瓷熔封双列封装名称JLCC(J-leaded chipcarrier)描述J形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ的别称K.金属菱形封装L.名称LCC(Leadless chipcarrier)描述无引脚芯片载体。
指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
名称LGA(land gridarray)描述矩栅阵列(岸面栅格阵列)是一种没有焊球的重要封装形式,它可直接安装到印制线路板(PCB)上,比其它BGA封装在与基板或衬底的互连形式要方便的多,被广泛应用于微处理器和其他高端芯片封装上.名称LQFP(low profilequad flatpackage)描述薄型QFP。
指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
名称LAMINATE CSP112L描述Chip Scale Package 名称LAMINATE TCSP20L描述Chip Scale Package 名称LAMINATE UCSP32L描述名称LBGA-160L 描述低成本,小型化BGA封装方案。
LBGA封装由薄核层压衬底材料和薄印模罩构造而成。
考虑到运送要求,封装的总高度为,球间距为。
名称LLP(LeadlessLeadframe Package)描述无引线框架封装,是一种采用引线框架的 CSP 芯片封装,体积极为小巧,最适合高密度印刷电路板采用。
而采用这类高密度印刷电路板的产品包括蜂窝式移动电话、寻呼机以及手持式个人数字助理等轻巧型电子设备。
以下是 LLP 封装的优点:低热阻;较低的电寄生;使电路板空间可以获得充分利用;较低的封装高度;较轻巧的封装。
M.金属双列封装M S.金属四列封装M b.金属扁平封装名称MBGA描述迷你球栅阵列,是小型化封装技术的一部分,依靠横穿封装下面的焊料球阵列同时使封装与系统电路板连接并扣紧。
对与有空间限制的便携式电子设备,小型装置和系统,SFF封装是理想的选择。
MBGA封装高,目前最大体尺寸为单侧23mm。
名称MCM(multi-chipmodule)描述多芯片组件。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。
名称METAL QUAD 100L 描述名称MFP-10 描述小形扁平封装。
塑料SOP或SSOP 的别称名称MFP-30 描述名称MSOP(MiniatureSmall-OutlinePackage)描述微型外廓封装N.塑料四面引线扁平封装名称NDIP-24 描述O.塑料小外形封装名称OOI(Olga onInterposer)描述倒装晶片技术P.塑料双列封装名称P-(plastic)描述表示塑料封装的记号。
如PDIP 表示塑料DIP。
名称P-600 描述名称PBGA 217L 描述表面黏著、高耐热、轻薄型塑胶球状矩阵封装名称PCDIP 描述陶瓷双列直插式封装名称PDIP(Plastic Dual-In-LinePackage)描述塑料双列直插式封装名称PDSO描述名称PGA(Pin GridArrays)描述陈列引脚封装。
插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。
名称PLCC(plastic leadedchip carrier)描述带引线的塑料芯片载体。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形,是塑料制品。
名称PLCCR描述名称PQFP描述塑料四方扁平封装,与QFP方式基本相同。
唯一的区别是QFP一般为正方形,而PQFP既可以是正方形,也可以是长方形。
名称PSSO描述Q.陶瓷四面引线扁平封装名称QFH(quad flat highpackage)描述四侧引脚厚体扁平封装。
塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP本体制作得较厚。
名称QFI(quad flatI-leaded packgac)描述四侧I 形引脚扁平封装。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字。
也称为MSP。
名称QFJ(quad flatJ-leaded package)描述四侧J 形引脚扁平封装。
表面贴装封装之一。
引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形。
名称QFN(quad flat non-leaded package)描述四侧无引脚扁平封装。
现在多称为LCC。
QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。
封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度比QFP 低。
但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。