金属蚀刻文档

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晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD）。

(1）常压 CVD （Normal Pressure CVD)(2）低压 CVD （Low Pressure CVD)（3)热 CVD (Hot CVD）/（thermal CVD)（4)电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD）(5）MOCVD （Metal Organic CVD）＆分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy）（6）外延生长法 (LPE)4、涂敷光刻胶(1)光刻胶的涂敷(2)预烘 (pre bake）（3）曝光（4）显影（5）后烘 (post bake)(6)腐蚀 (etching）（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子（B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷（P+5) 离子，形成 N 型阱9、退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层10、干法氧化法生成一层 SiO2 层,然后 LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层.14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻,以及等离子蚀刻技术，栅极结构,并氧化生成 SiO2 保护层。

15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As）离子，形成 NMOS 的源漏极。

用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极.16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层,保护元件，并进行退火处理。

离子径迹模板法制备纳米线姚会军1，2，刘杰11中国科学院近代物理研究所，兰州，7300002中国科学院研究生院，北京，100039摘要：重离子辐照过的高分子有机膜，经过适当的处理，可以作为模板来制备金属和可溶性盐的纳米线，此方法称为离子径迹模板法。

本文介绍了电化学沉积方法和过饱和溶液法来制备金属纳米线和可溶性盐纳米线的实例，同时还介绍了以有机模为模板制备纳米线的一些应用。

关键字：模板法离子径迹纳米线1、引言：目前纳米材料已成为国内外研究的一个热点课题，对于被视为21世纪重点开发领域的IT，能源，环境，生物等领域都将产生极其广泛和重要的影响［1］。

做为纳米材料的成员之一,纳米线因其优异的光学性能、电学性能及力学性能等特性而引起了凝聚态物理界化学界及材料科学界科学家们的关注, 利用物理和化学方法组装纳米线近年来也成为纳米材料研究的热点[2]。

其中，利用离子径迹模板法来制备纳米线已经成为近年来兴起的新的制备方法。

高分子有机薄膜在经过高能离子辐照以后，会在薄膜中形成直径从几纳米到几十纳米的柱状损伤区域，这些损伤区域称作离子的潜径迹（latent track）。

把带有潜径迹的薄膜放在蚀刻液中进行蚀刻，根据蚀刻条件不同，会在薄膜内形成直径从十几纳米到几百纳米的孔阵列，把这种带有孔阵列的薄膜称为核孔膜[3]。

通过各种物理和化学方法，以核孔膜为模板(离子径迹模板)，可以把金属，无机盐等填充到其内形成平行排列的纳米线阵列。

对于加速器中辐照的膜，由于重离子束流的高度平行、能量均匀可控，膜孔的均匀性和方向性良好。

另外，根据膜的厚度和重离子辐照剂量的不同，模板内孔的长度和密度也会有所不同[4]。

离子径迹模板法制备纳米线因其以上独特的优点而被逐渐被人们所采用。

2、核孔模的制备(1) 重离子辐照核孔膜所用高分子有机膜多为聚酯(PET)和聚碳酸酯(PC)膜，高能重离子在通过聚合物时损失能量，并引起靶原子的激发和电离，在许多固体中，导致永久的辐照损伤。

【关键字】实验电镀铜实验报告篇一：电镀铜--原理(参考)电镀铜原理篇电镀是指利用电解的方法从一定的电解质溶液（水溶液、非水溶液或熔盐）中，在经过处理的基体金属表面堆积各种所需性能或尺寸的连续、均匀而附着堆积的一种电化学过程的总称。

电镀所获得堆积层叫电堆积层或电镀层。

镀层的分类方法：按使用目的：防护性镀层、防护装饰性镀层和功能性镀层按电化学性质分类：阳极性镀层和阴极性镀层。

阳极性镀层：凡镀层相对于基体金属的电位为负时，镀层是阳极，称阳极性镀层，如钢上的镀锌层。

阴极性镀层：镀层相对于基体金属的电位为正时，镀层呈阴极，称阴极镀层，为阻隔型镀层，如钢上的镀镍层、镀锡层等，尽可能致密。

一、电镀的基本原理及工艺1电镀的基本原理（1）电化学发应以酸性溶液镀铜为例简述电镀过程大的的电化学反应阴极反应：Cu2++ 2e = Cu2H+ + 2e = H2阳极反应：Cu - 2e = Cu2+4OH-- 4e = 2H2O+O22、电镀液组成电镀溶液有固定的成分和含量要求，使之达到一定的化学平衡，具有所要求的电化学性能。

镀液构成：电镀液由主盐，导电盐，活化剂，缓冲剂，添加剂等组成。

电解溶液按主要放电离子存在的形式，一般可分为主要以简单（单盐）形式存在和主要以络离子（复盐）形式存在的电解液两大类。

主盐在阴极上沉淀出所要求的镀层金属的盐称为主盐。

镀液主盐的含量多少，直接影响镀层的质量。

主盐的浓度过高，则镀层粗糙；主盐浓度过低，则允许的电流密度小，电流效率明显下降，影响堆积速度，还将导致其它问题。

导电盐提高溶液导电性的盐类，增强溶液导电性，提高分散能力。

缓冲剂能使溶液pH值在一定范围内维持基本恒定的物质。

电解液中活化剂阳极活化剂，能促进阳极溶解，使镀液中镍离子得到正常补充，氯化物含量过低，阳极易钝化，过高，阳极溶解过快，镀层结晶粗糙。

络合剂能与络合主盐中的金属离子形成络合物的物质称为络合剂。

添加剂为了改善镀层的性质，可在电解液中添加少量的添加剂。

金属蚀刻金属蚀刻是一种常用的金属加工技术，利用化学反应将金属物体的表面局部腐蚀，以产生不同的图案或文字。

它在工艺美术、印刷制版以及电子工业等领域广泛应用。

本文将介绍金属蚀刻的原理、工艺和应用。

一、金属蚀刻的原理金属蚀刻是通过在金属物体表面刻上图案或文字，使其成为一种装饰品，它的实现方法是利用金属物体与蚀刻剂之间的化学反应。

蚀刻剂是一种能够与金属发生反应的化学溶液，例如硝酸、硫酸等。

金属蚀刻的过程主要包括以下几个步骤：1. 表面处理：将金属物体表面的污垢、油脂等清洗干净，以便更好地与蚀刻剂反应。

2. 图案制作：在金属表面上绘制出所需的图案或文字，可以使用针尖、铅笔或特殊的蚀刻画笔等工具进行。

3. 埋镂：将绘制的图案或文字用蚀刻剂浸渍，使其与金属发生反应，产生局部腐蚀。

埋镂时间长短和蚀刻剂的浓度都会影响腐蚀的深度。

4. 清洗处理：将蚀刻完的金属物体用清水清洗，去除残留的蚀刻剂，以防止进一步的腐蚀。

5. 上光抛光：为了使蚀刻部分更加明亮、平滑，可以使用研磨、抛光等手段进行表面处理。

二、金属蚀刻的工艺金属蚀刻的工艺包括准备工作、蚀刻设计和加工步骤等。

1. 准备工作：选取适合蚀刻的金属材料，对金属材料进行清洗，去除表面的污垢和油脂。

同时，准备蚀刻剂和所需的工具。

2. 蚀刻设计：根据需求，设计出所需的图案或文字，并在金属表面上进行绘制。

可以使用铅笔、针尖或者特殊蚀刻画笔进行绘制、涂抹。

3. 加工步骤：根据所绘制的图案和文字，将蚀刻剂浸渍在金属表面，让其与金属发生反应，进行局部腐蚀。

通常情况下，需要多次浸渍和处理，以达到所期望的蚀刻效果。

4. 清洗处理：蚀刻过程完成后，对金属物体进行彻底清洗，去除蚀刻剂残留，以免产生进一步的腐蚀。

5. 上光抛光：蚀刻完的金属物体可以进行上光抛光的处理，使其表面更加光滑、明亮，并且提高装饰效果。

三、金属蚀刻的应用金属蚀刻技术有着广泛而多样的应用，下面将介绍一些常见的应用领域：1. 工艺美术：金属蚀刻常用于工艺品的制作，如首饰、勋章、奖牌等。

W e t工艺(总17页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除WET工序的构成TFT-LCD在Array段的制程通常会分为镀膜，曝光和蚀刻三道大的工序。

而蚀刻工序根据工艺和设备的不同又可以分为干蚀刻和湿蚀刻，即Dry工序和WET工序。

作为蚀刻工序的一种实现方式，WET工序详细来讲可以包括清洗，湿蚀刻和脱膜。

1.清洗：包括初清洗和成膜前清洗。

初清洗即玻璃基板从PP box中拆包之后，进行的第一道清洗，它的主要目的是为了清除玻璃基板表面本身携带的油污以及微尘颗粒。

成膜前清洗即在每一道成膜之前进行的清洗，目的虽然也是为了去除油污以及颗粒，但是这些杂质更多是由于外界污染造成，而去除这些杂质是为了成膜的顺利进行，提高成膜的品质。

2.湿蚀刻：对于金属层和ITO导电层使用湿蚀刻进行蚀刻。

湿蚀刻是使用相应的金属蚀刻液和ITO蚀刻液对膜层进行腐蚀，可以去除掉不被光阻保护的部分，从而形成我们需要的线路结构。

3.脱膜：无论干蚀刻还是湿蚀刻结束之后，都必须将所成线路上覆盖的光阻去除。

相应的会使用脱膜液将光阻分离出来并去除，保证下一道成膜顺利进行。

WET 工序(清洗.脱膜,蚀(湿)刻)的工艺原理清洗的工艺原理在TFT-LCD的制程当中，清洗起到至关重要的作用。

清洗的主要目的就是去除玻璃基板表面的杂质和油污，使玻璃基板保持清洁，确保下一道制程的顺利和有效地进行。

在Array段，清洗可以分为初清洗(Initial Clean)和成膜前清洗(Pre-deposition Clean)。

相应的设备也分为初清洗机(Initial Cleaner)和成膜前清洗机(Pre-deposition Cleaner)。

Initial Clean：在将玻璃基板从PP Box拆包装之后(通常是由Unpack设备来完成)的第一道清洗。

Initial Clean可以有效地去除玻璃基板拆包以后残留在表面的油污和细小的Particle。

竭诚为您提供优质文档/双击可除光刻掩模板篇一：蚀刻制作掩模板蒸镀罩的工艺昂立信生产的掩膜板，蒸镀罩以不锈钢材质为主，厚度从0.03mm到1.0mm。

是目前高端腐蚀加工的产品之一。

是目前物理试验以及玻璃触摸屏真空镀的主要部件。

也也于蒸镀产品之用。

平整均匀无毛剌，平面度保持在0.02以下是掩膜板的特点之一。

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制造芯片时用掩膜板属于光刻技术的范畴吗，掩膜版（光刻版）应用的是光刻技术。

篇二：光刻实验报告光刻实验一．实验目的了解光刻在样品制备工艺中的作用，熟悉光刻工艺的步骤和操作。

二．实验原理光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照像复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的sio2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂（如显影液）溶解。

然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对sio2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在sio2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。