浙江理工大学模拟电子技术基础期末考试试题A

（12 分）
图2 3． 电 路 如 图 3 所 示 ， 晶 体 管 的 ＝ 80， rbe=1kΩ 。（15 分）
（1）求出 Q 点；
（ 2） 分 别 求 出 RL＝ ∞ 和 RL＝ 3kΩ 时 电 路 的 Au 和 Ri；
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（3）求出 Ro。
图3 4. 电路如图 4 所示：（10 分）
浙江理工大学
二 O 一二年硕士学位研究生招生入学考试试题 考试科目：电子技术基础（模电、数电）A 代码：954
（请考生在答题纸上答题，在此试题纸上答题无效） Ⅰ、模拟部分
1．电路如图 1 所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析 VBB 为 0V、1V、3V 三种情况下 T 的工作状态及输出电压 uO 的值。（10 分）
+/cc
jⅠ t:1
C
叫
R:2
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R:1
C
叫
R:2
图4
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+/cc
五。电路如图 5所 示,已 知集成运放的最大输 出电压幅值为±12V, 山的数值在 u。 1
的峰峰值之 间。 (1)求解 u。3的 占空 比与 uI的 关系式。
(2)设uI=2。 5Ⅴ ,画 出u。 卜 %2和 u。 3的 波形 。(20分 )
（1） 判断电路中引入了哪种组态的交流负反馈，并计算它们的反馈系数； （2） 估算电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
图4 5． 电 路 如 图 5 所 示 。（15 分）
（ 1） 写 出 uO 与 uI1、 uI2 的 运 算 关 系 式 ； （ 2） 当 RW 的 滑 动 端 在 最 上 端 时 ， 若 uI1＝ 10mV， uI2＝ 20mV， 则 uO＝ ？ （ 3） 若 uO 的 最 大 幅 值 为 ± 14V， 输 入 电 压 最 大 值 uI1max＝ 10mV， uI2max＝ 20mV，最 小 值 均 为 0V，则 为 了 保 证 集 成 运 放 工 作 在 线 性 区 ，R2 的 最 大 值 为 多 少 ？

浙江理工大学2011—2012学年第 二 学期 《 模拟电子技术 》期末试卷（A ）卷本人郑重承诺：本人已阅读并且透彻地理解《浙江理工大学考场规则》，愿意在考试中自觉遵守这些规定，保证按规定的程序和要求参加考试，如有违反，自愿按《浙江理工大学学生违纪处分规定》有关条款接受处理。

承诺人签名： 学号： 班级：一、在图1半波整流电路中，变压器二次侧电压有效值为12.6V （50Hz ），F C R μ000,25,15=Ω=,假定二极管导通电压为V U on 0.1=，求整流电路的直流输出电压、直流输出电流、纹波电压、导通间隔与导通角。

（12分）二、 图2所示电路是什么电路？（2分）图中min L R 是多少？（5分）若100Z R =Ω，当1L R k =Ω和2L R k =Ω时，输出电压分别是什么？（8分）根据计算结果，能得到什么结论？（3分）三、已知已知V U V A K M R k R V U TN n G D D D 1/2602103.32==Ω=Ω==、、、、μ ，计算图3所示两电阻偏置MOSFET 放大电路的工作点Q(DS D U I 、)，判断晶体管工作区域。

（10分）-V3.3+四、电路如图4所示，晶体管的 ＝100。

A 、R i和R o；（12分）（1）求电路的Q点、u（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（6分）五、设计一个比例运算电路，要求输入电阻R i＝20kΩ，比例系数为－100。

（10分）六、判断图5所示电路能否正常放大输入信号？（2分）为什么？（3分）如果在T的栅极和电源间接上一个电阻R，对电路有什么影响？（3分）画出修改后的交流小信号电路模型（5分）。

写出放大倍数表达式。

（3分）七、图6所示的功率放大器产生8V p-p的正弦波，确定其效率。

（8分）八、图9所示电路中，R1＝200Ω、R2是200Ω可调电阻，假设7805的静态电流为6mA，计算输出电压U O的取值范围。

一、判断题，对的画√，错的画×。

（10小题，每小题1分，共10分） (1) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（ × ） (2) 只有电路既能放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（ × ）(3) 阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，而直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。

（√ ）(4) 晶体管的输入电阻r be 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（ √ ） (5) 集成运放的第一级选用差分放大电路的原因是可以稳定放大倍数。

（ × ） (6) 运算电路中一般均引入负反馈。

（ √ ） (7) 滞回比较器比单限比较器抗干扰能力强。

（ √）(8) 负反馈放大电路不可能产生自激振荡。

（ × ）(9) 功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

（ √ ）（10） 直流电源是一种能量转换电路，它将直流能量转换为交流能量。

（ × ）二、选择题（15小题，每小题2分，共30分）1、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏2、设二极管导通电压U D ＝0.7V ，图示电路的输出电压值为 B 。

A. 2VB. -2VC. 1.3VD. －1.3V3、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。

图示电路中U O 为 A 。

A.5VB. 6VC. 0.7VD. －0.7V4、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图所示，该晶体管的类型是 B 。

A. NPN 型硅管 B. PNP 型硅管C.NPN 型锗管D ． PNP 型锗管5、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ A ） A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定6、欲减小电路从信号源索取的电流，并增大带负载能力，应在放大电路中引入 C 交流负反馈组态。

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。