2SD1616-L-G03-B中文资料(Unisonic Technologies)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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DC
pw=1ms 10ms
2SD126S16D1616A
0.01 1
3 5 10
30 50 100 300
Collector-Emitter Voltage, V (V)
NPN硅晶体管
10 5
, (V) 3
基地发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
I =20I
,V 1
V
0.5 0.3
V
V
V A A mW °C °C
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极饱和电压 基极发射极电压上 集电极截止电流 发射极截止电流
DC电流增益
转换频率 输出电容 Байду номын сангаас启时间 贮存时间 下降时间
^ h分类
符号
V V V
I I
h
h f C t t t
FE1
测试条件
I =1A, I =50mA
I =1A, I =50mA
2SD1616/A
典型特征
Collector Output Capacitance 1000
I =0 500 f=1.0MHz 300
(pF) 100 50
Capac3it0ance, C
10 5 3
1
3 5 10
30 50 100 300
Collector-Base Voltage, V (V)
Static Characteristic
2SD1616L-x-AB3-T
（1）包装类型 （2）封装类型 (3)Rank （4）铅电镀
1 TO-92SP
*无铅电镀产品编号： 2SD1616L/2SD1616AL
引脚分配
包
填料
1
2
3
SOT-89
B
C
E
带盘
SIP-3
ECB
Bulk
TO-92
ECB
磁带盒
TO-92
ECB
Bulk
TO-92SP E C B
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2SD1616/A
NPN外延硅
晶体管
描述 *音频功放 *中速开关
NPN硅晶体管
1 SOT-89
1 TO-92
1 SIP-3
订购信息
订单号 正常
2SD1616-x-AB3-R 2SD1616-x-G03-K 2SD1616-x-T92-B 2SD1616-x-T92-K 2SD1616-x-T9S-K 2SD1616A-x-AB3-R 2SD1616A-x-G03-K 2SD1616A-x-T92-B 2SD1616A-x-T92-K 2SD1616A-x-T9S-K
50 30
10 5 Current G3ain-Bandwidth Product, f
1
0.01 0.03 0.1 0.3
1
3 5 10
Collector Current, I (A)
Static Characteristic
10 I =5.0mA 0mA
mA =4.
(A)
0.8
=4 .5 I
I
I =3.5mA I =3.0mA I =2.5mA
DC电流增益
1000 500 300
V =2V
100
50 30
10 DC电流增益,H
5 3
1 0.01 0.03 0.05 0.1
0.3 0.5 1
3 5 10
集电极电流,I
(A)
10
5 3 (A) 1
0.5 0.3 Collector Current, I 0.1
0.05 0.03
Safe Operating Area
Bulk
SOT-89
B
C
E
带盘
SIP-3
ECB
Bulk
TO-92
ECB
磁带盒
TO-92
ECB
Bulk
TO-92SP E C B
Bulk
（1）B：磁带盒,K：散装,R：带卷轴,T：管 (2) AB3: SOT-89, G03: SIP-3, T92: TO-92,
T 9S: TO-92S （3）×：指h分类 （4）L：无铅电镀,空白：铅/锡
(μs) 1
t
0.5
, t 0.3
,t
0.1 时间,t
t
0.05
0.03
t
0.01 0.001 0.003 0.01 0.030.05 0.1
0.30.5 1
集电极电流,I
(A)
NPN硅晶体管
Current Gain-Bandwidth Product
1000 (MHz)
500 300
V =2V
100
0.15 0.3 V
0.9 1.2 V
600 640 700 mV
100 nA
100 nA
135
600
135
400
81
100 160
MHz
19 pF
0.07
μs
0.95
μs
0.07
μs
秩
Y
G
L
h
135 ~ 270
200 ~ 400
300 ~ 600
2 of 4
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0.1
饱和电压,V
V
0.05
0.03
0.01 0.030.05 0.1 0.3 0.5 1 3 5 10
集电极电流,I
(A)
Power Derating 0.8
0.6 (W)
0.4
Power0D.2issipation, P
0 25 50 75 100 125 150 175 200 Ambient Temperature, Ta (℃)
100 I =300μA
(mA) 80
I =250μA
60
I =200μA
Collect4o0r Current , I 20
I =150μA I =100μA I =50μA
0
2
4
6
8
10
Collector-Emitter Voltage , V (V)
切换时间
10 V =10V
5 I =10×I = -10×I 3
无铅电镀
2SD1616L-x-AB3-R 2SD1616L-x-G03-K 2SD1616L-x-T92-B 2SD1616L-x-T92-K 2SD1616L-x-T9S-K 2SD1616AL-x-AB3-R 2SD1616AL-x-G03-K 2SD1616AL-x-T92-B 2SD1616AL-x-T92-K 2SD1616AL-x-T9S-K
0.6
I =2.0mA
Collector Current, I 0.4 0.2
I =1.5mA I =1.0mA I =0.5mA
0
0.2
0.4
0.6
0.8
10
Collector-Emitter Voltage, V (V)
3 of 4
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2SD1616/A
典型特征（续）
V =2V, I =50mA
V =60V
V = 6V
2SD1616 V =2V, I =100mA
2SD1616A
V =2V, I =1A
V =2V, I =100mA
V =10V, f =1MHz
V =10V, I =100mA
I = -I =10mA
V
= -2 ~ -3V
MIN TYP 最大单位
4 of 4
I
总功耗
P
结温
T
储存温度
T
注：1,绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏值.
绝对最大额定值是压力额定值只和功能设备操作不暗示.
2.脉冲宽度
10毫秒,责任cycle50％
电气特性
(Ta=25 °C,除非另有规定.）
额定值
60 120 50 60 6 1 2 750 +150 -55 ~ +150
单元
4之1
QW-R201-008,C
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2SD1616/A
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25 °C)
参数
符号
集电极基极电压
2SD1616 V
2SD1616A
集电极到发射极电压
2SD1616
V
2SD1616A
发射器基极电压
V
集电极电流
DC
I
Pulse(Note2)
