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SMD固晶检验规范

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QSI

检验规范 SMD固晶检验规范 DOC NO

文件编号 QSI-139

REV 版本 B

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FP001-05C 1. 目的

为公司SMD产品固晶生产之半成品提供检验依据,确保产品质量,特制定本规范。

2. 适用范围

固晶站半成品。

3. 检验方法

按GB/T 2828.1-2012 一次抽样计划，特殊除外。

4. 辅助器具

4.1 显微镜。

4.2 镊子。

4.3 针笔。

4.4 推力计。

5. 流程图

6. 流程说明

6.1 固晶前(支架烤烘150℃/60min)经IPQC 与组长确认（物料与规格书及工单一致）后方可投产。

6.2 作业员首先进行首件制作,并确认OK后填写首件确认单交组长与IPQC签名确认。

6.3 制程中IPQC依《SMD固晶检验规范》进行不定时抽验,并每2H将检验结果记录在报表上。

6.4 合格品则在流程单上签名确认进入烘烤工序，不合格品则退回作业员重工直到合格为止。

6.5 IPQC每日对烘烤烤箱温度抽测2次，记录于报表中。

6.6 第一次抽检NG则退回产线重工，同一作业员同一机台或同一型号连续二次抽检NG则开立【制程异

常处理单】知会生产线组长或课长提出相应对策改善。 QSI

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FP001-05C 6.7 IPQC需不定时进行产线巡检，巡检内容包括机台保养、温湿度记录、5S及车间纪律。

7. 检验项目

项次 检验项目 判定基准 图示 缺陷等级

1 晶粒翻转 晶粒之电极区未水平朝上

CR

2 错固 晶粒型号用错 CR

3 混产品 不同规格之产品混放在一起 CR

4 漏固晶片 固晶位置无晶粒 CR

5 银胶短路 固晶区与金线或金线与金线之间沾有银胶造成短路 CR

6 晶粒沾胶 晶粒焊接区及发光区不得有银胶（或绝缘胶）附着

CR

7 晶粒倾斜 晶粒固晶后不可倾斜 MA

8 晶片浮动 晶片与支架底部有浮动等现象

MA

9 晶粒破损 晶粒破损面积超过1/5颗晶粒

MA

10 暗崩、破裂 不可有任何暗崩、破裂现象

CR

11 晶粒重叠 固晶位置连续固两颗以上晶粒

CR

12 流程单错误 实物型号与流程单型号不符 MI QSI

检验规范 SMD固晶检验规范 DOC NO

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FP001-05C 13 数量不符 实物数量与流程单上数量不符 MI

14 晶粒偏移 晶粒偏离固晶中心位的1/2距离

MI

15 胶量过多 绝缘胶高于1/4晶粒高度

银胶高于1/2晶粒高度 MA

16 胶量过少 绝缘胶晶粒底部部分缺胶

银胶低于1/3晶粒高度 MA

17 漏点胶 固晶区域未点胶 CR

18 杂物 支架杯底及白盖上有杂物 MI

19 固晶烤后

检测 烤干推力≥160g CR

20 烤干后固晶胶有扩散不良 MA

21 原物料 晶片/支架/固晶胶，型号及规格与工单不符 CR

22 晶片 电极刮伤、氧化，电极表面颜色不一致 CR

晶片排列混乱、翻到 CR

23 支架 污染、变色、变形、松颗、功能区不平整、破损 MA

24 固晶胶 固晶胶干枯、变色、沉淀、未搅拌、未解冻、

过期、解冻时间不够 CR

25 烘烤要求 烘烤时间、温度未按规格要求 CR

固好晶材料在2H内必须进烤 CR

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固晶机参数规范

固晶机参数规范

文件類別Documentclassification：SZSOP文件名稱Document name：文件目的Documentobject：文件編號Documentnumber：SZSOP-3-012-RM版次記錄Revision record:版次Revision文 件 變 更 記 錄Change document record日期Date1NONE2002/8/2822004/8/232004/9/142005/5/2452006/2/1762006/7/572006/7/1082006/9/192007/6/22102007/6/20112007/8/8固晶參數規范Die bar machine parameter range億光 電 子（蘇 州） 有 限 公 司 EVERLIGHT（SUZHOU） ELECTRONICS CO,. LTD.為維持固晶品質及讓技朮人員有所依據，特制訂此參數調校規范In order to keep the quality of Die bar and let engineer haveaccroding ,stipulate for this parameter range.1. 目的：1. Purpose: 為維持固晶品質及讓技朮人員有所依據，特制訂此參數調校規范。 In order to keep the quality of Die bar and let engineer have accroding ,stipulate for this parameter range.2. 適用范圍：2. Scope:固晶機種類D/B MACHINE SORTNECASMCPS-100VXASM809-01CPS-100VXWCPS-110VXCPS-110VXIICPS-500CPS-610CPS-610VXCPS-610VXRBESTEM-D01BESTEM-D01RAD8930VASM AD829AASM809-08億光電子（蘇州）有限公司 EVERLIGHT（SUZHOU） ELECTRONICS CO,. LTD.制訂日期Date2007/8/8SZSOP-3-012-RM文件編號Document number制訂部門Issude department1/17維護部Maintenance dept.固晶參數規范D/B machine parameterrange擬案Issued by頁數Page版別Revision孫予玉Yuyu Sun113. 內容：3. Content:3-1 產品別 : SMD A類 PRODUCT TYPE : SMD A-TYPE 3-1-1機台型號：NEC CPS-100VXMACHINE TYPE : NEC CPS-100VX 3-1-2機台型號：ASM AD829AMACHINE TYPE : ASM AD829ANOTE:1mil=25.4umAD829A: 1 STEP=0.05mil=1.27um億光電子（蘇州）有限公司 EVERLIGHT（SUZHOU） ELECTRONICS CO,. LTD.頂針高度Ejector Up Level50~150(0.5mil)60~200(0.5mil)70~250(0.5mil)固晶高度Bond Die Level4250 ~ 5150(0.05mil)4350 ~ 5250(0.05mil)4000 ~ 5350(0.05mil)取晶高度Pick Die Level4400 ~ 5300(0.05mil)4200 ~ 5100(0.05mil)4000 ~ 4900(0.05mil) 板材厚度 L/F thinkness(um)0~100um100~200um200um以上參數選項parameter option0 ~ 20(10um) 5 ~ 10(10um) 180 ~ 380(10um)頂針第一段高度Pre-Plunge up height固晶高度mount position Z 5 ~ 10(10um) 5 ~ 10(10um)頂針預備位高度Pre-Plunge up offset 晶片高度 chip height(um)0~95um95~200um200um以上200um以上參數選項parameter option0~95um95~200um200um以上文件編號File NO.:SZSOP-3-012-RM 版次Version:11 頁數Page: 2/17 晶片高度 chip height(um)0~100um100~200um1670 ~1870(10um) 板材厚度 L/F thinkness(um)1690 ~ 1890(10um)210 ~ 410(10um)取晶高度Pick-up position Z0 ~ 20(10um)頂針第二段高度Plunge-up lifts 0 ~ 45(10um)1680 ~ 1880(10um) 190 ~ 390(10um)0 ~ 20(10um) 0 ~ 45(10um) 0 ~ 45(10um)3-2 產品別 : SMD B類 PRODUCT TYPE : SMD B-TYPE 3-2-1機台型號：NEC CPS-610MACHINE TYPE : NEC CPS-610 3-2-2機台型號：NEC CPS-610VXMACHINE TYPE : NEC CPS-610VX 億光電子（蘇州）有限公司 EVERLIGHT（SUZHOU） ELECTRONICS CO,. LTD.頂針第二段高度Plunge-up height 0 ~ 45(10um) 0 ~ 45(10um) 0 ~ 45(10um)頂針第一段高度Pre-Plunge up height 5 ~ 10(10um) 5 ~ 10(10um) 5 ~ 10(10um)頂針預備位高度Pre-Plunge up offset0 ~ 20(10um)0 ~ 20(10um)0 ~ 20(10um)固晶高度mount offset position Z-560 ~ -360(10um)-520 ~ -320(10um)-480 ~ -280(10um)取晶高度chip Pick-up position Z-2490 ~ -2290(10um)-2480 ~ -2280(10um)-2400 ~ -2200(10um) 板材厚度 L/F thinkness(um)0~300um300~600um600um以上參數選項parameter option 晶片高度 chip height(um)0~95um95~200um200um以上頂針第二段高度Plunge-up height 0 ~ 45(10um) 0 ~ 45(10um) 0 ~ 45(10um)文件編號File NO.:SZSOP-3-012-RM 版次Version:11 頁數Page: 3/17 晶片高度 chip height(um)0~95um95~200um200um以上 板材厚度 L/F thinkness(um)0~300um300~600um600um以上參數選項parameter option取晶高度chip Pick-up position Z1790 ~ 1990(10um)1780 ~ 1980(10um)1770 ~ 1970(10um)固晶高度mount A-01 offset position Z360 ~ 560(10um) 320 ~ 520(10um) 280 ~ 480(10um)0 ~ 20(10um)頂針第一段高度Pre-Plunge up height 5 ~ 10(10um) 5 ~ 10(10um) 5 ~ 10(10um)頂針預備位高度Pre-Plunge up offset0 ~ 20(10um)0 ~ 20(10um)3-2-3機台型號：NEC CPS-610VXRMACHINE TYPE : NEC CPS-610VXR 3-2-4機台型號：NEC BESTEM-D01MACHINE TYPE : NEC BESTEM-D01 0~300um300~600um600um以上參數選項parameter option 板材厚度 L/F thinkness(um)取晶高度Pickup pos axis Z-29700 ~ -28700(um)-29600 ~ -28600(um)-29300 ~ -28300(um)固晶高度mount position Z-4960 ~ -4760(um)-4920 ~ -4720(um) -4900 ~ -4620(10um)頂針預備位高度Plunge up offset lift P10~200(um)0~200(um)0 ~ 200(um) 0 ~ 450(um)頂針第一段高度1st Plunge-up lift P1 50 ~ 100(um) 50 ~ 100(um) 50 ~ 100(um)億光電子（蘇州）有限公司 EVERLIGHT（SUZHOU） ELECTRONICS CO,. LTD.頂針第二段高度2nd Plunge-up lift P1 0~450(um) 0~450(um) 晶片高度 chip height(um)0~95um95~200um200um以上頂針第二段高度Plunge-up height 0 ~ 45(10um) 0 ~ 45(10um) 0 ~ 45(10um)頂針第一段高度Pre-Plunge up height 5 ~ 10(10um) 5 ~ 10(10um) 5 ~ 10(10um)頂針預備位高度Pre-Plunge up offset0 ~ 20(10um)0 ~ 20(10um)0 ~ 20(10um)-2480 ~ -2280(10um)-2400 ~ -2200(10um)固晶高度1ST MOUNT POS Z-560 ~ -360(10um)-520 ~ -320(10um)-480 ~ -280(10um) 板材厚度 L/F thinkness(um)文件編號File NO.:SZSOP-3-012-RM 版次Version:11 頁數Page: 4/17 晶片高度 chip height(um)0~95um95~200um200um以上0~300um300~600um600um以上參數選項parameter option取晶高度PICK-UP POS Z-2490 ~ -2290(10um)3-2-5機台型號：NEC BESTEM-D01RMACHINE TYPE : NEC BESTEM-D01R 3-2-6機台型號：ASM AD809-08MACHINE TYPE : ASM AD809-08 NOTE:1mil=25.4umASM 809-08: 1 STEP=0.5mil=12.7um頂針第二段高度2nd Plunge-up lift P1 0~450(um) 0~450(um) 0 ~ 450(um)頂針第一段高度1st Plunge-up lift P1 50 ~ 100(um) 50 ~ 100(um) 50 ~ 100(um)頂針預備位高度Plunge up offset lift P10~200(um)0~200(um)0 ~ 200(um)固晶高度mount position Z-4600 ~ -3600(um)-4500 ~ -3500(um) -4400 ~ -3400(10um)取晶高度Pickup pos axis Z-29700 ~ -28700(um)-29600 ~ -28600(um)-29300 ~ -28300(um)億光電子（蘇州）有限公司 EVERLIGHT（SUZHOU） ELECTRONICS CO,. LTD. 晶片高度 chip height(um)0~95um95~200um200um以上 板材厚度 L/F thinkness(um)0~300um300~600um600um以上參數選項parameter option頂針高度Ejector up level50~150(0.5mil)60~200(0.5mil)70~250(0.5mil)固晶高度Bond Level308~388(0.5mil)277~ 357(0.5mil)246 ~ 326(0.5mil)取晶高度Pick Level392 ~ 472(0.5mil)384 ~ 464(0.5mil)376 ~ 456(0.5mil) 板材厚度 L/F thinkness(um)0~300um300~600um600um以上參數選項parameter option 晶片高度 chip height(um)0~95um95~200um200um以上文件編號File NO.:SZSOP-3-012-RM 版次Version:11 頁數Page: 5/17

编带包装检验判定标准

编带包装检验判定标准

______________________________________________________________________________________________________________

精品资料 1.0 目的

为了规范编带检验之标准

2.0 范围

适用于本公司SMDLED所有规格产品的编带检验。

3.0 使用工具

显微镜、镊子

4.0 允收水准

本判定采用MIL-STD-105E 一般水准II中的CR=0%、MA=0.4%、MI=0.65%水准检验判断

5.0 工作细则：

检验项目 标 准 图示

判定

合格 不合格 合格限度

拉力测试 反方向45度拉盖带能轻松均匀的拉脱与载带的连接,无盖带断裂,盖带与载带封合处无产生毛边，除湿前拉力为25-40g，除湿后50-80g

MI 封合处无产生毛边，除湿前拉力为25-40g，除湿后50-80g 拉力过大，盖带拉丝，封合处有毛边 拉力小于90 g且不拉丝可接受

PPA破损 PPA破损、缺角不良 MA

PPA无破损、压伤 PPA破损、压伤不接受 PPA轻微破损压伤不影响发光及性能可接受 压伤 压伤 ______________________________________________________________________________________________________________

精品资料 版次 修改日期 制 作 审 核 批 准

烫伤 上封带中间有烫伤或封带破损

封带有烫伤或是破损≤3cm中间盖带与载带无粘死现象可接受。

MI

封带及载带无烫伤、破损 封带有烫伤或是破损≥3cm中间有盖带与载带粘死现象不接受

翻料 载带内产品放置胶体表面向上，不可侧放或者是倒放 ☆ CR

无侧放或者倒放 侧放或倒放不接受

压痕不均 两边压痕宽度基本保持一致

说明smd led封装时其基本的工艺流程

说明smd led封装时其基本的工艺流程

说明smd led封装时其基本的工艺流程

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SMD LED封装工艺流程详解

SMD焊接外观检验标准

SMD焊接外观检验标准

SMD板卡外观检验标准

版本 编写 审核 批准 实施日期

A/0

0修改记录

1目的范围

2职责

3管理内容和方法

4相关文件

5质量记录

0修改记录

版本 文件条款 修改页次 修改理由

A/0

1目的范围

1. 1目的：本标准规定了 SMD外观检验的检查项目、检查方法、和品质标准，提供顾客良好品质保证，对内 提供生产及工程部门改进品质的资料。

1. 2范围：适用于本公司生产的 SMD线路板，如该产品有其他特殊规定，应依特殊规定执行。

2职责

SMD板卡外观检验标准由品质部负责执行

3管理内容和方法

文件编号 ZDK-PCP-SMD-01 版本号 第一版 PAGE 1/27

说 明 目 录

1. 此指导为星星一般MODEL检杳时 通用；如客户有特别要求，请以客 户标准要求为依据

2. 缺点分类：

严重缺点：缺点可能影响产品的可 用性，减低产品的可销 售价值，或严重的外观 缺陷，如缺料，错件等。

轻微缺陷：缺点不可能影响产品的 可用性或销售价值，如 污浊，丝印模糊等。

3. PQC抽验计划：

1〜10PCS全检；

11〜50PCS抽查8PCS,不可以有缺陷；

51以上，按AQL标准：

GENERAL INSP： LEVEL II;

MAJ : 0.65%;

MIN&OVERALL : 2.5%，抽查。 1. PCB板外观检杳 --------------- P2-3

2. CHIP电阻/电容类外观检查 ——P4-7

3. 三极管外观检杳 ---------------- P8

4. IC及多脚类物料外观检查 ------ P9-10

5. 线圈外观检杳 ------------------ P11

6. 弯脚物料外观检查 ---------- P12-13

7. 圆柱形物料外观检杳 ------------ P14

8. AI物料外观检杳 ----------- P15-16