亥姆霍兹定理任意矢量场
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一、填空题1.对于矢量A u v ,若A u v =xe u uv xA+ye u u vyA+ze u u vzA,则:y e u u v •xeu u v= 0 ;z e u u v•zeu u v= 1 ;ze u u v ⨯xeu u v=yeu u v;x e u u v ⨯x e u u v= 0 。
2.对于某一矢量A u v,它的散度定义式为0()()()limsA r dS r divA r ττ→•=⎰V V Ñ;用哈密顿算子表示为A ∇•u v。
3. 哈密顿算子的表达式为∇= x e u u v x ∂∂+y e u u v y ∂∂+z e u u v z∂∂ ,其性质是 一阶矢性微分算子4. 在均匀各向同性线性媒质中,设媒质的介电常数为ε,则电位移矢量D ϖ和电场E ϖ满足的方程为:E D ϖϖε=.5.在均匀各向同性线性媒质中,设媒质的导磁率为μ,则磁感应强度B ϖ和磁场H ϖ满足的方程为: B=uH 。
6.分析恒定磁场时,在无界真空中,两个基本场变量之间的关系为0()()B r H r μ=,通常称它为真空的磁特性方程或本构关系。
7.设线性各向同性的均匀媒质中,02=∇φ称为 拉普拉斯 方程。
8.如果两个不等于零的矢量的 点积 等于零,则此两个矢量必然相互垂直。
9. 在自由空间中,点电荷产生的电场强度与其电荷量q 成 正 比,与观察点到电荷所在点的距离平方成 反比 。
10. D E ε=u v u vB H μ=uv u u v J Eσ=uv u v 。
11.在理想导体的表面, 电场 的切向分量等于零。
12. 矢量场)(r A ϖϖ穿过闭合曲面S 的通量的表达式为:()Sd r A Sϖϖϖ⋅⎰。
13.静电场是无旋场,故电场强度沿任一条闭合路径的积分等于 0 。
14.由相对于观察者静止的,且其电量不随时间变化的电荷所产生的电场称为静电场。
15.由恒定电流产生的磁场称为恒定磁场,恒定磁场是无散场,因此,它可用 磁矢位A函数的旋度来表示。
《电磁场理论》考试试卷(A 卷)(时间120分钟)1. 关于有限区域内的矢量场的亥姆霍兹定理,下列说法中正确的是 (A )任意矢量场可以由其散度和旋度唯一地确定; (B )任意矢量场可以由其散度和边界条件唯一地确定; (C ) 任意矢量场可以由其旋度和边界条件唯一地确定; (D ) 任意矢量场可以由其散度、旋度和边界条件唯一地确定。
2. 谐变电磁场所满足的麦克斯韦方程组中,能反映“变化的电场产生磁场”和“变化的磁场产生电场” 这一物理思想的两个方程是 (B5关于高斯定理的理解有下面几种说法, 其中正确的是、选择题(每小题2分,共20 分)(A)H 0, E —(B ) H J E, E(C H J,E 0(D )H 0, E -3.—圆极化电磁波从媒质参数为分量不产生反射,入射角应为 3 r 1的介质斜入射到空气中,要使电场的平行极化(B )(A) 15°(B ) 30°(C ) 45(D) 604.在电磁场与电磁波的理论中分析中,常引入矢量位函数A ,并令B A ,其依据是(C )(A)B 0 ;(C ) B 0;(B)B J ;(D) B J电磁学》试卷 第 2 页 共 7 页(A) 如果高斯面内无电荷,则高斯面上 E 处处为零; (B) 如果高斯面上 E 处处不为零,则该面内必有电荷; (C) 如果高斯面内有净电荷,则通过该面的电通量必不为零; (D) 如果高斯面上 E 处处为零,则该面内必无电荷。
6.若在某区域已知电位移矢量 ( A)2( B ) 2D xe x( C )ye y ,则该区域的电何体密度为 ( B )2( D )27. 两个载流线圈之间存在互感,对互感没有影响的是( C )(A )线圈的尺寸(B ) 两个线圈的相对位置(C )线圈上的电流 (D )线圈中的介质8 . 以下关于时变电磁场的叙述中,正确的是( B )(A )电场是无旋场 (B )电场和磁场相互激发(C)电场和磁场无关 (D )磁场是有源场9. 两个相互平行的导体平板构成一个电容器, 与电容无关的是10. 用镜像法求解静电场边值问题时, 判断镜像电荷设置是否正确的依据是 ( C )(A) 镜像电荷的位置是否与原电荷对称 (B) 镜像电荷是否与原电荷等值异号(C) 待求区域内的电位函数所满足的方程与边界条件是否保持不变 (D) 同时满足A 和B(A )导体板上的电荷(C )导体板的几何形状 (B) 平板间的介质(D) 两个导体板的相对位1 •电磁波在波导中传播的条件是波导管只能让频率 __________ 一特定值的电磁波通过,该特 定频率称为 _____________ 。
1、 试证明亥姆霍兹定理。
亥姆霍兹定理指出,在由闭合面S 所包围的体积V 中的任一矢量场F ,由它 的散度、旋度和边界条件(即限定空间体积V 的闭合面S 上的矢量场分布)唯一确定,并可写成一个无旋场1F 和一个无散场2F 之和。
下面证明亥姆霍兹定理。
在图1-1所示三维直角坐标系中有一闭合面S ,V 是闭合面S 所包围的有限空间。
P 、Q 为有限空间V 中任意的点,各自坐标分别为(',',')x y z 、(,,)x y z ,或者记为'r 、r 。
P 点指向Q 点的矢量记为'R r r =-。
'r ry图1-1利用δ函数的抽样性质,有限空间V 中任意一点r 处的矢量场()F r 可以写为:方程1-1右端的积分空间为闭合面S 所包围的有限体积V ,积分变量是'r ,此时r 可视为常量并且只有当它位于V 内时方程1-1才成立。
'r r -1.1。
'dV r r -其中积分变量为'r ,而拉普拉斯算子2∇是作用在r 上,所以交换拉普拉斯算子与积分的运算顺序不影响结果,交换两者运算顺序有:'dVr r-根据矢量恒等式:2()()x x x∇=∇∇⋅-∇⨯∇⨯4''dV dVr r r rπ--⎰⎰⎰令:'dVr r-1)''r dVr r=∇⨯-⎰⎰⎰2()()F r A r=∇⨯可以重新写为:在方程1-8中,矢量场1()F r是标量()rφ的负梯度为无旋场,矢量场2()F r是矢量()A r的旋度为无散场,这就将矢量场()F r表示为了一个无旋场与一个无散场的和。
下面对()rφ和()A r做进一步处理。
在方程1-6-1中,由于求散度运算“∇⋅”作用于变量r,积分运算中积分变量是'r,所以交换两运算的顺序不影响结果。
'r r⎥⎥-)'''r r r r r r ⎥=∇∇⎥---考虑到求散度运算“∇⋅”只作用于变量r ,而(')F r 是关于'r 的函数,所以对(')F r 求散度的结果为零。
11 麦克斯韦I 方程组.的微分形式 是:J . H =J JD,\ E = _。
「|_B =0,七出=:2静电场的基本方程积分形式为:性£虏=03理想导体(设为媒质 2)与空气(设为媒质 1)分界 面上,电磁场的边界条件为:4线性且各向同性媒质的 本构关系方程是:5电流连续性方程的微分形式为:。
6电位满足的泊松方程为;在两种完纯介质分界面上 电位满足的边界 。
7应用镜像法和其它间接方法解静 态场边值问题的理论依据是。
8.电场强度E Aj 单位是,电位移D t 勺单位是。
9.静电场的两个基本方程的微分 形式为“黑E =0 Q D = P ; 10.—个直流电流回路除 受到另一个直流电流回路的库仑力作用外还将受到安 培力作用1 .在分析恒定磁场时,引入矢量磁位A,并令冒=%,的依据是(c.V 值=0)2 . “某处的电位 中=0,则该处的电场强度 E=0的说法是(错误的)。
3 .自由空间中的平行双线传输线,导线半径为a ,线间距为D ,则传输线单位长度的电容为4 .点电荷产生的电场强度随距离变化的规律为( 1/r2)。
5 . N 个导体组成的系统的能量 W =1£ q * ,其中e i 2 t i i 是(除i 个导体外的其他导体)产生的电位。
6 .为了描述电荷分布在空间流动的状态, 定义体积电流密度J,其国际单位为(a/m2 )7 .应用高斯定理求解静电场要求电场具有(对称性)分布。
8 .如果某一点的电场强度为零,则该点电位的(不一 定为零 )。
9 .真空中一个电流元在某点产生的磁感应强度dB 随该点到电流元距离变化的规律为( 1/r2 )。
10.半径为a 的球形电荷分布产生的电场的能量储存于(整个空间)。
三、海水的电导率为 4S/m,相对介电常数为 81,求频 率为1MHz 时,位幅与导幅比值?三、解:设电场随时间作正弦变化,表示为:E = e x E m cos t则位移电流密度为:J d =— = -ex :-. ■ 0 r E m Sin t;t其振幅彳1为:J dm = 网 5E m = 4.5X10- E m 传导电 流的振幅值为: J cm -二- E m = 4E m 因此:Jm =1.125/0J -cm四、自由空间中,有一半径为a 、带电荷量q 的导体球。