晶体管的结构晶体管有三个极（发射极、基极、集电极）、三个区（发射区、基区、集电区）、两个PN结（发射结、集电结）。
以NPN型晶体管为例，发射区多子（自由电子）浓度高；基区多子（空穴）浓度低，且很薄；集电区面积大。
晶体管的放大原理放大条件：1.U BE>U on（发射结正向偏置）2.U CB≥ 0，即U CE≥U BE（集电结反向偏置）工作原理：基区->发射区：空穴的扩散运动，电流方向基区->发射区发射区->基区：自由电子扩散运动，电流方向基区->发射区在外电场作用下，扩散运动被加强。
基区很薄且多子浓度低，只有极少数来自发射区的自由电子与基区的空穴结合，难以形成空间电荷区，剩下的大部分自由电子向集电区移动。
基区->集电区：自由电子漂移运动（空穴的扩散运动被抑制），电流方向集电区->基区集电区->基区：空穴的漂移运动（自由电子的扩散运动被抑制），电流方向集电区->基区在外电场作用下，漂移运动被加强，自由电子从基区移动向集电区。
集电区面积较大，因而在容纳电子数目相同的情况下，自由电子的浓度更低，自由电子的扩散作用更弱。
从而在外加电场一定时，可以容纳更多的自由电子。
扩散运动形成发射极电流I E，复合运动形成基极电流I B，漂移运动形成集电极电流I C。
直流放大系数β=I C I B交流放大系数β=∆i CB穿透电流（基极开路时集电极与发射极之间的漏电电流）I CEO=(1+β )I CBOI CBO为集电结反向电流（发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流）晶体管的共射输入特性和输出特性输入特性：i B=f(u BE)|UCE类似于PN结的伏安特性。
U CE增大则曲线右移，增大到一定值时右移便开始不明显。
对于小功率晶体管，U CE大于1V时的一条输入特性曲线可以取代所有大于1V的输入特性曲线。
输出特性：i C=f(u CE)|IB对应于一个I B就有一条i C随u CE变化的曲线。
