成都电子科技大学知名电子材料专家、学术带头人邓龙江

电子科技大学2014年推免生复试成绩
（更新时间：2013年10月15日13:40）
说明：
1、学校将根据学院上报陆续公布学院复试成绩及意见。

2、考生对复试成绩、学院意见如有异议请向学院研究生科提出，如仍有异议再向研招办提出。

3、拟上报考生经公示、教育部录检合格后才确定为正式录取，录检不合格即取消推免资格，正式录取以录取通知书为准。

4、拟录取推免生仍需按招生简章（直博生见博士招生简章，硕士生见硕士招生简章）要求进行网上报名和现场确认。

5、2014年5月发放调档函及录取通知书，具体事宜另行通知。

为准。

扎根西部求发展聚焦量子勤探索——记电子科技大学“百人计划”入选者、邓光伟研究员作者：徐红，王永梅来源：《海峡科技与产业》 2018年第4期科研需要具有前瞻性的眼光，需要顽强坚定的毅力，更需要积极向上、勇敢前进的执着精神。

正是在这种具有感染力的美好精神的感召下，许多科研人士努力钻研，奋力拼搏，用自己的生命和激情谱写着美好的科研人生。

电子科技大学邓光伟研究员，就是这样一位不断努力的科研斗士。

他扎根西部，致力于量子器件、量子光学、量子精密测量物理学等方面的研究，积极创新，经过坚持不懈的努力，取得了可喜的科研成果，为我国的科研事业贡献着自己的力量。

不畏困难坚持研究2007—2016年，邓光伟本硕博均就读于中国科学技术大学，师从郭国平教授和郭光灿院士。

2016—2017年，他被评为中国科学技术大学副研究员。

2018年，邓光伟作为“校百人计划”入选者加入电子科技大学，任研究员。

从此，他开始对量子器件、量子光学等进行深入细致的研究。

2 0 1 1 — 2 0 1 5 年，邓光伟对二维材料石墨烯的量子调控性质进行了系统的研究，他与同事一起，优化了石墨烯量子点结构的设计方案、制造流程以及操控方法，对石墨烯和超导谐振腔的新型复合结构进行了认真的探索，并通过微波光学的探测手段对量子点上的电子状态进行了灵敏测量，还深入研究了石墨中电子的量子相干性质，这些成果为研究未来的固态量子器件打下良好的基础，相关成果以邓光伟为第一作者发表在物理学顶级期刊《物理评论快报》。

2012年，作为核心成员的邓光伟参与了中国科学战略性先导科技专项（B类）等研究项目。

他参与了“半导体量子点的量子操控及信息处理”课题研究，主要是对无净核自旋的四、六族元素（主要是碳、硅以及锗等）在量子点器件方面的应用开展研究，观察在不受核自旋影响的条件下，是否能提升量子点的相干性质。

虽然面临的困难很多，但是邓光伟毫不气馁，顽强地坚持着科学研究。

要构建一台实用化的量子计算机，不仅需要实现可纠错、可测量、可操作的量子比特单元，还需要量子比特单元能够保持相干性地扩展。

金属薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应
力的关系
唐武1，邓龙江1，徐可为2，Jian Lu3
(1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054)
(2. 西安交通大学，陕西西安710049)
金属电阻形成的根源是自由电子发生碰撞，从而失去了从外电场获得的定向速度。

这种碰撞可能发生于电子-晶格、电子-杂质、电子-晶界、电子-表面。

在块体材料中，电子-表面碰撞的次数在总的碰撞次数中所占比率极小，可以忽略，因而块体材料的电阻率与物体尺寸无关。

但对薄膜而言，当其表面特征尺寸可与该温度下电子自由程相当时，电子-薄膜的表面碰撞为非镜面反射（即反射方向与入射方向无关，亦即漫反射），电阻率就会随表面状态改变。

在薄膜材料中，由于厚度很小，所以在电子表面碰撞过程中的电子损失速度不可忽略。

由此对薄膜材料的电阻率造成影响。

通常情况下电阻率随粗糙度的增大而增大。

法奇斯(Fuchs)．桑德海默尔(Sondheimer)理论:F-S
式（1）是在假设薄膜电子完全发生漫反射时的电阻率。

实际情况下反射率与基底粗糙度有关，粗糙度越大，发生漫反射比例越高，当表面粗糙度为0或者镜面时，将发生完全镜面反射，此时根据式（1）可得到薄膜电阻与块状电阻率相等的关系。

设镜面反射所占比例为P，则此时薄膜电阻率表达式为:
研究粗糙度对薄膜电阻率的影响：
电阻率随残余应力的增大而增大。

与晶体取向可能有关。

残余应力增加，薄膜晶体扭曲越严重，晶体对电子造成的散射越显著。

分类号密级UDC学位论文GaN基p-i-n紫外探测器研究（题名和副题名）邹泽亚（作者姓名）指导教师姓名杨谟华教授电子科技大学成都（职务、职称、学位、单位名称及地址）申请学位级别硕士专业名称微电子与固体电子学论文提交日期2007.2论文答辩日期2007.3学位授予单位和日期电子科技大学答辩委员会主席评阅人2008年2 月日注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。

据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。

与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。

签名：日期：年月日关于论文使用授权的说明本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。

本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。

（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）签名：导师签名：日期：年月日摘要摘要宽禁带半导体材料GaN及其三元合金AlGaN，由于其禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好，在光电子器件，尤其紫外探测器领域有着重要的应用价值。

其中探测波段在240-280nm区间（日光盲区）的探测器可以广泛应用于导弹尾焰探测、火灾监测、卫星间通信等领域，在国际上引起了广泛的研究兴趣。

本文针对基于高温AlN模板层的GaN基背照式p-i-n型日光盲探测器的设计、制作与性能测试开展了研究。

着重研究了对实现日光盲探测具有重要意义的AlN 缓冲层材料的MOCVD生长、p型GaN的掺杂及欧姆接触。

研究发现在蓝宝石衬底表面无氮化，低V/III比情况下，可以在1200℃高温下生长出表面原子级光滑的AlN材料。