第一章 半导体器件知识

第一章《半导体器件的基础知识》一、填空：1、半导体的导电能力随着（掺入杂质）、（光照）、（温度）和（输入电压和电流的改变）条件的不同而发生很大的变化，其中，提高半导体导电能力最有效的办法是（掺入杂质）。

2、（纯净的半导体）叫本征半导体。

3、半导体可分为（P ）型半导体和（N ）型半导体，前者( 空穴)是多子，（电子）是少子。

4、PN结加（正向电压）时导通，加（反向电压）时截止，这种特性称为（单向导电）性。

5、PN结的反向击穿可分为（电）击穿和（热）击穿，当发生（热）击穿时，反向电压撤除后，PN结不能恢复单向导电性。

6、由于管芯结构的不同，二极管可分为（点）接触型、（面）接触型、（平面）接触型三种，其中（点）接触型的二极管PN结面积（小），适宜半导体在高频检波电路和开关电路，也可以作小电流整流，面接触型和平面型二极管PN结接触面（大），载流量（大），适于在（大电流）电路中使用。

7、二极管的两个主要参数是（最大整流电流）和（最高反向电压）使用时不能超过，否则会损坏二极管。

8、在一定的范围内，反向漏电流与反加的反向电压（无关），但随着温度的上升而（上升），反向饱和电流越大，管子的性能就越（差）。

9、硅二极管的死区电压为（0、5）V，锗二极管的死区电压为（0、2）V。

10、三极管起放大作用的外部条件（发射结正偏）和（集电结反偏）11、晶体三极管具有电流放大作用的实质是利用（基极）电流实现对（集电极）电流的控制。

12、3DG8D表示（NPN型硅材料高频小功率三极管）；3AX31E表示（PNP型锗材料低频小功率三极管）。

13、三极管的恒流特性表现在（放大）区，在饱和区，三极管失去（放大）作用，集电结、发射结均（正）偏。

14 集---射击穿电压V（BR）CEO是指（基极开路）时集电极和发射极间所承受的最大反向电压，使用时，集电极电源电压应（＞）这个数值。

15三极管的三种基本联结方式可分为（共基极电路），（共集电极电路）和（共发射极电路）。

16、温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将（左移），输出特性曲线将（上移），而且输出特性曲线之间的间隔将（变宽）。

17、晶体三极管三个极限参数分别为（集电极最大允许电流）、（极间反向击穿电压）、和（耗散功率）。

18、硅管的饱和压降为（0、3V），锗管饱和压降为（0、1V）。

19、半导体中，自由电子带（负）电，空穴带（正）电。

20、晶体管的穿透电流I CEO随温度的升高而（增大），由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管（小），所以硅晶体管的（热稳定性）比锗晶体管好。

21、场效应管从结构上分为（结型）和（绝缘栅型）两大类，因导电类型的不同可分为（N沟道）和（P沟道）两大类。

它们的导电能力仅取决于（一种）载流子，所以场效应管又称为单极型三极管。

22、N沟道增强型的开启电压V T一定是（正）值。

23、场效应管是利用（输入电压）来影响导电沟道，从而控制（输出电流）的大小。

24、绝缘栅型场效应管的栅极电流I G（很小），输入电阻（很大）。

25、场效应管是一种（电压控制型）器件。

26、三极管是一种（电流控制型）器件。

27、绝缘栅场效应管的突出优点是（输入电阻很大），不足之处是（不易保存）。

28、三极管三种工作状态为（放大状态）、（饱和状态）、（截止状态）29、甲、乙两只三极管，甲管β=150，I CBO =10μA，乙管β=50，I C B O =5μA，在使用当中，我们一般选用（乙管）30、测得三极管I B =20μA时，I C =2mA，I B =60μA时，I C =5.4mA，则β=（85）二、是非题（对的打√，错的打 ）1、在半导体内部，电子和空穴都是载流子（√）2、在P型半导体中，只有空穴参与导电（×）3、晶体二极管击穿后立即烧毁（×）4、PN结存在着结电容（√）5、MOSFET存放时，栅极应与源极短接（√）6、N沟道增强型的场效应管VGS不仅可以取负值，取正值和零值均能正常工作（×）7、绝缘栅型场效应管的输入电阻在1012Ω以上（√）8、MOSFET 放大级对前级的放大能力影响极小（ √ ）9、在晶体三极管中，集电区的掺杂浓度低，面积大，发射区的掺杂浓度高，基区的厚度很小且掺杂浓度很低（√ ） 10、场效应管有电压放大作用（ √ ）11、用指针式的万用表的不同欧姆档测量同一个二极管的正向电阻时，测得的阻值完全相同（×）12、晶体三极管发射结和集电结相当于两个二极管反向连接，所以，可以用二只二极管来代替三极管的使用（×）13、在三极管放大电路中，基极永远不能作为主输出端（√ ） 14、在晶体管的放大区，它的直流 和交流β近似相等（√ ） 15、在本征半导体中，掺入微量其它元素，就得到N 型半导体（×） 16、晶体管的β越大越好（×）17、N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电（×） 18、在外电场的作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流（√ ） 19、在如图所示的电路中，断开或接上二极管V 对电流表A 的读数没有影响（×）20、有一个晶体管接在放大电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V 、-6V 和-6.2V ，说明这个晶体管是PNP 管（ √ ）21、晶体管的集电极 — 发射极击穿电压 V （BR ）CEO 的值同工作温度有关，温度越高，V （BR ）CEO 越大（×）22、温度升高时，二极管的正向压降减小（×）23、二极管正向动态电阻的大小，随流过二极管电流的变化而变化，是不固定的（√ ） 24、 场效应管的放大能力不能像晶体管电流放大系数表示，而是用跨导g m 表示的（ √ ） 25、MOS 管出厂包装或使用前都要保持栅源间处于断路状态（ ×） 26、三极管的C 、E 两极可以互换使用。

（×） 27、三极管的I C E O 越大，其稳定性越好。

（×）+28、若三极管的I C ＞I CM ，则此管一定损坏。

（×）29、用一块P 型半导体与一块N 型半导体紧靠在一起，就会形成PN 结。

（×） 30、三极管处在放大状态时，基极电位一般高于发射极电位。

（×） 三、选择1、设有图示二极管在工作的情况下，电流流向只能是 （ A ）A ： A 端流出，B 端流入 B ： A 端流入，B 端流出2、在以下电路中，若二极管的最大整流电流I CM =1A ，能正常工作的是 （ C ）A B C3、三极管集电极最大允许电流I CM 是 （ C ）A 可能是烧坏管子的集电极电流B β值下降到正常值的0.5倍时的集电极电流C β值下降到正常值的2/3时的集电极电流4、整流二极管的反向击穿电压为30V ,它最高反向工作电压采取 （ B ）A 25 V ~30 VB 15 V ~20 VC 40 V 以上5、在测量三极管参数时，当基极电流I B 从0.02mA 调到0.03mA ，集电极电流I C 从1mA调到1.5mA① 该管的直流放大系数 （ B ）A 30B 50C 75D 100 ② 该管的交流放大系数β （ B ）A 30B 50C 75D 1006、在下图1中，二极管是理想的，R = 6Ω,当普通插式万用表置于R×1Ω档时，用黑表笔接A 点，红表笔接B 点，万用表的指示值为（ A ）AB3ΩA 18ΩB 9ΩC 3ΩD 2Ω图1图27、如果三极管集电极电流I C远大于它的集电极最大允许电流I CM，则该管（ A ）A 被烧坏B 被击穿C 电流放大能力下降8、图2中的三极管处于状态（A ）A 截止B 放大C 饱和9、在下列两种二极管中，常用于检波的二极管是（A ），其工作频率可达150KHZ，它的整流电流很（D ），常用于整流的二极管是（ B ），其工作频率为3KHZ，它的整流电流很（ C ）。

A 2 A PB 2CPC 大D 小10、在下图的曲线中（A ）是锗管的特性曲线，A AODB AOCC BOD D BOC11、放大器的三种组态都具有（ D ）A 电流放大能力B 电压放大能力C 功率放大能力D 储有能量作用12、下列各图中，三极管处于饱和导电的是（ B ）A B C DRR RB+9VV0.3V 0.3V 2V 3V13、检波二极管是采用（ A ）A 2AP9B 2CK2C 2CZ214、3DD15的正常用途（ D ）A 低频小功率放大B 高频小功率放大C 高频大功率放大D 低频大功率放大15、点接触式二极管比面接触式二极管的结电容要（ A ）A 小些B 大些C有的大些，有的小些16、电路上测得某三极管三个脚电压分别是6.7V、6.0 V、10 V，这三极管是（B ）A PNP硅管B NPN 硅管C PNP锗管D NPN锗17、分别用R×100Ω档和R×1KΩ档测量，测量该二极管的正向电阻时，发现所测量阻值有所差别（B ）A 二极管已损坏B 二极管是非线性器件C 不能用不同的档位测量同一管子18、当PN结两端加正向电压时，在PN结内参加导电的是（C ）A 多数载流子B 少数载流子C 既有多数载流子又有少数载流子19、如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（ C ）A 正常B 已被击穿C 内部断路20、在外电场作用下，空穴和自由电子运动形成的电流方向（ A ）A 相同B 相反C 不能确定21、使用晶体管时，下列哪些额定值不能超过（ C ）A 电流放大系数B 反向饱和电流I CBOC 耗散功率P CM22、当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（B ）A 很小的电阻B 很大的电阻C 短路23、用万用表的欧姆档测量小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆档拨到（ A ）A R×100Ω档或R×1KΩ档测量B R×1ΩC R×10KΩ24、二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（B ）A 反偏B 正偏C 不变25、当晶体管的基极电源使发射结反偏时，则其集电极电流将（ C ）A 反向B 增大C 中断26、晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将（ C ）A 随着基极电流的增加而增加B 随着基极电流的增加而减小C 与基极电流的变化无关，只决定于V CC 和R C 27、场效应管属于（ ）型的电子元件（ B ） A 电流控制 B 电压控制C 不受输入信号控制D 非线性28、场效应晶体管的特点是（ C ）A 输入电阻很低B 功耗大C 热稳定性好D 不宜于集成 29、场效应晶体管工作时几乎不向信号源吸收（ C ）A功率 B 电压 C 电流 D 都不对30、场效应晶体管是通过改变（ ）来控制漏极电流的（ B ）A 栅极电流B 栅源电压C 源极电压D 源极电流四、综合分析题。