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常见金属材料功函数金属材料的功函数是指其中一种金属表面上需要供给的最小能量，以将一电子从金属表面抽离出来的过程。
它是金属物理性质的重要参数，与金属的导电性、光电效应、表面反应等密切相关。
以下将介绍常见金属材料的功函数。
1.铜（Cu）铜是常见的金属材料之一，其功函数约为4.7eV。
因为铜的功函数较高，所以它对光电效应的响应较弱，对光源要求较高。
铜具有良好的导电性和热传导性能，广泛应用于电子器件、电线电缆等领域。
2.铁（Fe）铁是一种重要的金属材料，其功函数约为4.5eV。
铁具有良好的导磁性和机械性能，广泛用于制造机械设备、建筑结构和电磁器件。
因为铁的功函数较高，所以它对光电效应的响应较弱，对于阳光的利用较不理想。
3.铝（Al）铝是一种轻金属，其功函数约为4.1eV。
铝具有良好的导电性和热导性，广泛用于制造飞机、汽车、建筑等领域。
铝的功函数较低，所以它对光电效应的响应较好，对太阳光的利用效率比较高。
4.锌（Zn）锌是一种常见的金属材料，其功函数约为4.3eV。
锌具有良好的抗腐蚀性和导电性能，广泛应用于锌电池、镀锌钢板等领域。
锌的功函数较低，所以它对光电效应的响应较好，对太阳光的利用效率较高。
5.银（Ag）银是一种重要的金属材料，其功函数约为4.3eV。
银具有良好的导电性和热导性能，广泛应用于电子器件、化学催化剂等领域。
银的功函数较低，所以它对光电效应的响应较好，适用于光电器件制造。
6.铂（Pt）铂是一种贵金属，其功函数约为5.7eV。
铂具有优异的化学稳定性和催化性能，广泛应用于化工、电子等领域。
铂的功函数较高，所以它对光电效应的响应较弱，对光源要求较高。
以上是常见金属材料的功函数介绍。
不同金属的功函数差异较大，这使得它们在电子器件、光电器件、化学反应等方面具有不同的应用潜力。
更深入地研究金属材料的功函数及其影响因素，有助于开发和优化金属材料的性能，满足不同领域的需求。
金属逸出功公式
金属逸出功公式是描述金属表面电子逸出的一种数学公式。
在金属表面，电子受到金属原子的束缚，需要克服金属原子的吸引力才能逸出金属表面。
金属逸出功公式描述了电子逸出所需要的能量与金属表面的物理性质之间的关系。
金属逸出功公式可以表示为：
Φ = hν - E
其中，Φ表示金属的逸出功，h表示普朗克常数，ν表示光子的频率，E表示金属表面的功函数。
这个公式说明了金属表面电子逸出所需要的能量与光子的频率和金属表面的物理性质之间的关系。
金属逸出功公式的应用非常广泛。
在光电子学中，金属逸出功公式被用来描述光电效应。
当光子照射到金属表面时，如果光子的能量大于金属的逸出功，那么金属表面的电子就会逸出。
这个过程被称为光电效应。
金属逸出功公式可以用来计算光电效应的能量阈值。
金属逸出功公式还被用来描述金属表面的化学反应。
在化学反应中，金属表面的电子可以参与反应，但是需要克服金属原子的吸引力才能离开金属表面。
金属逸出功公式可以用来计算化学反应中电子逸出所需要的能量。
金属逸出功公式是描述金属表面电子逸出的一种数学公式。
它可以
用来计算光电效应的能量阈值和化学反应中电子逸出所需要的能量。
这个公式的应用非常广泛，对于研究金属表面的物理和化学性质非常重要。
常用阴极材料的功函数2.低功函的金属化学性质比较活泼，它们在空气中容易被氧化.，对器件稳定性不利，因此常把低功函数的金属和高功函且化学性能比较稳定的金属一起蒸发形成合金阴极，如MgAg（10:1），Li：Al（0.6%Li）合金阴极。
3.层状阴极由一层极薄的绝缘材料如LiF，Li2O，MgO，Al2O3，和外面一层较厚的Al组成的双层电极，层状阴极的电子注入性能比纯Al电极有很大提高。
4.掺杂复合型电极将掺杂有低功函金属的有机层夹在阴极和有机发光层之间Li:Alq阳极材料1.ITO表面化学吸附酸或碱后，其功函数将受到明显影响，酸处理可以提高ITO的功函数，磷酸处理可提高0.7ev，相反，碱处理可以降低ITO的功函数，目前使用N（C4H9）4OH，它可以降低ITO的功函数0.7eV，如此大的改变来自于表面的双离子层。
2.等离子处理臭氧处理3.氧辉光放电处理(1) 单层金属阴极。
一般低功函数的金属都可以作为阴极材料,如Ag ,Mg ,Al ,Li ,Ca , In 等[2 ] 。
其中最常用的是Al ,这主要是考虑了稳定性和价格的因素;(2) 合金阴极。
由于低功函数的金属化学性能活泼,非常容易被氧化,为此,常把低功函数的金属和高功函数且化学性能比较稳定的金属一起蒸发形成合金阴极,如Mg :Ag , Li :Al 等。
目前使用最为广泛的阴极材料是Mg :Ag 合金,其原因是它的低功函数和较好的稳定性。
(3) 层状阴极。
这种阴极是由一层极薄的绝缘材料,如LiF ,Li2O ,MgO ,Al2O3 和外面一层较厚的Al 组成的双层电极。
如图3 所示为三种不同阴极LiF/ Al (0. 5 nm) 、Mg :Ag、Al 的I - V 特性曲线,三种器件的发光效率分别为0. 03 W/ A ,0. 027 W/ A ,0. 021 W/ A[4 ] 。
由此可见,这种双层阴极提高了电子的注入效率和器件的发光效率。
什么是功函数？把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。
功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。
同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数单位:电子伏特,eV功函数的分类：一般情况下功函数指的是金属的功函数，非金属固体很少会用到功函数的定义。
首先功函数与金属的费米能级是密切关联的，但也并不完全相等。
这是由于固体自身所具有的表面效应，原包中靠近表面的电荷分布与理想的无限延伸重复排列的布拉菲格子固体想必严重扭曲。
我们在定义中将功函数理解为从固体中将电子移到表面所需要的最小能量。
在电子工程里面功函数对设“计肖特基二极”管或“发光二极管”中“金属-半导体”结以及“真空管”也就显得非常重要。
一般将功函数按照电子能量的来源，或者说是电子受激发的方式将功函数分为“热功函数”和“光电功函数”。
当电子从热能中吸收能量，激发到达表面我们称之为热功函数。
当电子从光子中吸收能量，激发到达表面时我们称之为光电功函数。
功函数的作用：1）当金属与半导体接触，金属与半导体之间功函数差相对很小时（同时半导体有高浓度的杂质），也就是说接触面势垒很窄的情况下，形成欧姆接触。
2）当半导体与金属功函数相差较多，形成势垒，在金半接触面形成势垒结，形成肖特基二极管（也叫做整流二极管）的结构基础。
3）金半接触金属电子激发到达半导体晶体，激发半导体可发出各种可见光，根据此原理可以制成各种发光二极管，而这里面的激发原理也是与功函数分不开的。
4）在mos晶体管中调节阈值电压，也就是说若要改变mos晶体管的阈值电压，可以通过改变栅极金半功函数实现。
功函数的设计：在功函数的定义中涉及到两个重要的物理量：平带电压，表面势。
而功函数实际上可以认为是两者加和。
在设计功函数时要考虑影响功函数的几个因素：1）晶体取向，一般情况下晶体密排面具有较大的功函数。
2）表面缺陷、吸附院子造成电子表面势垒的不同，引起功函数的变化。
