现代电子线路基础(新版教材)--_第六章习题答案

第六章习题6. 1求习题图6・1所示的电路的传递函数H(a)) = V o/V t•习题图6. 1•• RH ——解：（%-匕）-MC 八V jwLjcoL - 3、RLCR + jcoL-cerRLCjcoCR一ja）CR — e f CL6・2对于习题图6. 2所示的电路，求传递函数二丿6. 3串联RLC网络有R二5G, L二10川H, C二1 “F,求该电路的谐振角频率.特征阻抗和品质因数。

当外加电压有效值为24V时，求谐振电流、电感和电容上的电压值。

解：电路的谐振角频率卧忌一皿特征阻抗0二姑= 100。

品质因数0二二20谐振电流人吕十A电感和电容上的电压值U L = U c = U a Q = 480V 6・4设计一个串联RLC电路，使其谐振频率q 二50m〃/“品质因数为80,且谐振时的阻抗为10Q,并求英带宽。

解:B 二色=0. 625rad / 56. 5对于习题图6. 5所示的电路，求和，（/）为同相时的频率解••阶S叫+盏血5将厶二1乩厶二\H、C =一"+ y(w_ ♦W 1 + M rIQ F卜I w谐振时虚部为零，沙——+——二0W 1 +讥厂得出，W二0・7861 6. 6并联RLC网络有R二50G, L二4〃M・C二160 “八求并联电路谐振频率和品质因数。

若外接电流源有效值为2A,求谐振时电阻、电感及电容上的电流值。

解：电路的谐振角频率％二二I・25xl0rad/s4LC品质因数Q二毬CR ==10谐振时电阻、电感及电容上的电流值h二2AJ L二Ic二I K・Q = 2OA6. 7并联谐振电路,其品质因数为120,谐振频率是6x10%/ 〃/ “计算其带宽。

6・8计算习题图6. 8所示的电路的谐振角频率叫，品质因数Q和带宽Bo3好20m H 冒2jfcQ i6“戸〒习题图6・81 1 1 c C 1解：y 二 >・(5//C2)+一+— = 一+7 (=_)谐振时Y的虚部为0沙• g-一丄=0 C] + C、wL得出w =Q = qRC = CD O R(C( //CJ 二20B二八二2^0rad/.y 6. 9习题图6. 9所示的电路，已知电容值C为固圧，欲使电路在© 时发生并联谐振，而在©时发生串联谐振，求厶、乙的值。

|/D ocum ents and Settings/xp/桌面/新建文件夹/《电子线路基础》习题参考答案[1]/《电子线路基础》习题参考答案/readm e.txt传说清华电子系的高文焕老师曾经亲自给自己的那本模拟电路作过一份习题解答，但从未公开发行，只是在电子系的学生中间传阅。

这里我贴出来的这份答案，由于已经经过了N 人之手辗转复印，原作者是哪位高人已经不得而知了，难道莫非就是传说中高老亲自做的那份解答？呵呵~~不过既然很多弟兄都在四处搜求，我就干脆把它拍照上传，拿给大家共享。

~一点说明：这份解答分为两部分，第一部分手写的内容是是高文焕、刘润生所编的《电子线路基础》（高等教育出版社，1997年第1版的）的部分课后题目详细解答，第二部分是上面这本书的所有课后题答案，但是没有解题过程。

~由于已经不知道是复印过多少遍了的版本，所以字迹十分的不清楚，大家凑合看吧。

该文的“我”是某位热心人士，不是本人，呵呵更多答案请参考：w w w|/D ocum ents and Settings/xp/桌面/新建文...《电子线路基础》习题参考答案[1]/《电子线路基础》习题参考答案/readm e.txt2009-7-9 10:36:11课后答案网www.khdaw.com课后答网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网。

习题册参考答案第一章半导体二极管§1-1 半导体的基本知识一、填空题1. 导体绝缘体半导体2. 半导体3. 硅锗4. 热敏光敏掺杂5. 正负负正6. 单向导电导通截止7. 高二、判断题1.×2.×3.√三、选择题1.C2.A3.C4.A§1-2 半导体二极管一、填空题1. 阳正阴负2.硅二极管锗二极管普通整流稳压开关光敏发光变容3.正极负极4.0.7 0.35.单向导电性导通小大截止大小6.大小7.0.5 0.28.最大整流电流最高反向工作电压9.烧毁击穿10.硅稳压锗普通硅整流锗开关11.击穿开路12.小好13.电光光电发光二极管二、判断题1.×2.×3.×4.√5.×6.×7.×8.×9.× 10.√ 11.× 12.× 13.× 14.× 15.× 16.√三、选择题1.C2.C 3．B 4.B 5.B 6.D 7.B 8.C 9.A 10.A11.C 12.C 13.B 14.D 15.A 16.A 17.A 18.A四、综合题1. 答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2. 答：图b）中的灯不亮。

3. 答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

4. 答：5.答：6.答：2CZ83： N 型硅材料整流二极管序号为83 2CW55： N 型硅材料稳压二极管序号为55 2DK14： P 型硅材料开关二极管序号为14 7.答：序号 型号 所用材料F I （mA ）RM U (V)R I (μA)1 2AP9 锗 5 202 1N4148 硅 100 75 5 32CZ56A硅3000258.答：图a ）中，在表头处串联一个二极管，若直流电源极性接错，二极管V1反向截止，使表头指针不发生反偏，起保护表头的目的。

答案6.22解：对图(a)电路做戴维南等效，如图(b)所示。

OC U inZ (b)i j 1/(j )Z L C ωω=+ (1)SOC j I U Cω=(2) 由图(b)可知，当i 0Z =时，电阻两端电压U 与电阻R 无关，始终等于OC (0)U R ≠。

由式(1)解得1/100rad/s ω== 将式(3)代入式(2)得OC 1100A 1090V j100rad/s 0.01FU U ==∠︒⨯=∠-︒⨯90V u t ω=-（）答案6.23解：先对图(a)电路ab 端左侧电路作戴维南等效，如图(b)所示。

U iZ (b)令32000rad/s 210H 4L X L ω-==⨯⨯=Ω得等效阻抗i 4j48//8//j42(1j)4j4Z Ω⨯Ω=ΩΩΩ==+ΩΩ+Ω由OCi 1j U i Z R Cω=++知，欲使电流i 有效值为最大，电容的量值须使回路阻抗虚部为零，即：012]j 1Im[=-=++CC R Z i ωω 等效后电路如图(b)所示。

解得1250μF 2C ω==答案6.24解：应用分压公式，输出电压o U 可表示为o n1n 2U U U =-i i 1j 12j U C U R Cωω=-⨯+ i i i j 121j 2(j 1)U U CR U CR CR ωωω-=-=++ 当 0=R ， o U 超前于i U 180；当 1R Cω=，o U 超前于i U ︒90；当 ∞→R ， o U 与i U 同相位。

即当R 由零变到无穷时，o U 超前于i U 相位差从180到0变化。

答案6.25解：图示电路负载等效导纳为22221j j()j ()()R LY C C R L R L R L ωωωωωω=+=+-+++ (1) 22222222222)()(21)()(C L R LC L R L C L R R Yωωωωωωω++-=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡+-+⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡+= (2) 由式(2)可见：当)2/(12LC =ω时，Y C ω=与R 无关，电流有效值CU U Y I ω==不随R 改变。

6.１ 已知某广播电台的信号电压为()620(10.3cos6280)cos5.7650410t t t υ=+⨯mV ，问此电台的频率是多少？调制信号频率是多少？解：该电台的频率是65.7650410918kHz 2c f π⨯==； 调制信号率是62801000Hz 2F π== 6.２ 已知非线性器件的伏安特性为3012i a a a υυ=++，试问它能否产生频谱搬移功能？ 解：不能产生频谱搬移功能，因为伏安特性中没有平方项。

6.3 画出下列各式的波形图和频谱图，并指出是何种调幅波的数学表达式。

（1）cos )cos 1(t Ω+t c ω （2）cos )cos 211(t Ω+t c ω （3）cos cos ⋅Ωt t c ω (假设Ω=10c ω) 解：（1）cos )cos 1(t Ω+t c ω是1a M =的普通调幅波；波形图频谱图：（2）cos )cos 211(t Ω+t c ω是12a M =的普通调幅波波形图频谱图（3）cos cos ⋅Ωt t c ω是抑制载波的双边带调幅波波形图频谱图6.4 已知调制信号()()()32cos 22103cos 2300t t t υππΩ⎡⎤=⨯⨯+⨯⎣⎦V ，载波信号()()55cos 2510c t t υπ=⨯⨯V ，1a k =，试写出调幅波的表示式，画出频谱图，求出频 带宽度BW 。

解：调幅波的表示式()()()()()()()()()5a 3535[5k ]cos 2510{52cos 22103cos 2300}cos 25105[10.4cos 22100.6cos 2300]cos 2510c t t t t t t t t t υυπππππππΩ=+⨯⨯⎡⎤=+⨯⨯+⨯⨯⨯⎣⎦=+⨯⨯+⨯⨯⨯ 频谱图频带宽度 322104kHz BW =⨯⨯=6.5 已知调幅波表示式()()()62012cos 2500cos 210AM t t t υππ=+⨯⨯⎡⎤⎣⎦V ，试求该调幅波的载波振幅cm V 、载波频率c f 、调制信号频率F 、调幅系数a M 和频带宽度BW 的值。

第6章角度调制与解调电路6.1已知调制信号38cos(2π10)V u t Ω=⨯，载波输出电压6o ()5cos(2π10)V u t t =⨯，3f 2π10rad/s V k =⨯ ，试求调频信号的调频指数f m 、最大频偏m f ∆和有效频谱带宽BW ，写出调频信号表示式[解]3m 3m 2π108810Hz2π2πf k U f Ω⨯⨯∆===⨯3m33632π1088rad2π102(1)2(81)1018kHz ()5cos(2π108sin 2π10)(V)f f o k U m BW m F u t t t Ω⨯⨯===Ω⨯=+=+⨯==⨯+⨯6.2已知调频信号72()3cos[2π105sin(2π10)]V o u t t t =⨯+⨯，3f 10πrad/s V k = ，试：(1)求该调频信号的最大相位偏移f m 、最大频偏m f ∆和有效频谱带宽BW ；(2)写出调制信号和载波输出电压表示式。

[解](1)5f m =5100500Hz=2(+1)2(51)1001200Hzm f f m F BW m F ∆==⨯==+⨯=(2)因为mf f k U m Ω=Ω，所以352π1001V π10f m fm U k ΩΩ⨯⨯===⨯，故27()cos 2π10(V)()3cos 2π10(V)O u t t u t t Ω=⨯=⨯6.3已知载波信号m c ()cos()o u t U t ω=，调制信号()u t Ω为周期性方波，如图P6.3所示，试画出调频信号、瞬时角频率偏移()t ω∆和瞬时相位偏移()t ϕ∆的波形。

[解]FM ()u t 、()t ω∆和()t ϕ∆波形如图P6.3(s)所示。

6.4调频信号的最大频偏为75kHz ，当调制信号频率分别为100Hz 和15kHz 时，求调频信号的fm 和BW 。

[解]当100Hz F =时，37510750100m f f m F ∆⨯===2(1)2(7501)100Hz 150kHzf BW m F =+=+⨯=当15kHz F =时，33751051510m f f m F ∆⨯===⨯32(51)1510Hz 180kHzBW =+⨯⨯=6.5已知调制信号3()6cos(4π10)V u t t Ω=⨯、载波输出电压8()2cos(2π10)V o u t t =⨯，p 2rad /V k =。

第六章习题答案6.1 在题图 6.1所示调谐放大器中，工作频率f o =10.7MHz,L 1-3=4μH,Q o =100, N 1-3=20匝, N 2-3=5匝, N 4-5=5匝,晶体管3DG39在f o =10.7MHz 时测得g ie =2860μS,C ie =18pF, g oe =200μS, C oe =7pF,|y fe |= 45mS,y re =0,试求放大器的电压增益A vo 和通频带BW 。

解： 25.02053~13~21===N N P ， 25.02053~15~42===N N P 总电容pF 4.55)L *)f 2/((1C 20==∑πLC 振荡回路电容pF8.53C p C p C C ie 22oe 21=--=∑ LC振荡回路固有谐振频率'0f ==10.85(MHz)固有损耗电导：''600036.710()0011g S Q L2Q f Lωπ-===⨯ 22262661200.25200100.2528601036.7100.228()oe ie G P g P g g mS ---∑=++=⨯⨯+⨯⨯+⨯= 116.32L 0Q G Lω∑== )KHz (6563.167.10Q f B L 0W ===， 1210228.0104525.025.0G |y |P P A 63fe 210V -=⨯⨯⨯⨯-=-=--∑ 注：由上述计算可以看出，'0f 和0f 相差不大，即部分接入后对谐振频率影响较小，但概念要清楚。

另外，这里给出了fe y （即认为是m g ）不要通过EQ I 来计算m g 。

6.2 题图6.2是某中放单级电路图。

已知工作频率f o =30MHz,回路电感L =1.5μH, Q o =100,N 1/N 2=4,C 1~C 4均为耦合电容和旁路电容。

晶体管在工作条件下的y参数为ie (2.8j3.5)mS y =+； re 0y ≈fe (36j27)mS y =- oe (0.2j2)mS y =+试解答下列问题：(1) 画出放大器y 参数等效电路； (2) 求回路谐振电导g Σ； (3) 求回路总电容C Σ；(4) 求放大器电压增益A vo 和通频带BW ；(5) 当电路工作温度或电源电压变化时, A vo 和BW 是否变化？解：(1) y 参数等效电路如上图：(3)由0f =得222621201118784431415103010C .(pF )Lf ..∑π-===⨯⨯⨯⨯⨯ (2) 11=P ， 25.041122===N N P由y 参数得)(58.1810302105.363pF C ie =⨯⨯⨯=-π，)(6.101030210263pF C oe =⨯⨯⨯=-π2221218781060251858702oe ie C C P C P C .....(pF )∑=--=--⨯=491'o f .(MHz )===固有损耗电导：6066001112161022314100491101510''o o g .(S )Q LQ f L ...ωπ--====⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯ 22323612002100252810214100396oe ie G P g P g g .....(mS )---∑=++=⨯+⨯⨯+⨯= (4) 36601189039610230101510L Q .G L..ωπ--∑===⨯⨯⨯⨯⨯⨯ 03033789W L f B .(MHz )Q .===120284fe V PP |y |A .G ∑=-==-(5) 当电路工作温度或电源电压变化时，会引起y 参数变化，从而vo A 和BW 会发生变化。

《电子线路（I ）》 董尚斌编课后习题（1到7章）第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。

在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22300-=与温度有关。

杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。

在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2i n 或正比，即与温度有很大的关系。

若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。

1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。

1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。

漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。

1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。

而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。

（1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。

第五章 基本概念复习思考题1、在桥式整流、电容滤波电路中，当变压器次级输出电压为V 2时，滤波后输出直流电压大致为 1.1V 2 ，每个二极管上承受的最大反向电压为2 。

2、甲乙类功率放大电路中，串接的两个二极管的作用是： 克服交越失真 ，为提高效率，两个功率管 轮流导通 。

3、在串联型线性稳压电源中，由于调整管工作在 线性放大状态 ，因而电源效率 低 ，而在开关型稳压电源中，调整管工作在 开关状态 ，故效率 高 ，所以，开关型稳压电源与模拟稳压电源相比，性能 好 。

4、提高串联型线性稳压电路稳压性能的常用方法有 采用辅助电源比较放大器单独供电、采用复合调整管提高输出电流、增加保护电路等 ，用差动放大器作比较放大器可以提高电路的 。

表明稳压电路的输出电压受输入电压影响的参数是 ，表明稳压器带负载能力的参数是 。

5、提高稳压电源效率的主要途径是 低压差技术 和 开关技术 。

开关稳压电源的输出电压主要由三个参数即 输入直流电压幅度、调整管导通时间和周期 决定，通过调整这三个参数开关电源可分为 PWM 、PFM 和PWFM 三种。

就稳压原理而言，线性稳压电源是通过调整 管压降 进行稳压，而开关稳压电源是通过调整 调整管导通时间 进行稳压的。

6、从稳压原理上讲，78××和79** 两个系列的三端稳压块属于 线性稳压 电路，它们的输出电压分别为 ×× 和 ** ，而CW117属于 线性可调输出 电路，它的输出电压至少为 1.25 伏。

7、按照不间断电源（UPS ）的工作方式，通常有 在线式、后备式 之分，输出波形有 正弦波、方波 ，性能最好的是 在线式正弦波 ，一般情况下，UPS 最好不要在 带载 情况下开机。

8、使用DC-DC 变换器的目的主要有 减少主电源种类和实现浮地 ，它通常分为 共地式和浮地式 两大类；使用基准源的目的是 提供参考或比较的电压基准 ，它具有 稳、准的特点，在电路中主要用作 参考 ，而不是用作 供电 。

6.1 已知普通调幅信号表达式为：AMu =20(1+0.6cos2π⨯2000t -0.4cos2π⨯5000t +0.3cos2π⨯7000t )cos2π⨯610tV1）试写出此调幅信号所包括的频率分量及其振幅 2）画此调幅信号的频谱图，写出带宽3）求出此调幅信号的总功率，边带功率，载功率以及功率利用率；（设负载为1Ω）载波：20cos2π610t 振幅：20V 频率：f f=1000Z KH各边频分量；为载波频率搬运的边频分量幅值为cm U Ma/2，边频为载波∴100Z KH ,998Z KH 分量6V1005Z KH ,995Z KH 分量4v 1007Z KH ,993Z KH 分量 3v 1000Z KH 分量为20v B=(1007-993) Z KH =14Z KH载频分量产生的平均功率为C P =2cm U /2R=200W边带功率：SB P =(a cm M U )2/2R ⇒ 1SB P =[(0.6/2)⨯20]2/2=182SB P =[(0.4/2)⨯20]2=8 3SB P =[(0.3/2)⨯20]2=4.5∴ SB P =1SB P +2SB P +3SB P =30.5W两边频之和为 2⨯30.5=61W∴ av P =C P +2SB P =200+61=261W功率利用率 η=2SB P /av P =（61/261）⨯100%=23.4%6.2 已知单频普通调幅信号的最大振幅为12V ，最小振幅为4V ，试求其中载波振幅和边频振幅各是多少？调幅指数a M 又是多少？a M =（max U -min c U ）/(max U +min c U )=1/2又 a M =（max U -cm U ）/cm U ∴ 1/2=(12-cm U )/cm Ucm U =8V 边频振幅＝cm U a M /2=1/2⨯8⨯1/2=2V6.3 左图6.3.1所示集电极调幅电路中，载波输出功率为50W ，平均调幅指数为0.4，集电极平均效率为50%，求直流电源提供的平均功率D P 、调制信号产生的交流功率P Ω和总输入平均功率av P .η=50/D P ∴ D P =50/50%=100W P Ω=2a M D P /2=1/2⨯0.16⨯100=8W电源总功率：D P +P Ω=108W ∴ av P =c j (D P +P Ω)=54Wa M CCO U 是调制信号平均振幅。

第六章存储器和可编程器件6.1 填空1、按构成材料的不同，存储器可分为磁芯和半导体存储器两种。

磁芯存储器利用 正负剩磁 来存储数据；而半导体存储器利用 器件的开关状态 来存储数据。

两者相比，前者一般容量较 大 ；而后者具有速度 快 的特点。

2、半导体存储器按功能分有 ROM 和 RAM 两种。

3、ROM 主要由 地址译码器 和 存储矩阵 两部分组成。

按照工作方式的不同进行分类，ROM 可分为 固定内容的ROM 、 PROM 和 EPROM 三种。

4、某EPROM 有8数据线，13位地址线，则其存储容量为 213×8 。

5、PLA 一般由 与ROM 、 或ROM 和 反馈逻辑网络 三部分组成。

6.2 D 0A 0D 1m(3,6,9,12,15)D 2A 1A 0D 3m(0,5,9,13)==∑=⋅=∑⎧⎨⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪ 6.3地址译码器A1A0D3 D2 D1 D0B1B0m 0m 156.4 1。

F Q Q Q Q Q Q Q F Q Q Q Q Q Q Q Q Q F Q Q 110212102210210210310=⋅+⋅+⋅=⋅⋅+⋅+⋅⋅=⋅⎧⎨⎪⎪⎩⎪⎪2、CP F1F2F36.5A AB BC C i-1i-1S i C i6.6 用PLA 实现BCD8421码十进制加法计数器和相应的显示译码电路。

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