当前位置：文档之家 › 第一章二极管及其应用

第一章二极管及其应用

  • 格式：pptx
  • 大小：4.70 MB
  • 文档页数：41

下载文档原格式

  / 41

合集下载

好资料二极管

好资料二极管

图1－7 PN结加正向电压 时的导电情况
第一章 半导体二极管
(2) PN结加反向电压时的导电情况 PN结加反向电压时的导电情况如图1－8所示。
外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内 电场方在向一相定同的，温加度强条了件内下电，场。内电场对多子扩散运动的阻碍 增由强本，征激发决定的少子浓 扩度散是电一流定大的大，减故小少。子此形时成 P的N结漂区移电的流少是子恒在定内的电，场基的 作本用上下与形所成加的反漂向移电电压流的大大 于小扩无散关电，流这，个可电忽流略也扩称散为 电反流向，饱P和N结电呈流现。高阻性。
P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压， 简称反偏。
第一章 半导体二极管
(1) PN结加正向电压时的导电情况 PN结加正向电压时的导电情况如图1－7所示。
外加的正向电压有一部 分降落在PN结区，方向与 PN结内电场方向相反，削弱 了内电场。于是,内电场对 多子扩散运动的阻碍减弱， 扩散电流加大。扩散电流远 大于漂移电流，可忽略漂移 电流的影响，PN结呈现低阻 性。
图 1－8 PN结加反向电压时 的导电情况
第一章 半导体二极管
图 1－9 PN结加反向电压时 的导电情况
PN结加正向电压时 ，呈现低电阻，具有较大 的正向扩散电流；PN结 加反向电压时，呈现高电 阻，具有很小的反向漂移 电流。由此可以得出结论 ：PN结具有单向导电性 。
第一章 半导体二极管
往往用于集成电路制造工
4、最高工作频率ｆＭ。ｆＭ的值主要取决于ＰＮ
结结电容的大小, 结电容越大, 则二极管允许的最高工 作频率越低。
第一章 半导体二极管
1.3 二极管电路的分析方法
线性化：用线性电路的方法来处理，将非线性器件用恰 当的元件进行等效，建立相应的模型。

第1章__半导体二极管及其应用习题解答

第1章__半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路自测题判断下列说法是否正确，用“√”和“?”表示判断结果填入空内1. 半导体中的空穴是带正电的离子。

（?）2. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。

（√）3. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（?）4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（√）5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（√）选择填空1. N型半导体中多数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是B。

A．自由电子 B．空穴2. N型半导体C；P型半导体C。

A．带正电 B．带负电 C．呈电中性3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于B，而少子的浓度则受 A 的影响很大。

A．温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷4. PN结中扩散电流方向是A；漂移电流方向是B。

A．从P区到N区 B．从N区到P区5. 当PN结未加外部电压时，扩散电流C飘移电流。

A．大于 B．小于 C．等于6. 当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E；当PN结外加反向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D。

A．大于 B．小于 C．等于D．变宽 E．变窄 F．不变7. 二极管的正向电阻B，反向电阻A。

A．大 B．小8. 当温度升高时，二极管的正向电压B，反向电流A。

A．增大 B．减小 C．基本不变9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。

A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A；在外加相同的正向电压时，电流分别为10mA、 30mA、15mA。

比较而言，哪个管子的性能最好【解】：二极管在外加相同的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性越好。

所以B管的性能最好。

题习题1试求图所示各电路的输出电压值U O，设二极管的性能理想。

5VVD+-3k ΩU OVD7V5V +-3k ΩU O5V1VVD +-3k ΩU O（a ） （b ） （c ）10V5VVD3k Ω+._O U 2k Ω6V9VVD VD +-123k ΩU OVD VD 5V7V+-123k ΩU O（d ） （e ） （f ）图【解】：二极管电路，通过比较二极管两个电极的电位高低判断二极管工作在导通还是截止状态。

第1章二极管及其整流电路

第1章二极管及其整流电路

第1章二极管及其整流电路第1章二极管及其整流电路1.1目标1.了解半导体的导电特性。

2..理解PN结的单向导电性。

2.了解二极管、稳压管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义。

3.了解二极管在电路中的几种应用，掌握二极管电路的基本分析方法。

4.学会用万用表判断二极管、稳压管的质量及管脚。

5.理解单相整流电路的工作原理。

6.了解几种滤波电路的工作原理和合理应用。

7.了解稳压管稳压电路的稳压原理和应用条件。

8.掌握直流稳压电路的组成原理、结构特点和分析计算方法。

1.2内容1.2.1知识结构框图二极管及其整流电路的基本知识点见图1.1。

限幅电路钳位电路二极管续流电路单相半波整流电路半导体本征半导体杂质半导体PN结检波电路…整流电路单相桥式整流电路三相桥式整流电路稳压管稳压电路稳压管稳压电路电容滤波器直流稳压电源滤波电路电感滤波器p型滤波器图1.1二极管及其整流电路的基本知识点-3-电子同步指导与实习1.2.2基本知识点一、半导体基础知识1.半导体半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。

它的导电能力随温度、光照或掺杂不同而发生显著变化。

2.本征半导体的导电性在绝对零度(0K)时，本征半导体中没有载流子，它是良好的绝缘体。

在热激发条件下，本征半导体共价键结构中的少数价电子获得足够能量，挣脱了原子核的束缚，成为自由电子。

激发产生电子空穴对，复合消失电子空穴对。

本征半导体中具有两种载流子——自由电子和空穴，二者数量相等。

在常温下，载流子数量很少。

当温度升高时本征激发所产生的载流子浓度基本上按指数规律增大，温度是影响半导体性能的一个重要因素。

但是本征半导体的载流子数量较少，因此导电性能很差。

3.杂质半导体的导电性在本征半导体中掺入不同的杂质，可得到N型（多子是电子）或P型（多子是空穴）半导体。

微量掺杂就可以形成大量的多子，其导电性能大大增强，所以杂质半导体的导电率高。

4.PN结PN结是载流子在浓度差作用下的扩散运动和内电场作用下的漂移运动所产生的，它具有单向导电性。

第一章二极管-PPT课件

第一章二极管-PPT课件

本征半导体：
四价元素
外层四个电子
原子实或惯性核 为原子核和内层电子组成
价电子为相邻两原子所共有
3.本征激发：
本征激发 电子空穴 成对产生
自由电子（带负电-e)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
4.载流子 ：自由 +4 运动的带电粒子：
电子带负电： +4 －e=-1.6×10-19c,
空穴带正电:
e=1.6×10-19c.
锗管UD(ｏn)=0.2V。
（2）反向特性： 二极管两端加上反向 电压时，反向饱和电流IS很小（室温下， 小功率硅管的反向饱和电流IS小于0.1μA。 （3）反向击穿特性 二极管两端反向电压 超过U(BR)时，反向电流IR随反向电压的增大 而急剧增大， U(BR) 称为反向击穿电压。
（5）齐纳击穿：由高浓度掺杂材料制成的PN结中耗尽区宽度很窄，即使反向电
压不高也容易在很窄的耗尽区中形成很强的电场，将价电子直接从共价键中拉出 来产生电子-空穴对，致使反向电流急剧增加，这种击穿称为齐纳击穿。
§1 .2 二极管的特性及主要参数 一、 半导体二极管的结构和类型
构成：PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号：阳极（正极） 阴极（负极） 分类： 1.根据材料 硅二极管、锗二极管 2.根据结构 点接触型、面接触型、平面型 1．二极管的结构和符号
空穴（带正电+e)
5.复 合： 自由电子和空穴在运动 中相遇重新结合成对消 失的过程。 电子电流:IN
空穴电流:IP 共有电子 递补运动
+4
+4

(完整word版)中职电子技术基础

(完整word版)中职电子技术基础

第一章二极管及其应用第一节二极管的基本知识一、半导体及PN结物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等等。

我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。

而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。

可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。

与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

1、本征半导体最常用的半导体是硅和锗。

硅和锗都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。

晶体硅原子整齐排列见上右图。

半导体一般都具有晶体结构,所以也称为单晶体.纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体.本征半导体中相邻原子靠共价键结构结合起来.共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴,它带正电.在外电场作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动,形成空穴电流。

在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴,它们是成对出现的。

2、N型半导体和P型半导体在本征半导体中两种载流子的浓度很低,因此导电性很差。

我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。

a。

N型半导体在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成共价键后,还多余一个自由电子,因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度.但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。

在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

b。

P型半导体在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。

模拟电子课件第一章_半导体材料及二极管

模拟电子课件第一章_半导体材料及二极管
–10 0 0.2 0.4
–20
I/uA
锗管的伏安特性
图 二极管的伏安特性
ID
UD
-
UD / V
34
1.正偏伏安特性
当正向电压比较小时，正向电流很小，几乎为零。，
相应的电压叫死区电压。
死区电压： 硅二极管为0.5V左右 锗二极管为0.1V左右
i/mA 30
当正向电压超过死区电压后，二极 管导通, 电流与电压关系近似指数关 系。
42
3.二极管的其它主要参数
➢最大平均整流电流 : I F 允许通过的最大正向平均电流 ➢最高反向工作电压 : 最V大R 瞬时值，否则二极管击穿
1
18
半导体中某处的扩散电流 主要取决于该处载流子的浓 度差（即浓度梯度），而与 该处的浓度值无关。即扩散 电流与载流子在扩散方向上 的浓度梯度成正比，浓度差 越大，扩散电流也越大。
图1.6 半导体中载流子的浓度分布
1
19
即:某处扩散电流正比于浓度分布曲线上该点处的斜率
和。
dn( x) dx
dp ( x) dx
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，即构成 N 型半导体 (或称电子型半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
1
10
原来晶格中的某些硅原子将 被杂质原子代替。 杂质原子与周围四个硅原子 组成共价键时多余一个电子。 这个电子只受自身原子核吸引， 在室温下可成为自由电子。
5价的杂质原子可以提供电子， 所以称为施主原子。
Problem: N型半导体是否呈电中性？
1
+4
+4
+5
+4
+4
+4

第一章 晶体二极管及应用电路

第一章晶体二极管及应用电路§1.1 知识点归纳一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。

前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料）。

·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。

在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。

本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。

温度越高，本征激发越强。

+载流子。

空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。

中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。

复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。

2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。

·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。

·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。

·在常温下，多子>>少子（图1-7）。

多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。

·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。

3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN 结（图1-8）。

电子基础入门


一 二极管的伏安特性：
1 单向导电特性： 2 导通电压VON ： 3 锗管的Is比硅管的Is大三个数量级； 4 Is随温度升高而增大： 图1-14 5 锗管与硅管伏安特性的差异：图1-15
二 二极管的RD和rd 1 直流电阻RD： 二极管的伏安特性为曲线→二极管为非线性 电阻器件。 结论：① Q点处的电流越大，二极管的直流电阻 RD越小； ② 二极管的正反向直流电阻相差很大。 2 交流电阻rd 二极管工作点Q处的微变电压增量dvD 和微变 电流增量diD 之比，称为该点处的交流电阻rd 。 图1-18。
图1-34
2 稳压管应用电路：图1-35 RL ：负载电阻； R：限流电阻；要求输入电压 VI＞VZ 用负载线法分析：
画出等效电路图1-36（a） 求出稳压管的负载线图1-36（b）：
§1-5 PN结电容效应及应用
现象：半波整流电路中交流电压从50Hz改为 500KHz，在输入电压的负半周时，二极管 上也有导通电流。 原因：二极管PN结存在电容效应。 结论：高频时二极管失去电向导电特性。 一 势垒电容CT ： 图ห้องสมุดไป่ตู้-40图（a）：线性电容的充电过程。
§1-2 PN结工作原理
★PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物 理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。 一 PN结的形成： ▼内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的扩散。 电场E产生的两区少子越结漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两 区多子越结的扩散电流。 扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电场E增强，漂 移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到平衡状态，形成PN结。无净 电流流过PN结。
二 PN结的特点： 1 空间电荷区是非线性中性区，内建电场和内建 电位差 φ0 （内建电压）。 2 PN结又称耗尽层。 3 PN结又称阻挡层：内建电场E阻止两区多子越 结扩散。 PN结又称势垒区： 4 不对称PN结。

模拟电子电路电子课件第一章二极管及其应用

18
第一章 二极管及其应用
（2）扩散电容 当PN结外加正向电压时，在空间电荷区两侧的扩散区内，少数载流子 的分布会随外加电压的变化而发生改变，形成电容效应，称为扩散电容。 PN结的势垒电容和扩散电容都是非线性电容。PN结的结电容为势垒电 容和扩散电容之和。由于结电容的存在，当工作频率很高时，结电容的影 响就不可忽略，如果工作频率过高，高频电流将主要从结电容通过，这将 会破坏PN结的单向导电性。
38
第一章 二极管及其应用
将交流电转换为直流电称为整流。具有单向导电性的二极管是最常用的 整流元件。
电动自行车充电器
39
第一章 二极管及其应用
一、单相半波整流电路
观察半波整流电路波形，实验电路如图所示。
单相半波整流电路 a)原理电路 b)实测半波整流波形
40
第一章 二极管及其应用
二、单相桥式整流电路
PN结外加正向电压
16
第一章 二极管及其应用
（2）PN结外加反向电压 PN结P区接低电位、N区接高电位时，称PN结外加反向电压，又称PN结 反向偏置，简称反偏，如图所示。这时，外电场与PN结内电场方向相同， 内电场被增强，PN结空间电荷区变宽。这使得多数载流子的扩散运动受阻， 但对少数载流子的漂移运动有利，从而形成极小的反向电流，反向电流的 方向由N区指向P区。
26
第一章 二极管及其应用
二极管内部结构示意图 a)点接触型 b)面接触型 c)平面型
27
第一章 二极管及其应用
二、二极管的型号命名
国产二极管的型号命名方法见表。
国产二极管的型号命名方法
28
第一章 二极管及其应用
三、二极管的主要参数
不同型号的二极管都有一些技术数据（即参数）作为它合理、安全使用 的依据。二极管的主要参数如下：

第一章二极管及其基本电路


PN结方程
iD I S ( e
v D / nVT
1)
PN结的伏安特性 非线性
其中： IS ——反向饱和电流
VT ——温度的电压当量 常温下（T=300K） kT VT 0.026V 26 mV q n —发射系数 vD —PN结两端的外加电压
v D / nVT i I e 近似 正向： D S 估算 反向： i I D S
1 掺杂性：在纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。
§1.1 半导体的基本知识
电子器件中，用的最多的半导体材料是硅和锗。
Ge
Si
+4
通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。
2
二、本征半导体 本征半导体 — 完全纯净、结构完整的半导体晶体。
半导体的共价键结构
§1.1 半导体的基本知识
+4
⑴PN结加正向电压:P区接正，N区接负
变薄
－ － － － － + + + + +
＋
I ： 扩散电流 + + + + + － － － － － P区 N区
－ － － － － + + + + +
－
IF
外电场 小 内电场被削弱，多子的扩散加 结 强，形成较大的扩散电流I。 VF
16
内电场
3.PN结的单向导电性
b.恒压降模型
当二极管导通后，认 为其管压降vD=VON。 常取vD硅=VON=0.7V vD锗=VON=0.2V
适用
只有当二极管的电流iD近似 等于或大于1mA时才正确。
恒压降模型
应用较广泛。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

发光二极管的实物 图
发光二极的管图形符号 及文字Fra bibliotek号天水农校电子组
1.1.5 其他类型的二极管
二、发光二极管 2．发光二极管的基本特性 发光二极管是采用磷化鎵或磷砷化鎵等半导体材料制成的，可以直接将电 能转换成光能的发光器件。发光二极管的发光颜色和它本身的颜色相同，但也 有透明色的发光二极管，也能发出红色、黄色、绿色、白色等可见光。还有三 色变色发光二极管和人眼看不见的红外线二极管，它们被广泛运用于电路的状 态显示、信息显示、装饰工程、照明等领域。 通常，发光二极管通过10mA电流时，就可以发出强度令人满意的光线，高 强度的发光二极管只需5mA左右电流就能正常发光。
天水农校电子组
1.1.3 二极管的单向导电特性
二、二极管特性曲线 2. 反向特性 （1）反向截止区 二极管加反向电压时，仍 然会有反向电流流过二极管，称为漏电流。漏电 流基本不随反向电压的变化而变化，称为反向截 止区。 （2）反向击穿区 当加到二极管两端的反向 电压超过某一规定数值时，反向电流突然急剧增 大，这种现象称为反向击穿现象。实际应用时， 普通二极管应避免工作在击穿范围。如图所示。
天水农校电子组
1.1.5 其他类型的二极管
一、稳压二极管 3．稳压二极管的检测 （1）检测方法与普通二极管相同，但稳压二极管的正向电阻比普通二极 管的正向电阻要大一些。 （2）若需要对稳压二极管稳定电压做精确测量，则可用晶体管特性图示 仪测量。
天水农校电子组
1.1.5 其他类型的二极管
二、发光二极管 1．发光二极管的图形符号 发光二极管与普通二极管一样也是由PN结构成，同样具有单向导电性。 实物及图形符号如图所示。
天水农校电子组
1.1.4 二极管的使用常识
三、二极管的检测 1．用万用表检测二极管 2）用万用表检测普通二极管的好坏 测试图如图所示 （1）万用表置于R×1k挡。测量正向电阻时，万用表的黑表笔接二极管的 正极，红表笔接二极管的负极。 （2）万用表置于R×1k挡。测量反向电阻时，万用表的红表笔接二极管的 正极，黑表笔接二极管的负极。 （3）根据二极管正、反向电阻阻值变化判断二极管的质量好坏。
电路图形符号
天水农校电子组
1.1.3 二极管的单向导电特性 测试电路如图所示
天水农校电子组
1.1.3 二极管的单向导电特性
一、二极管具有单向导电特性 （1）加正向电压二极管导通 将二极管的正极接电路中的高电位，负极 接低电位，称为正向偏置（正偏）。此时二极管内部呈现较小的电阻，有较 大的电流通过，二极管的这种状态称为正向导通状态。 （2）加反向电压二极管截止 将二极管的正极接电路中的低电位，负极 接高电位，称为反向偏置（反偏）。此时二极管内部呈现很大的电阻，几乎 没有电流通过，二极管的这种状态称为反向截止状态。
1.1.1 半导体的奇妙特性 二、对光照反应灵敏
测试比较如图所示
遮光测试
光照测试
天水农校电子组
1.1.1 半导体的奇妙特性
三、掺入杂质后会改善导电性 在纯净的半导体中，掺入适量的杂质，会使半导体的导电能力有成 百万倍的增长，使半导体获得了强大的生命力。人们正是通过掺入某些 特定的杂质元素，人为地、精确地控制半导体的导电能力，将其制造成 各种性质、用途的半导体器件。几乎所有的半导体器件（如二极管和三 极管、场效晶体管、晶闸管以及集成电路等），都是采用掺有特定杂质 的半导体。
天水农校电子组
1.1.2 二极管结构与电路图形符号
一、二极管的结构 普通二极管是由一个PN 结加上两条电极引线做成管芯，从P区引出的 电极作为正极，从N 区引出的电极作为负极，并且用塑料、玻璃或金属等 材料作为管壳封装起来，就构成了二极管。二极管的体积较小时，在其中 的一端用一个色环来表示负极，无色环一端就是正极；体积较大时，常在 壳体上印有标明正极和负极的符号。
二极管的结构
实物图
天水农校电子组
1.1.2 二极管结构与电路图形符号
二、二极管的图形符号 二极管被广泛应用于各类电子产品中，其电路图形符号如图所示，文 字符号用字母“VD”表示。 电路图形符号用箭头形象地表示了二极管正向电流流通的方向，箭头 的一边代表正极，用“＋”号表示，另一边代表负极，用“－”号表示。
天水农校电子组
1.1.5 其他类型的二极管
一、稳压二极管 1．稳压二极管的图形符号 稳压二极管又称为齐纳二极管，是一种用于稳压（或限压）、工作于 反向击穿状态的二极管。其外形及图形符号如图所示。
天水农校电子组
1.1.5 其他类型的二极管
一、稳压二极管 2．稳压二极管的伏安特性 当反向电压达到VZ时，即使电压有一微小的 增加，反向电流也会增加很多（反向击穿曲线很 徒直），这时，二极管处于击穿状态，其两端电 压基本保持不变（稳压区）。如果把击穿电流通 过电阻限制在一定的范围内，管子就可以长时间 在反向击穿状态下稳定工作。而且，稳压二极管 的反向击穿特性是可逆的，去掉反向电压，稳压 二极管又恢复常态。如图所示 。
天水农校电子组
1.1.3 二极管的单向导电特性
二、二极管的特性曲线 1. 正向特性 当正向电压较小时，二极管呈现的电阻很大， 基本上处于截止状态，这个区域常称为正向特性 的“死区”，一般硅二极管的“死区”电压约为 0.5V，锗二极管约为0.2V。 当正向电压超过“死区”电压后，二极管的 电阻变得很小，二极管处于导通状态，二极管导 通后两端电压降基本保持不变，硅二极管约为 0.7V，锗二极管约为0.3V。如图所示。
了解半导体的主要特性； 了解二极管的结构、电路符号及引脚； 了解二极管的单向导电性、主要参数及伏安特性； 了解其他类型二极管的外形特征、功能及应用； 会用万用表检测二极管极性和质量优劣。
天水农校电子组
1.1.1 半导体的奇妙特性 一、对温度反应灵敏 测试比较如图所示
不加温测试
加温测试
天水农校电子组
天水农校电子组
1.1.4 二极管的使用常识
一、二极管的型号
天水农校电子组
1.1.4 二极管的使用常识
二、二极管的主要参数
天水农校电子组
1.1.4 二极管的使用常识
三、二极管的检测 1．用万用表检测二极管 1）用万用表判断二极管极性 示意图如图所示 （1）先将万用表电阻挡旋钮置于R×100或R×1k挡。 （2）用万用表红、黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。 （3）交换万用表表笔再测量一次。如果二极管是好的话，两次测量结果必 定一大一小。 （4）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的二极管一端为正极，红表 笔所接的二极管一端为负极。