北京交通大学模拟电子技术习题及解答第三章双极型三极管基本放大电路

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。

a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。

a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。

模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。

2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。

9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。

10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。

11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。

12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。

13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。

14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。

15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。

二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。

一、填空（共20空，每空1分，共20分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。

2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式Ic Ib才成立。

3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。

5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。

7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的直流通路用于研究。

9、理想运放的两个输入端虚短是指。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈仍然存在则为。

11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。

12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。

13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。

14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。

二、单项选择题（共10题，每题2 分，共20分；将正确选项的标号填在答题纸上）1、稳压二极管的反向电流小于Izmin时，稳压二极管。

A：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。

A：饱和状态B：截止状态C：放大状态D：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。

关于这两只三极管，正确的说法是。

图1(a) 图1(b) 图2A：（b）图中电流为5.1mA的电极为发射极。

模拟电⼦技术基础学习指导与习题解答（谢红主编）第三章思考题与习题解答第三章思考题与习题解答3-1 选择填空(只填a 、b 、c 、d)(1)直接耦合放⼤电路能放⼤，阻容耦合放⼤电路能放⼤。

(a.直流信号，b.交流信号，c.交、直流信号)(2)阻容耦合与直接耦合的多级放⼤电路之间的主要不同点是。

(a.所放⼤的信号不同，b.交流通路不同，c.直流通路不同)(3)因为阻容耦合电路 (a1.各级Q 点互相独⽴，b1.Q 点互相影响，c1.各级Au 互不影响，d1.Au 互相影响)，所以这类电路 (a2.温漂⼩,b2.能放⼤直流信号，c2.放⼤倍数稳定)，但是 (a3.温漂⼤，b3.不能放⼤直流信号，c3.放⼤倍数不稳定)。

⽬的复习概念。

解 (1)a 、b 、c ，b 。

(2)a 、c 。

(3)a1，a2，b3。

3-2 如图题3-2所⽰两级阻容耦合放⼤电路中，三极管的β均为100，be1 5.3k Ωr =，be26k Ωr =,S 20k ΩR =,b 1.5M ΩR =,e17.5k ΩR =，b2130k ΩR =，b2291k ΩR =，e2 5.1k ΩR =,c212k ΩR =,1310µF C C ==，230µF C =，e 50µF C =，C C V =12 V 。

图题3-2(a)放⼤电路；(b)等效电路(答案)(1)求i r 和o r ;(2)分别求出当L R =∞和L 3.6k ΩR =时的S u A 。

⽬的练习画两级放⼤电路的微变等效电路，并利⽤等效电路求电路的交流参数。

分析第⼀级是共集电路，第⼆级是分压供偏式⼯作点稳定的典型电路，1V 、2V 均为NPN 管。

解 (1)求交流参数之前先画出两级放⼤电路的微变等效电路如图题3-2(b)所⽰。

注意图中各级电流⽅向及电压极性均为实际。

第⼀级中b1I 的⽅向受输⼊信号i U 极性的控制，⽽与1V 的导电类型(NPN 还是PNP)⽆关，i U 上正下负，因此b1I 向⾥流，输出电压o1U 与i U 极性相同；第⼆级中b 2I 的⽅向受o1U 极性的控制，o1U 上正下负，因此b 2I 向⾥流，也与2V 的导电类型⽆关，或者根据c1I 的⽅向(由1c 流向1e )也能确定b 2I 的⽅向是向⾥流。

模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。

2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。

3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。

5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。

6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。

7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。

9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。

10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。

11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。

12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。

13、结具有单向导电特性。

14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。

15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。

16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。

18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。

19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。

22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。

第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路，已知12CC =U V ，20B1B1='=R R k Ω，10B2B2='=R R k Ω，2C2C1==R R k Ω，2E2E1==R R k Ω，2L =R k Ω，5021==ββ，6.0BE2BE1==U U V 。

（1）求前、后级放大电路的静态值。

（2）画出微变等效电路。

（3）求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路，各级电路的静态值可分别计算，动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻，即i2L1r R =。

解 （1）各级电路静态值的计算采用估算法。

第一级：412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U （V ）7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I （mA ）0.034507.11C1B1===βI I （mA ）2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U （V ） 第二级：412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U （V ）7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I （mA ）电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I （mA ） 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U （V ）（2）微变等效电路如图3.8所示。

R U +-图3.8 习题3.1解答用图（3）求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

三极管V 1的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为：93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r （k Ω） 第一级等效负载电阻为：63.093.0//2//i2C1L1==='r R R （k Ω） 第二级等效负载电阻为：12//2//L C2L2==='R R R （k Ω） 第一级电压放大倍数为：3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为：5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为：1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中，已知12CC =U V ，30B1=R k Ω，20B2=R k Ω，4E1C1==R R k Ω，130B3=R k Ω，3E2=R k Ω，5.1L =R k Ω，5021==ββ，8.0BE2BE1==U U V 。

【例4-1】电路如图所示，晶体管的β＝100，U BE＝0.7 V，饱和管压降U CES＝0.4 V；稳压管的稳定电压U Z ＝4V，正向导通电压U D＝0.7 V，稳定电流I Z＝5 mA，最大稳定电流I ZM＝25 mA。

试问：（1）当u I为0 V、1.5 V、25 V时u O各为多少？（2）若R c短路，将产生什么现象？【相关知识】晶体管工作状态的判断，稳压管是否工作在稳压状态的判断以及限流电阻的作用。

【解题思路】（1）根据u I的值判断晶体管的工作状态。

（2）根据稳压管的工作状态判断u O的值。

【解题过程】（1）当u I＝0时，晶体管截止；稳压管的电流在I Z和I ZM之间，故u O＝U Z＝4 V。

当u I＝15V时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流由于u O＞U CES＝0.4 V，说明假设成立，即晶体管工作在放大状态。

值得指出的是，虽然当u I为0 V和1.5 V时u O均为4 V，但是原因不同；前者因晶体管截止、稳压管工作在稳压区，且稳定电压为4 V，使u O＝4 V；后者因晶体管工作在放大区使u O＝4 V，此时稳压管因电流为零而截止。

当u I＝2.5 V时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流在正电源供电的情况下，u O不可能小于零，故假设不成立，说明晶体管工作在饱和状态。

实际上，也可以假设晶体管工作在饱和状态，求出临界饱和时的基极电流为I B=0.18 mA＞I BS，说明假设成立，即晶体管工作在饱和状态。

（2）若R c短路，电源电压将加在稳压管两端，使稳压管损坏。

若稳压管烧断，则u O＝V CC＝12 V。

若稳压管烧成短路，则将电源短路；如果电源没有短路保护措施，则也将因输出电流过大而损坏（1）晶体管工作状态的判断：对于NPN型管，若u BE＞U on（开启电压），则处于导通状态；若同时满足U C≥U B>U E，则处于放大状态，I C＝βI B；若此时基极电流则处于饱和状态，式中I CS为集电极饱和电流，I BS是使管子临界饱和时的基极电流。

模拟电子技术练习题一、单选题(每题1分)1. 基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是____A______电路。

A.共发射极B.共集电极C. 共基极D. 不能确定2. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（D ）。

A．不变B．提高一倍C．提高两倍D．减小为原来的一半3. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A．增大差模输入电阻B．提高共模增益??C．提高差模增益D．提高共模抑制比4. 选用差分放大电路的主要原因是（A ）。

A．减小温漂B．提高输入电阻C．稳定放大倍数D．减小失真5. 对恒流源而言，下列说法不正确的为（D）。

A．可以用作偏置电路B．可以用作有源负载C．交流电阻很大D．直流电阻很大6. 放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D.输出电阻小7. 深度电流串联负反馈放大器相当于一个（D）。

A. 压控电压源B. 压控电流源C. 流控电压源D. 流控电流源8. 负反馈放大电路中，反馈信号（A）。

A. 仅取自输出信号B. 取自输入信号或输出信号C. 仅取自输入信号D. 取自输入信号和输出信号9. 引入（C）反馈，可稳定电路的增益。

A. 电压B. 电流C. 负D. 正10. 构成反馈通路的元器件（A）。

A. 只能是电阻元件B. 只能是三极管、集成运放等有源器件C. 只能是无源器件D. 可以是无源器件，也可以是有源器件二、判断题(每题1分)1. 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。

（）2. 差分放大电路中单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降。

（）3. 差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。

（）4. 单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。

第一章1-1.填空（1）光信号、声信号和电信号（2）电压或电流（3）连续，离散（4）模拟信号（5）信号提取、信号预处理、信号的加工和信号执行2-1. 简答下列问题（1）有源元件的特点就是在电子电路中必须外加适合的电源电压或电流后方可有效工作；无源元件的特点就是在电子电路中无须外加适合的电源即可有效工作。

（2）参见1.2.2小节（3）参加图1.2.5第二章2-1．填空（1）五价元素；三价元素；（2）单向导电性；（3）0，无穷大；（4）势垒电容和扩散电容；（5）增大；（6）变窄，变宽；（7）扩散运动，漂移运动；（8）反偏截止状态；（9）正向导通状态。

2-2．(1)错（2）对（3）错（4）错（5）对（6）对（7）错(8) 错（9）错（10）对2-3．简答题（1）否则二极管性能将变坏甚至击穿。

（2）能，工作原理略。

（3）将模拟万用表设置为欧姆档，模拟万用表的黑色表笔（正极）和红色表笔（负极）分别接二极管的两端，如果电阻很小，则黑表笔接的就是二极管的正极；如果利用数字表的欧姆档测量二极管极性，与模拟表接法相反；当然目前很多数字万用表都有测试二极管的功能。

（4）不行，将造成二极管损坏。

（5）概念见教材，只有热击穿后PN 结将损坏。

2-4．（a ）导通，6V; （b ）导通,3V;（c ）D 1导通、D 2截止; 0V;（d ）D 1、D 3截止，D 2、D 4导通; 8V 。

2-5．题2-5解图2-6.题2-6解图2-7．（1）利用作图法，D D 07V 26mA U .,I .≈≈题2-7解图u /VT1D T D iD 1261026iu U d I e U r du I .-⎡⎤⎛⎫-⎢⎥⎪ ⎪⎢⎥⎛⎫⎝⎭⎣⎦=≈=Ω=Ω ⎪⎝⎭（2）流过二极管的交流电流有效值为 i d D 10mA 1mA 10U I r ⎛⎫=== ⎪⎝⎭2-8．假设稳压管正向导通压降近似为零，输入波形如2-8解图所示。

(a)(b)题2-8解图2-9 .(1) 3.33V ，5V ，6V ；(2)稳压管电流为29mA>I Zmax ，因功耗过大而损坏。

第三章 三极管放大电路基础习题解答3．1 对于典型的晶体管，其β值范围一般为150~50，试求其对应的α值范围。

解：因为ββα+=1，当β值范围为150~50，α值的范围为0.98~0.993。

3．2 如果两个晶体管的参数α分别为0.99和0.98，则两个晶体管的β分别为多少？若其集电极的电流为mA 10，则对应的基极电流分别为多少？ 解：因为ααβ-=1，C B I I β1=。

当99.0=α时，100=β，mA I B 1.0=；当98.0=α时，50=β，mA I B 2.0=。

3．3 对于一个晶体管，若其基极电流为A μ5.7，集电极电流为A μ940，试问晶体管的β和α分别为多少？ 解：33.1255.7940===B C I I β， 992.033.125133.1251=+=+=ββα 3．4 对于一个PNP 型晶体管，当集电极电流为mA 1，其发射结电压V v EB 8.0=。

试问，当集电极电流分别为mA 10、A 5时，对应的发射结电压EB v 分别为多少？ 解：因为TBEV V S C eI I =，则有⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=S C T BE I I V V ln ，因此有⎪⎪⎭⎫⎝⎛=S C T BE I I V V 11ln 。

所以有⎪⎪⎭⎫⎝⎛=-C C T BE BE I I V V V 11ln若令mA I C 101=时，V I I V V V C C T BE BE 06.0110ln 26ln 11=⎪⎭⎫⎝⎛⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=-，则V V V BE BE 86.006.08.006.01=+=+=若令A I C 51=时，V I I V V V C C T BE BE 22.015000ln 26ln 11=⎪⎭⎫⎝⎛⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=-，则V V V BE BE 02.122.08.022.01=+=+=。

3．5 在图P3.5所示的电路中，假设晶体管工作在放大模式，并且晶体管的β为无限大，试确定各图中所对应标注的电压、电流值。