当前位置：文档之家 › 带隙基准源电路和版图设计

带隙基准源电路和版图设计

  • 格式：doc
  • 大小：1.82 MB
  • 文档页数：52

下载文档原格式

  / 52

合集下载

低功耗带隙基准电压源电路设计

低功耗带隙基准电压源电路设计

低功耗带隙基准电压源电路设计蒋本福【摘要】文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路.该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点.采用CSMC 0.18μm的标准CMOS工艺,华大九天Aether软件验证平台进行仿真.仿真结果表明,在tt工艺角下电路的启动时间为6.64μs,稳定输出的基准电压Vref为567 mV;当温度在-40℃~125℃范围内时,tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃;电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时,tt工艺角下基准电压Vref的线性度为2620 ppm/V;在10 Hz~1 kHz带宽范围内,tt工艺角下基准电压Vref的电源抑制比(PSRR)为51 dB;版图核心面积为0.00195 mm2.【期刊名称】《微型机与应用》【年(卷),期】2017(036)003【总页数】3页(P39-41)【关键词】Aether软件;功耗;温度系数;线性度;面积【作者】蒋本福【作者单位】吉林大学珠海学院,广东珠海519000【正文语种】中文【中图分类】TN432在模拟IC和混合IC中，带隙基准电压是不可缺少的电路模块。

传统的低压、低功耗带隙基准电路是基于垂直双极晶体管，在文献[1-2]中分别提出了多种设计方法。

然而，这些方法都需要几百兆欧姆的电阻实现低功耗运行，占用较大芯片面积，浪费资源。

参考文献[3]也提出了由几个工作在亚阈值区的MOS管组成的电路，虽然保证了低功耗，但是也出现了温度补偿不够等问题。

为了实现低温漂带隙基准电压电路，高阶温度补偿技术[5]必须得到广泛应用，以减小带隙电压的温度系数。

因此本文提出在低功耗的带隙基准基础上增加高阶温度补偿电路来实现低温漂基准电压电路。

电路原理图如图1所示，主要由启动电路[4]、电流产生电路[5]和self-cascode[4-5]自偏置电路三部分组成。

带隙基准

带隙基准

Key words: Bandgap Reference; Layout; Power Supply Rejection Ratio; Temperature Coefficient
III
目
第1章 1.1
录
绪论············································································ 1 带隙基准源概述······························································1 1.1.1 1.1.2 带隙基准源的研究现状········································· 1 研究目的及意义···········································设计········································· 17 3.2.1 3.2.2 3.2.3 3.2.4 3.2.5 设计指标·························································· 17 带隙基准源架构·················································17 核心电路设计···················································· 20 运放设计·························································· 22 偏置电路设计···················································· 23

《带隙基准电压源》课件

《带隙基准电压源》课件

带隙基准电压源 的发展趋势与展 望
技术创新方向探讨
提高精度和稳定 性：通过改进电 路设计和材料选 择，提高基准电 压源的精度和稳 定性。
降低功耗：通过 优化电路设计和 采用低功耗器件， 降低基准电压源 的功耗。
集成化：将基准 电压源与其他电 路模块集成，提 高系统的集成度 和可靠性。
智能化：通过引 入智能控制算法， 提高基准电压源 的自适应能力和 抗干扰能力。
测试设备：包括电压源、电 流源、示波器、万用表等
测试步骤：按照测试标准进行， 包括设置参数、测量数据、分 析结果等
评估标准及流程详解
评估标准： 精度、稳 定性、温 度特性、 电源抑制 比等
评估流程： 测试准备、 测试实施、 数据分析、 结果评估 等
测试准备： 选择合适 的测试设 备、设置 测试条件 等
感谢您的观看
汇报人：PPT
案例一：用于ADC/DAC转换器的基准电压源设计
应用背景：ADC/DAC转换器需要稳定的基准电压源 设计要求：高精度、低噪声、低功耗 带隙基准电压源的优势：温度稳定性好、精度高、功耗低 设计方法：选择合适的带隙基准电压源芯片，进行电路设计和调试 应用效果：提高了ADC/DAC转换器的性能和稳定性
案例二：用于PLL锁相环的基准电压源设计
设计过程中需要注意电压源的稳定性和精度 优化建议：采用高精度的电阻和电容，提高电压源的稳定性 注意电源噪声对电压源的影响，采用滤波器进行抑制 优化建议：采用低噪声的电源，提高电压源的精度 注意温度对电压源的影响，采用温度补偿技术进行校正 优化建议：采用高精度的温度传感器，提高温度补偿的精度
带隙基准电压源 的应用案例分析
功耗：带隙基准电压源的功耗较低， 适合在低功耗系统中使用

CMOS_带隙基准源的设计(IC课程设计报告)

CMOS_带隙基准源的设计(IC课程设计报告)
VREF=VBE+MVT 将上式对温度T微分，并在室温下等于零（输出电压在室温下的理论温度系 数为零），解得常数M的值。
1
图 1、带隙基准电压源原理示意图(选自 Analysis and Design of Analog Integrated Circuits)
2
3 设计过程 3.1 电路结构
图 2、带隙基准电路中运算放大器的电路结构
《IC 课程设计》报告
——模拟部分
CMOS 带隙基准源的设计
华中科技大学电子科学与技术系 2004 级学生 张青雅
QQ:408397243 Email:zhangqingya@
2007 年秋大四上学期 IC 课程设计报告
1
目录
1 设计目标........................................................................................................................................1 2 介绍 ...............................................................................................................................................1 3 设计过程........................................................................................................................................3
LambdaN=0.0622 由跨导公式可以算出：

最新带隙基准源电路与版图设计

最新带隙基准源电路与版图设计

论文题目：带隙基准源电路与版图设计摘要基准电压源具有相对较高的精度和稳定度，它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。

模拟电路使用基准源，或者是为了得到与电源无关的偏置，或者为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定，可见基准源是子电路不可或缺的一部分，因此性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一，而集成电路版图是为了实现集成电路设计的输出。

本文的主要目的是用BiCMOS工艺设计出基准源电路的版图并对其进行验证。

本文首先介绍了基准电压源的背景发展趋势及研究意义，然后简单介绍了基准电压源电路的结构及工作原理。

接着主要介绍了版图的设计，验证工具及对设计的版图进行验证。

本设计采用40V的0.5u BiCMOS工艺库设计并绘制版图。

仿真结果表明，设计的基准电压源温度变化为-40℃~~85℃，输出电压为2.5V及1.25V。

最后对用Diva 验证工具对版图进行了DRC和LVS验证，并通过验证，表明本次设计的版图符合要求。

关键字：BiCMOS，基准电压源，温度系数，版图Subject: Research and Layout Design Of Bandgap ReferenceSpecialty: MicroelectronicsName: Zhong Ting (Signature)＿＿＿＿Instructor: Liu Shulin (Signature)＿＿＿＿ABSTRACTThe reference voltage source with relatively high precision and stability, temperature stability and noise immunity affect the accuracy and performance of the entire system. Analog circuit using the reference source, or in order to get the bias has nothing to do with power, or in order to be independent of temperature, bias, and its performance directly affects the performance and stability of the circuit shows that the reference source is an integral part of the sub-circuit, excellent reference source is the design of all electronic systems the most basic and critical requirements of one of the IC layout in order to achieve the output of integrated circuit design. The main purpose of this paper is the territory of the reference circuit and BiCMOS process to be verified.This paper first introduces the background of the trends and significance of the reference voltage source, and then briefly introduced the structure and working principle of the voltage reference circuit. Then introduces the layout design and verification tools to verify the design of the territory.This design uses a 40V 0.5u BiCMOS process database design and draw the layout.The simulation results show that the design of voltage reference temperature of -40 ° C ~ ~ 85 ° C, the output voltage of 2.5V and 1.25V. Finally, the Diva verification tool on the territory of the DRC and LVS verification, and validated, show that the territory of the design meet the requirements.Keywords: BiCMOS，band gap , temperature coefficient, layout目录1 绪论 (1)1.1 背景介绍及发展趋势 (1)1.2 研究意义 (3)1.3 本文主要工作 (4)2 基准电压源电路设计 (5)2.1 基准电压源的分类及特点 (5)2.2 基准电压源的温度特性 (7)2.2.1 负温度系数项V (7)BE2.2.2 正温度系数电压 (7)2.3 基本原理 (8)2.3.1 与温度无关的电路 (8)2.3.2.与电源无关的偏置电路 (8)2.4 基准电压源电路设计 (9)2.4.1 基本原理 (9)2.4.2 运放的设计 (10)2.4.3 带隙核心电路设计 (13)2.5 仿真分析 (14)3 版图设计 (19)3．1 版图设计的基础 (19)3.1.1 集成电路版图设计与掩膜版、制造工艺的关系 (19)3.1.2 版图设计的设计规则 (19)3.1.3 版图通用设计步骤 (22)3.2工艺介绍 (23)3.2.1 常见工艺简介 (23)3.2.2 BiCMOS工艺 (25)3.3 带隙基准电路的版图设计 (28)3.3.1 版图的分层及连接 (28)3.3.2 版图设计环境介绍 (29)3.3.3 器件及总体版图 (29)4 版图验证 (39)4.1 版图验证概述 (39)4.2 验证工具介绍 (38)4.2.1 Cadence概述 (38)4.2.2 Diva使用介绍 (39)4.3 版图的DRC验证 (43)4.4 版图的LVS验证 (43)5总结 (45)致谢 (48)参考文献 (49)1 绪论1.1 背景介绍及发展趋势基准源是模拟与数字系统中的核心模块之一，它被广泛应用于动态存储（DRAM）、闪存（flash memory）以及其他模拟器件中。

带隙基准设计

带隙基准设计

带隙基准参数设计基准源核心电路参数设计首先，考虑两个三极管发射极面积之比N的选取。

由上述公式可知：N值越大，则R2/R3的比例就越小，从而可以减小电阻的版图面积。

但是N值越大，也会导致三极管的静态电流增大。

折中选取N=8，这样版图可以采用中心对称布局，有利于减少匹配误差。

假设选取的工艺下的三极管的电流大于1uA时，V BE的输出曲线较为平滑。

从节省功耗的角度，假定流过三极管集电极的电流为1uA。

由上述公式可知，当N=8、IR3=1uA、T=300K时，计算得：考虑到R1和R2的数值数倍于R3，则电阻值太大，消耗版图面积太大。

因此，作为折中，选取R3为10K，电流值为5uA左右。

确定了以上参数后，考虑一阶补偿时R2的取值。

对上述公式在T0处求导可得：令上式为零，即进行一阶补偿，可得：化简得：代入参数，V G0=1.205V，查图可知V EB1在5uA的偏执电流下约为716mV，300K温度下V T0=26mV，r=3.2，a=1（三极管的偏置电流为PTA T），N=8，计算得：为了产生600mV的输出电压，需要调整R4的值。

由上式可以推出：在T=300K条件下代入各值，求得R4=48.5K。

考虑到各个电阻阻值偏大，故将各电阻设为高阻多晶型。

然而，高阻多晶虽然有很高的方阻，但是工艺稳定性不太好，故后期的Trimming 工序是必不可少的。

最后，确定电流镜的尺寸。

采用适当偏小的宽长比，可以提高电流镜的过驱动电压，进而可以减小电流镜阈值电压失配所带来的影响。

另外，沟道长度调制效应也是一个重要影响因素，考虑到低压应用不能使用Cascode结构，可以增大器件的栅长来减小沟道长度调制效应的影响。

但是过大的沟道长度会导致版图的面积的增加，需要在性能和版图面积之间做出折中。

经过计算与迭代仿真，选取M1、M2和M3的宽长比为10um/1um。

注意电流镜的版图设计中需采用中心对称布局以减小误差。

综上，通过理论分析，确定带隙核心电路的器件参数为：运算放大器设计运放的性能对带隙的性能有着直接的影响。

版图实验报告(完美版)

版图实验报告(完美版)
图 1-8 新建原理图界面 9、搭建完成的原理图如图 1-9 所示；
图 1-9 带隙基准源的电路原理图 10、完成电路图后按 X 键检查和保存，无错误后退出；
第４页
11、回到 ic6151 界面，依次选择 File->Export->CDL,弹出 CDL Out 界面，个参数如图 1-10 所பைடு நூலகம்；
第８页
实验二： 带隙基准源电路的版图设计
一、实验目的： 1、熟悉 Linux 系统基本命令并学会使用同时熟练画 layout 的一些快捷方式； 2、掌握半导体集成电路的设计规则； 3、掌握半导体集成电路的布局布线； 4、掌握使用 Cadence Virtuoso 版图编辑软件进行模拟 IC 版图布局设计； 5、掌握如何根据电路图提取网表，从而进行 LVS 检查验证； 6、学会使用 cadence 工具对所画版图进行 DRC 验证，确保版图符合工艺设计规则； 7、学会如何看 DRC 和 LVS，以便对错误进行修改。 二、实验原理和内容： 1、设计规则： （1）同层金属之间的距离是 0.6us （2）不同电位的阱间距是 4us （3）在对差分对和电流镜的匹配时，用的共质心的原则 （4）对于电流镜和差分对这类敏感模块要用 guardring （5）对于电阻要加 dummy 2、原理：Virtuoso Layout Editor 是一种基于 LINUX 系统的 EDA 工具，用于集成电路版图 设计。该工具可以进行 DRC 和 LVS 检查验证，DRC（设计规则检查）即查看所画版图是否符 合工艺设计规则，只有通过 DRC 检查，版图才能在现有工艺条件下实现；LVS（版图和电路 图一致性比较）即查看版图是否和电路图一致，只有通过 LVS 检查，版图才能在电学特性和 电路所要实现的功能上和原电路保持完全一致。本实验利用 Cadence 画出电路原理图，然 后进行检查与验证； 3、内容：首先根据已经知道的电路原理图分析其那些器件需要匹配，将匹配的器件画在一 起，分成若干个版图模块。带隙基准源大致分为：电流镜模块，分压电阻模块，差分对模块 以及剩下的单个电阻； 4、需要用到的快捷键： F2 保存 C 键 复制 F 键 满屏 M 键 移动工具 Shift+M 合并工具 K 键 标尺工具 L 键 标签工具

最新—高精度cmos带隙基准源的

最新—高精度cmos带隙基准源的

—高精度c m o s带隙基准源的摘要基准电压源是模拟电路设计中广泛采用的一个关键的基本模块。

所谓基准电压源就是能提供高稳定度基准量的电源，这种基准源与电源、工艺参数和温度的关系很小，但是它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度和性能。

本文的目的便是设计一种高精度的CMOS带隙基准电压源。

本文首先介绍了基准电压源的国内外发展现状及趋势。

然后详细介绍了带隙基准电压源的基本结构及基本原理，并对不同的带隙基准源结构进行了比较。

接着对如何提高带隙基准的电源抑制比以及带隙基准电压源的温度补偿原理进行了分析，还总结了目前提高带隙基准电压源温度特性的各种方法。

在此基础上运用曲率校正、内部负反馈电路、RC滤波器、快速启动电路，设计出了具有良好的温度特性和高电源抑制比的带隙基准电压源电路。

最后应用HSPICE仿真工具对本文中设计的带隙基准电压源电路进行了完整模拟仿真并分析了结果。

模拟和仿真结果表明，电路实现了良好的温度特性和高电源抑制比，0℃～100℃温度范围内，基准电压温度系数大约为11.2ppm/℃，在1Hz到10MHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)可达到-80dB，启动时间为700s 。

关键词: 带隙基准电压源；温度系数；电源抑制比；AbstractVoltage reference is the vital basic module which is widely adopted in analog circuits. It can supply a voltage with high stability. The power supply, technics parameter rand temperature has lesser effete to this voltage. Its temperature stability and antinoise capability influence the precision and performance of the whole system. The purpose of this article is to design a high precision CMOS bandgap voltage reference.In this article, the present situation and developmental trend of voltage reference studies both at home and abroad are presented. The structure and principle of voltage reference are analyzed in detail, and then the different structures of bandgap voltage reference are compared. By analyzing the power supply rejection ratio (PSRR) and the principle of temperature compensation, the method of improving the temperature characteristic is summarized. The design of a bandgap voltage reference circuit with high power supply rejection ratio and good temperature characteristic is completed by applying curvature emendation, inside negative feedback technology, RC filter and fast start-up circuit. At last, the circuits have been simulated with HSPICE simulation tools.The simulation results show that，the circuit with good temperature characteristic and high power supply rejection ratio, and at the temperature range of 0℃ to 100℃, the temperature coefficient(TC) is about 11.2ppm/℃. In the frequency range of 1Hz to 10MHz, the average power supply rejection ratio is more than -80dB and it has a turn-on time less than 700s .Key Words: bandgap voltage reference; temperature coefficient; power supply rejection ratio;目录摘要 (I)Abstract....................................................... I I 1.绪论 (1)1.1 国内外研究现状与发展趋势 (1)1.2 课题研究的目的意义 (2)1.3 本文的主要内容 (2)2. 基准电压源的原理与电路 (3)2.1 基准电压源的结构 (3)2.1.1直接采用电阻和管分压的基准电压源 (3)2.1.2有源器件与电阻串联组成的基准电压源 (4)2.1.3带隙基准电压源 (6)2.2 带隙基准电压源的基本原理 (6)2.2.1与绝对温度成正比的电压 (7)2.2.2负温度系数电压V BE (7)2.3 带隙基准源的几种结构 (8)2.4 V BE的温度特性 (11)2.5 带隙基准源的曲率校正方法 (13)2.5.1线性补偿 (13)2.5.2高阶补偿 (13)本章小结 (17)3. 高精度CMOS带隙基准源的电路设计与仿真 (18)3.1 高精度CMOS带隙基准电压源设计思路 (18)3.2 核心电路 (19)3.3 提高电源抑制比电路 (20)3.3.1负反馈回路 (21)3.3.2 RC滤波器 (22)3.4 快速启动电路及快速启动电路的控制电路 (23)3.4.1快速启动电路的控制电路 (23)3.4.2快速启动电路 (24)3.5 CMOS带隙基准电压源的温度补偿原理 (24)3.6 高精度CMOS带隙基准电压源的电路仿真 (27)3.6.1仿真工具的介绍 (27)3.6.2核心电路的仿真结果 (27)3.6.3电源抑制比电路的仿真结果 (28)3.6.4快速启动电路的仿真结果 (28)3.6.5整体电路的仿真结果 (29)本章小结 (30)结论 (32)致谢 (33)参考文献 (34)1.绪论基准电压源(Reference V oltage)是指在模拟电路或混合信号电路中用作电压基准的具有相对较高精度和稳定度的参考电压源。

带隙基准电路设计与仿真

带隙基准电路设计与仿真

带隙基准电路设计与仿真带隙基准电路是一种用于产生稳定电压参考的电路，它的工作原理是利用带隙参考电压源的稳定性，将其转换为稳定的输出电压。

在电子设备中，带隙基准电路被广泛应用于各种需要稳定参考电压的场合，如模拟电路中的比较器、放大器、ADC、DAC等。

1.确定设计指标和要求：首先需要确定带隙基准电路的设计指标和要求，包括输出电压的精度、波动、温漂等。

这些指标将直接影响到整个电路的设计和性能。

2.选择合适的带隙参考电压源：带隙参考电压源是带隙基准电路的核心部分，选择合适的电压源对于整个电路的性能至关重要。

常见的带隙参考电压源有基准二极管电压源、基准电流源和温度补偿电压源等。

3.设计和优化调整电路：调整电路用于校准输出电压，使其达到所需的精度，也可以用于调整输出电压的温度系数。

调整电路通常由运放、电阻网络和校准电压源等组成，通过合理选择和设计这些元件，可以优化整个电路的性能。

4.进行仿真和优化：在设计结束后，需要进行电路的仿真和优化。

通过仿真可以验证电路的性能，并进行参数调整和优化，以满足设计指标和要求。

5.制作原型并测试：在设计和仿真完成后，可以制作原型并进行测试。

测试结果将反馈给设计人员，并根据需要进行进一步的调整和优化。

设计带隙基准电路需要综合考虑电路的稳定性、精度、功耗和成本等因素。

在选择和设计电路元件时，可以采用一些常用的优化方法，如小信号模型分析、傅里叶级数分析、参数扫描等。

最后，需要注意的是，在设计带隙基准电路时，还应考虑一些特殊因素，如温度变化、噪声干扰、工作电流等影响电路性能的因素，并采取相应的补偿措施。

总之，带隙基准电路的设计与仿真是一个复杂的过程，需要综合考虑各种因素，通过合理的选择和设计来满足设计指标和要求。

基于超低功耗应用的全MOSFET带隙基准电路设计

基于超低功耗应用的全MOSFET带隙基准电路设计

基于超低功耗应用的全MOSFET带隙基准电路设计全MOSFET带隙基准电路设计基于SMIC 0.18um CMOS 工艺，首先设计了一种全 MOSFET结构的低功耗基准电压源，性能基本达到指标要求，利用Cadence Spectre完成电路仿真并完成版图设计。

本文设计的低功耗基准电压源的优势以及创新之处在于:实现了低的电路功耗，在1.8V电源电压下，输出电压为470mV时，电路的总功耗约为111nW，电源抑制比达到-30db 以上，温度系数为92.8ppm/℃，最终设计达到了预期的设计目标。

版图设计部分对每一个模块都进行了优化，整体采用三层金属线连接，减少了对工艺的需求。

利用Calibre 软件完成了电路DRC验证与LVS验证，最终完成可流片的版图，总面积为210um*140um，实现了无电阻，无双极型晶体管的全MOS结构，占用面积小，与数字CMOS工艺兼容，节省生产制造成本。

带隙基准电路设计

带隙基准电路设计

带隙基准电路设计
嘿，朋友们！今天咱来聊聊带隙基准电路设计。

这玩意儿啊，就像是电路世界里的定海神针！
你想想看，在那复杂纷繁的电路海洋中，要是没有一个可靠的基准，那不就像船在大海上没了指南针，瞎转悠嘛！带隙基准电路就是那个能给其他电路指明方向、提供稳定参照的宝贝。

它就好比是一场比赛中的裁判，公正公平地给出标准，让其他电路元件能按部就班地工作。

要是没有它，那电路里还不得乱套呀！各种信号乱跑，功能都没法正常实现了。

设计带隙基准电路可不容易哦！得像个细心的工匠，一点一点地雕琢。

从选择合适的元件开始，这就跟挑食材做饭一样，得挑新鲜的、好的食材，才能做出美味的菜肴。

元件选不好，那后面可就难办咯！
然后呢，还得精心设计电路的布局，这可不是随便摆摆就行的。

就好像搭积木，得考虑怎么搭才最稳固、最合理。

每个元件的位置都有讲究，牵一发而动全身呐！
在调试的过程中，那可得有耐心。

有时候就像解谜一样，一点点地找问题，解决问题。

要是没耐心，那肯定不行呀！难道遇到点困难就打退堂鼓啦？那可不行！
而且啊，这带隙基准电路还得适应各种环境呢！就像人一样，得能经得住各种考验。

热了不行，冷了也不行，得始终保持稳定可靠。

你说它容易吗？
咱再想想，要是没有带隙基准电路，那些电子设备还能这么好用吗？手机说不定一会儿信号好，一会儿信号差；电脑可能会时不时地出故障。

哎呀，那可太糟糕了！
所以说呀，带隙基准电路设计真的太重要啦！咱可得重视起来，好好研究，把它设计得稳稳当当的。

让我们的电子世界因为它而更加精彩，更加可靠！这就是我对带隙基准电路设计的看法，你们觉得呢？。

带隙电压基准的设计_毕业设计

带隙电压基准的设计_毕业设计
Keywords:MOS device; bandgap voltage reference; extraction; output voltage temperature coefficient;
0
基准电压源(Reference Voltage)是指在模拟电路或混合信号电路中用作电压基准的具有相对较高精度和稳定度的参考电压源。它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度和性能。模拟电路使用基准源，或者是为了得到与电源无关的偏置，或是为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定，可见基准源是子电路不可或缺的一部分，因此也可以说性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一。
1.1
1
N型MOS（NMOS）器件制作在p型衬底上（衬底也称作bulk或者body），两个重掺杂n区形成源端和漏端，重掺杂的（导电的）多晶硅区（通常简称poly）作为栅，一层二氧化硅使栅与衬底隔离。器件的有效作用就发生在栅氧下的衬底区。注意，这种结构中的源和漏是对称的。
源漏方向的栅的尺寸叫栅长L，与之垂直方向的栅的尺寸叫做栅宽W。由于在制造过程中，源/漏结的横向扩散，源漏之间实际的距离略小于L。定义 ，式中 称为有效沟道长度， 是沟道总长度，而 是横向扩散的长度。 与氧化层厚度 对MOS电路的性能起着非常重要的作用。因此，MOS技术发展中的主要推动力就是不是器件的其他器件参数退化而一代一代的减少这两个尺寸。从简单的角度来看，PMOS器件可通过将所有掺杂类型取反来实现，在实际中，NMOS和PMOS器件必须在同一晶片上，也就是说做在相同的衬底上。NMOS和PMOS晶体管的区别在于每个PFETs可以出于各自独立的n阱中，而所有NFETs则共享同一衬底。
（1.2）
其中 为过驱动电压，称W/L为宽长比,以上两等式是CMOS模拟电路设计的基础，它描述了 与工艺常数 ，器件的尺寸W和L以及栅和漏相对于源的电位之间的关系。

带隙基准电路设计

带隙基准电路设计

帯隙基准电路设计（东南大学集成电路学院）一.基准电压源概述基准电压源(Reference V oltage)是指在模拟电路或混合信号电路中用作电压基准的具有相对较高精度和稳定度的参考电压源，它是模拟和数字电路中的核心模块之一，在DC/DC ，ADC ，DAC 以及DRAM 等集成电路设计中有广泛的应用。

它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度和性能。

模拟电路使用基准源，是为了得到与电源无关的偏置，或是为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定。

在CMOS 技术中基准产生的设计，着重于公认的“帯隙”技术，它可以实现高电源抑制比和低温度系数，因此成为目前各种基准电压源电路中性能最佳、应用最广泛的电路。

基于CMOS 的帯隙基准电路的设计可以有多种电路结构实现。

常用的包括Banba 和Leung 结构带薪基准电压源电路。

在综合考虑各方面性能需求后，本文采用的是Banba 结构进行设计，该结构具有功耗低、温度系数小、PSRR 高的特点，最后使用Candence 软件进行仿真调试。

二.帯隙基准电路原理与结构1.工作原理带隙基准电压源的设计原理是根据硅材料的带隙电压与电源电压和温度无关的特性，通过将两个具有相反温度系数的电压进行线性组合来得到零温度系数的电压。

用数学方法表示可以为：2211V V V REF αα+=，且02211=∂∂+∂∂T V T V αα。

1).负温度系数的实现根据双极性晶体管的器件特性可知，双极型晶体管的基极-发射极电压BE V 具有负温度系数。

推导如下：对于一个双极性器件，其集电极电流)/(ex p T BE S C V V I I =，其中q kT V T /=，约为0.026V ，S I 为饱和电流。

根据集电极电流公式，得到：SC T BE I I V V ln= (2.1) 为了简化分析，假设C I 保持不变，这样： TI I V I I T V T V S S T S C T BE ∂∂-∂∂=∂∂ln (2.2) 根据半导体物理知识可知：kT E bT I gm S -=+ex p 4 (2.3)其中b 为比例系数，m ≈−3/2，Eg 为硅的带隙能量，约为1.12eV 。

输出缓冲的低温度系数带隙基准电路

输出缓冲的低温度系数带隙基准电路

万方数据　万方数据　万方数据第３期陈磊，李萌等：一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路８２３的ＲＦ接收机中，用于向ＶＣ０（压控振荡器）提供基准电压。

图９为本文设计的带隙基准电压电路版图，表１为室温下带隙基准电压电路特性，可见，各项指标与仿真结果完全满足设计要求。

表２为与文献中其他带隙基准电路性能的比较。

图９带隙基准电压电路版图表１带隙基准电压电路特性工艺ＴＳＭＣ０．１８岬标准ＣＭＯＳ工艺基准源类型基于Ｐ１、ＡＴ的自偏置带隙基准，兰要专孥．。

、７．２５×１０一６／＇Ｃ（－－４０℃到＋１１０℃）‘～一ＰＳＲＲ６４ｄＢ电源电压范围１．６—４．３Ｖ壁妻！：垡∑』巫：垄！垦旦！丝表２其他带隙基准电路性能比较工艺ｏ．１８ｆ仰ＣＩｖ们ＪＳｏ．１８ｔ，ｍＣⅣＣ６ｏ．３５牌１ＣⅣｌＤ６４结论基于ＴＳＭＣ０．１８ｔｔｍ标准ＣＭＯＳ工艺，提出了一种３．３Ｖ电源电压的精确带隙基准电压电路，用于向ＶＣＯ（压控振荡器）提供稳定的基准电压，具有低温度系数，宽温度范围的优点。

该电路可广泛应用于３．３Ｖ工作电压的低功耗模拟集成电路中，具有广泛的应用前景。

参考文献：［１］ＭｉｃｈｅｊｄａＪｏｈｎ，ＫｉｍＳｕｋＫＡＰｒｅｃｉｓｉｏｎＣＭＯＳＢａｎｄｇａｐＲｅｆ－ｅｒｌＨｌｃｅ［Ｊ］ｔＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓｔＤｅｃ１９９４ｔｓｅ－１９（６）：１０１４－１０２１．［２］马建斌。

金湘亮，计峰．一种Ｌ８Ｖ２４×１０—６／℃宽温度范围ＣＭＯＳ带隙基准电压源口］．电子器件，Ｓｅｐｔ．２００６，２９，（３）．［３］ＸｕｅＬｉｍ舀Ｓｔｕｄｙ１０ｂｉｔＨｉｇｈ－ＳｐｅｅｄＰｉｐｅｌｉｎｅｄＡｎａｌｏｇ－Ｄｉｇ—ｉｔａｌＣｏｎｖｅｒｔｅｒ［Ｄ］．ＭａｓｔｅｒＴｈｅｓｉｓ，ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉ—ｊｉｎｇ，２００４．［４］ＴｈａｍＫｈｏｎｇ－Ｍｅｎｇ，ＮａｇａｒａｊＫｒｉｓｈｎａｓｗａｍｙ．ＡＬｏｗＳｕｐｐｌｙＶｏｌｔａｇｅ．ＨｉｇｈＰＳＲＲＶｏｌｔａｇｅＲｅｆｅｒｅｎｃｅｉｎａ垤ＯｓＰｒｏｃｅｓｓ［ＪｌＩＥＥＩ！Ｊ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ，Ｄｅｃ．１９９５，３０，（５）ｌ５８６—５９０．［５］ＤａｉＹｉｈｏｎｇ．ＰｒｅｃｉｓｉｏｎＲｅｆｅｒｅｎｃｅｓｆｏｒＭｉｘｅｄ－ＳｉｇｎａｌＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ［Ｄ］．ＰｈＤ．Ｔｈｅｓｉｓ，ＢｒｉｇｈａｍＹｏｕｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，２００３．［６］ｗｉｌｌｉａｍＴｉｍｏｔｈｙＨｏｌｍａｎ．ＡｌｏｗｎｏｉｓｅＣＭＯＳｖｏｌｔａｇｅｒｅｆｅＴ－ｅｎｃｅ［Ｄ］．Ｐｈｉ３．Ｔｈｅｓｉｓ，ＧｅｏｒｇｉａＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ·１９９４．［７］ＲａｚａｖｉＢＤｅｓｉｇｎｏｌＡｎａｌｏｇＣＭＯＳＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ［Ｍ］，ＭｃＧｒａｗ－Ｈｉｌｌ．２００１．［８］ＡｌｌｅｎＰＥ，ＨｏｌｂｅｒｇＤＲＣＭＯＳＡｎａｌｏｇＣｉｒｃｕｉｔｓＤｅｓｉｇｎ，Ｓｅｅ—ｏｎｄＥｄｉｔｉｏｎｒＭ］．０ｒｄｏｒｄＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＰｒｅｓｓ，ＮｅｗＹｏｒｋ，２００２．（上接第８１９页）４结论快速准确地分析出信号中的同步信息是采集非标准视频图像的关键，本文详细介绍了利用图像特征来自动分析同步偏差、调整同步参数、产生高精度同步信号的方法，并以微处理器芯片ＴＭＳ３２０Ｆ２０６、ＵＳＢ接口芯片ＣＹ７Ｃ６８０１３和可编程逻辑器件ＣＰＬＤ等器件，设计了硬件采集系统。

带隙基准

带隙基准
2
电流和电源无关，和电阻有关。 当沟道长度效应很小时，电流和电源的依赖性很小。 电路有另一个稳定点： Iout = 0 必须加启动电路。 电路在上电时，启动电路驱动偏置电路摆脱“简并”偏置 点 如图：M3-M5-M2-Rs提供了一条电源 到地的通路，使M2和M3工作。 M2和M3导通后， Vgs5 < Vth M5被关断，不影响偏置电路的正常工作
∴Vout > Veff 2 +Veff1 = Veff + nVeff = (n +1)Veff
例如，取
n =1, ⇒Vout > 2Veff
显然，摆幅可以增加。
改进的电流源
注意M5的栅极偏置电压：
VG1 = VG4 = VG5 = (n +1)Veff +Vth
同时： VDS4 >Veff 4 = nVeff
QVDS4 = VG3 −Veff = (Vth +Veff ) −Veff = Vth Vth > Veff 4 = nVeff
是可以保证的
上述偏置使M2和M3处在饱和与线性区的边缘 若： Ibias ≥ Iin, 则，M5栅极电压足够使M3和M2处在饱和与区 若： Ibias = Iin, I ↑⇒Veff1 ↑⇒γ ≠ 0,Vth4 ↑⇒VDS3 < Veff ⇒ Rout ↓ 使
∂Vbe ∂VT = α1 +α2 lnn ∂T ∂T ∂T ∂V ∂VT k Q be = −1.5mV /o K = = 0.087 /o K mV ∂T ∂T q α1 =1 α2 = α ∂Vref ⇒α lnn =17.2时， =0 ∂T ∂Vref
Vref = α1Vbe +α2VT lnn = Vbe +17.2VT ≈1.25 V

带隙基准电压源(Bandgap)设计范例

带隙基准电压源(Bandgap)设计范例
NO.1 Bandgap 模块 一. 原理图
图 1.1
Bandgap 模块线路图
二. 等效架构图
(a)
(b)
(c) 图 1.2 Bandgap 模块等效原理图
三. 电路功能描述
正常工作时，Bandgap 模块为系统提供稳定、高精度的 1.28v 的基准电压， 并为其它电路模块提供稳定的偏置电流。
四. 输出、输入信号线功能描述
I = I S (e qVB E / kT − 1)
（1.1） 当 VBE >> kT / q 时， I ≈ I S e q.VBE / k .T
VBE = VT . ln( I ) IS
（1.2） 其中 VT = kT 为热电压，k 是 Boltzmann 常数，q 是电荷量。 q
图 1.2(b) 是参考电压产生的实际等效架构电路， R19 、R20 、R21 、Q11 和 Q12、Q19 构成带隙电压产生器的主题部分，由 Qx10 、Qx8 、 Q19、 Qx7 、 Q10 以及 Q18 组成了放大器及补偿电路，保证了参考电压输出的稳定。 由运算放大器的性质，得：
Q12 和 Q19 的电流相等；R19、R20、R21 和二极管连接的 Q11 组成分压网络， 将 Q12、Q19 产生的 ? VBE 放大（R19＋R20＋R21）/R21 倍后与 VBE11 相加，产 生基准电压 VREF ；放大管 QX7 、Q18 和负载管 Q10 组成符合放大电路，将 IC19 和 IC12 的差值放大，反馈到分压网路中的 R21，从而调整 Q12、Q19 的工作点， 保证 IC19 等于 IC12 ；电容 C2 和 R23 用来进行频率补偿。 电流偏置 IBias2 产生电路（图 2(c)） ：由 P39、Q3、R8 组成。Q3 的基极连 接 VREF ，其射极电位即 R8 的一端电位 VEQ3＝VREF －VBEQ3，与电源电压无关， 从而流过电阻 R8 的电流与电源无关，即 IBias2 与电源无关。 1．使能原理： ENB 高电平时，使能关断有效。当 ENB 为高电平时，使能管 N15、N18、 N17 工作，则 N19 的漏极电压、P8 的漏极电压、VREF 被拉到低电平，电路关 断。 BIAS_EN 低电平时，使能关断有效。当 BIAS2_EN 低电平时，使能管 P13 工作，P7、P1 的栅极即 Bias 为高电平，电流偏置为 0，同时，基准电压 VREF 为零电平。 BIAS2_EN 低电平时，使能关断有效。当 BIAS_EN 低电平时，使能管 P34 工作，Bias2 为高电平，电流偏置 IBias2 为 0。 2．启动原理 P14、R15、N19、N16 组成启动电路。启动过程：ENB 为低电平，当未启 动时，P7、P8 两支路的电流为 0，此时 P8 的漏极电压为 0 电位，N19 不通，N19 的漏极为高电位，此时 N16 管导通，形成从电源到地的通路 R12、P7、N16，使 P7 有电流流过，从而打破 0 电流的状态；之后 P8 漏极电位上升， N19 导通， N16 截止，启动过程结束。

基于CMOS带隙基准源设计

基于CMOS带隙基准源设计
Ａｂ ｔ ａ ｔ ｈ ｏｔ ｇ ｅ ｅｅ ｃ ｏ ｒ ｅ ｉ ｅ ｙ ｉ ｏ ｔｎ ｓ ｒ ｃ ：Ｔ ｅ ｖ ｌ ｅ ｒ ｆｒ ｎ ｅ ｓ ｕ ｃ ｓ ａ ｖ ｒ ｍｐ ｒ ｔ￣ｕ ｄ ｔ ｎ ｍｏ ｕ ｅ ｉ ｈ ｅ ｉｎ ｏ ｎ ｌｇ ｉ ｔｇ ａｅ ａ ａ ｎ ａ ｉ ｄ ｌ ｎ ｔ ｅ ｄ ｓ ｆ ａ ａｏ ｎ ｅ ｒ ｔｄ ｏ ｇ ｃｒ ｕｔ．Ｃ ｍｐ ｅｅ ｈ ｅ ｉｎ ｏ ａ ｄ ａ ｆｒ ｎ ｅ ｖ ｌａ ｅ ｓ ｕ ｃ ，ｉ ｃｕ ｉ ｇ ｎ ｍｅ ｏ ｓ ａ ｐ ｃｓ ｏ ｅ ｄ ｓ ｕ ｓ ｎ ａ ｄ ｉ ｉ ｃ ｓ ｏ ｌ ｔｄ ｔ ｅ ｄ ｓｇ ｆ ａ ｂ ｎ ｇ ｐ ｒ ｅ ｃ ｏｔｇ ｏ ｒ ｅ ｎ ｌ ｄ ｎ ｕ ｒ ｕ ｓ ｅ ｔ ｆｔ ｉｃ ｓ ｉ ｎ ｅ ｅ ｈ ｏ
第 ３ ９卷 第 ３ 期 ・ 术 拳
Ｖｏ１ Ｍ ａ ． ． ３９ ｒ３
湖
南
农
机
２１年３ ０２ 月
Ｍ ８ｒ２０１ ． ２
基于 Ｃ ＭＯＳ带隙基准源设计
．
何 绪琨
４ ３０ ） ５ ０ ０
（ 乡市 职业 技术学 院 ， 南 新 乡 新 河
摘 要： 电压基 准源是模拟集成 电路设计 中的一个非常重要的基础模块 。文章完成 了带隙基 准电压 源的设计 ， 进 行 了包 电路各部分结构的讨论与选择 、 路 的设 计与仿真 以及 电 括 电 路版 图的设计与验证等 多个环节的工作。 关键 词： ＭＯ ； Ｃ Ｓ 带隙基 准电路 ； 仿真 中图分类号 ：Ｐ９ Ｔ ３ 文献标识码 ： Ａ 文章编号 ： ０—３０２１）３０ ８—２ １ ７ ８２ （０２０—０ ００ ０
Ｄｅ ｉ ｎ ｂ ｓ ｄ ｏ ｓｇ ａ ｅ ｎ ＣＭ ＯＳ ｂ ｎ ｇ ｐ ｒ ｆ ｒ ｎ ｅ ｓ ｕ ｃ ａ ｄ ａ ｅｅ ｅ ｃ ｏ ｒ ｅ

7 带运放的带隙基准设计

7 带运放的带隙基准设计

图 1.3 直流扫描曲线 1 第 3 页，共 9 页
ห้องสมุดไป่ตู้
带运放的带隙基准设计
图 1.4 直流扫描曲线 2
3、瞬态分析 给电源电压加一正弦信号，频率为 1k，峰峰值为 20mV，观察基准输出电压，基准电 压的输出波形如图 1.5 所示： 从两个波形的峰峰值仍然可以算电压灵敏度。 图 1.5 中电压源 的瞬态波形也打印出来了。从图可以看出，当电压源的峰峰值为 20mV 时，基准电压输出 的峰峰值仅为 1.56191967uV，这个值非常小，所以此电路的电源抑制比非常好。 4、工艺角分析 这里仅给出三种组合即 ttt, sss, fff 组合的情况， 其实一共有四十五中组合， 自己可以试着做 做看。波形如图 1.6 所示：
从图中可以看出， 当温度从负 40 度变化到 125 度时， 基准电压的最大值和最小值之差 仅为 1.5mV。 2、直流分析 ①扫描电源电压，vdd 从 0 变化到 5V，这样可以大致观察出 vdd 在多大范围内，电路 就可以正常工作， 波形如图 1.3 所示： 从图 1.3 可以看出当电源电压从 1.5V 变化到 3.4V 时， 基准电压几乎是一条平坦的曲线，也就是说在这个范围内，基准电路基本上都可以正常工 作。在此设计中我们用的是 simc18 库中的 1.8V 的模型。可以看出此电路的工作范围很宽， 即电源抑制比很大。在波形窗口中选择菜单栏的 Marker->Place->Trace Marker，然后再点 击你想看的波形中的某点，这样就可以标出他的横坐标和纵坐标，如图 1.3 所示。 ②使电源电压从 1.6V 变化到 2.1V，再做一次直流扫描，而这次扫描的目的是为了看 在正常的工作范围内，基准电压随电源电源的变化，并可以计算出电压灵敏度(或者叫电源 抑制比)。波形如图 1.4 所示：在波形窗口中选择菜单栏的 Trace->Delta Cursor，可以精确 观察曲线中两点的横坐标，纵坐标及其横坐标之差，纵坐标之差。

《带隙基准电路》课件

《带隙基准电路》课件
调整电阻值
运放是带隙基准电路中的关键元件，其性能直接影响电路的性能。需要根据电路要求选择合适的运放，如带宽、噪声、失调等参数。
选择合适的运放
电源电压和功耗是带隙基准电路的重要参数，需要考虑在满足性能要求的同时，尽量减小功耗和电源电压。
考虑电源电压和功耗
1
2
3
利用CMOS工艺制作带隙基准电路，具有高集成度、低功耗等优点，是当前最常用的实现方法。
带隙基准电路
目录
带隙基准电路概述带隙基准电路的基本原理带隙基准电路的设计与实现带隙基准电路的性能测试与评估带隙基准电路的改进与发展趋势
01
CHAPTER
带隙基准电路概述
带隙基准电路是一种集成电路，用于产生一个与温度和电源电压无关的参考电压或电流。
它利用双极晶体管的基极-发射极电压差（ΔVBE）的正温度系数和硅的带隙电压（VBG）的负温度系数来产生一个零温度系数的电压或电流。
性能比较
将带隙基准电路的性能与其他同类电路进行比较，以评估其性能优劣。
数据分析
对测试数据进行统计分析，以评估带隙基准电路的性能指标是否满足设计要求。
改进建议
根据测试结果，提出改进带隙基准电路性能的建议和措施，以提高其性能。
03
02
01
05
CHAPTER
带隙基准电路的改进与发展趋势
温度补偿
01
通过分析电路的频率响应、噪声和温漂等特性，评估带隙基准源的稳定性。
稳定性分析
启动电路
线性调整率
带隙基准源在输入电压变化时，输出电压的变化率。
负载调整率
带隙基准源在不同负载条件下，输出电压的变化率。
03
CHAPTER
带隙基准电路的设计与实现

BGR电路及版图设计

BGR电路及版图设计

BGR电路及版图设计一、基本概念The current or the voltage that is impedence with temperature and supply voltage，and also insensitivity with the fabrication process，is called as udge or current reference，usually knoun as PVT stablity 。

带隙基准直接来源于硅的能带隙，因此它能提供唯一的、其值约为1.2V的实际可用基准电压。

电流基准实际上并不存在，它由带隙电压基准和一到两个电阻的组合中得到。

1、温度补偿原理带隙基准直接来源于硅的能带隙，因此它能提供唯一的、其值约为1.2V的实际可用基准电压。

带隙基准电压使用了一个接成二极管形式的双极型晶体管，它的电流一电压表达式可用指数形式精确地给出。

一个实际的pn结在kT/q前可能有一个1.05～1.1的系数，但是接成二极管形式的双极型晶体管却没有对于恒定电流驱动，该二极管受温度影响非常大，约为—2mV/℃，我们想把该值降到1/1000以下。

为了实现上述目标，需要一个明确表示温度关系的电流表达式。

Vgo是绝对零度时的二极管电压，其值与温度相关。

二、原理、方式三、BGR电路结构总结：BGR电路结构分为VM电压模，以及CM电流模。

1.Cascode CM Biased BGR2.Operational Amplifier （op）Based BGR3.OP biased CM—BGR principe四、性能分析、改进五。

CR电路结构、V—I转换电压稳压器通过比例电阻相对于基准电压来锁定输出电压，实际上这是一个两级反馈放大器Vre为输入。

第一级为运放，第二级为源极跟随器，该跟随器依靠宽长比W/L向负载传输大电流。

图中负载未画出，它通常由电阻和电容组成，其变化范围很大，取决于从稳压器中获取的电流。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

论文题目：带隙基准源电路与版图设计摘要基准电压源具有相对较高的精度和稳定度，它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。

模拟电路使用基准源，或者是为了得到与电源无关的偏置，或者为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定，可见基准源是子电路不可或缺的一部分，因此性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一，而集成电路版图是为了实现集成电路设计的输出。

本文的主要目的是用BiCMOS工艺设计出基准源电路的版图并对其进行验证。

本文首先介绍了基准电压源的背景发展趋势及研究意义，然后简单介绍了基准电压源电路的结构及工作原理。

接着主要介绍了版图的设计，验证工具及对设计的版图进行验证。

本设计采用40V的0.5u BiCMOS工艺库设计并绘制版图。

仿真结果表明，设计的基准电压源温度变化为-40℃~~85℃，输出电压为2.5V及1.25V。

最后对用Diva 验证工具对版图进行了DRC和LVS验证，并通过验证，表明本次设计的版图符合要求。

关键字：BiCMOS，基准电压源，温度系数，版图ISubject: Research and Layout Design Of Bandgap ReferenceSpecialty: MicroelectronicsName: Zhong Ting (Signature)＿＿＿＿Instructor: Liu Shulin (Signature)＿＿＿＿ABSTRACTThe reference voltage source with relatively high precision and stability, temperature stability and noise immunity affect the accuracy and performance of the entire system. Analog circuit using the reference source, or in order to get the bias has nothing to do with power, or in order to be independent of temperature, bias, and its performance directly affects the performance and stability of the circuit shows that the reference source is an integral part of the sub-circuit, excellent reference source is the design of all electronic systems the most basic and critical requirements of one of the IC layout in order to achieve the output of integrated circuit design. The main purpose of this paper is the territory of the reference circuit and BiCMOS process to be verified.This paper first introduces the background of the trends and significance of the reference voltage source, and then briefly introduced the structure and working principle of the voltage reference circuit. Then introduces the layout design and verification tools to verify the design of the territory.This design uses a 40V 0.5u BiCMOS process database design and draw the layout.The simulation results show that the design of voltage reference temperature of -40 ° C ~ ~ 85 ° C, the output voltage of 2.5V and 1.25V. Finally, the Diva verification tool on the territory of the DRC and LVS verification, and validated, show that the territory of the design meet the requirements.Keywords: BiCMOS，band gap , temperature coefficient, layoutII目录1 绪论 (1)1.1 背景介绍及发展趋势 (1)1.2 研究意义 (3)1.3 本文主要工作 (4)2 基准电压源电路设计 (5)2.1 基准电压源的分类及特点 (5)2.2 基准电压源的温度特性 (7)V (7)2.2.1 负温度系数项BE2.2.2 正温度系数电压 (7)2.3 基本原理 (8)2.3.1 与温度无关的电路 (8)2.3.2.与电源无关的偏置电路 (8)2.4 基准电压源电路设计 (9)2.4.1 基本原理 (9)2.4.2 运放的设计 (10)2.4.3 带隙核心电路设计 (14)2.5 仿真分析 (15)3 版图设计 (19)3．1 版图设计的基础 (19)3.1.1 集成电路版图设计与掩膜版、制造工艺的关系 (19)3.1.2 版图设计的设计规则 (20)3.1.3 版图通用设计步骤 (23)3.2工艺介绍 (24)3.2.1 常见工艺简介 (24)III3.2.2 BiCMOS工艺 (26)3.3 带隙基准电路的版图设计 (28)3.3.1 版图的分层及连接 (28)3.3.2 版图设计环境介绍 (29)3.3.3 器件及总体版图 (30)4 版图验证 (39)4.1 版图验证概述 (39)4.2 验证工具介绍 (39)4.2.1 Cadence概述 (39)4.2.2 Diva使用介绍 (40)4.3 版图的DRC验证 (44)4.4 版图的LVS验证 (44)5总结 (46)致谢 (48)参考文献 (49)IV1 绪论1.1 背景介绍及发展趋势基准源是模拟与数字系统中的核心模块之一，它被广泛应用于动态存储（DRAM）、闪存（flash memory）以及其他模拟器件中。

其实现方式有电压基准和电流基准。

基准电压源是模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)、线性稳压器和开关稳压器、温度传感器、充电电池保护芯片和通信电路等电路中不可缺少的部分，基准电流源主要作为高性能运算放大器等器件或电路的偏置，也可用于LVDS驱动器和Viterbi解码器。

基准源需要有稳定的工艺、电压和温度系数，并且不需要随着制造工艺的改变而改变。

带隙基准参考源通常是模拟和混合信号处理系统中重要的组成模块，它用来提供高稳定的参考电平和参考电压，对系统的性能起着至关重要的作用。

传统的带隙基准电路利用双极型晶体管的基极—发射极电压V m的负温度系数和不同电流密度下两个双极型晶体管基极—发射极电压的差值的正温度系数相互补偿，使输出电压达到很低的温度漂移。

但实际设计电路中由于运放的失调电压对V m的影响，V m与温度的非线性关系，使传统的带隙基准电路在温度系数、功耗、PSRR等方面无法达到现今集成电路设计的要求。

随着现代如今，带隙基准源在AD/DA、电源芯片、锁相环、高精度的电压表、电流表、欧姆表等领域有着很广泛的应用。

微电子技术和通信技术的发展，集成电路已进入超深亚微米时代，它的发展继续以高速、高集成度、低功耗为目标。

在发展的同时，集成电路逐渐与其它学科和技术相结合,形成新的方向,新的学科或专业,不断改变着传统专业分工的格局，使得SOC系统(System on Chip)越来越复杂。

这对模拟电路基本模块的电压、功耗、精度和速度等, 提出了更高的要求。

传统的带隙基准源电路结构渐渐难以适应设计需求。

近几年，国内外学者都对传统带隙基准源进行了改进，主要集中降低温度系数，提高了PSRR以及使其能工作在低电源电压下，展现出低功耗、低噪声、低温漂、高精度等特性。

国内外对CMOS工艺带隙基准电压源做了大量的研究，最新的技术进展主要体现在以下几个方面。

(1)低温度系数低温度系数的电压基准源对于高分辨率的DAC和ADC尤其重要。

对于一阶补偿的带隙基准源，温度系数通常可以做到10．60ppm／。

C。

为了进一步降低带隙基准的温度系数必须做高阶补偿。

目前出现的高阶补偿技术包括利用MOS管亚阈区v～I特性的补偿的带隙基准电路、利用电阻的温度特性的曲率校正方法、指数曲率补偿方法、温度分段补偿方法等。

(2)低电压工作的电压基准源随着深亚微米集成电路技术的不断发展，集成电路的电源电压越来越低。

带隙基准电压在1．2V左右，所以一般的带隙基准源的工作电压至少在1．2V以上。

采用特殊电路结构的带隙基准源可以工作在1V左右。

采用这些电路结构后主要的工作电压限制通常来自于运放的工作电压，并最终受限于MOS管的阈值电压。

(3)高电源纹波抑制比随着射频集成电路和数字电路的发展以及带基准源在高频电路应用中的推广，电源抑制比成为了基准源在高频及数模混合电路中的一个重要衡量标准。

在数模混合集成电路中，数字电路的噪声可能对模拟电路产生不利的影响。

因此，在混合电路中电压基准源应该在较宽的范围内具有良好的电源电压抑制比性能。

(4)低功耗低功耗是衡量电路性能好坏的指标之一。

作为集成电路的一个基本单元电路，低功耗也一直是基准电压研究发展的一个方向。

集成电路制造工艺主要有双极工艺、CMOS工艺和BiCMOS工艺。

用双极型工艺可以制造出速度高、驱动能力强、模拟精度高的器件，但双极型器件在功耗和集成度方面却无法满足系统集成的要求：而CMOS工艺可以制造出功耗高、集成度高和抗干扰能力强的CMOS器件，但其速度低、驱动能力差，在既要求高集成度又要求高速的领域中也无能为力。

BiCMOS工艺是把双极型器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上，它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点，它给高速、高集成度、高性能的LSI及VLSI的发展开辟了一条新的道路。