VII-NEMS
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七.纳米机电系统加工工艺❑1.纳米机电系统;❑2. “自上而下”和“自下而上”;❑3. 纳米尺度机械加工;❑4. 超分子、分子自组装与分子机器❑5. 微米/纳米跨尺度联合加工®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved1微/纳加工技术七. NEMS七.纳米机电系统加工工艺❑1.纳米机电系统;❑2. “自上而下”和“自下而上”;❑3. 纳米尺度机械加工;❑4. 超分子、分子自组装与分子机器❑5. 微米/纳米跨尺度联合加工●NEMS: Nanoelectromechanical systems☐横向、纵向尺寸均在nm范围内的机电系统•MEMS的部分尺寸在nm;•基本功能单元:蛋白质、DNA、人工合成材料、硅纳米梁、碳纳米管……?•真正的机电一体化—机械运动达到了极高的频率;—机械结构直接与电子、离子耦合。
•问题:1. 如何与更大尺度的系统接口?-电、机械、光?-生物细胞的信息传导机制?2. 如何有效的操作纳米颗粒及其结构•-方便快速的吸附、解吸附也是一个挑战。
®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved3微/纳加工技术七. NEMS●纳米技术体系☐横向、纵向尺寸均在nm范围内的功能结构●纳米世界的融合性☐化学、物理、生物的统一,不存在截然的分野, 各研究各有侧重。
有机化学:分子构筑基元的合成配位化学:分子受体化学的基础物理化学:分子间相互作用的理论与实验研究生物化学:生物的过程均从底物的结合与识别开始高分子科学:材料科学与生物科学的桥梁纳米科学:Bottom-up 纳米构建生命科学:超分子生物学、结构生物学物理学:介观物理®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved5微/纳加工技术七. NEMS纳米电子学的挑战“关联电子学”(correlatedelectronics)®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved7七.纳米机电系统加工工艺❑1.纳米机电系统;❑2. “自上而下”和“自下而上”;❑3. 纳米尺度机械加工;❑4. 超分子、分子自组装与分子机器❑5. 微米/纳米跨尺度联合加工微/纳加工技术七. NEMS——Ch01 概述®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved9SeemanEiglerDaunert -Madou Montemagno•充分利用两者的优势–自组装和直接组装相结合;–利用并行化加工制作衬底,利用自组装高效率、高精度地沉积材料;●NEMS 加工的有效途径之一:将Bottom-up 和Top Down machining 结合起来微/纳加工技术七. NEMS•仿生学的提示:运动方式,传导机制……•未来的制造者可以效法自然界的生长过程,但要使之工程化,达到所需的经济性。
•例如:牙齿和贝壳是基于纳米结构的、很坚固的建筑构件,但制作过程过于漫长,不妨考虑人工诱导生长。
●NEMS 加工的有效途径之二:向自然界学习®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved11微/纳加工技术七. NEMS•纳米化学方法:–自然界的聚合物:DNA 、RNA 不仅可以用作传感器,也可以用作执行器和结构构件–极端微生物–机械法合成(Mechanosynthesis )–NEMS/生物学混合体——Ch01 概述●NEMS 加工的有效途径之三:运用“分子级”、“原子级”化学方法微/纳加工技术七. NEMS七.纳米机电系统加工工艺❑1.纳米机电系统;❑2. “自上而下”和“自下而上”;❑3. 纳米尺度机械加工;❑4. 超分子、分子自组装与分子机器❑5. 微米/纳米跨尺度联合加工●NEMS工艺综述☐Top Down为主•制作纳米级结构,以利用该尺度上材料特殊的功能度和特性(摩擦、热、粘滞)。
•主要工艺方法1. 高分辨率光刻+精密图形转移技术—下一代光刻技术—纳米压印2. 原子搬运和组装®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved13微/纳加工技术七. NEMSNext Generation Lithography (NGL)•正在投入使用者:下一代光刻(NGL)•尚处在研发阶段者:未来光刻技术●NGL:EUV•使用极短的13.4 nm 光源•全部采用反射式的光学元件(在该波长下,所有材料都具有很强的吸收能力!)•使用缩减光学(4 X)•步进和扫描印刷•光学上的“挖潜”技巧都适用:偏轴照明(off axisillumination,OAI), 相移掩膜和OPC•真空中操作;•激光等离子光源•系统极为昂贵。
®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved15微/纳加工技术七. NEMS●NGL:E-Beam——电子束o衍射并非分辨率的限制因素(10-50 keV电子, < 1 Å)o分辨率取决于电子的散射,而电子束光学元件取决于光束的尺寸,可以达到5nmo两种工作模式:o窄波束的直写o带掩膜的电子束投影光刻EPLo问题:o直写的产率很低:用作研究工具,或者低图形密度的制造;o步进光刻(EPL) 尚处于开发阶段(主要由Nikon);o投影方法的最大挑战在于掩膜的制造;o背向散射和二次电子会造成邻近效应,因此图形密集区的分辨率会下降;o在高真空中操作(10-6–10-10torr),考虑到抽气等,速度慢且成本高•电子在光刻胶和衬底中会产生散射;•散射的电子也会使光刻胶曝光;•电子与衬底的互作用会造成电子束的散布;–弹性和非弹性散射–衬底的背向散射以及二次电子的产生;–100 Å电子束会产生0.2 µm 线条。
®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved17•EPL 是一种采用掩膜的、高吞吐率的工艺;•SCALPEL 异于以前的投影光刻的区别就在于掩膜。
该掩膜由一张低原子数的薄膜材料,上覆高原子数的材料层,图形就制作在后者上。
虽然掩膜相对于所使用的高能电子束而言几乎是透明的,但利用薄膜和图形化材料层间电子束散射,也可以产生反差或者衬度。
薄膜会对电子产生微弱的散射,即小角度的,而图样层则会产生强烈的、大角度的散射。
•在投影光学装置后焦面的孔径则可以阻挡受到强烈散射的电子,从而在圆片所在平面上形成一个高对比度的图像。
●NGL :SCALPEL®(SC attering with A ngular L imitation P rojection E lectron-beam L ithography微/纳加工技术七. NEMS•X 射线源:–电子撞击X 射线源–等离子加热型X 射线源•激光加热•电子束加热–同步加速器X 射线源•在LIGA 工艺中极为关键;•目前似乎很难成为主流。
Grenoble Synchrotron●NGL :X -Ray☐大深度曝光®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved19•离子的散射要远小于电子,所以可望实现更高分辨率;•问题–离子源(e.g. Gallium)–掩膜–离子束的成形–不如EPL 成熟•应用:光学/X 射线光刻掩膜版的修补。
Ion beamStep-and-scan wafer stageElectrostatic lens system (4:1 reduction)Vacuum chamberIon sourceMaskReferenceplate●NGL :IPL (离子束光刻)☐大深度曝光微/纳加工技术七. NEMS•利用MEMS 方法加工出平行化的大规模直写(基于AFM 、STM 等接近探针技术)阵列,从而在圆片上的多个IC 单元中加工出所需结构•模块共聚物(Block copolymers )•Zone plate array lithography (ZPAL),•量子光刻(双光子光刻)•用超级透镜进行光刻(“Pendry’s dream ”).Left: AF M image of quantu m dot structure created on a G a As wafer using oxi lithography, 2.5?m scan. Courtesy of D . G raf and R. Shlese r, Ensslin Grou p , ET H Zuric h (http ://w w w .asylumre s ea rch.c o m/). Right: AF M image of the nanolithographically p atterned polycarbonate with scrat lithography 5?m scan . Cop y of Pablo Picasso 抯, “Do n Q uixote.? (http ://w w w .asylumre s ea rch.c o m/).●未来光刻技术:综述●未来光刻技术:接近直写探针•在材料表面附近利用纳米尺度的探针来定位和扫描,从而改变其形貌及材料分布。
•直写的原理–电方法:STM tip 产生局域化的场/电流,改变下方的局域(e.g., SiH→Si).–机械方法:SFM / AFM tip 刮削、热致变形或搬移表面材料,后一种方法也称为蘸水笔(dip-pen lithography,DPL).–近场光学扫描(NSOM) tip 或者无孔径近场扫描探针(ANSOM),使得下方的光刻胶曝光。
®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved21微/纳加工技术七. NEMS●未来光刻技术:并行写入阵列•高产率电子束直写光刻。
负电子阴极构成可寻址的阵列,以提高电子束直写的产率。
•原子力显微镜等直写探针的阵列实现并行化加工。
●未来光刻技术:微接触印刷(Microcontact Print)•软光刻:–利用PDMS对“主图样”进行复制“盖章”(stamp)–用各种分子油墨填满压痕(硫醇,硫醚, 烷氧基硅烷,氯代硅烷, etc.)–让衬底表面与压印头接触–在接触区形成单分子层®Miao Min, BISTU,2009 All rights reserved23微/纳加工技术七. NEMS●未来的光刻技术:纳米压印•纳米压印光刻是利用热轧压使得光刻胶发生变形(通过模具)而非通过辐射(用粒子束)来改变光刻胶化学成分。