西安电子科技大学2008年811信号与系统考研真题+答案
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821“电路、信号与系统”复习参考提纲总体要求一、总体要求“电路、信号与系统”由“电路”(75分)和“信号与系统”(75分)两部分组成。
“电路”要求学生掌握电路的基本理论和基本的分析方法,使学生具备基本的电路分析、求解、应用能力。
要求掌握电路的基本概念、基本元件的伏安关系、基本定律、等效法的基本概念;掌握电阻电路的基本理论和基本分析方法;掌握动态电路的基本理论,一阶动态电路的时域分析方法;正弦稳态电路的基本概念和分析方法;掌握谐振电路和二端口电路的基本分析方法。
“信号与系统”要求学生掌握连续信号的时域、频域、复频域分解的数学方法和分析方法,理解其物理含义及特性。
掌握离散信号的时域时域、Z域分解的数学方法和分析方法,理解其物理含义及特性。
熟练掌握时域中的卷积运算和变换域中的傅里叶变换、拉普拉斯变换、Z变换等数学工具。
掌握系统函数及系统性能的相关概念及其判定方法。
掌握线性系统的状态变量分析法。
研究生课程考试是所学知识的总结性考试,考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。
各章复习要点部分各章复习要点二、“电路”部分电路”各章复习要点(一)电路基本概念和定律1.复习内容电路模型与基本变量,基尔霍夫定律,电阻元件与元件伏安关系,电路等效的基本概念2.具体要求*电路模型与基本变量***电压、电流及其参考方向的概念、电功率、能量的计算***基尔霍夫定律***电阻元件及欧姆定律;***电压源、电流源及受控源概念;**等效初步概念,掌握串、并联电阻电路的计算,实际电源两种模型及其等效互换(二)电阻电路分析1.复习内容电路的方程分析法,网孔法和回路法,节点法和割集法。
电路定理的概念、条件、内容和应用。
2.具体要求*支路分析法***网孔分析法;***节点分析法***叠加定理,替代定理原理及应用***戴维南定理、诺顿定理和分析方法***最大功率传输定理**互易定理和特勒根定理(三)动态电路1.复习内容动态元件的概念,动态元件的伏安关系。
831“电路、信号与系统”复习参考提纲总体要求一、总体要求“电路、信号与系统”由“电路”(80分)和“信号与系统”(70分)两部分组成。
“电路”要求学生掌握电路的基本理论和基本的分析方法,使学生具备基本的电路分析、求解、应用能力。
要求掌握电路的基本概念、基本元件的伏安关系、基本定律、等效法的基本概念;掌握电阻电路的基本理论和基本分析方法;掌握动态电路的基本理论,一阶动态电路的时域分析方法;正弦稳态电路的基本概念和分析方法;掌握谐振电路和二端口电路的基本分析方法。
“信号与系统”要求学生掌握连续信号的时域、频域、复频域分解的数学方法和分析方法,理解其物理含义及特性。
掌握离散信号的时域时域、Z域分解的数学方法和分析方法,理解其物理含义及特性。
熟练掌握时域中的卷积运算和变换域中的傅里叶变换、拉普拉斯变换、Z变换等数学工具。
掌握系统函数及系统性能的相关概念及其判定方法。
掌握线性系统的状态变量分析法。
研究生课程考试是所学知识的总结性考试,考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。
各章复习要点部分各章复习要点二、“电路”部分电路”各章复习要点(一)电路基本概念和定律1.复习内容电路模型与基本变量,基尔霍夫定律,电阻元件与元件伏安关系,电路等效的基本概念2.具体要求*电路模型与基本变量***电压、电流及其参考方向的概念、电功率、能量的计算***基尔霍夫定律***电阻元件及欧姆定律;***电压源、电流源及受控源概念;**等效初步概念,掌握串、并联电阻电路的计算,实际电源两种模型及其等效互换(二)电阻电路分析1.复习内容电路的方程分析法,网孔法和回路法,节点法和割集法。
电路定理的概念、条件、内容和应用。
2.具体要求*支路分析法***网孔分析法;***节点分析法***叠加定理,替代定理原理及应用***戴维南定理、诺顿定理和分析方法***最大功率传输定理**互易定理和特勒根定理(三)动态电路1.复习内容动态元件的概念,动态元件的伏安关系。
一、填空及简答:1. 84V o U =2. 光电隔离或磁隔离3.答:晶闸管在关断时突然损坏,有可能的原因包括:电流方面:输出发生短路或过载;输出接电容滤波,触发导通时,电流上升率太大造成损坏;电压方面:因无适当过压保护造成正向或反向过压而损坏;门极方面:所加门极电压、电流或平均功率超过允许值;门极与阳极发生短路;门极所加反向电压过高;散热冷却方面:散热器没拧紧,或风机、冷却泵停转,造成元件温度升过允许值。
4. 答: IGBT 的过流保护一般是指过载保护,由于不必快速响应,可以采用集中式保护,即检测输入端或直流环节的总电流,当此电流超过额定值后比较器翻转,封锁装置中所有IGBT 驱动信号,使变换电路的输出电流为零。
一旦保护动作后,需通过复位才能恢复正常工作。
IGBT 能承受很短时间的短路电流,需要实时检测。
一般采用检测IGBT 集电极与发射极电压的方法来判断IGBT 的通态饱和压降与集电极电流呈近似线性变化的关系,来判断短路故障状态。
5. 答:SCR 和GTO 内部结构都是双晶体模型,如图1所示,设由P 1N 1P 2和N 1P 2N 2构成的两个晶体管V 1、V 2分别具有共基极电流增益12αα和,与SCR 相比,GTO 器件不同的是:(1) 在器件设计时使得2α较大,这样晶体管V 2控制灵敏,使得GTO 易于关断。
(2) 设计SCR 导通时的12 1.15αα≥+,GTO 设计为12 1.05αα≈+,SCR 导通时处于深度饱和状态,而GTO 导通接近于临界饱和,从而为门极关断提供了有力条件。
(3) GTO 的多元集成结构使得P 2基区的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
在关断时,给门极施加负脉冲电流,晶体管V 2的基极电流减小,使得它的集电极电流减小, V 1的集电极电流相应减小,进一步减小V 2的基极电流,如此形成正反馈,当121αα<+时,器件退出饱和而关断。