线性电子电路试题
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线性电子电路试题
浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(每空1分，共20分)
1.利用晶体二极管的___________和___________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。
2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成___________电流，由外加电场引起载流子运动形成
___________电流。
3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由___________材料制造。
4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是___________电容，集电结的结电容主要是
___________电容。
5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道，其中由___________形成的沟道称为N沟道。
6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈___________关系，故又称该区为___________。
7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。
8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。
9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是___________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的
___________。
10.深度负反馈条件是___________，此时反馈放大器的增益近似等于___________。
二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分) 1.当PN结外加正向电压时，扩散电流( )漂移电流。
A.大于
B.小于
D.近似等于
2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?( )
A.阻挡层
B.耗尽层
C.空间电荷区
D.突变层
3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合
适?( )
A.β=200,ICEO=10μA
B.β=10,ICEO=0.1μA
C.β=50,ICEO=0.1μA
D.β=100,ICEO=10μA
4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=1.6KΩ，β=50,则等于( )。
A.200Ω
B.300Ω
C.400Ω
D.500Ω
5.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是( )。
A.P沟道结型管
B.耗尽型PMOS管
C.耗尽型NMOS管
D.增强型PMOS管
6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的( )。
A.非饱和区
B.饱和区
D.击穿区
7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降( )。
A.3dB
B.6dB
C.20dB
D.9dB
8.集成运算放大器实质上是一种( )。
A.交流放大器
B.高电压增益的交流放大器
C.高电压增益的直接耦合放大器
D.高增益的高频放大器
9.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是( )。
A.各级电路的参数很分散
B.回路增益| |大
C.闭环增益大
D.放大器的级数少
10.负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?( )
A.减少放大器增益
B.改变输入电阻
C.改变输出电阻
D.改善噪声系数
三、简答题(每小题5分，共15分)
1.设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求V AO的
值。
2.设图三(2)所示电路中三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作
点位于哪个区?
3.在图三(3)所示电路中，已知MOS管的
,V Gs(th)=1.0V,试求I DQ,V GSQ,V DSQ的值。
四、分析计算题(每小题9分，共45分)
1.放大器电路如图四(1)所示，已知场效应管的g m=2ms,r ds忽略不计，所有电容对交流呈短路。求：
(1)电压放大倍数Av；
(2)输入电阻R i和输出电阻R o；
(3)只考虑C D的影响，求低端转折频率f L的值。
2.差动放大电路如图四(2)所示，已知
I EE=1mA，所有管子特性相同，
β=100,=0,|V A|=100V，求：
(1)差模输入电阻R id和差模输出电阻R od；
(2)差模电压放大倍数Aυd=υo/(υi1-υi2)；
(3)由T3管构成的恒流源的等效内阻r o3.
3.电路如图四(3)所示。
(1)采用υ01输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?
(2)采用υ02输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?
(3)假设为深度负反馈，试求第2种情况下的电压增益Aυf=υo2/υi.
4.运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求
(1)υ03和υo(t)及υ02和υ03的关系；
(2)写出υo(t)和υs(t)之间的关系式。
5．电路如图四(5)所示，所有运放均为理想且最大输出电压为±12V，设υi1=υi2=0V时，
υo=+12V
(1)当υi1=-10V，υi2=0V时，经过多少时间，υo由+12V跳变为-12V?
(2)υo变成-12V后，υi2由0V变为+15V，求再经过多少时间，υo由-12V跳变为+12V? (3)说明A1、A2各为什么单元电路。
浙江省2003年7月高等教育自学考试线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(每小题2分，共20分)
1.杂质半导体中的多数载流子是由_______产生的，少数载流子是由_______产生的。
2.一般而言，击穿电压在6V以下的属于_______击穿，6V以上的主要是_______击穿。
3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=_______IB，IE=_______IC.
4.根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和_______区。
5.已知场效应管VGS(th)=4V，当VGS=6V时，ID=1mA，试写出饱和区转移特性的表达式ID=_______，当VGS=3V 时，ID=_______。
6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制是通过改变PN结
_______中的_______来实现的。
7.放大器中的线性失真可分为_______失真和_______失真两类。
8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为_______。采用电容耦合方式是否存在这种现
象?_______。
9.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用_______负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入_______负反馈。
10.若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数_______，这样的反馈称为_______。
二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)
1.当PN结反向工作时，其结电容主要是( )。
A.势垒电容
B.扩散电容 C.平板电容
D.势垒和扩散电容并存
2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将( )。
A.增大
B.减小
C.不变
D.近似不变
3.晶体管的混合π型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?( )
A.小信号，管子处在饱和区
B.大信号，管子处在放大区
C.小信号，管子处在放大区
D.大信号，管子处在饱和区
4.某晶体三极管的iB从20μA变化到40μA时，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的β等于( )。
A.100
B.150
C.200
D.300
5.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。
A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)
B.VGS>V GS(th),VDS
C.VGSVGS-VGS(th)
D.VGS
6.当场效应管工作在( )区且限制VDS为小值时，可作为阻值受VGS控制的线性电阻器。
A.饱和
B.截止
C.非饱和
D.击穿
7.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的( )。 A.和值
B.差值
C.迭加
D.平均值
8.多级放大电路放大倍数的波特图是( )。
A.各级波特图的叠加
B.各级波特图的乘积
C.各级波特图中通频带最窄者
D.各级波特图中通频带最宽者
9.已知某一放大器的A=100，现要求引入反馈以后增益Af=10，问反馈系数kf应为多少?( )
A.0.01
B.0.05
C.0.09
D.0.10
三、简答题(每小题5分，共15分)
1.如图三(1)所示电路中的二极管为理想，试画出电路的传输特性曲线(v0～v i的关系曲线)，并写出分析过程。
2.设图三(2)所示电路中的三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?
3.图三(3)所示电路中，设两管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍，
=1000cm2/V·S，Cox=3×10-8F/cm2，(W/L)1=10,V
GS(th)=2V，求I D2的值。
四、分析计算题(每小题9分，共45分)
1.放大电路如图四(1)所示，已知晶体管的β=50,γbb′=0Ω，电容对交流短路，γb
=5.2kΩ，γce忽略不计。试求：
′e
(1)放大电路的输入电阻R i和输出电阻R0；
