线性电子线路试题7

  • 格式:doc
  • 大小:76.90 KB
  • 文档页数:3

1 线性电子线路试题7

一、是非题(20分)

1.N型半导体的空穴浓度比本征半导体的空穴浓度大。 ( )

2.空穴运动实质上是自由电子的反向运动。 ( )

3.固定偏置电路RB、VCC不变时,为使Q点脱离饱和区,可减小RC。 ( )

4.场效应管温度特性比三极管差,但集成度较高。 ( )

5.增强型MOS管同结型场效应管一样,可采用自偏置方式。 ( )

6.温度升高时三极管参数、ICBO、VBE(on),其结果均使ICQ。 ( )

7.一信号源内阻较小,若要求负载变化时输出电流基本不变,应采用电流串联负反馈。( )

8.放大电路输出电阻随负载电阻的变化而变化。 ( )

9.三种组态电路中,共集电路特点:Ri大、Ro小、Ai 1。 ( )

10.简单电容补偿技术是通过降低P1增加系统稳定性的。 ( )

二、(5分)设二极管为理想器件,V16V,V29V,R3k,试判断图示电路中二极管是导通还是截止,并求VAO值。

三、(15分)图示电路,已知场效应管的gm、三极管的、rbe及各电阻值,rds与rce忽略不计。(1)试指出放大电路由哪两种组态组合而成。(2)写出Ri、Ro、Av的表达式。

+

- -

+ D1

D2

V2 V1 R +

- A

O VAO

2 四、(20分)差分放大电路如图所示,已知60,VBE(on)0.7V。(1)求ICQ1,ICQ2。(2)当vi1100mV,vi250mV时,求输出电压vo。

五、(10分)图示电路,已知RE1750,RE21.2k,RS1k,RC24k,RL1k,Rf10k,设各电容对交流呈短路,RB1、RB2忽略不计,试在深度负反馈条件下估算Avfs。

六、(10分)已知基本放大器中频增益AI103,极点频率fP11MHz,fP210MHz,f P3100MHz,若要求闭环中频增益AfI20dB,试用渐近波特图判断电路是否自激。

七、(10分)图示电路,集成运放是理想的。已知vs12mV,vs24mV,试求输出电压vo。

-

+ R1 R2

R3 R4 100k

100k

50k 50kvs1

vs2 vo

3 -

+

-

+

八、(10分)由理想运放构成的电路如图所示,写出vo的表达式,并在R1R31k,R2R410k时,计算Av值。

参考答案

一、错、错、对、错、错、对、对、错、错、对

二、(1)D1管截止,D2管导通,VAO6V

三、(1)T1、T2组成共漏—共发组合放大器。

(2)RiRG,RoRC,2ebmCm2ebCi2mi2m211)(1rgRgrRRgRgAAAvvv

四、mA 24.02 mA48.00EE2CQ1CQEEEE)on(BEEEIIIRVVI,

k 61.626)1(1CQ2eb1ebIrr

167.02// 8.34)//(21EELC2cebBLC2dRRRArRRRAvv,

V 73.1 mV 50 mV 752id2dic2coi2i1id2i1iicvAvAvvvvvvvvv,,

五、47.7// 3.91 107.0SLC2fsifsfiifs2Ef2EoffiRRRAAkARRRiikivi,,

六、因相位裕量0,因此电路自激。

七、vovo1vo20.5(2sv-1sv)1mV

八、10 )()1(122ii1oi2i112i243412i112oRRvvvAvvRRvRRRRRvRRvv,

R4 vi1

vi2 A1

A2 vo R1

R3 R2 vo1