低噪声放大器的设计
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低噪声放大器的设计参数:低噪声放大器的中心频率选为2.4GHz,通带为8MHz通带内增益达到11.5dB,波纹小于0.7dB通带内的噪声系数小于3通带内绝对稳定通带内输入驻波比小于1.5通带内的输出驻波比小于2系统特性阻抗为50欧姆微带线基板的厚度为0.8mm,基板的相对介电常数为4.3 步骤:1.打开工程,命名为dzsamplifier。
2.新建设计,命名为dzsamplifier。
设置框如下:点击OK后,如下图。
模板为BJT_curve_traver,带有这个模板的原理图可以自动完成晶体管工作点扫描工作。
3.在ADS元件库中选取晶体管。
单击原理图工具栏中的,打开元件库,然后单击,在搜索“32011”。
其中sp开头的原件是S参数模型,可以用来作S参数仿真,但这种模型不能用来做直流工作点扫描。
以pb开头的原件是封装原件,可以做直流工作点扫描,此处选择pb开头的。
4.按照下图进行连接5.将参数扫描控制器中的【Start】项修改为Start=0.6.点击进行仿真,仿真结束后,数据显示窗自动弹出。
如下图:7.晶体管S参数扫描。
(1)重新新建一个新的原理图S_Params,进行S参数扫描。
如下图:点击OK后,出现:(2)在ADS元件库中选取晶体管。
单击原理图工具栏中的,打开元件库,然后单击,在搜索“32011”。
此处选择sp 开头的。
(3)以如图的形式连接。
(4)双击S参数仿真空间SP,将仿真控件修改如下。
(5)点击仿真按钮,进行仿真。
数据如下图所示:(6)双击S参数的仿真控件,选中其中的【Calculate Noise】,如图执行后:注意:晶体管参数指标如下:1.晶体管sp_hp_AT32011_5_1995105的频率范围为0.1GHz-5.1GHz,满足技术指标。
2.通带内噪声系数满足技术指标。
3.通带内增益不满足技术指标。
4.通带内输入驻波比不满足技术指标。
5.通带内输出驻波比不满足技术指标。
结论如下:1.频率范围和噪声系数满足技术指标,可以选取该晶体管。
低噪声放大器设计随着电子技术的不断发展,低噪声放大器(Low Noise Amplifier,简称LNA)在无线通信和微波领域的重要性不断提升。
低噪声放大器的主要作用是在前置放大器中放大微弱信号,同时将噪声压制到最小,以保证整个系统的性能。
低噪声放大器的噪声系数是衡量其性能的重要指标,通常用dB比值或者分贝数来表示,简称Nf。
低噪声放大器的设计要确保Nf足够低,才能在微弱信号中产生足够的增益且不引入过多的噪声。
因此,低噪声放大器的设计非常重要。
一、低噪声放大器设计的挑战在设计低噪声放大器时,需要面临几个挑战。
第一,如何处理噪声。
在放大器中,噪声来自于电阻、晶体管的温度、元器件的起伏等因素,噪声在传输信号时会被放大。
因此,设计低噪声放大器需要充分考虑噪声的来源,并采取合适的抑制措施,以保证系统的高效运作。
第二,如何改善热噪声。
热噪声是低噪声放大器中一个常见的问题,是由器件本身热引起的噪声。
为了减小热噪声,需要减小器件的温度,采用低噪声晶体管等高品质元器件来代替常规器件,并减小元器件之间的串扰。
第三,如何平衡增益和噪声。
低噪声放大器需要在增益和噪声之间进行权衡,在增益和噪声之间找到平衡点。
增加放大器的增益会对噪声产生影响,因此需要采用低失真、高效率的放大器设计来保证放大器的性能。
二、低噪声放大器的设计要点低噪声放大器的设计要点主要包括器件选择、电路结构、滤波器和匹配等。
器件选择是设计低噪声放大器时非常关键的一个方面,选择适当的低噪声、低电荷、高频率的晶体管材料,能提高系统的性能,也能减小噪声系数。
电路结构是设计低噪声放大器时的另外一个重要方面。
直接耦合放大器和共源放大器是常见的电路结构,其中直接耦合放大器简单、稳定,但增益和噪声系数会受到限制。
而共源放大器的增益和噪声系数的选择范围更大,但也更过程更为复杂。
此外,混频器的阻抗匹配和反馈网络设计也是设计低噪声放大器的重要方面。
滤波器也是设计低噪声放大器时需要重点考虑的方面之一。
低噪声放大器设计流程低噪声放大器可是个很有趣的东西呢,那咱就来说说它的设计流程吧。
一、确定需求。
咱得先搞清楚这个低噪声放大器要用在啥地方呀。
是在无线电通信里呢,还是在其他的一些电子设备里。
不同的用途对它的要求可不一样哦。
比如说,如果是用在收音机这种接收微弱信号的设备里,那对噪声的要求就特别严格,因为一点点噪声可能就会让我们听到的广播全是杂音。
这就像是你在一个很安静的图书馆里,哪怕一点点小动静都会很烦人一样。
所以这时候我们就要明确,这个放大器要把信号放大多少倍,能允许的最大噪声是多少,工作的频率范围是多少之类的基本要求。
二、选择晶体管。
晶体管可是低噪声放大器的核心部件呢。
这就像挑演员一样,要挑个合适的。
我们要找那种本身噪声就比较小的晶体管。
一般来说,场效应晶体管(FET)在这方面就比较有优势。
不过呢,也不是所有的FET都好,我们还得看它的其他参数,像增益呀,输入输出阻抗呀之类的。
就好比你选演员,不能只看颜值,演技也很重要对吧。
在这个过程中,我们可能要在各种晶体管的数据手册里翻来翻去,对比它们的各种参数,就像在购物网站上挑东西一样,得精挑细选。
三、电路拓扑结构。
这一步就像是给我们的放大器设计一个房子的框架。
有好几种常见的拓扑结构可以选择呢,像共源极、共栅极、共漏极这些。
每一种都有它的优缺点。
共源极结构比较简单,而且增益比较高,但是输入输出的隔离度可能不是很好。
共栅极结构呢,在高频的时候表现比较好,输入输出的隔离度也不错,不过增益相对来说会低一点。
这就需要我们根据之前确定的需求来选择最合适的结构。
这就像你盖房子,要根据自己的居住需求和预算来选择是盖个小平房还是小洋楼一样。
四、计算元件参数。
选好了晶体管和拓扑结构,接下来就要计算电路里各个元件的参数啦。
比如说电阻、电容的值。
这可不是随便乱猜的哦。
我们要根据一些电路理论知识,像欧姆定律、基尔霍夫定律之类的来计算。
这个过程可能会有点复杂,就像做一道超级难的数学题一样。
ADS设计低噪声放大器详细步骤低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是无线通信系统中一个重要的组成部分,其功能是将接收到的微弱信号放大,以便后续的处理和解调。
设计低噪声放大器需要考虑多个因素,包括噪声系数、增益、带宽、稳定性等。
下面是一个详细的设计步骤,用于设计低噪声放大器。
1.确定设计规格:a.确定工作频率范围:通常情况下,设计LNA需要确定工作频率的范围,以便选择合适的器件和电路结构。
b.确定增益和噪声系数要求:根据系统需求,确定LNA的增益和噪声系数的要求。
一般来说,增益越高,噪声系数越低,但二者之间存在一定的折衷关系。
2.选择器件:根据设计规格,选择适当的射频器件。
常见的射频器件包括双极性晶体管(BJT),高电子迁移率晶体管(HEMT),甲乙基氮化镓场效应晶体管(GaAsFET)等。
3.确定电路结构:根据选择的器件和设计规格,确定LNA的电路结构。
常见的LNA电路结构包括共源极结构、共栅极结构和共基极结构。
根据不同的结构,可以实现不同的增益和噪声系数。
4.进行器件参数提取:使用器件模型,从所选器件中提取器件的S参数(散射参数)、Y参数(混合参数)等。
这些参数将在后续的仿真和优化中使用。
5.进行电路仿真:使用电路仿真软件(如ADS,Spectre等),根据设计的电路结构和选取的器件参数,进行电路的仿真。
可以通过改变电路参数和器件参数,来优化电路的性能。
6.进行电路优化:在仿真过程中,可以进行电路参数的优化。
优化的目标可以是噪声系数、增益、带宽等。
通过反复地优化,寻找最佳的电路参数。
7.器件布局和仿真:根据优化后的电路参数,进行射频电路的布局设计。
布局需要考虑信号和功率的传输、射频电感和电容的布线、射频耦合以及射频接地等因素。
8.器件特性提取:根据布局后的射频电路,提取各个节点的特性参数,如增益、输入输出阻抗、稳定性等。
9.进行电路仿真验证:使用仿真软件进行电路的验证,比较仿真结果与设计目标的一致性。
低噪声放大器的设计与实现低噪声放大器是一种特殊的放大器,它主要用于在频率范围内放大微小信号,且尽可能地减小噪声干扰。
在现代电子通信、无线网络、雷达等领域都有广泛的应用。
本文将介绍低噪声放大器的设计与实现,同时探讨一些常见的优化方法。
一、低噪声放大器的设计基本原理低噪声放大器的实现需要满足多个条件,如宽带、低噪声、高增益、稳定性等,这些条件相互制约,需要在设计时进行平衡考虑。
首先,低噪声放大器需要使用低噪声信号源作为输入,这样才能尽可能减少噪声产生的影响。
其次,为了达到高增益的要求,可以使用多级放大器来实现。
不过,每一级放大器都会引入一些噪声,因此需要对每一级放大器进行优化,以达到低噪声的目标。
低噪声放大器的设计还要满足传输线和匹配网络的要求。
传输线的设计需要尽可能减少传输线的损耗和噪声,同时匹配网络的设计则需要将输出端的负载和输入端的驱动电路匹配,以保证信号传输的最大功率。
二、低噪声放大器的实现方法低噪声放大器的实现方法有很多种,这里我们介绍一种常用的方法:差分放大器。
差分放大器是一种基于差分放大器电路结构而形成的放大器,它有两个输入,每个输入通过独立放大的电路,输出相减。
差分放大器可以通过噪声消除的方式减少输入信号中的噪声干扰,同时也可以增加信号的线性范围和热稳定性。
差分放大器的实现需要使用两个宽带放大器,一个用于正向增益,一个用于反转增益。
为了保证放大器的相位稳定性和增益平衡,需要使用一些调节网络和补偿电路。
其中,调节网络可以在信号到达输入端时调整放大器的增益,从而保证放大器的线性度。
而补偿电路则可以减少放大器中信号反馈的影响,提高放大器的稳定性。
三、低噪声放大器的优化方法在低噪声放大器的设计中,需要综合考虑多种因素,如噪声、增益、速度、频率响应等。
针对这些因素,有几种常用的优化方法可以帮助提高低噪声放大器的性能。
1. 选择适当的放大器器件放大器的选型是影响低噪声放大器性能的重要因素。
选择合适的放大器器件可以大大提高低噪声放大器的增益和灵敏度。
低噪声放大器设计1. 引言本文档旨在讨论低噪声放大器的设计。
低噪声放大器在电子电路中起着重要的作用,可以提供高增益而又尽可能降低输入信号的噪声。
因此,低噪声放大器在无线通信、雷达系统和敏感测量等领域中得到广泛应用。
2. 设计原则低噪声放大器的设计应遵循以下原则:2.1 最小化噪声系数噪声系数是衡量放大器噪声性能的重要指标。
因此,在设计过程中应采取措施最小化噪声系数,例如使用低噪声元件、优化电路布局以降低噪声等。
2.2 选择合适的放大器拓扑结构不同的放大器拓扑结构具有不同的性能特点。
根据具体应用需求,选择合适的拓扑结构可以提高低噪声放大器的性能。
2.3 优化功率匹配功率匹配是低噪声放大器设计中的一个重要考虑因素。
通过优化功率匹配,可以提高放大器的效率和性能。
3. 设计步骤以下是一个简单的低噪声放大器设计的步骤:3.1 确定应用需求和规格首先,确定放大器的应用需求和规格。
这包括增益要求、频率范围、输入输出阻抗等。
3.2 选择合适的放大器拓扑结构根据应用需求,选择合适的放大器拓扑结构,例如共源放大器、共栅放大器等。
3.3 选取适当的元件选择适当的元件来实现放大器的设计。
对于低噪声放大器,应选择具有低噪声特性的元件,如低噪声晶体管等。
3.4 进行电路模拟和优化使用电路模拟工具进行低噪声放大器的电路设计和仿真。
通过不断优化电路参数,以满足设计需求和要求。
3.5 PCB设计和布局进行PCB设计和布局,优化电路的布局和连接,减少噪声干扰和信号损耗。
3.6 制造和测试根据设计要求,制造和测试低噪声放大器。
进行性能测试和验证。
4. 结论低噪声放大器设计是一个复杂而重要的工作,它需要综合考虑多个因素和技术。
本文档介绍了低噪声放大器设计的一般原则和步骤,希望能为读者提供一些参考和指导。
低噪声放大器的设计及优化低噪声放大器是一种重要的电路,其中最主要的特性是在增益很高的条件下,使噪声保持在很低的水平,这使它在许多电子设备中得到广泛应用,如电话、放射通讯等。
由于低噪声放大器具有良好的抗干扰能力和优秀的信号放大特性,在现代电子学中具有举足轻重的地位。
本文将从低噪声放大器的基本原理入手,介绍低噪声放大器的设计和优化方法,希望能够为读者提供一些参考和帮助。
低噪声放大器的基本原理低噪声放大器是一种运放电路,由多个晶体管、电阻器和电容器组成。
其主要作用是将微弱的信号放大到可控的幅度,并且在放大过程中对信号噪声进行有效的抑制,从而使得放大后的信号保持高质量的信号-噪声比。
低噪声放大器的噪声来源主要有三个,即器件本身的噪声、热噪声和环境噪声。
因此为了降低噪声,需要从这三个方面入手进行优化。
低噪声放大器的设计方法低噪声放大器的设计目标是在放大信号的同时,最大程度地消除噪声干扰,使得信噪比尽可能地高。
其设计方法包括了以下几个方面。
1. 确定器件的噪声参数器件的噪声参数是决定低噪声放大器噪声水平的关键参数。
在器件选型阶段,需要仔细研究器件的散热特性、噪声系数、增益等参数,以选取最优的器件,同时在电路设计中要注意控制和平衡各种参数,从而最大程度地减少噪声。
2. 优化放大器电路结构电路结构的合理设计和选择可以有效地降低低噪声放大器的噪声。
在实际设计中,需要结合各种器件的噪声参数和放大器电路的性能要求,优化电路结构以达到最佳的信噪比。
3. 提高放大器的带宽提高带宽可以通过增加电路的半导体晶片数目、增加电容和减小电感等方式来实现。
高带宽低噪声放大器的优点在于可以提高电路的响应速度,从而保证电路的准确性和灵敏度,同时也可以降低电路的噪声水平,提高信噪比。
4. 优化放大器的稳定性和线性度稳定性和线性度是低噪声放大器的两个重要性能参数。
稳定性决定了放大器在长时间稳定工作中的表现,不稳定的放大器会导致输出波形失真、振荡和其他问题。
低噪声放大器的两种设计方法与低噪声放大器设计实例低噪声放大器的两种设计方法低噪声放大器(LNA)是射频收发机的一个重要组成部分,它能有效提高接收机的接收灵敏度,进而提高收发机的传输距离。
因此低噪声放大器的设计是否良好,关系到整个通信系统的通信质量。
本文以晶体管ATF-54143为例,说明两种不同低噪声放大器的设计方法,其频率范围为2~2.2 GHz;晶体管工作电压为3 V;工作电流为40 mA;输入输出阻抗为50 Ω。
1、定性分析1.1、晶体管的建模通过网络可以查阅晶体管生产厂商的相关资料,可以下载厂商提供的该款晶体管模型,也可以根据实际需要下载该管的S2P文件。
本例采用直接将该管的S2P文件导入到软件中,利用S参数为模型设计电路。
如果是第一次导入,则可以利用模块S-Params进行S参数仿真,观察得到的S参数与S2P文件提供的数据是否相同,同时,测量晶体管的输入阻抗与对应的最小噪声系数,以及判断晶体管的稳定性等,为下一步骤做好准备。
1.2、晶体管的稳定性对电路完成S参数仿真后,可以得到输入/输出端的mu在频率2~2.2 GHz之间均小于1,根据射频相关理论,晶体管是不稳定的。
通过在输出端并联一个10 Ω和5 pF的电容,m2和m3的值均大于1,如图1,图2所示。
晶体管实现了在带宽内条件稳定,并且测得在2.1 GHz时的输入阻抗为16.827-j16.041。
同时发现,由于在输出端加入了电阻,使得Fmin由0.48增大到0.573,Γopt为0.329∠125.99°,Zopt=(30.007+j17.754)Ω。
其中,Γopt是最佳信源反射系数。
1.3、制定方案如图3所示,将可用增益圆族与噪声系数圆族画在同一个Γs平面上。
通过分析可知,如果可用增益圆通过最佳噪声系数所在点的位置,并根据该点来进行输入端电路匹配的话,此时对于LNA而言,噪声系数是最小的,但是其增益并没有达到最佳放大。
因此它是通过牺牲可用增益来换取的。
ADS设计低噪声放大器的详细步骤设计低噪声放大器的详细步骤:第1步:明确设计要求在设计低噪声放大器之前,首先需要明确设计要求。
这包括频率范围、放大增益、输入和输出阻抗、噪声系数等。
明确设计要求有助于确定设计流程和选择适当的元器件。
第2步:选择适当的放大器拓扑选择正确的放大器拓扑对于设计低噪声放大器至关重要。
常见的低噪声放大器拓扑包括共源极、共栅极和共漏极三种。
根据设计要求选择合适的放大器拓扑。
第3步:计算输入匹配电路在低噪声放大器中,输入匹配电路起到匹配输入信号源和放大器的作用。
输入匹配电路通常由电容、电感和微带线构成。
通过计算输入匹配电路可以保证输入信号最大的功率传输。
第4步:计算输出匹配电路类似于输入匹配电路,输出匹配电路也起到匹配放大器和负载的作用。
输出匹配电路也通常由电容、电感和微带线构成。
通过计算输出匹配电路可以使放大器输出功率最大化。
第5步:确定元器件参数在设计低噪声放大器时,需要确定各个元器件的参数。
这包括电容、电感、微带线的尺寸、负载电阻等。
选择合适的元器件参数可以满足设计要求,并使放大器具有较低的噪声。
第6步:模拟电路设计在模拟电路设计中,可以使用一些常见的电路设计软件,如ADS、CST等。
通过电路设计软件可以模拟和优化低噪声放大器的性能。
优化过程中需要注意输入和输出匹配、放大增益和噪声系数等指标。
第7步:布局设计和电磁兼容性完成模拟电路设计后,需要进行PCB布局设计。
布局设计需要考虑到电磁兼容性和噪声干扰等问题。
合理的布局设计可以降低噪声的干扰,提高放大器的性能。
第8步:制作和调试完成布局设计后,进行PCB板的制作和元器件的焊接。
完成后对放大器进行调试和测试。
调试可以通过信号源输入和示波器测量输出信号来进行。
第9步:优化和改进在进行测试后,可能发现放大器的性能还有待改进。
根据测试结果可以进行优化和改进。
可能需要对元器件进行更换或调整电路参数等。
第10步:测试验证最后对设计的低噪声放大器进行测试验证。
低噪声放大器设计与实现低噪声放大器的设计与实现在现代电子技术领域中,低噪声放大器是一项十分重要的技术,它广泛应用于射频通信、声学传感、医学诊断等领域。
然而,在实际设计中,由于各种噪声和干扰的影响,低噪声放大器的设计变得越来越具有挑战性。
本文旨在探讨低噪声放大器的设计与实现。
1. 噪声的来源和特征分析在放大器中,噪声主要由以下几个方面引起:(1) 热噪声:来自放大器中的电阻,其功率与阻值成正比,与温度成正比,其频率范围广泛,是影响低噪声放大器性能的主要因素之一。
(2) 磁场噪声:由于环境中存在着各种电器设备,它们所造成的磁场干扰也会对低噪声放大器的性能造成影响。
(3) 动态噪声:放大器工作的非线性特性,会使得输入信号的非线性失真增加,从而带来动态噪声。
(4) 人工噪声:来自电路环境中的人工干扰,如灯光、电视、电脑等等,也是影响低噪声放大器性能的因素之一。
2. 低噪声放大器设计的基本方法为了降低噪声,提高放大器的性能,低噪声放大器的设计方法可以从以下几个方面入手:(1) 滤波和去除干扰:利用滤波电路,去除磁场干扰和频率干扰,减少动态噪声和人工噪声。
(2) 降低输入阻抗:通过降低输入阻抗,使输入信号产生的噪声尽可能小。
(3) 降噪电路:采用降噪电路,如降噪电容、降噪电阻等,减少放大器内的噪声源。
(4) 选择合适的器件:选择低噪声、低损耗、高放大倍数的器件,如低噪声场效应晶体管、低噪声运算放大器等。
通过多种方法的综合应用,可以实现低噪声、高增益、高线性度的放大器。
3. 低噪声放大器的实现(1) 电路连接在低噪声放大器的实现中,合理的电路布局和连接是至关重要的。
在布局时,应尽量减少电缆的长度,减少线路杂散电容和电感的影响。
在电路连接中,应注意信号和地线的分离,减少地线回流的干扰。
(2) 调试和优化在放大器的调试和优化过程中,应根据实际情况对电路进行一些必要的调整。
如调整电路中的放大倍数,降低电阻值等,以达到最佳的放大效果。
ADS设计低噪声放大器的详细步骤解析低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是一种用于放大小信号并且噪声系数较低的放大器。
在射频领域,LNA是一个非常重要的组件,广泛应用于无线通信、雷达、卫星通信等各种系统中。
以下是设计低噪声放大器的详细步骤解析:1.确定设计规格:首先,需要明确设计放大器的应用和要求,包括频率范围、增益、噪声系数、功率消耗等。
这些规格将在接下来的设计过程中起到指导作用。
2.选择放大器类型:根据设计规格,选择合适的放大器类型。
常见的放大器类型包括共源极放大器、共源极共栅放大器、共栅共源极放大器等。
3.确定工作频率:根据设计要求,确定放大器的工作频率范围。
这个步骤中需要考虑系统的频率计划、抗干扰能力以及现有系统中的其他无线电频率。
4.确定增益要求:根据设计要求,确定放大器需要提供的增益。
增益通常由设计要求中给出的最小信号到最大信号的目标增益范围定义。
5.噪声分析:根据设计要求,对放大器的噪声特性进行分析。
噪声分析是设计低噪声放大器的关键步骤之一,可以通过建立噪声模型和使用噪声参数进行计算来完成。
6.噪声匹配:根据噪声分析结果,进行噪声匹配。
噪声匹配的目的是使输入噪声电阻等于输出噪声电阻,从而达到最佳的噪声性能。
7.确定电源电压与电流:根据设计要求和选取的放大器类型,确定放大器的电源电压与电流。
这个步骤中需要考虑放大器的功率消耗和供电要求。
8.确定器件参数:根据选定的放大器类型、工作频率和增益要求,选择合适的器件进行设计。
常见的器件参数包括截止频率、最大功率、最大电流等。
9.进行电路仿真:使用电路仿真工具(如ADS等),对设计的放大器进行仿真。
仿真可以帮助分析和优化放大器的性能,例如增益、噪声系数等。
10.进行电路优化:根据仿真结果,对放大器进行优化。
优化的目标可能包括增加增益、降低噪声系数、提高稳定性等。
11.组装与测试:将设计好的放大器电路进行组装,并进行测试。
低噪声放大器的设计
参数:
低噪声放大器的中心频率选为2.4GHz,通带为8MHz
通带内增益达到11.5dB,波纹小于0.7dB
通带内的噪声系数小于3
通带内绝对稳定
通带内输入驻波比小于1.5
通带内的输出驻波比小于2
系统特性阻抗为50欧姆
微带线基板的厚度为0.8mm,基板的相对介电常数为4.3 步骤:
1.打开工程,命名为dzsamplifier。
2.新建设计,命名为dzsamplifier。
设置框如下:
点击OK后,如下图。
模板为BJT_curve_traver,带有这个模板的原理图可以自动完成晶体管工作点扫描工作。
3.在ADS元件库中选取晶体管。
单击原理图工具栏中的,
打开元件库,然后单击,在
搜索“32011”。
其中sp开头的原件是S参数模型,可以用来作S参数仿真,但这种模型不能用来做直流工作点扫描。
以pb开头的原件是封装原件,可以做直流工作点扫描,此处选择pb开头的。
4.按照下图进行连接
5.将参数扫描控制器中的
【Start】项修改为Start=0.
6.点击进行仿真,仿真结束后,数据显示窗自动弹出。
如下图:
7.晶体管S参数扫描。
(1)重新新建一个新的原理图S_Params,进行S参数扫描。
如下图:
点击OK后,出现:
(2)在ADS元件库中选取晶体管。
单击原理图工具栏中的,打开元件库,然后单击,在
搜索“32011”。
此处选择sp 开头的。
(3)以如图的形式连接。
(4)双击S参数仿真空间SP,将仿真控件修改如下。
(5)点击仿真按钮,进行仿真。
数据如下图所示:
(6)双击S参数的仿真控件,选中其中的【Calculate Noise】,如图
执行后:
注意:晶体管参数指标如下:
1.晶体管sp_hp_AT32011_5_1995105的频率范围为0.1GHz-5.1GHz,
满足技术指标。
2.通带内噪声系数满足技术指标。
3.通带内增益不满足技术指标。
4.通带内输入驻波比不满足技术指标。
5.通带内输出驻波比不满足技术指标。
结论如下:
1.频率范围和噪声系数满足技术指标,可以选取该晶体管。
2.通带内增益、输入输出驻波比不满足技术指标,需要添加输入输
出匹配网络,通过输入输出匹配网络的优化实现该3项指标。
SP模型仿真设计
1.在dzsamplifier工程中,新建设计,命名为S_Params_1。
然后按
照下图添加器件,并进行相应的设置:
2.运行后,插入数据显示框,选择,在其中选择Zin1,出现幅值
相角显示框
双击这个框,出现
选中Zin1激活,点击选中
,出现实部和虚部。
查的在中心频率2.4GHz处,输入阻抗为Zin1=17.586+j*1.530.
设计输入匹配网络
在SP模型的输入端采用单支节匹配网络进行匹配,具体步骤如下:1.在微带线元件面板上,选择MSUB插入原理图中。
具体参数如下:
2.在元件列表中选择,将单支节网络匹配
插入到原理图中。
参数说明:
F=2.4GHz,表示单支节匹配网络的中心频率
Zin=50Ω,表示匹配的目标输入阻抗
Zload=(17.586+j*1.530)Ω, 表示前面计算出来的输入阻抗
Zstub=50Ω,表示支节的特性阻抗
Zline=50Ω,表示传输线的特性阻抗
3.单击原理图中的SSmtch,然后点击菜单栏中的设计向导
【DesignGuide】-【Passive Circuit】,选择【Design Assistant】点击【Design】,进行设计。
4.电路图如图所示:
5.数据图如图所示:
S11表示输入端匹配良好。
S22表示输出端匹配不好。
S21=7.881表示增益没有达到技术指标。
设计并优化输入输出匹配网络
由图可以得知,只添加输入匹配网络不能满足技术指标,下面同时添加输入输出匹配网络,并对输入输出匹配网络进行优化,以达到技术指标。
1.将原理图S_Params_1另存为原理图S_Params_2。
2.删掉原理图S_Params_2上的单支节输入网络匹配SSMtch,采用微
带线构成单支节匹配网络,便于优化。
3.计算频率为2.4GHz时的微带线宽度W=1.52mm。
4.微带线的开路等效线MLEF。
优化区间全部设置为2-20mm,优化
目标是L。
5.电路图如下:
SP1:
SP2:
更新后的电路图:。