2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第二篇 第4章习题

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

一、某放大电路经过测试得到如图1所示的电路结构，管子型号已经无法看清，可能是双极型管，也可能是单极型管。

画出两种可能的管子号（要标明相应的管脚位置）图1二、在图2所示电路中，晶体管的β=100，饱和管的压降V CES=0.3V；静态时b-e之间的电压V BEQ=0.7V，电阻R b1中的电流远大于晶体管的基极电流。

1.电路正常工作时，它是一个什么组态的放大电路？2.请列出电路正常工作时的电压放大倍数A v=v o/v i表达式。

3.列出电路中的输入电阻R i和输出电阻R o表达式。

4.当发生表中所列某一故障时，晶体管的b、c极的直流电位V BQ、V CQ约等于多少？晶体管处于什么状态（放大、饱和、截止）？将答案填入表格的相应位置。

图2故障原因V B/V V C/V 状态R c短路R b2开路R e短路R L开路三、由理想运放A1，A2组成的反馈放大电路如图所示，设A1，A2输出电压的最大幅值为±12V。

已知输入电压为0.1V。

1.A1和A2分别组成何种运放电路？2.计算输出V o=V o1-V o2的值3.若电阻R1开路，计算V o的值4.若电阻R1短路，计算V o的值5.计算该运算电路的输入电阻R if.四、数电基本知识题1.进制数和代码间转换（85）10=（）2=（）8421（1100100）2=（）8=（）10=（）162.将函数F=f(A,B,C)=AC+A B+BC(B表示B非)化为最小项之和表达式3.将函数F= f(A,B,C)=AC+ A B+BC用卡诺图表示（填在卡诺图上）五、有一个共阴极的半导体数码管（LED），共六段，分别用P1，P2，P3,P4,P5,P6表示，如图所示。

二位二进制计数器的初始状态Q1Q为“00”，试设计一个译码电路，在CP的脉冲下，使数码管轮流显示汉字“十”、“口”，“日”，“田”字型。

要求：1.列出译码器真值表；2.写出P1,P2,P3,P4,P5,P6段的最简与或逻辑函数表达式。

第1章计算机基础知识(单选题)这些题目必须做一遍，来自统考题库（期末考试题也多半出在这里），参考答案在另一个Word文档中（上传自己做的答案后才可以下载…）。

据说，统考题库中大约有10,000测试题，我想它的十分之一还是要做的。

只要大家听话，一次性通过考试还是没问题的。

知识题以单选题的形式给出。

一．关于计算机的诞生与发展1、一般认为，世界上第一台电子数字计算机诞生于__A____。

A.1946年B.1952年C.1959年D.1962年[解析]参考p.12、当前的计算机一般被认为是第四代计算机，它所采用的逻辑元件是___C___。

A.集成电路B.晶体管C.大规模集成电路D.电子管[解析]请记忆：第一代主要元件是电子管，第二、三代分别是晶体管和集成电路（参考p.1和p.2）。

计算机经历了四个时代，其划分主要依据是计算机的“构成元件”（又称电子元器件）。

3、下列关于世界上第一台电子计算机ENIAC的叙述中，错误的是__D____。

A.世界上第一台计算机是1946年在美国诞生的B.它主要采用电子管作为主要电子器件C.它主要用于军事目的和科学计算，例如弹道计算D.确定使用高级语言进行程序设计[解析] ENIAC是第一台电子计算机的英文缩写。

从第二代计算机才开始引入高级程序语言BASIC和ForTran等，所以D是错的。

4、目前，微型计算机中广泛采用的电子元器件是__D____。

A.电子管B.晶体管C.小规模集成电路D.大规模和超大规模集成电路[解析]略5、早期的计算机体积大、耗电多、速度慢，其主要原因是制约于__D____。

A.元材料B.工艺水平C.设计水平D.元器件 -----早期的计算机元器件是电子管，其体积大、耗电多。

[解析]略二．计算机的分类6、计算机可分为数字计算机、模拟计算机和数模混合计算机，这种分类是依据__B____。

A.功能和用途B.处理数据的方式（或处理数据的类型）C.性能和规律D.使用范围[解析]参考p.2。

《电子技术基础》（中职电工类第5版）第4至7章试题及答案一．填空题：1.将交流电变换成直流的过程叫整流。

2.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

3.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.4.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

5.检查硅整流堆正反向电阻时，对于高压硅堆应用兆欧表。

6.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

7.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。

8.并联型稳压电路是直接利用稳压管电流的变化，并通过限流电阻的调压作用，达到稳压的目的。

9.用“1”表示低电平，“0”表示高电平，称为负逻辑。

10.由与、或、非三种基本门电路可以组合成复合门电路。

11.集电极开路门的英文编写为OC 门.12. TTL门电路输出端不允许直接接电源或接地。

13. CMOS 集成电路的多余输人端不能悬空_。

14.为有良好的静电屏蔽，CMOS集成电路应存在密闭容器中。

15.十进制数有16个数码，基数为16 。

16.将十进制数175转换成二进制数为（10101111）217.在数字电路中，逻辑变量的值只有 2 个。

18.四位二进制编码器有十个输入端2个输出端。

19. BCD码编码器能将二进制数码编成十进制代码。

20. 优先编码器当多个信号同时输入时，只对优先级别最高位的一个进行编码。

21. 8线-3线优先编码74LS148,有 8 个输入端，3个输出端。

22. 触发器有 2 个稳定状态。

23. JK触发器的逻辑功能为置1，置0，保持和翻转。

24. JK触发器中，若J=1 ，K= 1 则实现计数功能。

25.计数器还可以用来统计，定时、分频或者进行数字运算等。

26.计数器按计数趋势不同可分为加法、减法和可逆计数器。

27.模数转换器通常要经过采样、保持、量化和编码四步完成。

28.晶闸管的电流参数有通态平均电流和维持电流等。

《电子技术基础》习题答案一、单选题1抑制零点漂移的最有效的电路是（A ）A、差分放大电路B、阻容耦合电路C、直接耦合电路D、功放电路2要增大放大电路的输入电阻时，应引入（C ）反馈A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈3构成计数器的基本电路是（D）。

A.或非门B.与非门C.与或非门D.触发器4放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝（B）。

A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB5八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（B）。

A.2个B.3个C.4个D.8个6编码器、译码器为（A）。

A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.A和B7单相桥式整流滤波电路中，若变压器副绕组电压有效值为10V，而测得输出电压为14.1V，则说明：（B ）A、电容开路 B 负载开路 C 电容击穿 D 二极管损坏8要减小放大电路的输入电阻时，应引入（D ）反馈。

A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈9理想二极管在单相桥式整流电路（电阻负载）中承受的最大反向电压是（C）。

A.大于B.小于C.等于D.大于，小于210单相半波整流电路输出电压平均值U0= （A ）A、0.45U2B、0.9U2C、1.1U2D、1.2U211利用二极管进行偏置的OTL电路是（ C）A、甲类功率放大器B、乙类功率放大器C、甲乙类功率放大器12实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小，则该二极管（ C）A、正常B、内部断路C、已被击穿D、以上都不是13所谓机器码是指（B）。

A.计算机内采用的十六进制码B.符号位数码化了的二进制数码C.带有正负号的二进制数码D.八进制数14集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。

A.正反馈与负反馈B.线性与非线性C.虚断和虚短15在反馈放大电路中，若反馈信号与净输入信号作用于同一个节点，且瞬时极性相同，则属于（B ）A、负反馈B、正反馈C、无法判断16一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态，其发射结电压和集电结电压分别为（B）。

第二篇 第1章习题题2.1.1 在图题2.1.1所示的差分放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，已知β=60，r be =2 k Ω，其余参数如图中所示。

(1) 计算T 1、T 2管的静态集电极电流I CQ 和集电极电压V CQ ； (2) 求差模电压放大倍数vd A ；(3) 计算差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。

图题 2.1.1答：（1）因恒流供电，所以，V V mA I CQ CQ 5,1=≈；（2）.75-=vd A ；（3）8=i R k Ω,10=O R k Ω; 题2.1.2 在图题2.1.2所示的差分放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，β1=β2=100，V BE =0.7V ，且r bb ′=200Ω，其余参数如图中所示。

(1) 计算T 1、T 2管的静态电流I C1Q 、I C2Q 和静态电压V CE1Q 、V CE2Q ； (2) 计算差模电压放大倍数iovd V V A =；(3) 若v I =20sin ωt m V ，写出v O 的波形表达式。

图题 2.1.2答：这是一个单入/单出差分放大电路。

（1）静态计算和双入/双出相同，输入静态为零时：因为V E =-0。

7后可求得：V V V V V V mA I I OQ Q CE Q CE Q C Q C 58.2,28.3,7.12,57.02121====；（2）1.52.=vd A ；（3）)sin 04.158.2(t v o ω+=V 。

题2.1.3 在图题2.1.3所示的差分放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，β1=β2=100，V BE =0.7V ，且r bb ′=200Ω，其余参数如图中所示。

(1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ 。

若将R c1短路，其它参数不变，则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化？(2) 计算差模输入电阻R id 。

当从单端（c 2）输出时的差模电压放大倍数2vd A &=?； (3) 当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数2vc A &和共模抑制比K CMR ； (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，则T 2管集电极电压v C2是多少？e 点电压v E 是多少？图题 2.1.3答：(1) 求静态工作点：mA 56.0102101/107122)1/(1=⨯+-=+β+-=e b BE EE CQ R R V V IV 7.07.01010056.01-≈-⨯-=--=BE b BQ E V R I V V 1.77.01056.012=+⨯-=--=E c CQ CC CEQ V R I V V若将R c1短路，则mA 56.021==Q C Q C I I （不变） V 7.127.0121=+=-=E CC Q CE V V VV 1.77.01056.0122=+⨯-=--=E c CQ CC Q CE V R I V V （不变）(2) 计算差模输入电阻和差模电压放大倍数：Ω=⨯+=β++=k 9.456.026101200)1('EQ T bb be I V r r Ω=+⨯=+=k 8.29)9.410(2)(2be b id r R R5.338.2910100)(22.=⨯=+=be b cd r R R A β(3) 求共模电压放大倍数和共模抑制比：5.0201019.410101002)1(2.-=⨯++⨯-=+++-=e be b c c R r R R A ββ675.05.332.2.===c d CMR A A K （即36.5dB ） (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，mV 109510521=-=-=I I Id v v vmV 100295105221=+=+=I I Ic v v v m V 285100)5.0(105.332.2.2=⨯-+⨯=⋅+⋅=∆Ic c Id d O v A v A v所以，V O2相对于静态值增加了285 mV 。

第一篇 第2章题1.2.1 已知一锗二极管的伏安特性如图题1.2.1（a ）所示。

（1）若将其按正向接法直接与1.5 V 电池相连，估计会出现什么问题？ （2）若将其按反向接法直接与30 V 电压源相接，又会出现什么问题？（3）电路如图（b ），当Ω===300,6.0R V V v S S 时，在（a ）中标出工作点，求出?=D V 和?=D I并计算二极管的直流电阻?=D R（4）当Ω==150,9.0R V V S 时，在（a ）中标出工作点，求出?=D V 和?=D I 并计算二极管的直流电阻?=D R图题1.2.1答：（1）正向过流而烧毁；（2）反向过压击穿损坏；（3）Ω≈k R D 3；（4）Ω≈k R D 1.0图题1.2.2题1.2.3 电路如图题1.2.3所示，分析在下述条件下二极管的通断情况（建议使用戴维南等效电路法）。

二极管D 采用大信号模型，其导通压降V V D 7.0=，V V V CC CC 621==，求出D 导通时电流D I 的大小。

（1）Ω=k R 21，Ω=k R 32； （2）Ω==k R R 321；（3）Ω=k R 31，Ω=k R 22。

图题1.2.3答：（1）mA I D 42.0=；（2）mA I D 0=；（3）mA I D 0=题1.2.5 图题1.2.5所示为桥式整流电路，设二极管为理想器件，变压器的原、副边绕组匝数比1121==N N n ，变压器损耗不计，t t V v m πω100sin 2220sin 11==。

试回答下列问题：（1）画出2v 和O v 的波形；（2）求负载L R 上的直流电压O V 和直流电流O I ； （3）求二极管的平均电流D I 和最大反向电压RM V 。

答：（1）是单相桥式全波整流电路(2) 负载上直流电压V O ≈0.9×V2＝0.9×20V ＝18V ，直流电流I O ≈18mA ； (3) I D =I O /2≈9mA ，V RM ≈28.2V 。