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半导体PN 结的物理特性实验实验目的1．测量PN 结电流与电压关系，证明此关系符合指数分布规律。
2．测量玻尔兹曼常数。
3．测量PN 结电压与温度的关系，求出该PN 结温度传感器的灵敏度。
4．计算在0K 温度时，半导体硅材料的近似禁带宽度。
实验原理1． PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知，PN 结的正向电流-电压关系满足：[]1)/exp(0-=kT eU I I (1)式中I 是通过PN 结的正向电流，0I 是反向饱和电流，在温度恒定是为常数，T 是热力学温度，e 是电子的电荷量，U 为PN 结正向压降。
由于在常温(300K)时，e kT /≈0.026v ，而PN 结正向压降约为十分之几伏，则)/exp(kT eU >>1，(1)式括号内－1项完全可以忽略，于是有：)/exp(0kT eU I I = (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
若测得PN 结I-U 关系值，则利用(1)式可以求出kT e /。
在测得温度T 后，就可以得到k e /常数，把电子电量作为已知值代入，即可求得玻尔兹曼常数k 。
在实际测量中，二极管的正向I-U 关系虽然能较好满足指数关系，但求得的常数k 往往偏小。
这是因为通过二极管电流不只是扩散电流，还有其它电流。
一般它包括三个部分：1）扩散电流，它严格遵循(2)式；2）耗尽层符合电流，它正比于)2/exp(kT eU ；3)表面电流，它是由硅和二氧化硅界面中杂质引起的，其值正比于)/exp(mkT eU ，一般m >2。
因此，为了验证(2)式及求出准确的e /k 常数，不宜采用硅二极管，而采用硅三极管接成共基极线路，因为此时集电极与基极短接，集电极电流中仅仅是扩散电流。
复合电流主要在基极出现，测量集电极电流时，将不包括它。
本实验中选取性能良好的硅三极管(TIP31型),实验中又处于较低的正向偏置，这样表面电流影响也完全可以忽略，所以此时集电极电流与结电压将满足(2)式。
PN 结的伏安特性与温度特性测量半导体PN 结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。
使用本实验的仪器用物理实验方法，测量PN 结扩散电流与电压关系，证明此关系遵循指数分布规律，并较精确地测出玻尔兹曼常数（物理学重要常数之一）,使学生学会测量弱电流的一种新方法。
本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥，测量PN 结结电压U 与热力学温度beT 关系，求得该传感器的灵敏度，并近似求得0K 时硅材料的禁带宽度。
【实验目的】1、在室温时，测量PN 结扩散电流与结电压关系，通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2、在不同温度条件下，测量玻尔兹曼常数。
3、学习用运算放大器组成电流一电压变换器测量10-6A 至10-8A 的弱电流。
4、测量PN 结结电压U be 与温度关系，求出结电压随温度变化的灵敏度。
5、计算在0K 时半导体（硅）材料的禁带宽度。
6、学会用铂电阻测量温度的实验方法和直流电桥测电阻的方法。
【实验仪器】FD-PN-4型PN 结物理特性综合实验仪（如下图），TIP31c 型三极管（带三根引线）一只，长连接导线11根（6黑5红），手枪式连接导线10根，3DG6（基极与集电极已短接，有二根引线）一只，铂电阻一只。
实验原理】1、PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知，PN 结的正向电流-电压式（1）中I 是通过PN 结的正向电流，I 0是反向饱和电流，在温度恒定是为常数，T 是热力学温度，e 是电子的电荷量，U 为PN 结正向压降。
由于在常温（300K ）时，kT /e W026v ，而PN 结正向压降约为十分之几伏，则eeu/KT >>1,（1）式括号内-1项完全可关系满足：LeU/KT11(1)u 0=-K 0u i (3)以忽略，于是有：IIe eU/KT (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
若测得PN 结I-U 关系值，则利用(1)式可以求出e /kT 。
一、概述半导体结的物理特性是物理学和电子学的重要根底内容之一。
本仪器用物理试验方法，测量结集中电流与电压关系，证明此关系遵循指数分布规律，并较准确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种方法。
本仪器同时供给干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥，测量结结电压U be与热力学温度T 的关系，求得该传感器的灵敏度，并近似求得 0K 时硅材料的禁带宽度。
二、仪器简介图 1 结物理特性测定仪试验装置4 型结物理特性测定仪主要由直流电源、数字电压表、试验板以及干井测温控温装置组成，如图 1 所示。
三、技术指标1.直流电源:±15V 直流电源一组， 1.5V 直流电源一组2.数字电压表:三位半数字电压表量程 0—2V ,四位半数字电压表量程 0—20V3.试验板: 由运算放大器 356、印刷引线、接线柱、多圈电位器组成。
31 型三极管外接。
4.恒温装置:干井式铜质可调整恒温,恒温掌握器控温范围，室温至80℃；控温区分率0.1℃；5.测温装置:铂电阻及电阻组成直流电桥测温0℃〔R0 =100.00Ω〕。
四、试验工程1.测量结集中电流与结电压关系，通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2.较准确地测量玻尔兹曼常数。
(误差一般小于 2%)3.测量结结电压U be与温度关系，求出结电压随温度变化的灵敏度。
4.近似求得 0K 时半导体〔硅〕材料的禁带宽度。
5.学会用铂电阻测量温度的试验方法和直流电桥测电阻的方法。
五、留意事项1.试验时接±12V 或±15V，但不行接大于 15V 电源。
±15V 电源只供运算放大器使用，请勿作其它用途。
2.运算放大器7 脚和 4 脚分别接+15V 和-15V，不能反接，地线必需与电源 0V(地)相接(接触要良好)。
否则有可能损坏运算放大器，并引起电源短路。
一旦觉察电源短路(电压明显下降),请马上切断电源。
3．要换运算放大器必需在切断电源条件下进展，并留意管脚不要插错。
六、数据处理①波尔兹曼常数的测定：Ts=19.7ºʗ=292.9KI f随 V F变化曲线图如下：由I F=I s exp(qV f/kT),和实验关系函数y=3.1107E-10e0.0418x对比可得，q/kT=0.0418，将q=1.60E-19C、T=292.9K代入，得：k=1.3068*10^-23J/K。
与标准结果相比，[（1.3807*10^-23-1.3068*10^-23）/(1.3807*10^-23)]*100%=5.35% ②Si升温测量：I F=50μA，控温电流0.5A实验得：Si PN结的灵敏度为-2.0154mV/ºʗF实验得：Ge PN结的灵敏度为-1.6123mV/ºʗ③估算北侧PN结的禁带宽度。
1）Si的禁带宽度：V(g)=V F(Ts)+S*ΔT=617*10^-3+(-2.0154*10^-3)*(-273.2)V=1.17eV 相对误差：（1.21-1.17）/1.21=3.3%2）Ge的禁带宽度：V(g)=V F(Tr)+S*ΔT=327*10^-3+(-1.6123*10^-3)*(-273.2)V=0.77eV 相对误差：(0.78-0.77)/0.78=1.3%七、误差分析1.实验过程由于读书不当银企的误差；2.由于一汽的经年使用引起误差；3.二极管电流受杂质干涉引起误差。
八、实验结论1.通过Si、Ge的ΔV-T曲线，得出：Si的禁带宽度为1.17eV,相对误差为3.3%；Ge的禁带宽度为0.77eV,相对误差为1.3%.2.Si测量范围大于Ge，二者曲线的非线性随温度T 的升高而降低。
3.在实验过程中，存在一定的操作误差，以后当避免。
半导体PN 结的物理特性及弱电流测量实验【实验目的】1．在室温时，测量PN 结电流与电压关系，证明此关系符合指数分布规律。
2．在不同温度条件下，测量玻尔兹曼常数。
3．学习用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流。
4．测量PN 结电压与温度的关系，求出该PN 结温度传感器的灵敏度。
5．计算在0K 温度时，半导体硅材料的近似禁带宽度。
【实验原理】1． PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知，PN 结的正向电流-电压关系满足：[]1)/ex p(0-=kT eU I I (1)式中I 是通过PN 结的正向电流，0I 是反向饱和电流，在温度恒定是为常数，T 是热力学温度，e 是电子的电荷量，U 为PN 结正向压降。
由于在常温(300K)时，e kT /≈0.026v ，而PN 结正向压降约为十分之几伏，则)/exp(kT eU >>1，(1)式括号内－1项完全可以忽略，于是有：)/ex p(0kT eU I I = (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
若测得PN 结I-U 关系值，则利用(1)式可以求出kT e /。
在测得温度T 后，就可以得到k e /常数，把电子电量作为已知值代入，即可求得玻尔兹曼常数k 。
在实际测量中，二极管的正向I-U 关系虽然能较好满足指数关系，但求得的常数k 往往偏小。
这是因为通过二极管电流不只是扩散电流，还有其它电流。
一般它包括三个部分：1）扩散电流，它严格遵循(2)式；2）耗尽层符合电流，它正比于)2/exp(kT eU ；3)表面电流，它是由硅和二氧化硅界面中杂质引起的，其值正比于)/exp(mkT eU ，一般m >2。
因此，为了验证(2)式及求出准确的e /k 常数，不宜采用硅二极管，而采用硅三极管接成共基极线路，因为此时集电极与基极短接，集电极电流中仅仅是扩散电流。
复合电流主要在基极出现，测量集电极电流时，将不包括它。
半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验实验目的】1 •在室温时，测量PN结电流与电压关系，证明此关系符合指数分布规律。
2 •在不同温度条件下，测量玻尔兹曼常数。
3 •学习用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流。
4 •测量PN结电压与温度的关系，求出该PN结温度传感器的灵敏度。
5.计算在0K温度时，半导体硅材料的近似禁带宽度。
实验原理】1 . PN结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知，PN结的正向电流-电压关系满足：I =1。
e)p(eU /kT) -1 丨(I)式中I是通过PN结的正向电流，I o是反向饱和电流，在温度恒定是为常数，T是热力学温度，e 是电子的电荷量，U为PN结正向压降。
由于在常温(300K)时，kT/e ~0.026v ,而PN结正向压降约为十分之几伏，则exp(eU / kT) >>1 , (1)式括号内—1项完全可以忽略，于是有：I =I0exo(eU/kT) (2)也即PN结正向电流随正向电压按指数规律变化。
若测得PN结I-U关系值，则利用⑴式可以求出e/ kT。
在测得温度T后，就可以得到e/k常数，把电子电量作为已知值代入 ,即可求得玻尔兹曼常数k。
在实际测量中，二极管的正向I-U关系虽然能较好满足指数关系，但求得的常数k往往偏小。
这是因为通过二极管电流不只是扩散电流，还有其它电流。
一般它包括三个部分：1)扩散电流，. 专业.专注它严格遵循⑵式；2)耗尽层符合电流，它正比于exp(eU / 2kT) ；3)表面电流，它是由硅和二氧化硅界面中杂质引起的，其值正比于exp(eU /mkT)，一般m >2。
因此，为了验证⑵式及求出准确的e/k常数，不宜采用硅二极管，而采用硅三极管接成共基极线路，因为此时集电极与基极短接，集电极电流中仅仅是扩散电流。
复合电流主要在基极出现，测量集电极电流时，将不包括它。
本实验中选取性能良好的硅三极管(TIP31型)，实验中又处于较低的正向偏置，这样表面电流影1 所示。
天津大学物理实验报告姓名： 专业： 班级： 学号： 实验日期： 实验教室： 指导教师：【实验名称】 PN 结物理特性综合实验 【实验目的】1. 在室温时，测量PN 结电流与电压关系，证明此关系符合波耳兹曼分布规律2. 在不同温度条件下，测量玻尔兹曼常数3. 学习用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流4. 测量PN 结电压与温度关系，求出该PN 结温度传感器的灵敏度5. 计算在0K 温度时，半导体硅材料的近似禁带宽度 【实验仪器】半导体PN 结的物理特性实验仪 资产编号：××××，型号：×××（必须填写） 【实验原理】1．PN 结的伏安特性及玻尔兹曼常数测量 PN 结的正向电流-电压关系满足：]1)/[exp(0-=kT eU I I (1)当()exp /1eU kT >>时,(1)式括号内-1项完全可以忽略，于是有：0exp(/)I I eU kT = (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
若测得PN 结I U -关系值，则利用(1)式可以求出/e kT 。
在测得温度T 后，就可以得到/e k ，把电子电量e 作为已知值代入，即可求得玻尔兹曼常数k 。
实验线路如图1所示。
2、弱电流测量LF356是一个高输入阻抗集成运算放大器，用它组成电流-电压变换器(弱电流放大器),如图2所示。
其中虚线框内电阻r Z 为电流-电压变换器等效输入阻抗。
运算放大器的输入电压0U 为：00i U K U =- (3)式(3)中i U 为输入电压，0K 为运算放大器的开环电压增益，即图2中电阻f R →∞时的电压增益（f R 称反馈电阻）。
因而有：00(1)i i s f fU U U K I R R -+== (4) 由（4）式可得电流-电压变换器等效输入阻抗x Z 为001i f fx s U R R Z I K K ==≈+ (5)由(3)式和(4)式可得电流-电压变换器输入电流s I 与输出电压0U 之间的关系式，即：图1 PN 结扩散电源与结电压关系测量线路图图2 电流－电压变换器i s fr U U I Z R ==- (6) 只要测得输出电压0U 和已知f R 值，即可求得s I 值。
PN 结特性和玻尔兹曼常数测定1、实验目的1.在同一温度下，正向电压随正向电流的变化关系，绘制伏安特性曲线；2.在不同温度下，测量玻尔兹曼常数；3.恒定正向电流条件下，测绘PN 结正向压降随温度的变化曲线，计算灵敏度，估算被测PN 结材料的禁带宽度2、实验仪器1.FB302A 型PN 结特性研究与玻尔兹曼常数测定仪2.温度传感器PT1003.PN-Ⅱ型PN 结综合实验仪3、实验原理3.1.PN 结伏安特性与玻尔兹曼常数测定由半导体物理学可知，PN 结的正向电流-电压关系满足：01beeU kTI I e ⎛⎫=- ⎪⎝⎭(1)式(1)中I 是通过PN 结的正向电流，0I 是不随电压变化的常数，T 是热力学温度，e 是电子的电量，U 为PN 结正向电压降。
由于在常温()300T K ≈时，/0.026kT e V ≈，而PN 结正向电压下降约为十分之几伏，则1beeU kTe?，于是有：0be eU kTII e=(2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
若测得PN 结I U -关系值，则利用(1)式可以求出/e kT 。
在测得温度后，就可以得到常数，把电子电量作为已知值代入，就可以求得玻尔兹曼常数，测得的玻尔兹曼精确值为2311.38110k J K --=⨯⋅。
为了精确测量玻尔兹曼常数。
不用常规的加正向压降测正向微电流的方法，而是采用11nA mA :范围的可变精密微电流源，能避免测量微电流不稳定，又能准确地测量正向压降。
3.2.弱电流测量以前常用光点反射式检流计测量6111010A A --:量级PN 扩散电流，但该仪器有许多不足之处且易损坏。
本仪器没有采用高输入阻抗运算放大器组成电流-电压变换器(弱电流放大器)测量弱电流信号，温漂大、读数困难等。
为了更精确地测量玻尔兹曼常数，而设计了一个能恒流输出11nA mA :范围的精密微电流源。
解决了在测量中很多不稳定因素，能准确地测量正向压降。
PN 结物理特性及玻尔兹曼常数测量半导体PN 结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。
使用本实验的仪器用物理实验方法，测量PN 结扩散电流与电压关系，证明此关系遵循指数分布规律，并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。
本实验的仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥，测量PN 结结电压be U 与热力学温度T 关系，求得该传感器的灵敏度，并近似求得0K 时硅材料的禁带宽度。
【实验目的】1、在室温时，测量PN 结扩散电流与结电压关系，通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。
2、在不同温度条件下，测量玻尔兹曼常数。
3、学习用运算放大器组成电流—电压变换器测量10-6A 至10-8A 的弱电流。
4、测量PN 结结电压be U与温度关系，求出结电压随温度变化的灵敏度。
5、计算在0K 时半导体（硅）材料的禁带宽度（选作）。
6、学会用最小二乘法拟合数据。
【实验仪器】FD-PN-4型PN 结物理特性综合实验仪（如下图）,TIP31c 型三极管（带三根引线）一只，长连接导线11根（6黑5红），手枪式连接导线10根，3DG6（基极与集电极已短接，有二根引线）一只，铂电阻一只。
FD-PN-4 型PN 节物理特性测定仪【实验原理】1. 测量三极管发射极与基极电压U 1和集电极与基极电压U 2之间的关系(a)PN 结伏安特性及玻尔兹曼常数测量由半导体物理学可知，PN 结的正向电流-电压关系满足：[]1/0-=KTeU eI I (1) 式(1)中I 是通过PN 结的正向电流，I 0是反向饱和电流，在温度恒定是为常数，T是热力学温度，e 是电子的电荷量，U 为PN 结正向压降。
由于在常温(300K)时，kT /e ≈0.026v ，而PN 结正向压降约为十分之几伏，则KTeU e />>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略，于是有：KTeU e I I /0= (2)也即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化。
若测得PN 结I-U 关系值，则利用(1)式可以求出e /kT 。
在测得温度T 后，就可以得到e /k 常数，把电子电量作为已知值代入，即可求得玻尔兹曼常数k 。
在实际测量中，二极管的正向I-U 关系虽然能较好满足指数关系，但求得的常数k 往往偏小。
这是因为通过二极管电流不只是扩散电流，还有其它电流。
一般它包括三个部分：[1]扩散电流，它严格遵循(2)式；[2]耗尽层复合电流，它正比于KTeU e2/；[3]表面电流，它是由Si 和SiO 2界面中杂质引起的，其值正比于mKTeU e /,一般m >2。
因此，为了验证(2)式及求出准确的e /k 常数，不宜采用硅二极管，而采用硅三极管接成共基极线路，因为此时集电极与基极短接，集电极电流中仅仅是扩散电流。
复合电流主要在基极出现，测量集电极电流时，将不包括它。
本实验中选取性能良好的硅三极管(TIP31型),实验中又处于较低的正向偏置，这样表面电流影响也完全可以忽略，所以此时集电极电2、弱电流测量过去实验中10-6A -10-11A 量级弱电流采用光点反射式检流计测量，该仪器灵敏度较高约10-9A /分度，但有许多不足之处。
如十分怕震，挂丝易断；使用时稍有不慎，光标易偏出满度，瞬间过载引起引丝疲劳变形产生不回零点及指示差变大。
使用和维修极不方便。
近年来，集成电路与数字化显示技术越来越普及。
高输入阻抗运算放大器性能优良，价格低廉，用它组成电流-电压变换器测量弱电流信号，具有输入阻抗低，电流灵敏度高。
温漂小、线性好、设计制作简单、结构牢靠等优点，因而被广泛应用于物理测量中。
LF356是一个高输入阻抗集成运算放大器，用它组成电流-电压变换器(弱电流放大器),如图2所示。
其中虚线框内电阻Z r 为电流-电压变换器等效输入阻抗。
由图2可，运算放大器的输入电压U 0为：式(3)中U i 为输入电压，K 0为运算放大器的开环电压增益，即图2中电阻R f →∞时的电压增益，R f 称反馈电阻。
因为理想运算放大器的输入阻抗r i →∞,所以信号源输入电流只流经反馈网络构成的通路。
因而有：f i f i S R K U R U U I /)1(/)(00+=-= (4)由（4）式可得电流-电压变换器等效输入阻抗Z r 为：00/)1/(/K R K R I U Z f f S i r ≈+== (5)由(3)式和(4)式可得电流-电压变换器输入电流I s 输出电压U 0之间得关系式，即：ff f s R U R K U R K K U I 000000/)11(/)1(≈+=+-= (6) 由(6)式只要测得输出电压U 0和已知R f 值，即可求得I S 值。
以高输入阻抗集成运算放大器LF356为例来讨论Z r 和I S 值得大小。
对LF356运放的开环增益K 0=2×105，输入阻抗r i ≈1012Ω。
若取R f 为1.00MΩ，则由(5)式可得：Ω=⨯+Ω⨯=5)1021/(1000.156r Z若选用四位半量程200mV 数字电压表，它最后一位变化为0.01mV ，那么用上述电流-电压变换器能显示最小电流值为：A mV Is 1161011000.1/01.0m in )(-⨯=Ω⨯=由此说明，用集成运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流，具有输入阻抗小、灵敏度高的优点。
综合(a)(b)得，利用集成运算放大器组成电流-电压变换器，将弱电流的测量改成电压测量，利用硅三极管(TIP31型)代替二极管，有效实现集电极电流中仅仅是扩散电流。
(2)PN 结的结电压be U 与热力学温度T 关系测量（选作选学内容）。
当PN 结通过恒定小电流（通常电流I ＝1000μA ），由半导体理论可得be U 与T 近似关系：go be U ST U += （5）式中S≈－2.3C mV o/为PN 结温度传感器灵敏度。
由go U 可求出温度0K 时半导体材料的近似禁带宽度go E ＝go qU 。
硅材料的go E 约为1.20eV 。
【实验内容与步骤】（一）be c U I -关系测定，并进行曲线拟合求经验公式，计算玻尔兹曼常数。
1U U be = 1、实验线路如图1所示（说明：图中100Ω的滑动变阻器和1.5V 电源已经接入电路，只是1.5V 稳压电源正输出没有接地，实验中只需将1.5V 正输出接地即可）。
图中U 1为三位半数字电压表，U 2为四位半数字电压表，TIP31型为带散热板的功率三极管，调节电压的分压器为多圈电位器。
为保持PN 结与周围环境温度一致，把功率三极管连同散热器浸没在变压器油管中，油管下端插在保温杯中，保温杯内盛有室温水，变压器油温度用0-50℃(0.1℃)的水银温度计测量。
（为简单起见，本实验也可把功率三极管置于干井恒温器温度中，打开仪器的加热开关，按温度复位按钮，让仪器探测出环境温度，然后调节恒温控制到与室温相同即可。
）2、在室温情况下，测量三极管发射极与基极之间电压U 1和相应电压U 2。
在常温下U 1的值约从0.3V 至0.42V 范围每隔0.01V 测一点数据，约测10多数据点，至U 2值达到饱和时(U 2值变化较小或基本不变),结束测量。
在记数据开始和记数据结束都要同时记录变压器油的温度θ，取温度平均值θ。
3、改变干井恒温器温度，待PN 结与油温湿度一致时，重复测量U 1和U 2的关系数据，并与室温测得的结果进行比较。
4、把(2)式改为KTeU e RI U /02=，运用最小二乘法，将不同温度下采集的1U ～2U 关系数据代入指数回归函数bUaeU =2关系式中，算出指数函数相应的a 和b 的最佳值0a 和0b ，则由e ／KT=0b 、00a RI =两式分别计算出玻尔兹曼常数K 值和弱电流0I 值，并说明玻尔兹曼分布的物理的含义。
已知玻尔兹曼常数公认值23010381.1-⨯=K J/K ， 由此进而计算出玻尔兹曼常数测量的结果的百分误差。
5、曲线拟合求经验公式：将实验数据分别代入线性回归、指数回归、乘幂回归这三种常用的基本函数，运用最小二乘法确定出最佳函数及其表达式。
（二）T U be -关系测定，求PN 结温度传感器灵敏度S ，计算硅材料0K 时近似禁带1、实验线路如图3所示，测温电路如图4所示。
其中数字电压表V 2通过双刀双向开关，既作测温电桥指零用，又作监测PN 结电流，保持电流I ＝100μA 用。
2、通过调节图3电路中电源电压，使上电阻两端电压保持不变，即电流I ＝100μA 。
同时用电桥测量铂电阻T R 的电阻值，通过查铂电阻值与温度关系表，可得恒温器的实际湿度。
从室温开始每隔5℃－10℃测一定be U 值（即V 1）与温度θ（℃）关系，求得T U be -关系。
（至少测6点以上数据）3、用最小二乘法对T U be -关系进行直线拟合，求出PN 结测温灵敏度S 及近似求得温度为0K 时硅材料禁带宽度go E 。
【注意事项】1、数据处理时，对于扩散电流太小(起始状态)及扩散电流接近或达到饱和时的数据，在处理数据时应删去，因为这些数据可能偏离公式(2)。
2、必须观测恒温装置上温度计读数，待TIP31三极管温度处于恒定时(即处于热平衡时),才能记录U 1和U 2数据。
3、用本装置做实验，TIP31型三极管温度可采用的范围为0-50℃。
若要在-120℃-0℃温度范围内做实验，必须有低温恒温装置。
4、由于各公司的运算放大器(LF356)性能有些差异，在换用LF356时，有可能同台仪器达到饱和电压U 2值不相同。
5、本仪器电源具有短路自动保护，运算放大器若 15V 接反或地线漏接，本仪器也有保护装置，一般情况集成电路不易损坏。
请勿将二极管保护装置拆除。
【数据记录及处理】1、be c U I -关系测定，曲线拟合求经验公式，计算玻尔兹曼常数。
室温条件下：初温1θ = ℃，末温2θ = ℃，-θ= ℃以U 1为自变量，U 2为因变量，分别进行线性函数、乘幂函数和指数函数的拟合，结果填入表2中：数据处理：表2-1回归法函数拟合三种函数⎪⎪⎨⎧==+=)exp(121212bu a u au u bau u b指数函数幂函数线性函数 ⎪⎪⎨⎧+=+=+=abu u a u b u b au u ln ln ln ln ln 121212指数函数回归幂函数回归线性回归数据处理结果：（b ）最小二乘法并由此说明PN 结扩散电流-电压关系遵循的分布规律。
数据结果：（b ）计算玻尔兹曼常数： 由表2数据得k /e =bT = J /CK 则 k/e ek == K /J 此结果与公认值k=1.381×10-23 K /J 进行比较。
