TTL门电路简单小结
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TTL门电路简单⼩结
以基集b和发射极e之间的发射结作为输⼊回路。
以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路。V ON为开启电压。硅三极管的开启电压V ON为0.5~0.7V,锗三极管的开启电压V ON为0.2~0.3V。
V BE为输⼊电压,i B为输⼊电流。
V CE为输出电压,i C为输出电流。
集电极电流i C不仅受V CE 影响,还受基极电流i B影响。
输出特性曲线分三个区:1、曲线右边的⽔平部分为放⼤区(线性区),
特点是:i C随i B成正⽐变化,⼏乎不受V CE变化的影响。2、靠近纵轴部分为饱和区,
特点是:i C不随i B贝塔的⽐例增加,⽽是趋向饱和。硅三极管饱和区的V CE值约为0.6~0.7V,深度饱和状态下的饱和压降在0.2V以下。
3、i B的⼀条输出特性曲线以下的区域为截⾄区。
截⽌区特点是i C⼏乎为0.
双极型三极管的基本开关电路
当V I=0,或者V I
当V I>V ON时,三极管导通状态,输出电压为低电平V OL.
硅三极管的深度饱和压降为0.3V,V CE(sat)饱和导通压降。R CE(sat)饱和导通内阻。锗三极管的深度饱和压降为0.1V
综上述,保证
当V I=V IL时V BEV I=V IH时i B>I BS,三极管⼯作在深度饱和状态,相当于开关接通,在开关电路的输出端V O=V OL输出低电平。
则Y=Aˊ
则三极管的c-e间就相当于⼀个受V I控制的开关。
晶体管⼯作在放⼤状态的外部条件是发射结正向偏置,且集电节反向偏置.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄.
(幻灯⽚第114张和115张不明⽩).
稳压管的稳压区是其⼯作在反向击穿.
β=⊿i C/⊿i B ,β是交流电流的放⼤系数。α=β/(1+β)
当三极管截⽌时,发射结反偏,i C=0,相当于开关断开;
当三极管饱和时,发射结正偏,V CE=V CE(sat)≈0.相当于开关闭合.
图3.5.10 TTL反相器的TTL反相器的电压的传输特性1、 A~B 段:
截⽌区:V I <0.6V, V B1<1.3VT 1导通,T 2,T 5截⽌,T 4导通→V OH =V CC —V R2—V BE4—V D2=3.4V 。
2、 B~C 段:
线性区:0.7VT 2导通且⼯作在放⼤区,T 5截⽌,T 4导通,V I ↑=>V O ↓
3、 C~D 段: 转折区:
4、D~E 段:
饱和区:V I 继续↑, ⽽V O 不变,V O = V OL 。TTL 门店⾥的输⼊端噪声容限参数
V OH (min)=2.4V , V OL (max)=0.4V ,V IH (min)=2.0V , V IL (max)=0.8V , V NH=0.4V , V NL=0.4V
TTL 门电路的输⼊特性:
输出特性:
⾼电平输出:
输出为V O =V OH 时,T 4、D 2导通, T 5截⽌.74系列最⼤为 IOH (max )=-0.4mA.
低电平输出:
输出为V O =V OL 时,T 4、D 2截⽌, T 5导通. V OL 基本呈线性关系.
图3.5.13 TTL 反I IS
输⼊⾼电平
输⼊低电平D 1导通
扇出系数计算:扇出系数就是⼀个门电路驱动同类型门电路的个数。也就是表⽰门电路的带负载能⼒。
当输出低电平时:设有N 1个⾮门,则有
当输出为⾼电平时,设可带N 2个⾮门,
则有
则取N=min{N 1 , N 2}TTl 反相器输⼊端的负载特性曲线:
故⼀般对于TTL 门电路,若输⼊端通过电阻接地, 当R P ≤0.7K Ω时,构成低电平输⼊⽅式; 当R P ≥1.5K Ω时,构成⾼电平输⼊⽅式。
其他类型的TTL 与⾮门
若输⼊端接低电平时,输⼊电流的计算和反相器相同。 输⼊端接⾼电平,T1的两个发射结反偏,
故输⼊电流为单个输⼊端⾼电平输⼊电流的2倍。图 3.5.29TTL 与⾮门电路
输出为⾼电平时,可以带N1个同类逻辑门,则2N1*I IH≤I OH。输出为低电平时,可以带N2个逻辑门,则N2*I IL≤I OLN为驱动个数或⾮门与或⾮门
异或门AB
(A+B)′Y=A⊕B
注释:与门和或门是在与⾮门和或⾮门的基础上加了⼀级反相器构成。OC门OC门的与⾮门电路图和符号⽰意图与⾮门符号
OC门的与或⾮门Y=(AB+CD)'外界负载电阻RL的计算a:驱动输出为⾼电平时
其中n-驱动管的个数,m-负载管输⼊端的个数,IOH-每个
OC门T5管截⽌时的漏电
流;IIH-负载门每个输⼊端的⾼电平输⼊电流。
b:驱动输出为低电平时m'-负载管短路电流的个数;IOL-OC门T5管导通时的电流;IIL-负载门每个输⼊端的短路输⼊电流。
TTL门电路上拉电阻计算RL(min)
TTL门电路中,当输⼊端并联时:
(⼀个负载门可能有n个输⼊端)
当电路为与⾮门时,
低电平输⼊,m'=负载门的个数,⽽不是输⼊端的个数。
⾼电平输⼊时m'=输⼊端的个数。
当电路为或⾮门时,低电平输⼊,⾼电平输⼊m'=输⼊端的个数。OC门(⼜称集电极开路(漏极开路)与⾮门门电路)的应⽤
a:实现与或⾮逻辑,⽤做电平转换,⽤做驱动器。
b:—线与(在总线传输等实际应⽤中需要多个门的输出端并联连接使⽤,⽽⼀般TTL门输出端并不能直接并接使⽤,否则这些门的输出管之间由于低阻抗形成很⼤的短路电流(灌电流),⽽烧坏器件。在硬件上,可⽤OC门或三态门(ST门)来实现。⽤OC门实现线与,应同时在输出端⼝应加⼀个上拉电阻。
)
c:实现数据采集
OC门与OD门类似,使⽤⽅法相近。符号与OD门相同。
OC门外接电阻与OD门计算⽅法基本相同,唯⼀不同是多个负载输⼊端并联情况下,低电平输⼊电流的数⽬不⼀定与输⼊端的数⽬相同。
三态TTL与⾮门
⾼电平,低电平,⾼阻态。
多了⼀个使能端(控制端)和⼀个⼆极管D。
控制端为低电平有效。即,EN'=0时,D截⽌,与⾮门正常⼯作,Y=(AB)'。
EN'=1时,D导通,与⾮门⾼阻态,Y=Z。TTL三态门作⽤:TTL三态门能够⽤作电平转换,和数据的双向传输和总线结构。数据的双向传输
总线结构TTL门与COMS门电路接⼝。
对于⼀个数字系统,为了使性价⽐最佳,常常会采⽤不同类型的器件,⽐如TTL和CMOS,
这样在这些器件之间存在着逻辑电平的配合问题:⽅法是接上拉电阻或利⽤OC门来进⾏
电平转换,现在有现成的各类电平转换电路供⽤户选择。
采⽤不同类型器件的数字电路也要考虑各种各种类型门电路的驱动能⼒匹配问题。在满⾜
电平匹配的情况下,TTL门电路的驱动电流⼤,可以直接驱动CMOS门。⽽CMOS门的
驱动电流很⼩,不能直接驱动TTL门。采⽤的⽅法是使⽤专门的接⼝电路。注意:同⼀类
型不同系列的逻辑门也要注意器件使⽤配合的问题
三极管导通条件:NPN节:V C>V B>V E, PNP节:V E>V B>V C
U BE=0.7V (Si) |U BE|=0.7V (Si)
U BE=0.2V (Ge) |U BE|=0.2V(Ge)
两节点电压相差为0.7V是B,E两节点。且为Si芯⽚。且电压⾼的为B节点,低的为E 节点。两节点电压相差为0.2V是B,E两节点。且为Ge芯⽚。且电压⾼的为E节点,低的为B 节点。
如果是PNP节,则电流的⽅向是从E点流⼊;
如果是NPN节,则电流的⽅向是从E点流出。
第114,115张看不懂,174张TC门看
不懂,