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第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
郑大模拟电子试题
一、选择题
1. 以下哪种元器件是用来放大电压信号的？
A. 电阻
B. 电容
C. 二极管
D. 晶体管
2. 以下哪种数字电路是具有存储功能的？
A. 门电路
B. 计数器
C. 加法器
D. 选择器
3. 以下哪种信号是用来传输音频信号的？
A. 模拟信号
B. 数字信号
C. 电压信号
D. 电流信号
4. 以下哪种振荡器是用来产生正弦波信号的？
A. 晶体振荡器
B. 方波振荡器
C. 三角波振荡器
D. 脉冲振荡器
5. 以下哪种逻辑门的输出为与非门的输出的反相？
A. 与门
B. 或门
C. 非门
D. 异或门
二、简答题
1. 请简要说明晶体管放大器的工作原理及其特点。
2. 请解释什么是半导体器件，举例说明一个常见的半导体器件及其用途。
3. 什么是模拟信号和数字信号，它们之间有什么区别？
4. 请简述振荡器的作用及其应用领域。
5. 什么是逻辑门电路？请解释与门、或门和非门的功能及真值表。
三、计算题
1. 一台放大器的输入电压为1mV，输出电压为10V，求电压增益。
2. 一个数字电路有4个输入端，输出端为1个，如果输入端0001，输出端为1，则输出端应该输出什么信号？
3. 一个振荡电路的频率为1kHz，求它的周期。
4. 如果一个逻辑门电路的输入端分别是1和0，则与门的输出是什么？
5. 一个数字信号1010转换成模拟信号后的电压值为3V，请问这个信号的幅值是多少？
以上为郑大模拟电子试题，希望能够帮助你更好地了解和掌握模拟电子相关知识。
祝你考试顺利！。
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1.半导体二极管（1）掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通，即，哪个二极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。
（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。
（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）。
交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业：1.32. 半导体稳压管（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好（2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。
（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。
（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6 3. 晶体三极管（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握Ic =βIb ） （2）掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级，必然就有BE 间的输入，CE 间的输出，所以有两组特性曲线。
iB 和Ube 之间的关系，但是保证Uce 是一个恒定值iC 和Uce 之间的关系，保证Ib 是一个恒定值关于NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
主要是饱和区和截止区之间的区别（3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
（4）理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业：1.9，1.12 ，共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈14. 场效应管（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
（2）掌握结型场效应管(N沟道)的转移特性和输出特性的意义。
（3）掌握绝缘栅N沟道增强型MOS的转移特性和输出特性的意义。
（4）掌握电流方程，1.4.4 式和1.4.5式作业：1.14结型场效应MOS二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法（静态工作点稳定电路）、共集电极接法的射极输出器的工作原理。
模拟电子线路课程内容概要（复习提纲）1.半导体器件基础：（1）了解半导体的结构，弄清什么是本征半导体，什么是N型半导体，什么是P型半导体，以及它们的多数载流子是什么？少数载流子是什么？答：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。
在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等，这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或N型半导体。
其多数载流子为电子，少数载流子为空穴；在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼，镓，铟等，这种杂质半导体主要依靠空穴导电的半导体称空穴半导体或P型半导体。
其多数载流子为空穴，少数载流子为电子。
（2）PN结具有哪些特性，主要特性是什么？二极管的导通条件是什么？二极管的管压降为多少？什么是门坎电压？必须了解二极管的伏安曲线。
答：PN结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性，其主要特性是单向导电性。
二极管的导通条件是PN结正向偏置。
硅二极管的管压降为0.6~0.8V，锗二极管的管压降为0.2~0.3V。
门坎电压即死区电压，是指二极管刚好导通时两端的电压差，硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。
（3）三极管的导电机理是什么？三极管起正常放大作用的外部条件是什么？能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。
三极管的输出特性曲线分为哪几个区域？起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上？答：三极管导电机理是当基极电压Ub有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流Ib的控制，集电极电流Ic会有一个很大的变化，基极电流Ib越大，集电极电流Ic也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
发射极反偏，集电极反偏为截止状态；发射极正偏，集电极反偏为放大状态；发射极正偏，集电极正偏为饱和状态，由此来判断它的工作状态。
模电期末考试题库及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的输入端通常具有什么特性？A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 低输出阻抗D. 高输出阻抗答案：A2. 下列哪种元件不是模拟电路中的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D3. 理想运算放大器的开环增益是多少？A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 1答案：B4. 在模拟电路中，放大器的增益通常用哪个参数表示？A. 电压增益B. 电流增益C. 功率增益D. 阻抗增益5. 以下哪个不是模拟电路中的噪声来源？A. 热噪声B. 散粒噪声C. 互调噪声D. 逻辑噪声答案：D6. 模拟电路中，滤波器的作用是什么？A. 放大信号B. 过滤信号C. 转换信号D. 调制信号答案：B7. 模拟电路中，负反馈的作用是什么？A. 增加增益B. 减少增益C. 增加稳定性D. 减少稳定性答案：C8. 下列哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 可模拟连续时间信号D. 可模拟连续空间信号答案：B9. 在模拟电路中，理想二极管的正向导通电压是多少？B. 0.7VC. 无穷大D. 1.5V答案：A10. 模拟电路中的积分器通常由哪种元件组成？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 运算放大器答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，______ 通常用来表示放大器的输出信号与输入信号的比值。
答案：增益2. 运算放大器的输出端具有______的特性。
答案：低阻抗3. 模拟电路中的滤波器可以分为______滤波器和低通滤波器。
答案：高通4. 理想运算放大器的输入端是______的。
答案：虚断5. 模拟电路中的信号放大器通常由______、电容和电感等元件组成。
答案：运算放大器6. 模拟电路中的振荡器通常由______、电容和电感等元件组成。
答案：运算放大器7. 模拟电路中的负反馈可以减少放大器的______。
模电期末复习题答案1. 半导体二极管的正向导通电压一般为多少？答：半导体二极管的正向导通电压一般为0.7V。
2. 共发射极放大电路中，集电极电流与基极电流的关系是什么？答：在共发射极放大电路中，集电极电流Ic与基极电流Ib的关系为Ic = βIb，其中β为晶体管的直流电流放大倍数。
3. 什么是差分放大电路的共模抑制比？答：差分放大电路的共模抑制比（CMRR）是指差分放大电路对差模信号的放大倍数与对共模信号放大倍数的比值，它反映了差分放大电路抑制共模信号的能力。
4. 运算放大器的开环增益和闭环增益有何不同？答：运算放大器的开环增益是指在没有反馈的情况下，运算放大器的输入信号与输出信号之间的增益；而闭环增益是指在有反馈的情况下，运算放大器的输入信号与输出信号之间的增益。
闭环增益通常远小于开环增益。
5. 什么是理想运算放大器？答：理想运算放大器是指在理论上具有无限大的开环增益、无限大的输入阻抗、无限小的输出阻抗、无限宽的带宽和零输入失调电压的运算放大器。
6. 场效应管的工作原理是什么？答：场效应管的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道，从而控制漏极电流的大小。
7. 什么是负反馈放大电路？答：负反馈放大电路是指将放大器的输出信号的一部分或全部以反相的方式送回到输入端，以减小输出信号的放大倍数，从而提高放大器的稳定性和线性度。
8. 什么是波特图？答：波特图是频率响应的图形表示，它显示了系统增益的对数（以分贝为单位）与频率（以对数刻度）之间的关系，以及相位与频率之间的关系。
9. 什么是锁相环？答：锁相环是一种电子电路，能够锁定输入信号的相位并生成一个与输入信号同相位的输出信号，常用于频率合成、调制解调和时钟恢复等应用。
10. 什么是调制和解调？答：调制是指将信息信号（如音频或视频信号）与高频载波信号结合的过程，以便于在信道中传输；解调则是将调制信号中的信息信号从载波信号中提取出来的过程。
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1. 半导体二极管（1）掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通，即，极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。
（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。
（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业： 1.3 2. 半导体稳压管（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。
哪个二只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。
（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6 3. 晶体三极管（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握 Ic=βIb ）（2）掌握 NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级，必然就有 BE 间的输入， CE 间的输出，所以有两组特性曲线关于 NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
区之间的区别3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
4）理解 I CBO 和I CEO 的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业：主要是饱和区和截止 1.9， 1.12 ， Uce 是一个恒定值Ib 是一个恒定值共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈ 14. 场效应管（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
2）掌握结型场效应管 （N 沟道 ）的转移特性和输出特性的意义。
3）掌握绝缘栅 N 沟道增强型 MOS 的转移特性和输出特性的意义。
二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法 （静态工作点稳定电路） 、共集电极接法的射极输出器的工作原 理。
（1）熟悉各元件的作用、各元件参数的数量级。
模电考试期末试题及答案题一：电路基本知识1. 请简要解释以下电路元件的作用：a) 电阻：_________；b) 电容：_________；c) 电感：_________。
2. 根据欧姆定律和基尔霍夫电压定律，推导并解释以下公式：a) U = IR；b) V1 + V2 + V3 = 0。
3. 简述理想电流源和理想电压源的特点及其应用场景。
4. 分析以下电路，求解电流I1和电压V1。
R1 R2 R3------/\/\/\/\------------/\/\/\/\--------| |V1 V25. 简述直流稳压电源的工作原理，并举例说明。
答：1. a) 电阻：电阻用于限制电流的流动，使其符合电路要求。
它通过阻碍电子的自由移动来消耗电能。
b) 电容：电容用于储存电能，能够在充电和放电过程中存储和释放电荷。
它可以对电流的变化产生滞后效应。
c) 电感：电感用于储存磁能，通过电流在线圈中产生磁场。
当电流变化时，电感会产生反向电势，阻碍电流的变化。
2. a) 根据欧姆定律，电压U等于电阻R与电流I的乘积。
即U = IR。
这个公式表示了电阻对电流的阻碍程度。
b) 基尔霍夫电压定律表明，电路中各个节点的电压之和等于零。
即V1 + V2 + V3 = 0。
这个公式成立是因为在闭合电路中，所有的电压要相互平衡。
3. 理想电流源的特点是其输出电流恒定，不受负载电阻的影响。
它的输出电流不会因负载电阻的变化而改变。
适用于对电流要求较高的电路，如稳流器电路。
理想电压源的特点是其输出电压恒定，不受负载电流的影响。
它的输出电压不会因负载电流的变化而改变。
适用于对电压要求较高的电路，如稳压器电路。
4. 根据电路分析法则，可以得到如下方程：(V1 - V2)/R1 + (V1 - V3)/R2 + V1/R3 = 0化简得到：(3/R1 + 1/R2 + 1/R3)V1 - (1/R2)V2 - (1/R3)V3 = 0根据基尔霍夫电压定律，V2 = V1 - V3代入得到：(3/R1 + 1/R2 + 1/R3)V1 - (1/R2)(V1 - V3) - (1/R3)V3 = 0化简得到：(4/R2 + 1/R3)V1 - (1/R2)V3 = 0继续化简求解得到：V1 = (R2/(4R2 + R1))V3I1 = (V1 - V3)/(R1 + R2 + R3)5. 直流稳压电源通过稳压电路将输入电压转换为稳定的输出电压。
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线(饱和管压降，用U CES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。
截止区---发射结反偏，集电结反偏。
4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。
I CEO、I C以及β均增加。
温度升高I三. 低频小信号等效模型（简化）h ie---输出端交流短路时的输入电阻，常用r be表示；h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1）改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3）改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法---减小R b，提高Q。
（2）饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。
*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。
4. 放大器的动态范围（1）U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2）范围*当（U CEQ－U CES）＞（V CC’ － U CEQ）时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
*当（U CEQ－U CES）＜（V CC’ － U CEQ）时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2 （U CEQ－U CES）。
*当（U CEQ－U CES）＝（V CC’ － U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足R B＞βRc。
2.放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数在R e两端并一电解电容C e后输入电阻在R e两端并一电解电容C e后* 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1．静态分析2．动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
* 输入电阻高，输出电阻低。
第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（ JFET）1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）转移特性曲线U P ----- 截止电压二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。
结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中，I DO是U GS=2U T时所对应的i D值。
* N-DMOS的输出特性曲线注意：u GS可正、可零、可负。
转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P，此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流I DSS2.夹断电压U p3.开启电压U T4.直流输入电阻R GS5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导g m ---五. 共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析若带有C s，则2.分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析若源极带有C s，则六.共漏极基本放大电路* 静态分析或* 动态分析第四章多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。
但不便于集成，低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。
体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。
各级静态工作点不独立，互相有影响。
存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使u o偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应1．中频段(f L≤f≤f H)波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数，相频曲线是φ=-180o。
2．低频段(f ≤f L)‘3．高频段(f ≥f H)4．完整的基本共射放大电路的频率特性三. 分压式稳定工作点电路的频率响应1．下限频率的估算2．上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式2. 波特图第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o，I CQ大，管耗大，效率低。
2.乙类工作状态I CQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。
3.甲乙类工作状态导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。
二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态任意状态：U om≈U im尽限状态：U om=V CC-U CES理想状态：U om≈V CC2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗P c1m=0.2P om5.效率理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。
2. 解决办法甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容C2上静态电压为V CC/2，并且取代了OCL 功放中的负电源-V CC。
动态指标按乙类状态估算，只是用V CC/2代替。
四. 复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2.类型取决于第一只管子的类型。
3.β=β1·β 2第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。
二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程----当T↑→i C1、i C2↑→i E1、i E2 ↑→u E↑→u BE1、u BE2↓→i B1、i B2↓→i C1、i C2↓。
R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。
2静态分析1) 计算差放电路I C设U B≈0，则U E=－0.7V，得2) 计算差放电路U CE•双端输出时••单端输出时(设VT1集电极接R L)对于VT1：对于VT2：3. 动态分析1）差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出：从VT2单端输出：2）差模输入电阻3）差模输出电阻•双端输出：•单端输出:三. 集成运放的电压传输特性当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数A od→∞；* 差模输入电阻R id→∞；* 输出电阻R o→0；* 共模抑制比K CMR→∞；2. 理想集成运放的分析方法1) 运放工作在线性区:* 电路特征——引入负反馈* 电路特点——“虚短”和“虚断”:“虚短”---“虚断” ---2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反馈* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，u o=+U om当u+<u-时，u o=-U om两输入端的输入电流为零:i+=i-=0第七章放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立＊开环放大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。
