自旋一轨道耦合作用对共轭导电聚合物电子结构性质的影响
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§3—5 自旋和轨道相互作用一、自旋-轨道耦合能原子内部由于带电粒子的运动,会产生磁场即原子的内磁 场。
电子处在这内磁场中,其自旋磁距与磁场要发生相互 作用,由此引起能级的分裂。
自旋-轨道相互作用是磁相互作用,这种作用较弱,只使原 子能级发生细微的改变,而产生精细结构。
具有自旋磁距的电子处在由于轨道运动而感受的磁场中 (电磁理论,一个磁性物体在磁场中的能量是 −μΒcosθ),附加自旋的能量为:ΔE = − μ s B cos θ轨道运动的磁场L方向L = r × mvBL+ Ze+ Ze−er−eBL9 电子绕核运动,等效于核绕电子运动 由Biot-Savart定律(右手定则),可以计算由于原子 核轨道运动在电子所在处产生的磁场μ0 B= 4π∫Idl × r r3Ze Ze Idl × r = dl × r = v dl × r = − v× rdl τ 2π r 2π r μ0 Idl × r μ0 Ze v× r B= =− dl 3 4 ∫ ∫ 4π r 4π 2π rZeμ0 Zer × me v μ0 Ze dl = r × me v = 4 ∫ 3 4π 2π me r 4π me r1 1 Ze 1 1 Ze L= L = 2 3 2 3 me c 4πε 0 r me c 4πε 0 rZ3 = 3 3 r 3 a0 n l (l + 1/ 2)(l + 1) 1以上是相对于电子静止的坐标系中观察到的磁场;希望得到 相对于原子核静止的实验室坐标系中的磁感应强度。
1926年,L.H.Thomas1 1 1 Ze B= L 2 3 2 me c 4πε 0 r电子因其轨道运动而感受到一与 轨道角动量成正比的磁场,且B与L同向自旋—轨道耦合能具有自旋磁矩的电子,在内磁场中具有势能,使电子有一附加能量ΔEΔEls = − μ s ⋅ B =1g s μB1 1 1 Ze S⋅ L 2 3 2 me c 4πε 0 rZe 2 = S ⋅L 2 2 3 4πε 0 2me c r1 电子的自旋量子数s = ,单电子S 只能有两个取向。
热电材料中自旋轨道耦合效应对电输运的影响吴立华;杨炯;李鑫;骆军;张文清【摘要】自旋量子效应对材料电输运性质的影响,是一个物理和材料领域的基础问题.热电材料能够实现电能和热能相互转换,其往往合有重元素,自旋轨道耦合效应对电性能的影响不容忽视.自旋轨道耦合造成的Zeeman型能带劈裂效应降低能带带边的简并度和能态密度,对热电材料的输运性质不利;而自旋熵和Rashba型自旋劈裂效应对热电性质有益,其中的Rashba自旋劈裂效应能够产生新奇的低维化电输运.拓扑绝缘体中非平庸电子结构对电输运调控提供新的方向.【期刊名称】《自然杂志》【年(卷),期】2016(038)005【总页数】7页(P320-326)【关键词】热电材料;自旋轨道耦合;电子能带;电输运【作者】吴立华;杨炯;李鑫;骆军;张文清【作者单位】上海大学材料基因组工程研究院,上海200444;上海大学材料基因组工程研究院,上海200444;上海大学材料基因组工程研究院,上海200444;上海大学材料基因组工程研究院,上海200444;上海大学材料基因组工程研究院,上海200444【正文语种】中文半导体热电材料利用塞贝克效应和帕尔贴效应实现温差发电或电制冷,被应用在空间用特种电源、汽车尾气废热或工业余热发电、电子器件制冷等领域。
相比于其他能量转换技术,热电材料构成的器件具有无污染、可靠性高、无需运动组件和无需光源等优势,但其能量转换效率仍旧较低。
提高材料的热电性能,是优化热电器件能量转换效率的第一步。
高性能热电材料应具有高的塞贝克系数(同等温差下高的电动势)、低的电阻率和热导率,而这些物理参数本身相互关联,协同优化这些物性是热电材料研究的核心。
本质上,优化热电性能就是同时调控电子和声子的输运性质。
近年来,填充方钴矿等“电子晶体-声子玻璃”体系[1-2]、相变体系[3-4]、半晶态体系[5-6]和铅硫族纳米材料[7-9]等呈现出优异的热电性能。
热电材料的带边电子结构对其电输运起决定作用[10]。
soc自旋轨道耦合效应嘿,朋友!你知道啥是 SOC 自旋轨道耦合效应不?这玩意儿听起来挺玄乎,其实啊,就像两个调皮的小伙伴,在微观世界里玩着独特的“游戏”。
想象一下,电子就像一个个小“运动员”,在原子这个“大操场”里奔跑。
正常情况下,它们自由自在,按照自己的节奏跑。
可一旦有了自旋轨道耦合效应,就像是给这些“运动员”加上了额外的规则。
自旋轨道耦合效应让电子的自旋和它的运动轨道产生了关联。
这关联可不得了!就好比一个人跑步的时候,不仅腿要动,手臂的摆动方式也会影响跑步的速度和方向。
比如说,在一些材料中,因为这个效应,电子的能量状态会发生变化。
原本清晰简单的能量分布,变得复杂多样起来。
这就好像原本整齐排列的书架,突然被打乱了,书的摆放位置变得难以捉摸。
那这个效应在实际中有啥用呢?比如说在半导体领域,它能影响材料的电学性质。
原本以为能轻松控制的电流,因为它的存在,变得不那么听话啦。
这是不是有点像你精心规划的旅行,结果因为天气突变,行程全乱了套?再比如在量子计算中,自旋轨道耦合效应也能发挥作用。
它就像一把神奇的钥匙,有可能打开通往更高效计算的大门。
而且啊,研究自旋轨道耦合效应对于理解一些基础的物理现象也至关重要。
这就好比要盖一座高楼,得先把地基打牢,而搞清楚这个效应,就是在为物理学的大厦打下坚实的基础。
你想想,如果我们能完全掌握这个效应,是不是就能像拥有超能力一样,操控电子的行为,创造出更多神奇的科技产品?总之,SOC 自旋轨道耦合效应虽然复杂,但它就像一个隐藏在微观世界的宝藏,等待着我们去挖掘和利用。
说不定未来的某一天,因为对它的深入研究,我们的生活将会发生翻天覆地的变化!这难道不让人期待吗?。
强关联材料中的自旋轨道耦合自旋轨道耦合是固体材料中的一个重要概念,特别是在强关联材料中。
它描述了自旋和电子轨道角动量之间的相互作用,对于解释许多固体材料的奇特性质具有重要意义。
本文将探讨强关联材料中的自旋轨道耦合。
1. 自旋和轨道角动量在固体材料中,电子既有自旋,也有轨道角动量。
自旋是电子的内禀属性,可用自旋量子数(up或down)来描述。
轨道角动量则是电子在其静电场中的运动而产生的。
自旋和轨道角动量都是电子的关键属性,而自旋轨道耦合描述的正是它们之间的相互作用。
2. 自旋轨道耦合的起因自旋轨道耦合的起因是电子在原子核产生多极静电场时的运动。
这个多极静电场会将电子的轨道角动量引向同一方向,从而与自旋产生耦合。
不同轨道角动量和自旋角动量之间的耦合强度取决于具体的材料和电子结构。
3. 自旋轨道耦合的效应自旋轨道耦合对固体材料的性质产生了广泛的影响。
它可以导致磁结构的变化、交叉耦合效应的出现,以及一系列在强关联材料中观察到的量子现象。
其中一个著名的例子是自旋轨道耦合导致的拓扑绝缘体的出现。
4. 在强关联材料中,自旋轨道耦合通常更加明显和重要。
这是因为强关联材料的电子结构具有更强的相互作用,导致了更复杂的自旋和轨道耦合效应。
这些耦合效应可以改变材料的电子输运性质、磁性质以及其他许多性质。
5. 自旋轨道耦合的研究方法研究自旋轨道耦合的方法主要包括实验观测和理论计算。
实验观测可以使用各种表征材料性质的技术,如X射线衍射、核磁共振等。
理论计算方面,量子化学计算和密度泛函理论是常用的方法之一,可以预测和解释材料中的自旋轨道耦合效应。
结论自旋轨道耦合在强关联材料中具有重要的作用,它是解释和理解固体材料中奇特性质的关键之一。
随着对自旋轨道耦合的深入研究,我们将不断发现更多新材料和现象,有望在能量转换、信息存储和量子计算等领域带来重大突破。
石墨烯自旋轨道耦合一、引言石墨烯是一种由碳原子构成的二维材料,具有优异的电学、光学和力学性质。
近年来,石墨烯的自旋轨道耦合引起了广泛关注。
自旋轨道耦合是指自旋和轨道运动之间的相互作用,可以影响到材料的电子结构和物理性质。
二、石墨烯的自旋轨道耦合机制1. 自旋-轨道相互作用自旋-轨道相互作用是指电子自旋与其运动轨道之间的相互作用。
在晶体中,由于晶格对电子运动造成了限制,使得电子运动具有一定方向性。
当电子在不同方向上运动时,其自旋也会发生改变。
这种改变会导致电子能量发生变化,从而影响到材料的物理性质。
2. 石墨烯中的自旋-轨道相互作用在石墨烯中,由于其二维结构和碳原子排列方式的特殊性质,导致其具有较强的自旋-轨道相互作用。
这种相互作用主要来源于碳原子的p 轨道。
由于石墨烯中的碳原子只有三个p轨道参与杂化,因此其自旋-轨道相互作用比其他材料更强。
3. 石墨烯的自旋-轨道耦合机制石墨烯的自旋-轨道耦合主要是通过电场效应和缺陷引起的。
当电场作用于石墨烯时,会使得电子自旋方向发生改变,从而影响到材料的物理性质。
而当存在缺陷时,缺陷周围的电子能量和自旋状态也会发生变化,从而引起自旋-轨道耦合。
三、石墨烯的自旋-轨道耦合效应1. 自旋霍尔效应由于石墨烯具有较强的自旋-轨道相互作用,在外加电场或者缺陷存在时,可以产生非零的自旋霍尔效应。
这种效应可以被用来实现自旋电子学器件。
2. 磁性在一定条件下,由于自旋-轨道相互作用,可以使得石墨烯表现出类似于铁磁性或反铁磁性的行为。
这种磁性可以被用来制备高性能的磁性材料。
3. 光学性质石墨烯的自旋-轨道耦合也可以影响到其光学性质。
例如,在外加电场作用下,可以通过改变电子自旋方向来调节材料的吸收谱线和荧光谱线。
4. 量子自旋霍尔效应最近的理论和实验研究表明,当石墨烯与其他材料结合时,可以产生量子自旋霍尔效应。
这种效应可以被用来实现新型的拓扑绝缘体。
四、总结石墨烯是一种具有优异物理和化学性质的二维材料。
自旋轨道耦合指的是原子或分子中电子自旋和轨道角动量的耦合现象。
在原子或分子中,电子可以被描述为轨道角动量L和自旋角动量S的和。
每个角动量的大小为:L = l(l + 1)h,S = s(s + 1)h,其中l和s 分别为轨道角动量和自旋角动量的矢量值,h为普朗克常数。
由于轨道角动量和自旋角动量的大小相同,因此它们之间可能会发生耦合。
自旋轨道耦合的结果是,电子的总角动量和总电子轨道子状态发生变化。
由于电子总角动量发生变化,原子或分子的能量也会发生变化。
一般来说,自旋轨道耦合使原子或分子的能量水平变得更低,因此自旋轨道耦合也被称为能量耦合。
强磁场中的自旋轨道耦合研究引言在物理学领域中,自旋轨道耦合是一种重要的物理现象。
它在强磁场中具有独特的行为,对于理解原子核、电子和凝聚态物理的性质至关重要。
本文将探讨强磁场中的自旋轨道耦合研究的重要性以及最新的研究进展。
自旋轨道耦合的基本概念自旋和轨道是两个能够描述粒子运动状态的基本概念。
自旋是粒子固有的角动量,而轨道则描述粒子的运动轨迹和动力学性质。
自旋轨道耦合则是将自旋和轨道相互作用的一种效应。
在常规条件下,自旋轨道耦合的效应非常微弱,很难观测。
然而,在强磁场中,自旋和轨道之间的相互作用被增强。
这种相互作用可以导致一系列新的物理现象,例如自旋磁矩的生成、电子自旋谐振子态等。
强磁场对自旋轨道耦合的影响在强磁场中,自旋轨道耦合受到强磁场的调控,其行为表现出显著的差异。
强磁场可以改变自旋轨道耦合的强度和特征,从而影响粒子的性质和行为。
研究人员通过在实验室中建立强磁场环境,使用高精度的实验仪器和测量技术,成功地研究了强磁场中的自旋轨道耦合效应。
他们观察到自旋轨道耦合导致的电子自旋的定向,以及自旋谐振子态的形成。
应用领域和前景自旋轨道耦合的研究对于现代物理学和材料科学具有重要意义。
它不仅为我们理解原子核和电子结构提供了新的方法和工具,还为新材料的设计和合成提供了新的思路和理论基础。
强磁场中的自旋轨道耦合研究也在量子计算和量子通信领域发挥重要作用。
通过调控自旋轨道耦合,研究人员可以实现更稳定、可控的量子态,为量子计算机和量子通信技术的发展提供支持。
结论强磁场中的自旋轨道耦合研究开辟了我们对物质世界的新认知。
通过在实验室中模拟和观察强磁场下的自旋轨道耦合行为,研究人员获得了对原子核、电子结构和凝聚态物理性质的更深入理解。
随着实验技术的不断发展和理论研究的深入,强磁场中自旋轨道耦合的研究将继续推动物理学和材料科学的前沿。
我们对自旋轨道耦合行为的认识和探索不仅丰富了我们对自然界的认识,还为科技创新提供了新的可能性。
ls耦合自旋轨道耦合引言在量子力学中,自旋是微观粒子的基本性质之一。
自旋轨道耦合描述了自旋(s)与轨道角动量(L)之间的相互作用,是量子系统中重要的物理现象。
本文将介绍ls耦合,即自旋轨道耦合的一种形式,包括其原理、数学表达和应用。
原理在量子力学中,自旋(s)和轨道角动量(L)分别是描述微观粒子自旋和运动轨道的量子数。
自旋与轨道角动量之间存在相互作用,即自旋轨道耦合。
这种相互作用导致了一系列重要的现象,如精细结构、朗德因子和塞曼效应等。
自旋轨道耦合算符自旋轨道耦合可以通过自旋轨道耦合算符进行描述。
该算符记作s·l,表示自旋与轨道角动量的矢量点积。
自旋轨道耦合算符的定义如下:s·l = (s x l x + s y l y + s z l z)其中,s x、s y、s z分别是自旋在x、y、z方向的分量,l x、l y、l z分别是轨道角动量在x、y、z方向的分量。
ls耦合哈密顿量自旋轨道耦合的相互作用可以通过哈密顿量进行描述。
在ls耦合下,哈密顿量的表达式如下:H = ξ(s·l)其中,ξ称为耦合常数,表示自旋轨道耦合的强度。
数学表达表达式推导我们可以通过对自旋轨道耦合算符进行运算,推导出ls耦合的数学表达式。
首先,将自旋轨道耦合算符可写为:s·l = (s x l x + s y l y + s z l z)接着,使用角动量算符对自旋和轨道角动量进行展开:s= √(s(s+1)) l= √(l(l+1))最后,将展开后的表达式带入自旋轨道耦合算符,得到ls耦合的数学表达式:s·l= √(s(s+1))√(l(l+1)) + s z l z量子数和选择定则ls耦合下,自旋和轨道角动量的大小是定值,分别由量子数(s、l)表示。
根据角动量加法规则可得自旋轨道耦合之后的总角动量(j)以及其大小。
在ls耦合下,由于自旋轨道耦合算符与角动量算符对易,即[s·l, J2] = 0,可以得到选择定则:Δl= 0, ±1 Δj= 0, ±1 Δs = 0其中,Δl、Δj和Δs分别表示轨道角动量、总角动量和自旋的变化。
探究自旋轨道耦合物质的光谱学特性及其在材料科学中的应用自旋轨道耦合是固体物理学中一个十分重要的概念,它已成为材料科学研究中一个热门的领域。
本文将从物理学的角度出发,探讨自旋轨道耦合物质的光谱学特性及其在材料科学中的应用。
1. 自旋轨道耦合的基本概念自旋轨道耦合是指自旋和轨道角动量之间的相互作用。
在重元素系统中,轨道角动量通常很大,而自旋角动量较小。
两者的耦合可以导致多种特殊的物理现象,比如磁各向异性、量子自旋霍尔效应等。
自旋轨道耦合可以通过哈密顿量来描述。
在自旋轨道耦合哈密顿量中,轨道角动量算符和自旋角动量算符通常表示为$L$和$S$,而自旋轨道耦合常数表示为$\lambda$。
在自旋轨道耦合哈密顿量中,可以同时考虑自旋和轨道角动量的$z$方向分量。
因此,自旋轨道耦合哈密顿量通常表示为:$$H_{\text{SO}} = \lambda\vec{L}\cdot\vec{S}$$在这个哈密顿量中,$\vec{L}\cdot\vec{S}$表示轨道角动量和自旋角动量的数量积。
2. 自旋轨道耦合物质的光谱学特性自旋轨道耦合物质的光谱学特性与其微观结构密切相关。
光谱学是研究物质与电磁辐射相互作用的学科,可以帮助人们了解物质的结构、性质和反应机制。
自旋轨道耦合物质在光学中表现出多种特殊的光谱学特性。
其中,最重要的特性是自旋–轨道耦合效应(spin-orbit coupling effect),它可以颠覆传统的物理理论。
自旋–轨道耦合效应可以导致能带分裂,形成双重对称性的能带图案。
自旋–轨道耦合效应在光谱学中的表现,通常包括光吸收光谱、圆二色性光谱和线偏振光谱。
其中,光吸收光谱是研究光谱学的一种常见方法,在自旋–轨道耦合物质中,光吸收光谱可以显示出双重对称性的能带结构。
圆二色性光谱可以用来研究物质的立体结构,其理论基础是旋光现象。
线偏振光谱可以用来研究光学各向异性,其基本原理是偏振光的分子取向的变化。
3. 自旋轨道耦合物质在材料科学中的应用自旋轨道耦合物质在材料科学中具有广泛的应用前景。
自旋一轨道耦合作用对共轭导电聚合物电子结构性质的影响
摘要:本章从理论上计算了Rashba自旋-轨道相互作用对有机聚合物电子结构性质的影响。
发现自旋-轨道相互作用使一维有机物中自旋沿方向的能带与自旋沿方向的能带发生劈裂(一维有机链沿方向,Rashba电场沿方向),这个劈裂不同于塞曼效应导致的能级劈裂,它并不消除自旋兼并;并使有机物聚合物的能带变宽、带隙变小,但由于有机物中自旋-轨道相互作用比较弱,变化并不明显。
关键词:自旋-轨道耦合作用一维有机聚合物电子结构性质引言
自从巨磁电阻(GMR,Giant magnetores istance)现象发现以来,自旋电子学已成为凝聚态物理和微电子学中一个快速增长的领域。
自旋电子学基于磁学和微电子学,它是研究电子自旋的注入、输运、控制、探测等一门全新的学科。
1990年,Datta和Das提出了自旋场效应管(FET field-effect transistor)的设想,利用外加电场通过Rashba自旋-轨道耦合作用来有效的控制电子的自旋进动[1]。
从此自旋-轨道相互作用成为半导体自旋电子学中的研究热点。
Rashba自旋-轨道耦合作用在二维电子气中有大量的理论研究,实验上也实现了利用外加电场来控制Rashba作用的强度。
自旋-轨道耦合作用在一维量子线系统中也有研究。
Rashba自旋-轨道相互作用对于准一维电子气系统的能带结构、电子波函数、自旋角速度与线速度以及电导都会产生一
定的影响。
有机聚合物中的自旋-轨道耦合作用比较微弱,在以前的研究中很少提到,但在实际情况下,自旋-轨道耦合作用的影响是确实存在的。
本章我们针对顺式聚乙炔系统,在SSH模型的基础上,研究自旋-轨道耦合作用对有机共轭聚合物电子结构性质的影响。
1 模型和公式
通过傅立叶变换可以得到电子能谱:
其中表示自旋-轨道耦合作用的大小,是晶格常数,为格点等距离排列时最近邻格点的电子跃迁积分,是电声耦合常数,是发生二聚化后格点(CH基团)相对于等距离排列时的位置偏离。
一维有机聚合物自旋沿方向的能带与自旋沿方向的能带在方向发生了劈裂(一维有机聚合物沿方向,Rashba电场沿方向)。
这个劈裂不同于塞曼效应导致的能级劈裂,它并不消除自旋兼并。
自旋-轨道相互作用使一维有机物系统的能带变宽,带隙变窄,但由于有机物中的自旋-轨道耦合作用比较弱,整个能带结构的变化并不明显。
有机聚合物中的载流子,如极化子、双极化子,其电荷密度与晶格位形也没有发生明显的变化。
3 一维共轭导电聚合物的电子波函数
我们研究一下自旋-轨道相互作用使有机聚合物系统波函数发生的变化。
具体计算中,取格点数,系统对应100条能级,每条能级是两两兼并的,即有200个波函数(Φμ,μ=1,2,3……200),每两个波函数对应一条能级。
参考文献
[1] S.Datta and B.Das,Appl.Phys. Lett.56,665(1990).
[2] A.J.Heeger,S.Kivelson,J.R.Schrieffer,and W.P.Su,Rev.Mod.Phys.60,781(1988).。