1 第1章 电路模型和电路定律
三、单项选择题
1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（ B ）
A、一定为正值 B、一定为负值 C、不能肯定是正值或负值
2、已知空间有a、b两点，电压Uab=10V，a点电位为Va=4V，则b点电位Vb为（ B ）
A、6V B、－6V C、14V
3、当电阻R上的u、i参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为（ B ）
A、Riu B、Riu C、
iRu
4、一电阻R上u、i参考方向不一致，令u=－10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（ A ）
A、200Ω B、－200Ω C、±200Ω
5、两个电阻串联，R1：R2=1：2，总电压为60V，则U1的大小为（ B ）
A、10V B、20V C、30V
6、电阻是（ C ）元件，电感是（ B ）的元件，电容是（ A ）的元件。
A、储存电场能量 B、储存磁场能量 C、耗能
7、理想电压源和理想电流源间（ B ）
A、有等效变换关系 B、没有等效变换关系 C、有条件下的等效关系
8、当恒流源开路时，该恒流源内部（ B ）
A、有电流，有功率损耗 B、无电流，无功率损耗 C、有电流，无功率损耗
9、图示电路中5V电压源发出的功率P等于（ A ）
A）15W B）－15W
C）30W D）－30W
五、计算分析题
1、图1.1所示电路，已知U=3V，求R。（2Ω）
2、图1.2所示电路，已知US＝3V，IS＝2A，求UAB和I。（3V、5A）
3、图1.3所示电路，负载电阻RL可以任意改变，问RL等于多大时其上可获得最大功率，1mA 2KΩ + 10V － 4KΩ ＋
1 中篇 模拟电子技术基础
第五章 半导体二极管、晶体管和场效应管
一、填空题
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。
2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区和 集电 区，有 发射 结和 集电 结及向外引出的三个铝电极。
3、PN结正向偏置时，内、外电场方向 相反 ，PN结反向偏置时，内、外电场方向 相同 。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为 死 区、 正向导通 区、 反向截止 区和
反向击穿 区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。
6、双极型三极管简称晶体管，属于 电流 控制型器件，单极型三极管称为
MOS管，属于 电压 控制型器件。MOS管只有 多数 载流子构成导通电流。
7、场效应管是利用外加电压产生的 电场 来控制漏极电流的大小的。
二、判断正误
1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。 （ × ）
2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。 （ × ）
3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10K档位。 （ × ）
4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。 （ × ）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （ × ）
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半导体器件物理复习题
三． P-N结：
概念题：
1. 什么是均匀掺杂P-N结？
半导体的一个区域均匀掺杂了受主杂质，而相邻的区域均匀掺杂了施主杂质。值得注意这种结称谓同质结。
2. 冶金结？
P-N结交接面称谓冶金结。
3. 空间电荷区或称耗尽区？
冶金结的两边的P区和N区，由于存在载流子浓度梯度而形成了空间电荷区或耗尽区。该区内不存在任何可移动的电子或空穴。N区内的空间电荷区由于存在着施主电离杂质而带正电，P区内的空间电荷区由于存在着受主电离杂质而带负电。
4. 空间电荷区的内建电场？
空间电荷区的内建电场方向由N型空间电荷区指向P型空间电荷区。
5. 空间电荷区的内建电势差？
空间电荷区两端的内建电势差维持着热平衡状态，阻止着N区的多子电子向P区扩散的同时，也阻止着P区的多子空穴向N区扩散。
6. P-N的反偏状态？
P-N结外加电压（N区相对于P区为正，也即N区的电位高于P 2
区的电位）时，称P-N结处于反偏状态。外加反偏电压时，会增加P-N的势垒高度，也会增大空间电荷区的宽度，并且增大了空间电荷区的电场。
7. 理解P-N结的势垒电容？
随着反偏电压的改变，耗尽区中的电荷数量也会改变，随电压改变的电荷量可以用P-N结的势垒电容描述。
8.何谓P-N结正偏？并叙述P-N结外加正偏电压时，会出现何种情况？
9.单边突变结？
冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的P-N结。
10.空间电荷区的宽度？
从冶金结延伸到N区的距离与延伸到P区的距离之和。
练习题：
11.画出零偏与反偏状态下，P-N结的能带图。根据能带图写出内建电势的表达式。
12.导出单边突变结空间电荷区内电场的表达式，并根据导出的表达式描述最大电场的表达式，解释反偏电压时空间电荷区的参数如势垒电容，空间电荷区宽度，电场强度如何随反偏电压变化。
13.若固定ND=1015cm-3,分别计算（1）NA=1015cm-3；（2）NA=1016cm-3；
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半导体器件物理复习题
一． 平衡半导体：
概念题：
1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）
所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。
2. 本征半导体：
本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
3. 受主（杂质）原子：
形成P型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。
4. 施主（杂质）原子：
形成N型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。
5. 杂质补偿半导体：
半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
6. 兼并半导体：
对N型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度，
费米能级高于导带底（0FcEE）；对P型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶（0FvEE）。 2
7. 有效状态密度：
在导带能量范围（~cE）内，对导带量子态密度函数3/2*342nccmgEEEh与电子玻尔兹曼分布函数expFFEEfEkT的乘积进行积分（即3/2*0342expcnFcEmEEnEEdEhkT）得到的3*2222ncmkTNh称谓导带中电子的有效状态密度。
在价带能量范围（~vE）内，对价带量子态密度函数3/2*342pvvmgEEEh与空穴玻尔兹曼函数expFFEEfEkT的乘积进行积分（即3/2*0342expvEpFvmEEpEEdEhkT）得到的3*2222pvmkTNh称谓价带空穴的有效状态密度。
8. 以导带底能量cE为参考，导带中的平衡电子浓度：
