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2011电子课程设计一、教学目标本课程的教学目标是使学生掌握2011电子课程的基本知识和技能，能够运用所学知识进行电子电路的设计和分析。
具体目标如下：1.知识目标：学生能够了解电子元件的基本原理和特性，掌握基本电子电路的设计方法，了解电子技术在实际应用中的重要作用。
2.技能目标：学生能够熟练使用电子仪器和设备，进行电子电路的测试和调试，具备一定的电子电路设计和创新能力。
3.情感态度价值观目标：学生能够认识到电子技术在现代社会中的重要性，培养对电子技术的兴趣和热情，树立正确的科学态度和创新精神。
二、教学内容本课程的教学内容主要包括电子元件、电子电路和电子技术应用三个方面。
具体内容包括：1.电子元件：电阻、电容、电感、二极管、三极管等基本电子元件的原理和特性。
2.电子电路：放大电路、滤波电路、整流电路、振荡电路等基本电子电路的设计和分析。
3.电子技术应用：数字电路、模拟电路、通信电路等电子技术在实际应用中的案例分析。
三、教学方法为了达到上述教学目标，我们将采用以下教学方法：1.讲授法：通过教师的讲解，使学生掌握电子元件的基本原理和特性，理解电子电路的设计方法。
2.讨论法：通过分组讨论，激发学生的思考，培养学生的创新能力和团队合作精神。
3.案例分析法：通过分析实际应用案例，使学生了解电子技术在实际中的应用，提高学生的实践能力。
4.实验法：通过动手实验，使学生熟练掌握电子仪器和设备的使用，培养学生的实验技能和动手能力。
四、教学资源为了支持本课程的教学内容和教学方法的实施，我们将准备以下教学资源：1.教材：选用合适的电子技术教材，为学生提供系统的理论知识学习。
2.参考书：提供相关的电子技术参考书籍，丰富学生的知识储备。
3.多媒体资料：制作课件、演示文稿等多媒体资料，增强课堂教学的趣味性和生动性。
4.实验设备：准备电子实验仪器和设备，为学生提供实践操作的机会。
五、教学评估本课程的评估方式将包括平时表现、作业和考试三个部分，以全面客观地评估学生的学习成果。
2011年《大规模集成电路分析与设计》复习提纲一、填空题。
（每空3 分，共36分） 二、简答题（每小题10分，共40分）三、四，问答题或计算题（共计24分，（每小题6分，共12分））红色部分为本课程必须掌握的基本内容。
第一章 绪论略。
第2章MOSFET 的工作原理及器件模型分析重点内容：＊ CMOS 模拟集成电路设计分析的最基本最重要的知识：MOS 器件的三个区域的判断，并且对应于各个区域的I D 表达式，和跨导的定义及表达式。
＊ 定性分析栅源与栅漏电压对沟道电荷的影响，并能画出N 沟道增强型MOSFET 的各种情况下的横截面图。
＊ 体效应的概念，体效应产生的原因，及体效应系数γ。
＊ 沟道调制效应的概念，沟长调制效应产生的原因，沟道电阻DoI r λ1=，λ与沟道长度成反比。
＊ 以NMOS 为例来分析阈值电压产生的原理，并画出V GS =0，0<V GS <V TH 以及V GS >V TH 的NMOS 沟道电荷的示意图。
＊ MOS 管完整的小信号模型。
MOSFET 的I-V 特性1. THGS V V <,MOS 管截止2.TH GS V V ≥,MOS 管导通a.TH G S D SV V V -<,MOS 管工作在三极管区;⎥⎦⎤⎢⎣⎡--=221)(DS DS TH GS oxn D V V V V LWC I μ 当)(2TH G SD SV V V -<<时,MOS 工作于深Triode 区,此时DS TH GS ox n D V V V L WC I )(-≈μ,DSD V I ~为直线关系.导通电阻:)(1TH GS ox n DDS on V V LW C I V R -=∂∂=μ b.TH G S D SV V V -≥,MOS 管工作在饱和区;2)(21TH GS ox n D V V LWC I -=μ跨导g m ：是指在一定的V DS 下，I D 对V GS 的变化率。
