当前位置：文档之家 › 晶体管资料

晶体管资料

  • 格式：pdf
  • 大小：109.20 KB
  • 文档页数：16

下载文档原格式

  / 16

合集下载

晶体管培训资料

晶体管培训资料
详细描述
电阻器是一种被动元件，它通过限制电流的流动来改变电压 。晶体管则是一种主动元件，它可以通过放大或开关合电流 来控制电流的流动。
晶体管与二极管
总结词
二极管是单向导电的元件，而晶体管可以放大、开关合和双向导通电流。
详细描述
二极管只允许电流在一个方向上流动，而晶体管可以在没有电阻的情况下双 向导通电流。此外，晶体管还可以放大和开关合电流，而二极管只能单向导 电。
晶体管电路的优化方法
电路优化原则
了解电路优化的一般原则，包 括提高性能指标、降低成本、
减小体积等。
元器件选型优化
选用适当的元器件，如高质量的 电阻电容、低噪声的晶体管等， 提高电路的整体性能。
电路设计优化
通过改进电路拓扑结构、优化元件 布局、选择合适的电源等措施，减 小电路的误差、提高电路性能和可 靠性。
晶体管种类
双极型晶体管
由三极或四极组成，具有高放 大倍数、高速放大倍数和低噪 声等优点，广泛用于信号放大
和开关电路中。
场效应管
通过电场作用实现信号放大和开 关，具有低噪声、高输入阻抗等 优点，适用于高速、低噪声电路 中。
晶闸管
一种大功率控制器件，具有导通、 关断和触发等作用，常用于交流开 关电源、电机控制等大功率应用场 景中。
06
实践案例：晶体管电路设计技巧
晶体管电路设计基本原则
掌握电路设计基本原理
了解电路的基本组成、电流电压关系、欧姆定律、基尔霍夫定律等基本电学知识。
熟悉晶体管特性
了解晶体管的静态和动态特性，包括极间电容、放大倍数、频率响应等，以便合理选择晶体管。
掌握信号流程和干扰控制
理解信号的基本流程，包括输入、放大、输出，以及如何控制干扰，提高电路的信噪比。

晶体管的高频参数与等效电路资料

晶体管的高频参数与等效电路资料

Tr2 4 yL
3
5
Tr1
T
3
5
L
2 1
4
C
yL
四
Tr2
版
） 张 肃
Rb2
Cb
Re
Ce
文
主
编
因为放大器由信号源、晶体管、并联振荡回路和负载阻抗
高 等 教
并联组成，采用导纳分析比较方便，为此, 纳）参数等效电路。
引入晶体管的y（导
育
出
版
社
设输入电压 V1和输出电压 V2为自变量
I1 yiV1 yrV2
fβ
02 1
0
0 / 2
）
1
张 肃
通常0 1,
fT 0 fβ。
文
f
fβ
fT
主
编 当f fβ时,
高 等 教
0
fT fβ fT
1
f f
2
f fβ
f
β截止频率和 特征频率
即 f fT
育
出 版
可以粗略计算在某工作频率f >> fβ的电流放大系数。
社
《
高
频
电
子 线
3.
最高振荡频率fmax
线
路
c
》
（
第
rcc
四
版 ）b 张
Cb'c rbb'
rb'c b' rce
gm vb‘e
肃
Cb'e
rb'e
文
主
ree
编
高
e
等 教
图 混合π等效电路
育 出
优点： 各个元件在很宽的频率范围内都保持常数。

(整理)常用晶体管3极管资料大全91883

(整理)常用晶体管3极管资料大全91883
*
*
NPN
2SC1573A
250V
0.07A
0.6W
*
*
NPN
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SA1309A
25V
0.1A
0.3W
*
*
PNP
2SD1544
1500V
3.5A
40W
*
*
NPN
2SD802
900V
6A
50W
*
*
NPN
2SC2717
35V
0.8A
7.5W
5A
100W
*
*
NPN
2SD973
30V
1A
1W
*
*
NPN
2SC2923
300V
0.2A
15W
*
*
NPN
2SC2653H
250V
0.2A
15W
*
*
NPN
2SC2377C
30V
0.15A
0.2W
*
*
NPN
2SC1685Q
30V
0.1A
0.25W
*
*
NPN
2SC1573A
250V
0.07A
0.6W
*
*
NPN
1500V
3.5A
80W
*
*
NPN
2SD2057
1500V
5A
100W
*
*
NPN
2SD2027
1500V
5A
50W
*

常用晶体管参数大全查询

常用晶体管参数大全查询

常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。

它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。

以下是一些常用晶体管参数的详细说明。

1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。

NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。

2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。

超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。

3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。

超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。

4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。

超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。

5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。

hFE的值越高，晶体管放大能力越强。

6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。

通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。

7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。

饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。

8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。

输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。

9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。

输出电容越小，晶体管的输出速度越快。

10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。

射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。

11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。

这是指晶体管可以正常工作的最高频率。

12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。

噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。

以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。

常用晶体管参数查询

常用晶体管参数查询

常用晶体管参数查询晶体管是一种用于放大、开关和调整电信号的电子元件，广泛应用于电子设备和通信系统中。

晶体管的各种参数对其性能影响很大，因此对于设计和选择晶体管的工程师来说，了解和查询常用晶体管参数非常重要。

下面将介绍几个常用的晶体管参数。

1. 最大工作频率（fmax）：晶体管可以工作的最高频率。

这个参数对于高频通信和雷达应用非常重要，通常以GHz为单位。

2. 最大功率（Pmax）：晶体管能够承受的最大功率。

这个参数通常以瓦特（W）为单位，并且与晶体管的封装和散热系统有关。

3.最大工作电压（VCEO）：晶体管可以承受的最大集电极至发射极电压。

这个参数对于功率放大应用非常重要。

4. 最大工作电流（ICmax）：晶体管可以承受的最大集电极电流。

这个参数对于功率放大和开关应用非常重要。

5. 饱和压降（VCEsat）：晶体管在饱和状态下的集电极至发射极压降。

这个参数对于开关应用和数字逻辑电路非常重要。

6. 放大倍数（hfe或β）：晶体管的放大倍数，即集电极电流与基极电流的比值。

这个参数对于放大应用非常重要。

7. 输入电阻（Rin）：晶体管输入电阻，即基极电阻。

这个参数对于信号输入和电路匹配非常重要。

8. 输出电阻（Rout）：晶体管输出电阻，即集电极电阻。

这个参数对于信号输出和电路匹配非常重要。

9.噪声系数（NF）：晶体管的噪声性能，表示增益下降的程度。

这个参数对于接收机和低噪声放大器应用非常重要。

10.温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率。

这个参数对于在高温环境下的应用非常重要。

A1015中文资料参数

A1015中文资料参数

A1015中文资料参数
1.通用晶体管参数：
-封装类型：TO-92
-最大耗散功率：0.625W
-最大击穿电压：-50V
-最大集电极电流：0.15A
-最大集电极功率：0.15W
-最大集电极-基极电压：-100V
-最大集电极-发射极电压：-10V
-最大发射极电流：0.05A
-最大发射极功率：0.15W
-最大发射极-基极电压：-5V
-最大温度系数：-2mV/℃
2.A1015的特性：
-高电压能力：由于其最大击穿电压为-50V，可以在各种电路中承受较高的电压。

-高电流放大倍数：A1015的电流放大倍数一般在60至120之间，是一种常用的中功率晶体管。

-低噪音性能：A1015的噪音系数较低，常用于需要低噪音放大的应用。

3.应用领域：
-音频放大器：由于其高电流放大倍数和低噪音性能，A1015适用于
音频放大器电路，可以提供清晰的音频输出。

-开关电路：A1015可以作为开关管，用于控制电路的开关操作。

-电源稳压器：A1015可以在电源稳压器中使用，以稳定和调整电源
输出电压。

-驱动器电路：A1015可以用于驱动继电器、电机和其他电子设备。

总结：
A1015是一款常用的NPN型硅中功率通用晶体管。

它具有高电压能力、高电流放大倍数和低噪音性能。

A1015被广泛应用于音频放大器、开关电路、电源稳压器以及驱动器电路等领域。

通过使用A1015，可以实现各种
电子设备和电路的可靠性能。

晶体管资料

leixing changjia h1l1h1l2h1l3h1l4h1l5h1l6h1l71SS101日电Vr(V)70Vf(V)000.41If=1mA1SS106日立Vr(V)10If(mA) 4.500Vf=1V1SS108日立Vr(V)30If(mA)300Vf=1V1SS110日立Vr(V)35Ir(μA)000.1Vr=25V 1SS135罗姆Vr(V)35Vf(V)001If=10mA 1SS151日立Vr(V)3Vr(V)*300Ir=1mA1SS153日电Vr(V)35Vf(V)00 1.1If=100mA 1SS154东芝Vr(V)6Ir(μA)000.5Vr=5V1SS16日电Vrrm(V)5If(mA)3000Vf=0.5V 1SS165日立Vr(V)10Ir(μA)0010Vr=10V 1SS166日立Vr(V)10Ir(μA)0010Vr=10V 1SS168日立Vr(V)35Ir(μA)000.1Vr=25V 1SS198日立Vr(V)10If(mA) 4.500Vf=1V1SS199日立Vr(V)30If(mA)300Vf=1V1SS237日电Vr(V)10Vf(V)0.3300.45If=1mA1SS237(1)日电Vr(V)10Vf(V)0.4800.6If=10mA 1SS239东芝Vr(V)6Ir(μA)000.5Vr=5V1SS241东芝Vr(V)30Ir(μA)000.1Vr=15V 1SS242东芝Vrrm(V)0Vf(V)00.250If=2mA1SS265罗姆Vr(V)35Vf(V)001If=10mA 1SS268东芝Vr(V)30Vf(V)000.85If=2mA1SS269东芝Vr(V)30Vf(V)000.85If=2mA1SS271东芝Vr(V)6Ir(μA)000.5Vr=5V1SS276日立Vr(V)3Ir(μA)0050Vr=0.5V 1SS277日立Vr(V)35Ir(μA)0010Vr=25V 1SS279日电Vr(V)35Vf(V)00 1.1If=100mA 1SS281(1)日电Vr(V)10Vf(V)000.55If=10mA 1SS282日电Vr(V)5Vf1(V)000.34If=1mA1SS283日电Vrrm(V)5Vf(V)000.23If=1mA1SS285日电Vr(V)70Vf(V)000.41If=1mA1SS286日立Vr(V)25Vf(V)000.6If=10mA 1SS295东芝Vr(V)4Vf(V)00.250.32If=2mA1SS312东芝Vr(V)30Vf(V)000.85If=2mA1SS313东芝Vr(V)30Vf(V)000.85If=2mA1SS314东芝Vr(V)30Vf(V)000.85If=2mA1SS315东芝Vrrm(V)5Vf(V)00.250If=2mA1SS317日电Io(mA)100Ir(nA)00.550Vr=30V 1SS318罗姆Vr(V)35Vf(V)00.841If=10mA 1SS345三洋Vr(V)-55Vf(V)000.35If=1mA1SS350三洋Vrm(V)-5Vf(V)000.23If=1mA1SS351三洋Vrm(V)-5Vf(V)000.23If=1mA1SS356罗姆Vr(V)35Vf(V)001If=10mA 1SS358三洋Vr(V)55Vf(V)000.35If=1mA1SS364东芝Vr(V)30Ir(μA)000.1Vr=15V 1SS365三洋Vrm(V)10Vf(V)0.3500.42If=1mA1SS366三洋Vrm(V)10Vf(V)0.3500.42If=1mA1SS371东芝Vr(V)30Vf(V)000.85If=2mA1SS375三洋Vr(V)10Vf1(mV)3500420If=1mA1SS85日立Vr(V)35Ir(μA)000.1Vr=25V 1SS86日立Vr(V)3Ir(μA)0050Vr=0.5V 1SS87日立Vr(V)3Ir(μA)0010Vr=2V1SS88日立Vr(V)10Ir(μA)0010Vr=10V 1SS97日电Vr(V)10Vf1(V)000If=1mA1SS97(2)日电Vr(V)30Vf1(V)000.41If=1mA1SS98日电Vr(V)5Vf1(V)000.34If=1mA 1SS99日电Vrrm(V)5Vf(V)000.231f=1mAh2l1h2l2h2l3h2l4h2l5h2l6h2l7h3l1h3l2If(mA)15If(mA)1500Vf=1.0V P(mW)150 Io(mA)30Ir(μA)0070Vr=6V Tj(℃)125 Io(mA)15Ir(μA)00100Vr=10V Tj(℃)125 If(mA)100Vf(V)001If=10mA P(mW)*150 Io(mA)100Ir(nA)00100Vr=20V P(mW)150 Io(mA)30If(mA)3500Vf=0.5V Pd(mW)150 Vrrm(V)35Vr(V)3500Ir=1μA Io(mA)100 If(mA)30Vf1(V)000.35If=0.1mA Tj(℃)125 Io(mA)30Ir(μA)0025Vr=0.5V0 Io(mA)15Vf1(mV)3650435If=1mA P(mW)150 Io(mA)15Vf1(mV)3650435If=1mA P(mW)150 If(mA)100Vf(V)001If=10mA P(mW)*100 Io(mA)30Ir(μA)0070Vr=6V Tj(℃)125 Io(mA)15Ir(μA)00100Vr=10V Tj(℃)125 If(mA)35If(mA)3500Vf=1.0V P(mW)250 If(mA)35Ir(nA)00100Vr=5.0V P(mW)250 If(mA)30Vf1(V)00.30If=0.1mA Tj(℃)125 If(mA)100Vf(V)000.85If=2mA Tj(℃)125 If(mA)30If(mA)3000Vf=0.5V Tj(℃)125 Io(mA)100Ir(nA)00100Vr=20V P(mW)150 If(mA)50Ir(μA)000.1Vr=15V Tj(℃)125 If(mA)50Ir(μA)000.1Vr=15V Tj(℃)125 If(mA)30Vf1(V)00.30If=0.1mA Tj(℃)125 Io(mA)30If(mA)3500Vf=0.5V P(mW)150 If(mA)100Vf(V)001If=10mA P(mW)100 Io(mA)100Vr(V)3500Ir=1μA P(mW)200 If(mA)35Vr(V)1000Ir=10μA P(mW)200 If(mA)50Vf2(V)000.45If=10mA P(mW)200 If(mA)30If(mA)3000Vf=0.5V P(mW)200 If(mA)15If(mA)1500Vf=1.0V P(mW)200 If(mA)35C(pF)00 1.2Vr=0, f=1MHzPd(mW)150 If(mA)30If(mA)3000Vf=0.5V Tj(℃)125 If(mA)50Ir(μA)000.1Vr=15V Tj(℃)125 If(mA)50Ir(μA)000.1Vr=15V Tj(℃)125 If(mA)100Ir(μA)000.1Vr=15V Tj(℃)125 If(mA)30If(mA)3000Vf=0.5V Tj(℃)125 Vr(V)35Vf(V)00 1.1If=100mA Pd(mW)150 If(mA)100Ir(nA)00.510Vr=25V Tj(℃)125 If(mA)10If(mA)1000Vf=1V P(mW)150 If(mA)30If(mA)3000Vf=0.5V Tj(℃)125 If(mA)30If(mA)3000Vf=0.5V Tj(℃)125 If(mA)100Ir(nA)0010Vr=25V Tj(℃)125 If(mA)10If(mA)1000Vf=1.0V P(mW)150 If(mA)50Vf(V)000.85If=2mA Tj(℃)125 If(mA)35If(mA)3500Vf=1.0V Tj(℃)125 If(mA)35If(mA)3500Vf=1.0V Tj(℃)125 If(mA)100Ir(μA)000.1Vr=15V Tj(℃)125 If(mA)35Vf2(mV)4800580If=10mA Tj(℃)125 If(mA)100Vf(V)001If=10mA P(mW)*150 Io(mA)30IF(mA)800Vf=0.5V P(mW)150 Io(mA)15If(mA)300Vf=0.5V P(mW)150 Io(mA)15Vf1(mV)3650435If=1mA P(mW)150 If(mA)35Vf2(V)0.4600.55If=10mA P(mW)150 If(mA)35Vf2(V)000If=10mA P(mW)150If(mA)50Vf2(V)000.45If=10mA P(mW)150 If(mA)30If(mA)3000Vf=0.5V P(mW)150h3l3h3l4h3l5h3l6h3l7h4l1h4l2h4l3h4l4Ir(nA)00200Vr=50V Tj(℃)175Ct(pF)0 C(pF)00 1.5Vr=1V, f=1MH0η(%)70 C(pF)003Vr=1V, f=1MH0η(%)70 Ct(pF)00 1.2Vr=6V, f=1MH0Γf(Ω)0Tj(℃)150Γf(Ω)0 Ct(pF)00 1.3Vr=6V, f=1MHIr(μA)0050Vr=0.5V Tj(℃)100C(pF)0 Ct(pF)0 1.3 1.8Vr=15V, f=1MP(mW)150Γs(Ω)0 Vf2(V)00.50If=10mA0Ct(pF)0 Ct(pF)000.9Vr=0.2V,f=1M0NF(dB)0 Vf2(mV)5200600If=10mA Tj(℃)100Ct(pF)0 Vf2(mV)5200600If=10mA Tj(℃)100Ct(pF)0 Ct(pF)00 1.1Vr=6V, f=1MH0Γf(Ω)0 C(pF)00 1.5Vr=1V,f=1MH0η(%)70 C(pF)003Vr=1V, f=1MH0η(%)70Tj(℃)175NF(dB)0 Ct(pF)00.81Vr=0, f=1MHzTj(℃)175NF(dB)0 Ct(pF)00.81Vr=0, f=1MHzVf2(V)0.420.470.52If=10mA0Ct(pF)0 Ct(pF)00.8 1.2Vr=6V, f=1MH0Γs(Ω)0 Ir(μA)0025Vr=0.5V0Ct(pF)0 Ct(pF)00 1.5Vr=10V, f=1MTj(℃)150Γf(Ω)0 Ct(pF)00.8 1.2Vr=6V, f=1MH0Γs(Ω)0 Ct(pF)00.8 1.2Vr=6V, f=1MH0Γs(Ω)0 Vf2(V)0.420.50.55If=10mA0Ct(pF)0Tj(℃)1250 Ct(pF)000.8Vr=0.5V, f=1MCt(pF)00 1.2Vr=6V, f=1MH0Γf(Ω)0 Ct(pF)00.81Vr=15V, f=1M0Γs(Ω)0Tj(℃)1250 Ct(pF)001Vr=0, f=1MHzIr(nA)00500Vr=1V0Ct(pF)0 Ir(μA)0025Vr=0.5V0Ct(pF)0 Ir(nA)00200Vr=50V0Ct(pF)0Tj(℃)100△Vf(mV)0△C(pF)000.1Vr=0, f=1MHzIr(μA)0025Vr=0.5V0Ct(pF)0 Ct(pF)00.8 1.2Vr=6V, f=1MH0Γs(Ω)0 Ct(pF)00.8 1.2Vr=6V, f=1MH0Γs(Ω)0 Ct(pF)00.7 1.2Vr=6V, f=1MH0Γs(Ω)0 Ir(μA)0025Vr=0.5V0Ct(pF)0 Ct(pF)0 1.1 1.5Vr=12V, f=1M0Γs(Ω)0 Ct(pF)00.94 1.2Vr=6V, f=1MH0Γf(Ω)0 Ir(μA)00-50Vr=-40V Tj(℃)125C(pF)0 Ir(μA)00-25Vr=-0.5V0C(pF)0 Ir(μA)00-25Vr=-0.5V0C(pF)0 Ct(pF)00 1.2Vr=6V, f=1MH0Γf(Ω)0 Ir(μA)0050Vr=40V Tj(℃)125C(pF)0 Ct(pF)00.85 1.2Vr=6V, f=1MH0Γs(Ω)0 Ir(μA)0010Vr=10V0C(pF)0 Ir(μA)0010Vr=10V0C(pF)0 Ct(pF)00.7 1.2Vr=6V, f=1MH0Γs(Ω)0△Vf(mV)0010If=10mA0C(pF)0 Ct(pF)00 1.2Vr=6V, f=1MH0Γf(Ω)0Tj(℃)1000 Ct(pF)000.85Vr=0.5V, f=1MCt(pF)000.85Vr=0.5V, f=1Tj(℃)1000 Vf2(mV)5200600If=10mA Tj(℃)100Ct(pF)0 If(mA)000Vf=1V Tj(℃)175Ct(pF)0 If(mA)3500Vf=1V Tj(℃)175Ct(pF)0Ir(nA)00500Vr=1V Tj(℃)175Ct(pF)0 Ir(μA)0025Vr=0.5V Tj(℃)175Ct(pF)0h4l5h4l6h4l7h5l1h5l2h5l3h5l4h5l5h5l6 02Vr=0, f=1MHz0000 00Vin=2Vrms, f0000 00Vin=2Vrms, f000000.9If=2mA, f=10000000.6If=10mA, f=100000 1.2Vr=0.5V, f=1M00000.50.6If=2mA, f=1000000.80Vr=0, f=1MHz00009.510.5LO=855MHz,000001Vr=0, f=1MHz00000 1.2Vr=0, f=1MHz000000.9If=2mA, f=10000000Vin=2Vrms, f0000 00Vin=2Vrms, f0000 012.5f=855MHz, If=0000 012.5f=855MHz, If=00000.80Vr=0, f=1MHz00000.60.9If=2mA, f=1000000.60Vr=0.2V, f=1M000000.6If=10mA, f=100000.60.9If=2mA, f=1000000.60.9If=2mA, f=1000000.81Vr=0, f=1MHz000000000000.5If=2mA, f=1000000.61If=10mA, f=10000000000 01Vr=0, f=1MHz000000.9Vr=0.2V, f=1M000002Vr=0, f=1MHz0000 010If=10mA00000.60.9Vr=0.2V, f=1M00000.60.9If=2mA, f=1000000.60.9If=2mA, f=1000000.50.9If=2mA, f=1000000.60Vr=0.2V, f=1M00000.50.6If=2mA, f=1000000.70.9If=2mA, f=1000000.450Vr=-10V, f=1M00000.690.9Vr=-0.2V, f=100000.690.9Vr=-0.2V, f=1000000.9If=2mA, f=1000000.450Vr=10V, f=1M00000.60.9If=2mA, f=10000000.85Vr=0, f=1MHz000000.85Vr=0, f=1MHz00000.50.9If=2mA, f=10000000.85Vr=0, f=1MHz000000.9If=2mA, f=100000000000 00000000.97Vr=0, f=1MHz000001Vr=0, f=1MHz0000 01Vr=0, f=1MHz000001Vr=0, f=1MHz0000 00.9Vr=0.2V, f=1M0000h5l7h6l1h6l2h6l3h6l4h6l5h6l6h7l1h7l20000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000 0000h7l3h7l4h7l5h7l6h7l7jiexiantu0007-330007-330007-330007-320007-320007-320007-380007-340007-320007-320007-320007-320007-320007-320007-320007-320007-350007-350007-350007-320007-500007-510007-360007-330007-330007-350007-350007-350007-350007-350007-320007-360007-500007-510007-370007-370007-370007-370007-380007-380007-360007-370007-360007-500007-380007-360007-370007-360007-320007-320007-320007-320007-320007-320007-33 0007-33。

晶体管的开关特性资料

(1) 晶体三极管由截止状态过渡到饱和状态的过程。
可分为发射结由反偏至正偏和集电极电流形成两个阶段。
1
2
3
4
5
x=0
x=w
N
P
N
QBS
nb(x)
pc(x)
QCS
pe(x)
图3-1-14 晶体三极管基区少子 浓度分布曲线
发射结变为正偏，并逐渐形成集电极电流所需的时间，即为延迟时间td，其长短取决于晶体三极管的结构和电路工作条件。三极管结电容越小， td越短；三极管截止时反偏越大，td越长；正向驱动电流越大，td越短。
发射结正偏后，集电极电流iC不断上升，达到0.9ICS所需时间即为上升时间tr。
tr的大小也取决于晶体三极管的结构和电路工作条件。基区宽度w越小，tr也越小；基极驱动电流越大，tr也越短。
(2) 晶体三极管由饱和状态过渡到截止状态的过程。
可分为驱散基区多余存储电荷及驱散基区存储电荷两个阶段。
图3-1-5中，当vI>VREF1时，二极管导通，vO≈vI；当vI<VREF1时，二极管截止，vO=VREF1。这样就将输入波形中瞬时电位低于VREF1的部分抑制掉，而将高于VREF1的部分波形传送到输出端，实现了下限限幅的功能。
演 示
D1
R2
VREF2
＋
－
＋
－
vI
(a)
＋
－
vO
D2
R1
VREF1
3.1 晶体管的开关特性
3.1.1 晶体二极管开关特性
3.1.2 晶体三极管开关特性
S
R
V
图3-1-1 理想开关
＋
－
3.1.1 晶体二极管开关特性

2sc9013型晶体管中文资料

基极-发射极饱和电压
基极-发射极导通压降
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
HFE1
HFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
VBE(on)
Ic=100uA,IE=0
Ic=1mA,IB=0
IE=100uA,IC=0
VCB=25V,IE=0
VEB=3V,IC=0
VCE=1V,IC=50mA
VCE=1V,IC=500mA
IC=500mA,IB=50mA
IC=500Ma,IB=50mA
VCE=1V,IC=10mA
40
20

120
0.16
0.91
0.67
100
100
202
0.6
1.2
0.7
V
V
V
nA
nA
V
V
V
hFE(1)分类
类别
D
E
F
G
H
hFE(1)
64-91
78-112
96-135
112-166
144-202
静态特性图
Ic（mA）
VCE(V)
直流电流增益图
hFE
IC(mA)
基极-发射极，集电极-发射极饱和压降图
VBE,VCE(SAT)(mV)
IC(mA)
直流增益带宽
直流增益带宽（MHz）
IC(mA)
2sc9013npn张萌译允许放大输出为1w无线类推挽式总功耗高pt625mw集电极电流高ic500ma与ss9012互补卓越的hfe线性特性ta25特征名称符号单位集电极基极电压集电极发射极电压发射极基极电压集电极电流集电极耗散储存温度vcbovceoveboicpctjtstg402050062515055150mamata25特性名称符号测试条件单位集电极基极击穿电压集电极发射极击穿电压发射极基极击穿电压集电极截止电流发射极截止电流直流电流增益集电极发射极饱和电压基极发射极饱和电压基极发射极导通压降bvcbobvceobveboicboiceohfe1hfe2vcesatvbesatvbeonic100uaie0ic1maib0ie100uaic0vcb25vie0veb3vic0vce1vic50mavce1vic500maic500maib50maic500maib50mavce1vic10ma4020644006120120016091067100100202061207nanahfe164917811296135112166144202icmavcevhfeicmavbevcesatmvicmamhzicma

场效应晶体管及其应用资料课件


在模拟电路中的应用
信号放大
在模拟电路中，场效应管 可作为放大器使用，具有 低噪声、高输入阻抗等优 点。
混频器和振荡器
场效应管可用于构建混频 器和振荡器，用于信号处 理和通信系统。
电源管理
在电源电路中，场效应管 可用来调节电压和电流， 实现高效的电源管理。
在功率电路中的应用
电源开关
在功率电路中，场效应管可作为 电源开关使用，实现高效、快速
注入的均匀性和准确性。
设备选择
03
根据具体的制造工艺选择相应的设备，如氧化炉、光刻机、刻
蚀机和离子注入机等。
06
实际应用案例分析
场效应晶体管在微处理器中的应用
场效应晶体管在微处理器中作 为开关元件，控制电流的通断 。
由于其高速开关特性和低导通 电阻，场效应晶体管在微处理 器中能够实现高速、低功耗的 数据传输。
可靠性问题
随着使用时间的增长，场效应晶体管可能会出现老化、失效等问题 ，影响电子设备的稳定性和寿命。
能效问题
目前场效应晶体管的能效还有待提高，尤其是在低电压、低功耗的 应用场景下，需要进一步优化设计。
未来的发展趋势与前景
新材料与新工艺
绿色环保
随着新材料和先进工艺的发展，场效 应晶体管将不断优化，实现更高的性 能和更低的功耗。
结构
场效应晶体管由源极、漏极、栅极和基片组成，其中栅极通 过绝缘层与基片隔离，通过改变输入电压来控制输出电流。
02
场效应晶体管的性能参数
直流参数
开启电压
指场效应管正常工作所需的最 小电压，也称阈值电压。
漏源饱和电压
当漏极电流达到最大时，对应 的漏源电压称为漏源饱和电压 。
跨导
表示场效应管放大能力的参数 ，定义为电压变化量与电流变 化量的比值。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

–2 to 14
V
Notes: 1. Except for the rating ”Operating Temperature Range”, stresses above those listed in the Table ”Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the Operating sections of this specification is not i mplied. Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for extended periods may affect device reliability. Refer also to the STMicroelectronics SURE Program and other relevant quality documents.
G A10 E Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 VSS Q2 Q1 Q0 A0 A1 A2 A3
Warning: NC = Not Connected. 2/16
Figure 2B. LCC Pin Connections
A12 A15 A16 VPP VCC P NC
A7 A6 A5 A4 A3 9 A2 A1 A0 Q0
Standby Mode
The M27C1001 has a standby mode which reduces the supply current from 30mA to 100µA. The M27C1001 is placed in the standby mode by applying a CMOS high signal to the E input. When in the standby mode, the outputs are in a high impedance state, independent of the G input.
Read Mode
The M27C1001 has two control functions, both of which must be logically active in order to obtain data at the outputs. Chip Enable (E) is the power control and should be used for device selection. Output Enable (G) is the output control and should be used to gate data to the output pins, independent of device selection. Assuming that the addresses are stable, the address access time (tAVQV) is equalto the delay from E to output (tELQV). Data is availableat the output after a delay of tGLQV from the falling edge of G, assuming that E has been low and the addresses have been stable for at least tAVQV-tGLQV.
1 32 M27C1001
17
A14 A13 A8 A9 25 A11 G A10 E Q7
Q1 Q2 VSS Q3 Q4 Q5 Q6
AI00712
Warning: NC = Not Connected.
DEVICE OPERATION
The operating modes of the M27C1001 are listed in the Operating Modes table. A single power supply is required in the read mode. All inputs are TTL levels except for VPP and 12V on A9 for Electronic Signature.
Identifier
A0
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0 Hex Data
Manufacturer’s Code VIL
0
0
1
0
0
0
0
0
20h
Device Code
VIH
0
0
0
0
0
1
0
1
05h
Two Line Output Control
BecauseEPROMs are usually used in larger memory arrays, this product features a 2 line control function which accommodates the use of multiple memory connection. The two line control function allows :
TSOP32 (N) 8 x 20mm
Figure 1. Logic Diagram
VCC VPP
17 A0-A16
8 Q0-Q7
P
M27C1001
E
G
VSS
AI00710B
September 1998
1/16
M27C1001
Figure 2A. DIP Pin Connections
VPP A16 A15 A12
32
1
FDIP32W (F)
32
1
PDIP32 (B)
DESCRILeabharlann TIONThe M27C1001 is a 1 Mbit EPROM offered in the two ranges UV (ultra violet erase) and OTP (one time programmable). It is ideally suited for microprocessor systems requiring large programs and is organized as 131,072 words of 8 bits.
The FDIP32W (window ceramic frit-seal package) and the LCCC32W (leadless chip carrier package) have a transparent lids which allow the user to expose the chip to ultraviolet light to erase the bit pattern. A new pattern can then be written to the device by following the programming procedure.
3. Depends on range.
Table 3. Operating Modes
Mode
E
Read
VIL
Output Disable
VIL
Program
VIL
Verify
VIL
Program Inhibit
VIH
Standby
VIH
Electronic Signature
VIL
Note: X = VIH or VIL, VID = 12V ± 0.5V
°C
TSTG VIO (2)
Storage Temperature Input or Output Voltages (except A9)
–65 to 150
°C
–2 to 7
V
VCC VA9 (2)
Supply Voltage A9 Voltage
–2 to 7
V
–2 to 13.5
V
VPP
Program Supply Voltage
M27C1001
Table 2. Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol
Parameter
Value
Unit
TA
Ambient Operating Temperature (3)
–40 to 125
°C
TBIAS
Temperature Under Bias
–50 to 125
M27C1001
1 Mbit (128Kb x8) UV EPROM and OTP EPROM
5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE in READ OPERATION FAST ACCESS TIME: 35ns LOW POWER CONSUMPTION: – Active Current 30mA at 5Mhz – Standby Current 100µA PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V PROGRAMMING TIME: 100µs/byte (typical) ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Device Code: 05h
2. Minimum DC voltage on Input or Output is –0.5V with possible undershoot to –2.0V for a period less than 20ns. Maximum DC voltage on Output is VCC +0.5V with possible overshoot to VCC +2V for a period less than 20ns.