电子电路重点习题讲解

思考题与习题4.1 按照电流导通角θ来分类，θ=180度的高频功率放大器称为甲类功放，θ>90度的高频功放称为甲乙类功放，θ=90度的高频功率放大器称为乙类功放，θ<90度的高频功放称为丙类功放。

4.2 高频功率放大器一般采用LC谐振回路作为负载，属丙类功率放大器。

其电流导通角θ<90度。

兼顾效率和输出功率，高频功放的最佳导通角θ= 60～70 。

高频功率放大器的两个重要性能指标为电源电压提供的直流功率、交流输出功率。

4.3 高频功率放大器通常工作于丙类状态，因此晶体管为非线性器件，常用图解法进行分析，常用的曲线除晶体管输入特性曲线，还有输出特性曲线和转移特性曲线。

4.4 若高频功率放大器的输入电压为余弦波信号，则功率三极管的集电极、基极、发射极电流均是余弦信号脉冲，放大器输出电压为余弦波信号形式的信号。

4.5 高频功放的动态特性曲线是斜率为1-的一条曲线。

R∑υ对应的静态特性曲线的交点位于放大区就4.6对高频功放而言，如果动态特性曲线和BEmaxυ称为欠压工作状态；交点位于饱和区就称为过压工作状态；动态特性曲线、BEmax 对应的静态特性曲线及临界饱和线交于一点就称为临界工作状态。

V由大到小变化时，4.7在保持其它参数不变的情况下，高频功率放大器的基级电源电压BB功放的工作状态由欠压状态到临界状态到过压状态变化。

高频功放的集电极V（其他参数不变）由小到大变化时，功放的工作状态由过压状态到电源电压CCV（其它参数不变）由小临界状态到欠压状态变化。

高频功放的输入信号幅度bm到大变化，功放的工作状态由欠压状态到临界状态到过压状态变化。

4.8 丙类功放在欠压工作状态相当于一个恒流源；而在过压工作状态相当于一个恒压源。

集电极调幅电路的高频功放应工作在过压工作状态，而基级调幅电路的高频功放应工作在欠压工作状态。

发射机末级通常是高频功放，此功放工作在临界工作状态。

4.9 高频功率放大器在过压工作状态时输出功率最大，在弱过压工作状态时效率最高。

第一章习题解答题1.1 电路如题图1.1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。

设二极管是理想的。

解：分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。

正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V 。

锗管的导通压降为0.2～0.3V 。

理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。

分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。

若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。

如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。

一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。

图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位N U 为-12V 。

VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。

理想情况为零，相当于短路。

所以V U AO 6-=；图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止V U AO 0=；或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位V U AO 0=，而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图（d ），断开VD1、VD2，∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U < V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <；∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。

习题四4-1 电路如题图4-1所示，i (t )=10mA 、R =10k Ω、L =1mH 。

开关接在a 端为时已久，在t =0时开关由a 端投向b 端，求t ≥0时，u (t )、i R (t )和i L (t )，并绘出波形图。

解：本题是求零输入响应，即在开关处于a 时，主要是电感储能，当开关投向b 后，讨论由电感的储能所引起的响应。

所以对图(a)t ≥0时的电路可列出00≥=+t Ri dtdiL L L及 i L (0)=i (t )=10(mA ) 其解为：0)(1010)(710≥==--t mA e et i t tL τS R L 73310101010--=⨯==τ 则 0)(10010101010))(0()1)(0()(77101033≥-=⨯⨯⨯-=-=-==-----t V e e e LR Li e Li dt di L t u t ttL t L L L τττ 而 0)(10)()(710≥-=-=-t mA e t i t i t L R其波形图见图(b)、图(c)所示。

4-2 电路如题图4-2所示，开关接在a 端为时已久，在t =0时开关投向b 端，求3Ω电阻中的电流。

解：因为 )(623)0(V u c =⨯= （注意：当稳态以后电容为开路，所以流过1Ω和电容串联支路的电流为零，因此电容两端的电压就是并联支路2Ω支路两端的电压）当开关投向b 时电流的初始值为)(236)0()0(A R u i c ===S RC i 3130)(=⨯===∞τ，故根据三要素法得： 0)(2)(31≥=-t A e t i t4-3 电路如题图4-3所示，开关在t <0时一直打开，在t =0时突然闭合。

求u (t )的零输入响应和零状态响应。

解：因为u (t )=u c (t )，所以求出u c (t )即可。

方法一：直接用三要素法：（注意，开关闭合以后，时间常数由两个电阻并联后，再与电容构成RC 电路）L (t ) i (t L(a)10(b) (c) 题图4-1 习题4-1电路及波形图(t )题图4-2 习题4-2电路S C R 23)1//2(0=⨯==τ)(32)2//1(1)()(221)0(V u V u c c =⨯=∞=⨯= 所以)1(322)322(32))()0(()()(5.05.05.0≥-+=-+=∞-+∞=----t ee e eu u u t u tt t tc c c c 零状态响应零输入响应τ方法二：分别求出零输入响应和零状态响应（可以直接解微分方程，也可以直接利用结论）零输入响应：02)(215.05.00'≥=⨯==---t e V e eU u tt tc τ零状态响应：0))(1(32)1(11212)1(5.05.0"≥-=-⨯+⨯=-=---t V e e eRI u t t ts cτ4-4 电路如题图4-4所示，已知 ⎩⎨⎧≥<=010)(t t t u s 且u c (0)=5V 。

电子电路技术考研习题及其详解第6章功率放大电路(总28页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--一、选择题(05 分)1.选择正确答案填空：1．在甲类功率放大电路中，功放管的导通角为（）；A ．B ．C．02．在甲乙类功率放大电路中，功放管的导通角为（）；A ． B．>C．<3．在乙类功率放大电路中，功放管的导通角为（）；A ． B．=C．<(05 分)2.选择正确答案填空：1．功率放大电路的主要特点是（）；A．具有较高的电压放大倍数 B．具有较高的电流放大倍数C．具有较大的输出功率2．功率放大电路的最大输出功率是负载上获得的（）；A．最大交流功率 B．最大直流功率 C．最大平均功率3．功率放大电路的效率是（）；A．输出功率与输入功率之比 B．输出功率与功放管耗散功率之比C．输出功率与电源提供的功率之比(05 分)3.选择正确答案填空：2651．分析功率放大电路时，应着重研究电路的（）；A．电压放大倍数和电流放大倍数 B．输出功率与输入功率之比C．最大输出功率和效率2．功率放大电路的最大输出功率是（）；A．负载获得的最大交流功率 B．电源提供的最大功率C．功放管的最大耗散功率2663．当功率放大电路的输出功率增大时，效率将（）。

A．增大 B．减小 C．可能增大，也可能减小(05 分)4.选择正确答案填空：1．功率放大电路与电压放大电路的共同之处是（）；A．都放大电压 B．都放大电流 C．都放大功率2．分析功率放大电路时，应利用功放管的（）；A．特性曲线 B．h参数模型 C ．高频混合模型3．在选择功率放大电路的功放管时，应特别注意其参数（）；A ．、B ．、、C ．、(05 分)5.选择正确答案填空：1．功率放大电路与电流放大电路的共同之处是（）；A．都放大电压 B．都放大电流 C．都放大功率2．对于甲类功率放大电路，当输出功率增大时，功放管的管耗将（）；A．增大 B．不变 C．减小3．对于乙类功率放大电路，当输出功率增大时，功放管的管耗将（）；A．增大 B．可能增大，可能减小 C．减小(05 分)6.选择正确答案填空：1．功率放大电路的主要作用是使负载获得（）；A．尽可能大的电压 B．尽可能大的电流 C．尽可能大的交流功率2．对于甲类功率放大电路，当输出电压增大时，电源提供的功率将（）；A．增大 B．不变 C．减小2663．对于乙类功率放大电路，当输出电压增大时，功放管的管耗将（）；A．增大 B．减小 C．可能增大，也可能减小(05 分)7.有三种功率放大电路：A．甲类功率放大电路267B．甲乙类功率放大电路 C．乙类功率放大电路选择正确答案填空：1．静态时，功率损耗最大的电路是（）；2．能够消除交越失真的电路是（）；3．功放管的导通角最小的电路是（）。

1-8 在题图1-4所示的硅二极管电路中，输入交流信号V im 为5mV ，问输出交流电压V om 为多少？设电容C 对交流信号的容抗可忽略不计。

【分析思路】 （1）从电路结构出发，在两个电源作用下，电路中每个元器件的电压和电流原则上均包含两部分响应，即不变的直流和变化的交流；（2）具体说来，电容所在支路因电容的存在不可能含直流电流的流动，即Ω25电阻上无直流电压降；（3）考虑到交流电压的变化范围较小，由此在各元件上引起的变化电压和电流也不会大，即相对于直流属于小信号。

综合起来，该题可以采用在直流工作点下的小信号分析方法。

【解答】（1）在令交流电压源为零条件下，画出原电路的直流通路如图1-8-1（a ）所示。

（a ）题图1-4在V im =0时的电路图 （b ）直路分析图 （c ）二极管分析模型图1-8-1 题图1-4的直流通路获取在只提供二极管为“硅管”信息条件下，我们能采用的最精确二极管模型也只有图1-8-1（c ）的模型了。

据此，得V 3.57.06直o =-=V ，mA 04.11.5/3.5直D ==I ；管子处于导通状态。

（2）在令原图中直流电压源为零条件下，画出原电路的交流通路如图1-8-2（a ）所示，在二极管用小信号电阻替代，容抗为零的电容用短路线替代后得小信号等效图（c ）。

（a ）令原图直流源为零时的电路 （b ）整理后的交流通路 （c ）小信号等效图图1-8-2 题图1-4的交流分析图获取题图1-4Ω≈=≈25mA 04.1mV26DQ T d 常温I V r ()()[]mV 5.225//105.125//105.12533imom ≈⨯⨯⨯+=V V 【结论】 在二极管直流压降V 3.5直D =V ，交流压降mV 5.2m d =交V 条件下，可知满足计算前的“小信号分析”假设条件，因此分析合理，即mV 5.2om ≈V 。

1-9 请思考下列说法是否正确：（1）二极管的结电容越大二极管允许的最高工作频率越高；（2）二极管的结电容与外加电压的关系是线性的；（3）二极管的结电容由势垒电容和扩散电容组成；（4）在反偏时主要由扩散电容起作用。

习题六6-1 什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特征？答：所谓本征半导体就是指完全纯净的、结构完整的半导体。

在本征半导体中掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。

本征的半导体中的自由电子数量和空穴的数量是相等的，而杂质半导体中根据掺杂的元素不同可分为N 型半导体和P 型半导体，在N 型半导体中电子的浓度远远大于空穴的浓度，而P 型半导体恰恰相反。

6-2 掺杂半导体中多数载流子和少数载流子是如何产生的？答：在本征半导体中，由于半导体最外层有四个电子，它与周边原子的外层电子组成共价键结构，价电子不仅受到本身原子核的约束，而且受到相邻原子核的约束，不易摆脱形成自由电子。

但是，在掺杂的半导体中，杂质与周边的半导体的外层电子组成共价键，由于杂质半导体的外层电子或多（5价元素）或少（3价元素），必然有除形成共价键外多余的电子或不足的空穴，这些电子或空穴，或者由于受到原子核的约束较少容易摆脱，或者容易被其它的电子填充，就形成了容易导电的多数载流子。

而少数载流子是相对于多数载流子而言的另一种载流子，它是由于温度、电场等因素的影响，获得更多的能量而摆脱约束形成的。

6-3，黑表笔插入COM ，红表笔插入V/Ω（红笔的极性为“+”），将表笔连接在二极管，其读数为二极管正向压降的近似值。

用模拟万用表测量二极管时，万用表内的电池正极与黑色表笔相连；负极与红表笔相连。

测试二极管时，将万用表拨至R ×1k 档，将两表笔连接在二极管两端，然后再调换方向，若一个是高阻，一个是低阻，则证明二极管是好的。

当确定了二极管是好的以后就非常容易确定极性，在低阻时，与黑表笔连接的就是二极管正极。

6-4 什么是PN 结的击穿现象，击穿有哪两种。

击穿是否意味着PN 结坏了？为什么？ 答：当PN 结加反向电压（P 极接电源负极，N 极接电源正极）超过一定的时候，反向电流突然急剧增加，这种现象叫做PN 结的反向击穿。

击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，齐纳击穿是由于PN 结中的掺杂浓度过高引起的，而雪崩击穿则是由于强电场引起的。

第一章第一章第一章第一章绪绪绪绪论论论论习习习习题题题题指指指指导导导导思考题思考题思考题思考题1.1.1能识别不同频率信号的元器件有哪些？1.1.2你知道信号在传输和处理中是如何利用“空分”、“频分”和“时分”来区分不同信号的实际例子吗？1.1.3若无线信道能容许通过带宽为无限的有用信号，则从频分的角度，我们能将这样的信号通过无线方式传输吗？为什么？思考题思考题思考题思考题：：：：1.2.1为了接收端能将收到的图1-2-5（d）所示信号按发送信号周期进行“同步分离”，接收端是否应该有一个与发端同步的标准“同步时钟信号”？1.2.2你知道有关利用“空分”、“频分”和“时分”理论来组成电路系统的实际例吗？1.2.3问：下列说法是否正确？图1-2-2（a）、（b）的数字信号和图1-2-3（a）的数字的模拟信号都具有时间上离散的携带信息时间上离散的携带信息时间上离散的携带信息时间上离散的携带信息特征；图1-2-2（c）的模拟基带信号具有时间时间时间时间上连续的携带信息上连续的携带信息上连续的携带信息上连续的携带信息特征。

思考题思考题思考题思考题：：：：1.3.1在输入有用信号带宽有限的情况下，为了减弱平均噪声对电路输出波带来的影响，电路的带宽是否应与输入有用信号带宽一致？为什么？思思思思考考考考题题题题与与与与练练练练习习习习题题题题1-1 1-1 实际通信信道有哪几种？电信道中的有线和无线信道中哪个更有利于接收电路对信号的识别？1-2 1-2 多路通信中的频分复用和时分复用是否可以用同一功能电路来实现？举例说明。

（提示：参见图1-2-5和图1-3-1）1-3 1-3 用于远距离发射的数字调制和模拟调制的输入和输出信号的差异如何？1-4 1-4 对发送和接收电路的基本要求是什么？解：这里的发送设备是在保持信息不变的前提下，以基带信号为有效信号的信号变换电路，它涉及信号的调制、放大、滤波和发射等具体电路。

第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路，已知12CC =U V ，20B1B1='=R R k Ω，10B2B2='=R R k Ω，2C2C1==R R k Ω，2E2E1==R R k Ω，2L =R k Ω，5021==ββ，6.0BE2BE1==U U V 。

（1）求前、后级放大电路的静态值。

（2）画出微变等效电路。

（3）求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路，各级电路的静态值可分别计算，动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻，即i2L1r R =。

解 （1）各级电路静态值的计算采用估算法。

第一级：412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U （V ）7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I （mA ）0.034507.11C1B1===βI I （mA ）2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U （V ） 第二级：412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U （V ）7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I （mA ）电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I （mA ） 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U （V ）（2）微变等效电路如图3.8所示。

R U +-图3.8 习题3.1解答用图（3）求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

三极管V 1的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为：93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r （k Ω） 第一级等效负载电阻为：63.093.0//2//i2C1L1==='r R R （k Ω） 第二级等效负载电阻为：12//2//L C2L2==='R R R （k Ω） 第一级电压放大倍数为：3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为：5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为：1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中，已知12CC =U V ，30B1=R k Ω，20B2=R k Ω，4E1C1==R R k Ω，130B3=R k Ω，3E2=R k Ω，5.1L =R k Ω，5021==ββ，8.0BE2BE1==U U V 。

电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

3—1 若反馈振荡器满足起振和平衡条件,则必然满足稳定条件,这种说法是否正确？为什么？解：否。

因为满足起振与平衡条件后,振荡由小到大并达到平衡。

但当外界因素（T 、V CC ）变化时，平衡条件受到破坏，若不满足稳定条件，振荡器不能回到平衡状态，导致停振。

3—2 一反馈振荡器，欲减小因温度变化而使平衡条件受到破坏，从而引起振荡振幅和振荡频率的变化,应增大i osc )(V T ∂∂ω和ωωϕ∂∂)(T ，为什么？试描述如何通过自身调节建立新平衡状态的过程（振幅和相位）。

解：由振荡稳定条件知:振幅稳定条件：0)(iAiosc <∂∂V V T ω相位稳定条件：0)(oscT <∂∂=ωωωωϕ若满足振幅稳定条件,当外界温度变化引起V i 增大时，T(osc ）减小,V i 增大减缓，最终回到新的平衡点。

若在新平衡点上负斜率越大，则到达新平衡点所需V i 的变化就越小，振荡振幅就越稳定。

若满足相位稳定条件，外界因素变化oscT（）最终回到新平衡点。

这时，若负斜率越大，则到达新平衡点所需osc的变化就越小，振荡频率就越稳定。

3-3 并联谐振回路和串联谐振回路在什么激励下(电压激励还是电流激励）才能产生负斜率的相频特性？解：并联谐振回路在电流激励下，回路端电压V的频率特性才会产生负斜率的相频特性，如图（a ）所示。

串联谐振回路在电压激励下,回路电流I的频率特性才会产生负斜率的相频特性，如图（b)所示。

3—5 试判断下图所示交流通路中，哪些可能产生振荡，哪些不能产生振荡。

若能产生振荡，则说明属于哪种振荡电路。

osc阻止osc 增大，解：(a）不振.同名端接反,不满足正反馈;(b）能振.变压器耦合反馈振荡器;（c）不振.不满足三点式振荡电路的组成法则；(d）能振。

但L2C2回路呈感性，osc 〈2，L1C1回路呈容性，osc >1，组成电感三点式振荡电路。

(e)能振。

计入结电容C b e，组成电容三点式振荡电路。

第一章 思考题与习题1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成的？1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的二极管有何异同？1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电流放大倍数的关系是什么？1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。

解：由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0；当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω∵exp(U i / U T )>>1∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流有效值为(a)(b)图P1-1图P1-2u iDi图P1-3u i D U多少？解：U ＝3.3V>>100mV ，I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA1.12. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。

总复习题及解总复习题及解一、问答第一章答题1. 电流与电压为关联参考方向是指什么？答：电流参考方向（箭头方向）与电压降参考方向（“+”到“-”的方向）一致的方向。

第二章答题1. 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为短路，理想电流源不作用时视为开路。

2、求含有受控源单口网络的戴维南（诺顿）等效电路的内阻时，屏蔽掉电源后须用外施电压、电流法求得。

第三章答题1、对于电容C和电感L，电压和电流间的关系为：，2、换路定律是指：3、全响应解的两种表达式：（1）全响应=（零输入响应）+（零状态响应）（2）三要素法：第四章答题1、直流电路中，感抗为0，容抗为无穷大。

2、正弦电压 u (t ) =2U cos (?t + ?u )对应的相量表示为 u U U θ∠=•。

3、任意一个相量乘以j 相当于该相量逆时针旋转90o 。

4、三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为相电压是线电压的31倍，且相电压滞后对应线电压30°。

对称电源△接线时，线电流、相电流之间关系为线电流等于3倍相电流，相位滞后对应相电流30°。

5、电阻元件的电压电流的有效值满足 ：U=IR ，关联参考方向下电压和电流同相位，即第五章答题无第六章答题1、本征半导体电子浓度等于空穴浓度；N型半导体的电子浓度大于空穴浓度；P 型半导体的电子浓度小于空穴浓度。

2、场效应管属于电压控制型器件，晶体三极管则属于电流控制器件。

3、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结正向偏置；集电结反向偏置。

4、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

5、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时导通，反偏时截止。

6、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic 增加，发射结压降U BE减小。

第七章答题1、共模抑制比K CMR是差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）之比。

2、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用差放电路。

3、差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。

数字电子技术基础触发器工作原理习题讲解触发器是数字电子电路中非常重要的组成部分，它能够在特定条件下存储和传输信号。

本文将介绍数字电子技术中常见的触发器类型及其工作原理，并通过一些习题讲解来更好地理解触发器的应用。

一、RS触发器RS触发器是最简单的触发器类型之一，它由两个互补的反馈电路组成。

下面是一个常见的RS触发器电路图：（这里用文字描述电路图，如何显示电路拓扑图呢？）说明：- S和R是两个输入端，用来改变触发器的状态。

- Q和Q'是两个输出端，代表触发器当前的状态。

- 反馈回路采用NAND门实现。

当S=0、R=0时，触发器保持不变。

当S=0、R=1时，Q=0、Q'=1。

当S=1、R=0时，Q=1、Q'=0。

当S=1、R=1时，触发器处于不稳定状态，Q和Q'的状态将不确定。

习题一：如果RS触发器的初始状态为Q=0、Q'=1，输入为S=1、R=0，请问触发器的最终状态是什么？答案：触发器的最终状态会保持不变，即Q=1、Q'=0。

习题二：如果RS触发器的初始状态为Q=0、Q'=1，输入为S=0、R=0，请问触发器的最终状态是什么？答案：触发器的最终状态会保持不变，即Q=0、Q'=1。

二、D触发器D触发器是一种特殊的RS触发器，它只有一个输入端D，代表数据输入。

下面是一个常见的D触发器电路图：（同样用文字描述电路图）说明：- D是输入端，用来改变触发器的状态。

- Q和Q'是两个输出端，代表触发器当前的状态。

- 反馈回路采用NAND门实现。

当D=0时，触发器保持不变。

当D=1时，Q=1、Q'=0。

习题三：如果D触发器的初始状态为Q=0、Q'=1，输入为D=1，请问触发器的最终状态是什么？答案：触发器的最终状态会改变，变为Q=1、Q'=0。

习题四：如果D触发器的初始状态为Q=0、Q'=1，输入为D=0，请问触发器的最终状态是什么？答案：触发器的最终状态会保持不变，即Q=0、Q'=1。

题目部分：(04 分)16.射极输出电路如右下图所示，分析在下列情况中对输出电压幅度的影响，选择A、B、C填空。

1．保持不变，将断开，这时将____；2．保持不变，将断开，这时将____。

（A．明显增大，B．明显.减小，C．变化不大）（15题图）（16题图）(04 分)17.射极输出电路如图所示，分析在下列情况中对输出电压幅度的影响，选择A、B、C填空。

1．保持不变，将减小一半，这时将____；2．保持不变，将减小一半，这时将____。

（A．明显增大，B．明显.减小，C．变化不大）五、解答题(52小题,共537.0分)(10 分)1.放大电路及晶体管输出特性如图所示。

按下述不同条件估算静态电流I BQ（可视）并用图解法确定静态工作点Q（标出各Q点位置和确定I CQ、U CEQ的值）。

1．V CC＝12V，＝600，＝3，求Q1；2．V CC＝6V，＝300，＝1，求Q2；3．V CC＝6V，开路，＝2，求Q3；4．V CC＝12V，＝750，＝0，求Q4。

(10 分)2.放大电路及相应的晶体管输出特性如图所示。

设U BEQ＝0.7V，U CES0.5V，电容容量足够大。

1．根据晶体管输出特性确定晶体管的值；2．求出静态电流I BQ的值，并用图解法确定I CQ和U CEQ的值；3．图解确定此时该电路的最大不失真输出电压幅值。

(10 分)3.已知左下图示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导＝1mS，可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。

1．画出微变等效电路图；2．计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

(10 分)4.已知右上图示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导＝2mS，可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。

1．画出微变等效电路图；2．计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

(11 分)5.某硅晶体管的输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其直流、交流负载线如图所示。

由此求解：1．电源电压V CC，静态电流I CQ，静态电压U CEQ；2．电路参数、；3．该电路在此条件下最大不失真输出电压幅值U om。

第2章基本放大电路及其分析习题解答2.1 三极管放大电路为什么要设置静态工作点，它的作用是什么？解：防止产生非线性失真。

2.2 在分压式偏置电路中，怎样才能使静态工作点稳定，发射极电阻的旁路电容C E的作用是什么，为什么？解：使静态工作点稳定条件I2>>I B和V B>>U BE。

称为发射极电阻的旁路电容C E对直流而言，它不起作用，电路通过R E的作用能使静态工作点稳定；对交流而言，它因与R E并联且可看成短路，所以R E不起作用，保持电路的电压放大倍数不会下降。

2.3 多级放大电路的通频带为什么比单级放大电路的通频带要窄?解：因为多级放大电路的电压放大倍数大于单级放大电路的电压放大倍数，而放大电路的电压放大倍数和通频带的乘积基本为常数，所以多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。

2.4 对于共集电极放大电路，下列说法是否正确?(1) 输出信号方向与输入信号方向相反。

(2) 电压放大倍数小于且约等于1。

(3) 输入电阻大。

(4) 输出电阻小。

解：(1) 不正确。

(2) 、(3) 和(4) 正确。

2.5 放大电路的甲类、乙类和甲乙类三种工作状态各有什么优缺点？解：甲类: 静态工作点Ｑ大致落在交流负载线的中点，功率损耗大效率低，不失真。

乙类: 静态工作点Ｑ下移到截止区处，功率损耗很小，效率高。

但此时将产生严重的失真。

甲乙类: 静态工作点Ｑ下移到接近截止区，功率损耗较小，失真也较小。

2.6 什么是交越失真？如何克服交越失真，试举例说明？解：放大电路工作于乙类状态，因为三极管的输入特性曲线上有一段死区电压，当输入电压尚小，不足以克服死区电压时，三极管就截止，所以在死区电压这段区域内（即输入信号过零时）输出电压为零，将产生失真，这种失真叫交越失真。

为了避免交越失真，可使静态工作点稍高于截止点，即避开死区段，也就是使放大电路工作在甲乙类状态。

2.7 为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏压电路？解：因为增强型绝缘栅场效应管的U GS 为正，所以，自给偏压电路不适应增强型绝缘栅场效应管，只适应耗尽型绝缘栅场效应管。