河南理工大学2006年电力电子技术试卷

电力电子技术基础试题自动化 班 姓名 学号 成绩一、 选择题（单选，在正确的选项上打√，共10分）1、并联谐振式逆变电路，每一个桥臂的晶闸管均串联电抗器，其作用是：A 、 限制晶闸管导通时的t i d dB 、限制晶闸管导通时的t u d dB 、 晶闸管关断过电压的缓冲装置2、单向桥式整流电路，反电动势负载，当晶闸管关断时，负载两端电压为：A 、零B 、电源电压C 、反电动势E M3、当电力场效应晶体管作开关使用时，管子工作状态不应处于输出特性的：A 、饱和区B 、非饱和区C 、截止区4、电流型逆变电路直流侧要：A 、并联大电感B 、串联大电感C 、并联大电容5、三相桥式全控整流电路，阻感负载，采用同步信号为锯齿波的触发电路，同步信号正弦波落后于加于晶闸管的相电压：A 、90ºB 、120ºC 、180º6、电压型逆变电路，各桥臂都并联了二极管，其作用是：A 、防止失控B 、提供无功功率反馈通道C 、关断晶闸管7、三相桥式全控整流电路，双窄脉冲触发方式，双窄脉冲间的相位差为：A 、60ºB 、80ºC 、120º8、用来标称GTO 的电流额定值是：A 、阳极通态平均电流B 、最大可关断阳极电流C 、通态额定值有效电流9、三相串联二极管电流型逆变电路，同一相两个晶闸管的触发脉冲相位差：A 、90ºB 、120ºC 、180º10、三相半波可控整流电路，电阻性负载时的输出电压，与电感性负载带续流二极管时的输出电压相比，其值：A 、大B 、小C 、相等二、 是非判断题（正确打√，错误打×，共10分）1、三相桥式半控整流电路本身具有续流作用，在大电感负载时，仍需要在负载两端并联续流二极管，以保证电路可靠工作。

…….….( )2、单相桥式半控整流电路，电阻性负载，其输出电压波形与带续流二极管电感负载输出电压波形相同。

浙02308# 电力电子变流技术试题 第 1 页（共 5 页）全国2006年4月高等教育自学考试电力电子变流技术试题课程代码：02308一、单项选择题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1.将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（ ） A.有源逆变器 B.A/D 变换器 C.D/A 变换器D.无源逆变器2.三相全控桥式整流电路中，共阳极组的三只晶闸管的触发脉冲相位互差（ ） A.60ºB.90ºC.120ºD.150º3.晶闸管的三个引出电极分别是（ ） A.阳极、阴极、门极 B.阳极、阴极、栅极 C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极4.单相半波可控整流带电阻性负载R 电路，设变压器二次侧相电压有效值为U 2，则直流电流平均值为（ ）A.0.45)cos +1(R U 2αB. 0.225)cos +1(RU 2α C. 0.9)cos +1(RU 2αD. 0.45)2cos 1(R V 2α-5.三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（ ）度。

A.60 B.90 C.120D.1806.单相半控桥式无续流二极管整流电路输出电压平均值为（ ），设变压器二次侧相电压有效值为U 2。

A.0.9U 22cos +1αB. 0.9U 22cos 12α+⨯C.0.5U 2(1+cos α)D. 0.9U 22cos 1α-7.三相半控桥式整流电路（共阴极组）要求触发脉冲发（ ）度间隔触发。

A.60B.90浙02308# 电力电子变流技术试题 第 2 页（共 5 页）C.120D.1808.当晶闸管承受反向阳极电压且门极施加正向脉冲时，正常情况下晶闸管都将工作在（ ）A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定9.在直流降压斩波电路中，电源电压U d 与负载电压平均值U O 之间的关系是（ ），设开关周期和开关导通时间分别为T 、T ONA.Ud T T =U ONOB. O ONU TT =Ud C. Ud T T =U ONOD. O ONU T T =Ud10.三相半波可控电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（ ），设U 2为变压器二次侧相电压有效值。

（注：卷面80分，平时成绩20分）一、填空题（4小题，每空1分，共 4 分） 1.晶闸管单相桥式整流电路，交流电源为工频220V（有效值），考虑2倍的安全裕量，则晶闸管的额定电压应不小于 V 。

2.设GTO 的电流关断增益为5, 如果该器件要关断直流500A 的电流，关断时门极负脉冲电流的峰值应不小于 A 。

3.IGBT 的开启电压一般为 V 。

4.驱动电路要实现控制电路与主电路之间的电气隔离，其中光隔离一般通常采用的元件是 。

二、选择题（3 小题，每空1分，共6分） 1.在电力电子器件中属于电压驱动的是 , 属于双极型的是 , 在可控的器件中，容量最大的是 ,A. SCRB. GTOC. GTRD. P.MOSFETE. IGBTF. 电力二极管 2.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为 。

对同一晶闸管来说，通常擎住电流约为维持电流的 。

A. 维持电流B. 擎住电流C. 2～4倍D. 1/2～1/43.图1是 的典型驱动电路？A. SCRB. GTOC. GTRD. P.MOSFET本题得分本题得分图1三、简答题（5 小题，每题3分，共15分）1.从晶闸管的物理结构角度，回答下列问题：1）分析为什么晶闸管一旦触发导通之后，就可以自锁导通，而不再需要触发电流？ 2）为什么晶闸管导通之后，门极就失去控制作用，不能控制器件关断？2.关于SPWM 控制技术，回答下列问题：1）什么是异步调制？ 2）什么是同步调制？3）什么是分段同步调制，与上述两个方式相比它有什么优点？3.图2中画出了有、无RCD 缓冲电路时，晶体管关断过程中的电压电流变化轨迹。

当有RCD 缓冲电路时，回答下列问题：1）晶体管关断时应按照那条电压电流线（工作点轨迹）转移？并说明理由。

2）在该轨迹线上标出工作点转移的方向，并说明理由。

CEi图24.关于单相交流电能变换电路，回答下列问题：1）从电路结构方面，比较交流调功电路与交流调压电路的异同之处；2）从控制方式方面，比较交流调功电路与交流调压电路的异同之处；3）说明交流调功电路适用于什么样的负载。

电力电子技术考试试题(doc 8页)一、填空题（11 小题，每空0.5分，共22 分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。

2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1) 的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。

2) 的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。

3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。

3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。

4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。

5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。

6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。

其中缓冲电路又称为du／dt抑制电路，用于吸收器件的过电压。

缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。

5、IGBT 综合了（ ）和（ ）的优点，因而具有良好的特性。

A.SCRB.GTOC.GTRD.P.MOSFET F. 电力二极管三、计算题（4 小题，共20分）1、单相桥式全控整流电路，U2=200V ，负载中R=2Ω，L 值极大，反电势E=120V 。

已知控制角的变化范围是： 0°~30°,考虑安全裕量(按1.5倍计算)，确定晶闸管的额定电压和额定电流。

（4分）2、单相全控桥式变流电路工作在有源逆变状态下，已知U2=200V ，电动机反电势E=120V ，负载中R=2Ω，L 极大。

回答下列问题。

(6分)（1）画出变流电路的电路图，并在图中标出在有源逆变初期电动机反电势的极性和变流电路输出直流电压的极性。

（2）逆变角β应限制在什么范围内？画出β＝60°时的d u 和d i 的波形。

诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《电力电子技术基础》试卷注意事项：1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)； 3．考试形式：闭卷；一． 选择题（单选，共10分）1．关于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，下面说法错误的是( )A ．IGBT 相比MOSFET ，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大B ．IGBT 是由MOSFET 和GTR 复合而制成的C ．IGBT 工作在开关状态时，是在正向阻断区和饱和区之间转换D ．开关频率介于GTR 和MOSFET 之间2．三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，其移相范围是( ) A ．90° B ．120° C ．150° D ．180°3．单相桥式全控整流电路中，由于变压器漏感造成的换流压降为( ) A ．d B I X π2B ．d B I XC ．d B I X π21 D ．d B I X π34．下列电路中，不可以实现有源逆变的是( )A ．单相双半波可控整流电路B ．单相桥式半控整流电路C ．单相桥式全控整流电路D ．三相桥式全控整流电路 5．下列可控整流电路中，输出电压谐波含量最少的是( ) A ．三相半波 B ．单相双半波 C ．三相桥式 D ．十二相整流 6．电压型逆变电路的特点不包含( ) A ．直流侧接大电感 B ．交流侧电流接正弦波 C ．直流侧电压无脉动 D ．直流侧电流有脉动7．斩波电路实现调压的方法是 ( )A ．改变开关频率B ．改变开关周期C ．改变占空比D ．改变负载电流 8．三相桥式全控整流电路，阻感负载，采用同步信号为锯齿波的触发电路，同步信号正弦波落后于加于晶闸管的相电压( )A ．90ºB ．120ºC ．180ºD ．240º9．交－交变频电路的最高工作频率为（ ）A.电源频率的2倍到3倍B. 电源频率的21倍到31倍 C.和电源频率相同 D.电源频率的整数倍10．SPWM 的电路基波是 ( )A ．正弦波B ．三角波C ．锯齿波D ．方波二．是非判断题（共10分）1．“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。

电力电子技术第五版试题及答案4套电力电子技术第五版试题及答案4套《电力电子技术》试题(1)一、填空（30分）1、双向晶闸管的图形符号是，三个电极分别是，和；双向晶闸管的的触发方式有、、、.。

2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。

三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。

（电源相电压为U2）3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用触发；二是用触发。

4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达度；实际移相才能达度。

5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有、、、。

6、软开关电路种类很多，大致可分成电路、电路两大类。

7、变流电路常用的换流方式有、、、四种。

8、逆变器环流指的是只流经、而不流经的电流，环流可在电路中加来限制。

9、提高变流置的功率因数的常用方法有、、。

10、绝缘栅双极型晶体管是以作为栅极，以作为发射极与集电极复合而成。

三、选择题（每题2分10分）1、α为度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。

A、0度。

B、60度。

C、30度。

D、120度。

2、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变的大小，使触发角α=90º，可使直流电机负载电压U d=0。

达到调整移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。

A、同步电压，B、控制电压，C、偏移调正电压。

3、能够实现有源逆变的电路为。

A、三相半波可控整流电路，B、三相半控整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相桥式全控整流电路。

4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）A、700VB、750VC、800VD、850V5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、90°B、120°C、150°D、180°四、问答题（20分）1、实现有源逆变必须满足哪些必不可少的条件？（6分）2、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同，直流斩波电路可有哪三种控制方式？并简述其控制原理。

《电力电子技术》试题(G)一、填空题?（每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????和??????????????????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????????。

2、??在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组?????????状态、?????????状态、反组????????状态、??????状态。

3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经??????????????而不流经??????? ????????的电流。

为了减小环流，一般采用α????β状态。

4、有源逆变指的是把????????能量转变成??????????能量后送给???????????装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的???????电压；在门极加上????????电压，并形成足够的????????????电流，晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时???????????? ?????与?????????????????电路会出现失控现象。

7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为??????H Z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为?????????H Z；这说明?????????????????????????????电路的纹波系数比?????????????????电路要小。

8、造成逆变失败的原因有??????????????、??????????????、????????????????、?????????????????等几种。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。

2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。

的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。

的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

《电力电子技术》试卷一．填空（共15分，1分/空）1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。

2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。

3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U，忽略主电路2各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。

4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。

5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。

6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。

7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。

二．单选（共10分，2分/题）1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。

A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2．晶闸管属于（）。

A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。

A．180O B.90O C.120O4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。

A.60B. 180C. 1205．把交流电变成直流电的是（）。

A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三．多选（共10分，2分/题）1．电力电子器件一般具有的特征有。

A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。

A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3．使晶闸管关断的方法有。

A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4．逆变失败的原因有。

A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5．变压器漏抗对整流电路的影响有。

系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………【最新整理，下载后即可编辑】德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题 《电力电子技术》试卷题 号 一二 三 四 合 计分 数阅卷人 得分1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。

A 、1 B 、2 C 、3 D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。

A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。

A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。

A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ）A 、在栅极加正电压B 、在集电极加正电压C 、在栅极加负电压D 、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（ ）电力场效应管 A 、稍高于 B 、低于 C 、远高于 D 、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ，反向重复峰值电压为825V ，则该晶闸管的额定电压为（ ） A 、700V B 、750V C 、800V D 、850V 16、下列电力电子器件中，（ ）的驱动功率小，驱动电路简单 A 、普通晶闸管 B 、可关断晶闸管 C 、电力晶体管 D 、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（ ） A 、一定导通 B 、超过死区电压才导通 C 、超过0.3V 才导通 D 、系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………超过0.7V 才导通 18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO 器件电路符号的是（ ）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR 器件电路符号的是（ ）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET 器件电路符号的是（ ） 21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（ ）工作特性设计的A 、截止区B 、负阻区C 、饱和区D 、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（ ）就能改变直流电动机的转速。