半导体二极管
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0617055
基于长周期光纤光栅的动态增益平坦滤波器〔刊
,中〕
/
李彬
//光电子激光
.—
2006,17(3).—
2742
279(E)
0617056
光学元件的激光损伤阈值测量〔刊
,中〕
/胡建平
//红外与激光工程
.—
2006,35(
2)
.—
1872
191(
E)
0617057
高损伤阈值激光反射镜的设计方法〔刊
,中〕
/卜轶坤
//
红外与激光工程
.—
2006,35(2).—
1832
186,215(E)
0800 半导体与微电子技术
0810 半导体物理
0617058
Ta2O5/ZnO绝缘体2半导体界面研讨
=Investigations
onTa2O5/ZnOinsulator2
semiconductorinterfaces〔刊
,
英〕
/S.K.Nandi,W.2
K.Choi//ElectronicsLetters.—
2002,38(
22)
.—
1390(
E)
0617059
ZnO同质
p2
n结的研究〔刊
,中〕
/杨晓杰
//真空科学与
技术学报
.—
2006,25(增刊)
.—
1012
104(
L)
调节反应气体中
O
2的比例和
RF电源的功率可以
增加本征施主
V
0的形成焓
,降低本征受主
V
zn和
O
i的
形成焓
,制备出
p型
ZnO薄膜
;采用掺杂金属
Al制备
出低电阻
n型
ZnO薄膜
,在此基础上得到性能可观的
ZnO同质
p2
n结。参
25
0617060
DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的
SiCOH低介电
常数薄膜结构及物性研究〔刊
,中〕
/叶超
//真空科学与
技术学报
.—
2006,25(增刊
).—
972
100(L)
0617061
变分方法研究
ZnO量子点中游子的基态特性〔刊
,
中〕
/王志军
//发光学报
.—
2006,27(2).—
2252
228(E)
0617062
弱耦合多原子半无限晶体中磁极化子的激发能量〔刊
,
中〕
/胡文韬
//发光学报
.—
2006,27(2).—
1492
153(E)
0820 半导体器件
0617063
宽禁带半导体器件的发展〔刊
,中〕
/毕克允
//中国电子
科学研究院学报
.—
2006,1(
1)
.—
62
10(
G)
概要介绍了宽禁半导体器件的近期发展情况。
AlGaN/GaN微波功率
HEMT、蓝光激光器和紫外探测
器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值
,同时
在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要
描述了它们的技术特点
,以及在相控阵雷达、电子战系
统、精确制导、水下光通信和探测系统中的应用前景。0617064
界面电荷耐压模型
:SOI高压器件纵向耐压新理论
〔刊
,中〕
/郭宇锋
//固体电子学研究与进展
.—
2006,26
(
1)
.—
112
15(
D)
基于求解二维
Poisson方程
,分析了具有埋氧层界
面电荷的
SOI结构纵向击穿特性
,提出了界面电荷耐
压模型。该模型通过埋氧层界面电荷来调制硅层和埋
氧层电场
,获得极高击穿电压。进一步提高临界界面
电荷面密度概念
,给出其工程化应用的近似公式。并
对文献中的不同结构
SOI器件的纵向耐压进行计算。
解析结果和试验结果或
MEDICI仿真结果吻合良好。
参
14
0617065
薄外延阶梯掺杂漂移区
RESURF耐压模型〔刊
,中〕
/
李琦
//固体电子学研究与进展
.—
2006,26(
1)
.—
12
5
(
D)
0617066
高温超导微波器件在雷达接收机中的应用〔刊
,中〕
/陆
明
//现代雷达
.—
2006,28(3).—
842
86,90(G)
0617067
基于
FPGA的电子琴设计〔刊
,中〕
/陈华容
//电声技
术
.—
2006,(2).—
262
29(L)
设计了一种基于
FPGA的电子琴
,该电子琴由用
VHDL硬件描述语言设计的核心部件和适当的外围电
路构成
,可从琴键上进行演奏也可自动进行乐曲演奏
,
可模拟传统乐器如笛、风琴、小号、单簧管、双簧管等音
色。实验验证了该设计的正确性。参
4
0821 半导体二极管
0617068
作为双光子吸收装置的
Si雪崩光电二极管无背景强
度自动相关器
=Background2
freeintensityautocorrelator
employingSiavalanchephotodiodeastwo2
photonab2
sorber〔刊
,英〕
/K.Taira,Y.Fukuchi//ElectronicsLet2
ters.—
2002,38(
23)
.—
1465(
E)
0617069
高特性
1500V4H2
SiC结势垒
Schottky二极管
=High
performance1500V4H2
SiCjunctionbarrierSchottky
〔刊
,英〕
Z,x
L—
,3()—
3()diodes/J.H.haoP.Aleandrov//Electronics
etters.2002822.189E
420617070
隧道再生双有源区
AIGaInP发光二极管提取效率的
计算〔刊
,中〕
/田咏桃
//固体电子学研究与进展
.—
2006,26(1).—
802
84(D)
0617071
发光二极管辐照光合能力快速检测系统〔刊
,中〕
/王俊
生
//光电子激光
.—
2006,17(3).—
3772
380(E)
0617072
高亮度绿色
OLED的制备与光电性能研究〔刊
,中〕
/
钟建
//光电子激光
.—
2006,17(
3)
.—
2952
298(
E)
0617073
Si衬底
GaN基
LED的结温特性〔刊
,中〕
/刘卫华
//发
光学报
.—
2006,27(
2)
.—
2112
214(
E)
结温是发光二极管的重要参数之一
,它对器件的
内量子效率、输出功率、可靠性及
LED的其他一些性
能有很大的影响。首次报道
Si衬底
GaN基
LED的结
温特性。利用正向压降法测量
Si衬底上
GaN基
LED
的结温
,通过与蓝宝石衬底上
GaNLED的结温比较
,
发现
Si衬底
GaNLED有更低的结温
,原因归结为
Si
有更好的导热性。同时也表明
:用
Si作
GaNLED的
衬底在大功率
LED方面具有更大的应用潜力。参
12
0617074
白光
LED用稀土荧光粉的制备和性质〔刊
,中〕
/吴昊
//发光学报
.—
2006,27(
2)
.—
2012
205(
E)
新颖的氧化生长绝缘层的
MISiC传感器特性研究
(见
0618022)
0822 晶体管、
MOS器件
0617075
耗尽型
6H2
SiC埋沟
PMOSFET电流解析模型〔刊
,
中〕
/刘莉
//固体电子学研究与进展
.—
2006,26(1).—
642
68(D)
0617076
改进的
Triquint2
MaterkaPHEMT模型〔刊
,中〕
/李辉
//固体电子学研究与进展
.—
2006,26(1).—
492
51(D)
0617077
热载流子应力下
n2
MOSFET线性漏电流的退化〔刊
,
中〕
/赵要
//固体电子学研究与进展
.—
2006,26(
1)
.—
202
24,48(
D)
0617078
LDMOS漂移区结构优化的模拟〔刊
,中〕
/徐亮
//固体
电子学研究与进展
.—
2006,26(
1)
.—
62
10(
D)
0617079
铟量子点实现单电子晶体管方法〔刊
,中〕郭荣辉西
安电子科技大学学报—
6,33()—
62(
D) 研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管
,它是
利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的
高度可控生长方法得到的。实现了在纳米电极间隙上
生长铟量子点。该结构由量子点充当单电子晶体管的
库仑岛
,构成了多岛结构的单电子晶体管。参
10
0830 印制电路与集成电路
0617080
高速
PCB电源完整性研究〔刊
,中〕
/白同云
//中国电
子科学研究院学报
.—
2006,1(1).—
222
30(G)
一块成功的高速印刷电路板
(PCB),需要做到信
号完整性和电源完整性
,首先必须降低地弹。为了滤
除地弹骚扰
,推荐在电源
/地平面对上
,安放去耦电容。
参
6
0617081
DDC中的抽取滤波器设计及
FPGA实现〔刊
,中〕
/张
斌
//信息技术与信息化
.—
2006,(
1)
.—
702
72(
D)
本文介绍了在数字下变频(
DDC)中的抽取滤波器
系统设计方法和具体实现方案。采用
CIC滤波器、
HB
滤波器、
FIR滤波器三级级联的方式来降低采样率。
通过实际验证
,证明了设计的可行性。参
3
0617082
多晶硅双栅全耗尽
SOICMOS器件与电路〔刊
,中〕
/连
军
//固体电子学研究与进展
.—
2006,26(
1)
.—
1242
127(
D)
0617083
5.2～
5.8GHz有源巴仑
MMIC〔刊
,中〕
/王维波
//固体
电子学研究与进展
.—
2006,26(1).—
292
33(D)
0617084
平面光集成器件的时域伪谱法分析〔刊
,中〕
/林海
//光
电子激光
.—
2006,17(3).—
2852
289(E)
将时域伪谱
(PSTD)方法应用于平面光集成器件
的分析
,推导并实现了可用于
PSTD方法的单轴各向
异性完全匹配层
(UPML)吸收边界条件
,讨论了专用
于导波结构仿真的一种紧凑的
PSTD激励源。并对分
布式反馈
(DFB)光栅进行了数值模拟
,其仿真结果与
传统时域有限差分
(FDTD)方法相当吻合
,但
PSTD无
论在计算时间还是内存需求方面都大大优于
FDTD
方法。参
7
0617085
基于
CPLD的高速数据采集系统的设计与实现〔刊
,
中〕
/刘忠
//电子技术应用
.—
2006,32(
4)
.—
712
73(
D)
0617086
基于
FPGA/DSP的数字视频消像旋系统设计〔刊
,
中〕
/李洪伟
//红外与激光工程
.—
2006,35(
2)
.—
2222
225,233(
E)
6
6V解码器芯片应用简介〔刊
,中〕祝敏电
5///
.2002.18189017087
H.24/AC///
2
