学生用材料科学基础第7章
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材料科学基础(武汉理工大学,张联盟版)课后习题及答案第七章第七章答案7-1略7-2浓度差会引起扩散,扩散是否总是从高浓度处向低浓度处进行?为什么?解:扩散是由于梯度差所引起的,而浓度差只是梯度差的一种。
当另外一种梯度差,比如应力差的影响大于浓度差,扩散则会从低浓度向高浓度进行。
7-3欲使Ca在CaO中的扩散直至CaO的熔点(2600℃)时都是非本质扩散,要求三价离子有什么样的浓度?试对你在计算中所做的各种特性值的估计作充分说明。
已知CaO肖特基缺陷形成能为6eV。
解:掺杂M引起V’’Ca的缺陷反应如下:当CaO在熔点时,肖特基缺陷的浓度为:3+2+所以欲使Ca在CaO中的扩散直至CaO的熔点(2600℃)时都是非本质扩散,M的浓度为,即2+3+7-4试根据图7-32查取:(1)CaO在1145℃和1650℃的扩散系数值;(2)Al2O3在1393℃2+3+和1716℃的扩散系数值;并计算CaO和Al2O3中Ca和Al的扩散活化能和D0值。
解:由图可知CaO在1145℃和1650℃的扩散系数值分别为,Al2O3在1393℃和1716℃的扩散系数值分别为根据可得到CaO在1145℃和1650℃的扩散系数的比值为:,将值代入后可得,Al2O3的计算类推。
7-5已知氢和镍在面心立方铁中的扩散数据为2cm/s和2cm/s,试计算1000℃的扩散系数,并对其差别进行解释。
解:将T=1000℃代入上述方程中可得。
,同理可知原因:与镍原子相比氢原子小得多,更容易在面心立方的铁中通过空隙扩散。
7-6在制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单晶中,若在1600K温度下,保持硼在硅单晶-3表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距表面10cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半,问需要多长时间(已知D1600℃=8×10-12cm/s;当2时,)?解:此模型可以看作是半无限棒的一维扩散问题,可用高斯误差函数求解。
其中-122=0,,所以有0.5=s。