泰克推出新型高性能混合信号示波器

可 降低 近 一半 。基 于 富士 通半 导 体 的Ｇａ Ｎ功率 器 态 、进 行常关操作 。该芯片是数据通信设 备 、工业
件 ，用 户 可 以设 计 出 体 积 更 小 、效 率 更 高 的 电 源 组 产 品和 汽车电源中使 用的ＤＣ — ＤＣ 转换器的高边开关
件 ，可广泛运用 于Ｉ Ｃ Ｔ 设备 、工业设备 和汽车 电子等 和底边 开关 的理想选 择。此 外 ，由于其支持 电源 电 领 域 。另 外 ，该 公 司还 开 发 了耐 压 为 ６ ０ ０ Ｖ 和３ Ｏ Ｖ的 路 中更 高的开关频率 ，电源产品可实现整体 尺寸缩 产品，有助于在更宽广的产 品领域提高电源效率。 小和效率的提高 。■
新 系列 中的混合 信号 示波 器（ ＭＳ Ｏ ＭＳ Ｏ ） 和数 字荧
内最 佳 的 ８ ０ 皮 秒 定 时 分 辨 率 ，这 使 得 工 程 师 能 够 在４ 光示 波 器（ ＤＰ Ｏ ） 机 型 在最 大 电压 设 置值 下具 有 ６ ０ ０ ｍＶ ／
个高带 宽通道上进行高速Ｄ Ｄ Ｒ 内存模拟验证的同时获 ｄ ｉ ｖ （ ６ Ｖ 满 量 程） 的 更宽 动 态 范 围 ，记 录长 度 为 １ Ｇ 样 点／
泰克公 司 日前推 出新ＭＳ Ｏ ／ Ｄ Ｐ Ｏ ７ ０ ０ ０ ０ Ｄ Ｘ系列高 工程师能够轻松和快速验证与ＭＳ Ｏ ７ ０ ０ ０ ０ Ｄ Ｘ 系列 的数
性 能 示 波 器 ，提供 ２ ３ Ｇ Ｈ ｚ 、２ ５ Ｇ Ｈ ｚ 和３ ３ Ｇ Ｈ ｚ 带 宽型 号 字通道相连的１ ６ 个信号中任意一个信号的模拟特征 ， 以及 用 于调 试 数 字 和模 拟 电路 的多 种增 强 工 具 。 同时 而无 需 改变 探 头或 连 接 。此 外 ，这 些新 示 波器 还 向客 推 出的 还有 与 ＭＳ Ｏ ／ Ｄ Ｐ Ｏ ７ ０ ０ ０ ０ Ｄ Ｘ 示 波 器配 用 的Ｐ ７ ６ ０ ０ 户提 供各 种 升 级选 项 ，来 帮 助客 户保 护 投 资和 适应 需
功能模块不仅 节省空间及缩减物料单 ，最重要 的是
在 快 速 变 化 的 竞 争 市 场 帮 助 加 快及 简 化 产 品 开 发 过
Ｌ Ｃ ８ ２ ３ ４ ３ ０ Ｔ Ａ 包 含 段 位 式 可 连 接 液 晶显 示 屏 的驱 程 。 ”安森 美 半 种 不 同 版 本 ，配 合 ８ 个 共 用 端 ×１ ８ 段 分部 总经 理Ａ ｔ ｓ ｕ ｓ ｈ ｉ Ｂ ａ ｎ ｄ ｏ 说 道 。■
解 码的数 字信 号处理（ Ｄ ｓ Ｐ ） 电路 ，以及模 拟功能模块 及ＵＳ Ｂ ２ ． ０ 设备接 口，以进一步节省珍贵空间及Ｂ Ｏ Ｍ 如音频模数转换及数模转换 、 扬声器及麦克风放大器 成本 。
和用 于一 致播 放 的带数 字 自动 电平 控 制 的可 编 程增 益 “ 这款 高 集 成度 的Ｌ ｃ ８ ２ ３ ４ ３ ０ Ｔ Ａ 增 强 了安 森美 产 放大 器 。Ｌ Ｃ ８ ２ ３ ４ ３ ０ Ｔ Ａ的嵌 入式 Ｄ Ｓ Ｐ 除 了进行 ＭＰ ３ 编码 品阵容 以配合便携音频录放市场创新及节省空间型设 Ｑ Ｆ Ｐ 封 装 内集 成 大 量 数 字 及模 拟 和解 码 ，还 可 消 除 风 噪 或Ｈ Ｖ ＡＣ 等 背 景 噪 声 以 提升 记 计 的需 求 。在 单 个 Ｔ 录数 据 的音 频 品质 。另 外 该器 件 还 有变 速 播 放 功能 ， 使 音频 数 据能 够更 快 或更 慢播 放 ，但不 会 改变 音调 。
得 关 于 串行总 线（ ￣ ｎ Ｕ Ｓ Ｂ、 Ｉ Ｃ 和ｓ Ｐ Ｉ ） 逻辑 或协 议 性能 的 通道 ，支持 对 更长 记 录 的更快 解 码 。此 外 ，这 些示 波 实 时 准 确反 馈 ；其 ｉ Ｃ ａ ｐ ｔ ｕ ｒ ｅ 同步 数 字 一 模 拟采 集 功 能 让 器还 支持 大于３ ０ ０ ， ０ ０ ０ ｗ ｆ ｍｓ ／ ｓ 的采样 速 率 。●
Ｎ Ｅ Ｗ Ｐ Ｒ Ｏ Ｄ Ｕ Ｃ Ｔ Ｉ 新 产品 速 递
Ｕ Ｓ Ｂ 模式） 或４ 个共 用 端 ×３ ６ 段（ ￣ ｕｓ Ｂ 模式） 显 示屏 。 安森美半导体近期推出一款应用于ＭＰ ３ 的新器件 （ Ｌ Ｃ ８ ２ ３ ４ ３ ０ Ｔ Ａ 音 频 处 理 系 统 ，集 成 了用 于 ＭＰ ３ 编码 及 该 器 件 的设 计 还 嵌 入 了 不 同 闪 存 接 口 ，如 Ｓ Ｄ ／ ＭＭ Ｃ
芯片可耐压 １ ５ ０ Ｖ，将于２ ０ １ ３ 年７ 月起开始提供新 品样 实 现 的 品 质 因数 大 约 是 基 于 硅 的 电源 芯 片产 品 的 一
片 ，２ ０ １ ４ 年 开 始 量 产 。该 产 品 初 始 状 态 是 断 开 ，相 半 ；２ ） 使用ＷＬ Ｃ Ｓ Ｐ 封装 、最小的寄生 电感和高频率 比于 同 等 耐 压 规 格 的 硅 功 率 器 件 ， 品质 因 数 （ Ｆ Ｏ Ｍ） 操作 ；３ ） 采用专有 的栅极设计 ，可实现默认关 闭状
富士通半 导体（ 上海） 有限公 司于近期推出基于硅
ＭＢ ５ １ Ｔ ０ ０ ８ Ａ 芯 片 的性 能 特 性包 括 ： １ ） 导 电 阻为
衬 底 的氮 化 镓 （ Ｇａ Ｎ） 功率 器 件 芯 片 ＭＢ ５ ｌ Ｔ ０ ０ ８ Ａ，该 １ ３ ｍｎ ，总 栅 极 电荷 为 １ ６ ｎ Ｃ，使 用相 同 的 击 穿 电压
系列高性能探头 ，提供３ ３ Ｇ Ｈ ｚ 带宽以及业 内最高的低 求变 化 ，这 些 升级 选 项 中包 括带 宽 升级 、产 品转 换 和 压 、高速串行及Ｒ Ｆ 信号探测灵敏度。
新 ＭＳ Ｏ ７ ０ ０ ０ ０ Ｄ Ｘ 示 波器 的 １ ６ 个 数 字 通道 均 提供 业
以旧换新计 划 。